JP5401069B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体に関するものである。

近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。

ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、高密度記録時に、より熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。

従来、磁気記録層としては、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２やＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２が広く用いられている。Ｃｏはｈｃｐ構造（六方最密結晶格子）の結晶が柱状に成長し、ＣｒおよびＳｉＯ_２（またはＴｉＯ_２）が偏析して非磁性の粒界を形成する。かかるグラニュラー構造を用いることにより、物理的に独立した微細な磁性粒子を形成しやすく、高記録密度を達成しやすい。

上記垂直記録方式においては、単磁極型垂直ヘッドが用いられ磁気記録層に対して垂直方向の磁界を生じさせている。しかし、単に単磁極型垂直ヘッドを用いるのみでは、単磁極端部を出た磁束が直ぐに反対側のリターン磁極に戻ろうとするため十分な強度の磁界を磁気記録層に印加することができない。そこで、垂直磁気記録ディスクの磁気記録層の下に軟磁性層を設け、軟磁性層に磁束の通り道（磁路）を形成することで磁気記録層に垂直方向の強い磁界を印加することが可能となる。すなわち軟磁性層は、書き込むときの磁場によって磁化方向が整列し、動的に磁路を形成する層である。

しかし磁気記録層に強い磁界を印加すると、隣接トラックへの漏れ磁場も大きくなることから、ＷＡＴＥ（Wide Area Track Erasure）、すなわち、書込みの対象となるトラックを中心に数μｍにわたって記録情報が消失する現象が問題となる。ＷＡＴＥを低減させる手法として、磁気記録層の逆磁区核形成磁界Ｈｎを負とし、さらにその絶対値を大きくすることが重要といわれている。高い（絶対値の大きい）Ｈｎを得るために、グラニュラー構造を有する磁気記録層の上方又は下方に高い垂直磁気異方性を示す薄膜（連続層）が形成されたＣＧＣ（Coupled Granular Continuous）媒体が考案されている（特許文献１）。

また磁気記録層の保磁力Ｈｃを向上させていくと、高記録密度化が達成できる反面、磁気ヘッドによる書き込みが困難になる傾向にある。そこで連続層は、飽和磁化Ｍｓを向上させることにより、書き込みやすさ、すなわちオーバーライト特性を向上させる役割も有している。

言い換えれば、磁気記録層の上に連続層を設ける目的は、逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させてノイズを低減し、飽和磁化Ｍｓを向上させてオーバライト特性も向上させることである。なお連続層は補助記録層またはキャップ層とも呼ばれるが、本願では、特に断らない限り、連続層と呼ぶこととする。
特開２００３−３４６３１５号公報

記録媒体の高記録密度化のためには、保磁力Ｈｃを向上させることが第１義的な課題である。これを実現するには磁性粒子の結晶配向性を向上させることや、孤立化、均一化、微細化を図る必要がある。しかし、磁性層の改良だけで保磁力Ｈｃを向上させることには限界がある。

一方、発明者は連続層のクロム含量を増大させることでも、保磁力Ｈｃが上昇することを既に見出している。しかし、このとき、飽和磁化Ｍｓも低下してしまうため、連続層の本来の目的を達成できなくなるおそれがある。

本発明は、垂直磁気記録媒体に発生する上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、磁性層の上の連続層の構成および組成を工夫することにより、保磁力Ｈｃを向上させて記録媒体の高記録密度化を図りつつ、ノイズ低減・オーバライト特性の維持という連続層の本来の機能も失わない垂直磁気記録媒体を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明の代表的な構成では、コバルト（Ｃｏ）を含有し柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層と、磁気記録層上に隣接し面方向に磁気的に連続した薄膜からなる連続層とを備える垂直磁気記録媒体において、連続層はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有し、連続層は非磁性層を含まず、連続層では、磁気記録層に近付くほどクロム含量が大きくなることを特徴とする。

磁気記録層上に隣接している連続層のうち、磁気記録層に近い下部ほどクロム含量を高くして効果的に保磁力Ｈｃを向上させつつ、上部にてクロム含量を少なくしてノイズ低減・オーバライト特性の維持を実現するためである。

上記の連続層は下層と上層の２層から成るものとし、下層のクロム含量は１８〜２０ａｔ％であり、上層のクロム含量は１５〜１８ａｔ％であるとよい。

クロム含量が高い層ほど、膜厚を増大させるにしたがって顕著に保磁力Ｈｃが増大させることが可能だからであり、かかる保磁力Ｈｃの増大を、磁気記録層上に隣接している下層によって担保するためである。

