JP2792426B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法

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JP2792426B2
JP2792426B2 JP6063191A JP6319194A JP2792426B2 JP 2792426 B2 JP2792426 B2 JP 2792426B2 JP 6063191 A JP6063191 A JP 6063191A JP 6319194 A JP6319194 A JP 6319194A JP 2792426 B2 JP2792426 B2 JP 2792426B2
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秀樹 玉井
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ハードディスク装
置等で使用される高密度薄膜の磁気記録媒体およびその
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ハードディスク装置等で使用される
高密度記録媒体として、塗布式の磁気記録媒体に代わっ
てスパッタ法を用いた金属薄膜から成る磁気記録媒体が
現在主流となってきている。
【0003】この金属薄膜から成る磁気記録媒体は高密
度記録を実現するため、高出力、高記録密度特性および
高S/N比等が要求されている。また、磁気記録媒体の
磁気特性で言うと残留磁化および保磁力等が高い必要が
ある。
【0004】このような条件を満足する磁気記録媒体と
して、NiP/Al基板上にCr下地膜を形成した後、
磁性膜としてCoNiCr膜、CoCrTa膜などを形
成する磁気記録媒体が提案されている(電子情報通信学
会技術研究報告、CPM88−91およびCPM88−
92、1988年)。ここで、NiP/Al基板は円周
方向に沿ったテクスチャ溝を有していて、これにより円
周方向への磁気異方性となり保磁力が高められている。
【0005】さらに、円周方向への磁気異方性を高める
ために、Wを0.5at%(原子パーセント)ないし3
0at%の割合で含むCr下地膜を設けたり(特開平3
−203810号公報参照)、真空加熱処理を施した基
板を用いてCo系磁性膜をエピタキシャル成長させるこ
とにより(特開平3−165315号公報参照)、さら
に磁気記録媒体の保磁力を向上させている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の技術では、磁気記録媒体の円周方向への磁気異
方性を高めることは磁気記録媒体の保磁力を上げるのに
有効であり出力も増加するが、一方媒体ノイズも増加す
ることが分かった。
【0007】従って、媒体のS/N比を改善するために
媒体ノイズを減少させる必要がある。
【0008】本発明の主な目的は、上記問題点を解決
し、媒体ノイズを低減し、かつ媒体のS/N比を改善し
た磁気記録媒体および媒体の円周方向に高い保磁力を有
するとともに、磁気異方性を半径方向に容易に変化させ
ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、NiP/Alから成る基板上にCrから成る下地膜
を形成し、さらにCrから成る下地膜上に媒体の円周方
向に磁界を印加したときの保磁力をHcc、媒体の半径方
向に磁界を印加したときの保磁力をHcrと定義したと
き、半径方向への磁気異方性を表す関係式1.0<Hcr
/Hcc≦1.4を満たすCo系合金から成る磁性膜を形
成したことを特徴とする。
【0010】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、前記関係式を満たす前記磁性膜を有する前記磁気記
録媒体をスパッタ法により形成するとき、前記Crから
成る下地膜を成膜する際のArガス圧を低圧側に制御し
て磁気異方性を媒体の円周方向から半径方向へ変化させ
ることを特徴とする。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
【0012】本実施例の磁気記録媒体の成膜はRFマグ
ネトロン方式のスパッタ装置を用いて行われた。
【0013】本実施例では、下地膜用として3NのCr
ターゲット、磁性膜用としてCoCrTa(ここで、C
rは12at%(原子パーセント)、Taは2at%)
合金ターゲット、保護膜として5NのCターゲットをそ
れぞれ用いた。
【0014】ここで、Nは媒体ノイズを表す。
【0015】また、基板としてテクスチャ溝付き(表面
粗さRmax=40nm)NiP/Al基板を用いた。
【0016】まず初めに、本実施例におけるスパッタ条
件を表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】このようにして形成されたCr下地膜が色
々なArガス圧から成るCoCrTa/Cr媒体につい
て、VSMにより半径方向における保磁力および半径方
向への磁気異方性を調べた。
【0019】その結果を図1に示す。
【0020】ここで、Hcは円周方向における保磁力、
Hccは円周方向での保磁力、Hcrは半径方向での保磁
力、PArはCr下地膜のArガス圧をそれぞれ表す。
【0021】この図1におけるHcr/Hccを表すグラフ
1の結果から、Cr下地膜のArガス圧PArを5mTo
rr以下の低圧側に制御すること、すなわちNiP/A
l基板へ直交入射するスパッタ粒子のエネルギーを高く
することにより半径方向への磁気異方性Hcr/Hccを
1.0以上の高い値に変化させることができるというこ
とが分かった。
【0022】ここで、図1におけるHcを表すグラフ2
の結果から、Cr下地膜のArガス圧PArを1mTor
r以下にしてしまうと、保磁力が急激に低下してしまう
のでCr下地膜のArガス圧PArは1mTorr以上で
あることが要求される。
【0023】従って、図1のグラフ1および2から本実
施例におけるCr下地膜のArガス圧PArの最適値は、
1mTorr以上でかつ5mTorr以下であると考え
られる。
【0024】なお、望ましいCr下地膜のArガス圧の
絶対値は、チャンバーの形状あるいはNiP/Al基板
とターゲットとの間の距離などのスパッタ装置の特性に
依存するため、各スパッタ装置で図1のようなグラフを
作成し、Cr下地膜のArガス圧の最適な範囲を決定す
る必要がある。
【0025】次に、本実施例の磁気記録媒体の記録再生
特性について説明する。
【0026】表2は磁気特性と記録再生特性との評価結
果を示している。
【0027】
【表2】
【0028】この表2から本実施例における媒体は従来
の媒体と比べて、高い保磁力を有しながら高い磁気異方
性(磁気異方性が半径方向)を示し、媒体ノイズNが低
減され、さらに媒体S/Nが改善されていることが分か
った。
【0029】また、図2は媒体S/Nおよび媒体ノイズ
Nと半径方向への磁気異方性Hcr/Hccとの依存関係を
示すグラフである。
【0030】この図2における媒体ノイズNを表すグラ
フ3および媒体S/Nを表すグラフ4から、低い媒体ノ
イズNでかつ高い媒体S/Nという特性を有する本実施
例の磁気記録媒体を得るためには、1.0<Hcr/Hcc
≦1.4を満たす必要があることが分かった。
【0031】なお、ビッターを用いたSEM観測の結果
から、半径方向への磁気異方性Hcr/Hccが1.0以下
の領域で媒体ノイズNが急激に増加する主な原因は磁化
遷移領域におけるジグザグ磁区であり、一方Hcr/Hcc
が1.4以上の領域で媒体ノイズNが急激に増加する主
な原因はトラック端での磁区の乱れであることが分かっ
た。
【0032】さらに、本実施例における磁気記録媒体の
磁性膜の成分をCoCrTaからCoCrTaPtに代
えても同様の効果が得られた。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明の磁気記録媒
体は、Co系合金から成る磁性膜が、円周方向に磁界を
印加したときの保磁力をHcc、半径方向に磁界を印加し
たときの保磁力をHcrと定義したとき1.0<Hcr/H
cc≦1.4の関係式を満たしているため、比較的高い保
磁力を有するとともに半径方向への磁気異方性を有し、
さらに媒体ノイズの低減化および媒体S/Nの向上を達
成している。
【0034】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、Cr下地膜上にCo系合金から成る磁性膜を上記関
係式1.0<Hcr/Hcc≦1.4が満たされるようにス
パッタ法で形成するとき、Cr下地膜のArガス圧を低
圧側に制御することにより、磁気記録媒体の磁気異方性
を円周方向から半径方向へ変化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半径方向への磁気異方性Hcr/Hccおよび円周
方向における保磁力HcとCr下地膜のArガス圧PAr
との依存関係を表す説明図である。
【図2】媒体S/Nおよび媒体ノイズNと半径方向への
磁気異方性Hcr/Hccとの依存関係を表す説明図であ
る。
【符号の説明】
1 半径方向への磁気異方性Hcr/Hccを示すグラフ 2 円周方向における保磁力を示すグラフ 3 媒体ノイズNを示すグラフ 4 媒体S/Nを示すグラフ

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 NiP/Alから成る基板上にCrから
    成る下地膜を、前記下地膜上にCo系合金から成る磁性
    膜をそれぞれスパッタ法で形成した磁気記録媒体であ
    り、 前記磁性膜は、媒体の円周方向に磁界を印加したときの
    保磁力をHcc、媒体の半径方向に磁界を印加したときの
    保磁力をHcrと定義したとき、 前記保磁力Hccは1600Oe(1600エルステッド)
    以上であり、 半径方向への磁気異方性を表す関係式1.0<Hcr/H
    cc≦1.4を満たすことを特徴とする磁気記録媒体。
  2. 【請求項2】 前記磁性膜は、CoCrTaから成るこ
    とを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記磁性膜は、CoCrTaPtから成
    ることを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 NiP/Alから成る基板上にCrから
    成る下地膜と、前記下地膜上にCo系合金から成る磁性
    膜を有する磁気記録媒体の製造方法であり、 前記磁性膜は、媒体の円周方向に磁界を印加したときの
    保磁力をHcc、媒体の半径方向に磁界を印加したときの
    保磁力をHcrと定義したとき、 半径方向への磁気異方性を表す関係式1.0<Hcr/H
    cc≦1.4を満たし、前記下地膜の膜厚は60nmであ
    り、 前記磁気記録媒体をスパッタ法により形成するとき、前
    記Crから成る下地膜を成膜する際のArガス圧を1m
    Torr以上かつ5mTorr以下に制御して磁気異方
    性を媒体の円周方向から半径方向へ変化させることを特
    徴とする磁気記録媒体の製造方法。
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