上記の非磁性物質は、酸化クロム、クロム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ジルコンおよび酸化タンタルから成る群から選択される１または複数の物質としてよい。連続層のクロムも、上記の非磁性物質の性質を引き継いで、磁性物質（Ｃｏ）の周囲に偏析する性質を有すると考えられ、Ｃｏが柱状にエピタキシャル成長するのを促進しているのではないか、と考察されるからである。

上記の下層の膜厚は０より大きく実質的に３ｎｍまでであり、上層の膜厚は実質的に３〜７ｎｍであるとよい。下層の膜厚を大きくしすぎるとＳ／Ｎ比が悪化するからであり、上層の膜厚をかかる範囲にすれば、実用上使用可能な保磁力Ｈｃが得られるからである。

上記の連続層は、さらにボロン（Ｂ）を含むコバルト・クロム・プラチナ・ボロン（ＣｏＣｒＰｔＢ）の組成を有するとよい。ボロンはノイズを低減する効果を有し、ボロンを含まないで上述の膜厚にした場合と比較すれば、ノイズがより少なくなるからである。

上記のボロンは５ａｔ％以下であるとよい。それ以上ボロンの含有量を大きくすると、十分な逆磁区核形成磁界（Ｈｎ）が得られないからである。

本発明によれば、連続層の構成および組成を工夫することにより、保磁力Ｈｃを向上させて記録媒体の高記録密度化を図りつつ、ノイズ低減・オーバライト特性の維持という連続層の本来の機能も失わない垂直磁気記録媒体を提供することが可能である。

次に添付図面を参照して本発明による垂直磁気記録媒体の実施形態を詳細に説明する。図中、本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。また、同様の要素は同一の参照符号によって表示する。なお、以下の実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。

図１は、本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体は、ディスク基体１、付着層１２、第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃ、配向制御層１６、第１下地層１８ａ、第２下地層１８ｂ、第１磁気記録層２２ａ、第２磁気記録層２２ｂ、連続層２４、媒体保護層２８、潤滑層３０で構成されている。なお第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃは、あわせて軟磁性層１４を構成する。第１下地層１８ａと第２下地層１８ｂはあわせて下地層１８を構成する。第１磁気記録層２２ａと第２磁気記録層２２ｂとはあわせて磁気記録層２２を構成する。

まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１を得た。

得られたディスク基体１上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、付着層１２から連続層２４まで順次成膜を行い、媒体保護層２８はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層３０をディップコート法により形成した。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。

本実施形態の特徴は、連続層２４の構成にあるが、それについては後述することとし、まず、各層の構成および製造方法について説明する。

付着層１２は１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１２を形成することにより、ディスク基体１と軟磁性層１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１４の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。

軟磁性層１４は、第１軟磁性層１４ａと第２軟磁性層１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１４から生じるノイズを低減することができる。具体的には、第１軟磁性層１４ａ、第２軟磁性層１４ｃの組成はＣｏＦｅＴａＺｒとし、スペーサ層１４ｂの組成はＲｕ（ルテニウム）とした。

配向制御層１６は、軟磁性層１４を防護する作用と、下地層１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。

下地層１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。

下地層１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされた粒子の平均自由工程が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。

磁気記録層２２は、膜厚の薄い第１磁気記録層２２ａと、膜厚の厚い第２磁気記録層２２ｂとから構成されている。

第１磁気記録層２２ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ_２Ｏ_３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、下地層のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。

第２磁気記録層２２ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ_２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第２磁気記録層２２ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。

本実施形態では、第１磁気記録層２２ａと第２磁気記録層２２ｂで異なる材料（ターゲット）であるが、これに限定されず組成や種類が同じ材料であってもよい。なお非磁性領域を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ_Ｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）を例示できる。

本実施形態の特徴である連続層２４は、グラニュラー磁性層の上に高い垂直磁気異方性を示す面方向に磁気的に連続した薄膜（連続層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高熱耐性を付け加えることができる。

連続層２４は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。下層である第１連続層２４ａと、上層である第２連続層２４ｂとで構成されている。なおボロン（Ｂ）を含む理由は、ノイズを低減する効果を有するからである。

媒体保護層２８は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜し、ダイアモンドライクカーボンを含んで構成される。媒体保護層２８は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。またＣＶＤ法において、バイアス電圧を上げれば、膜硬度を向上させることができる。

潤滑層３０は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層３０の膜厚は約１ｎｍである。

上記構成の垂直磁気記録媒体における連続層について、さらに詳述する。図２は連続層の構成を説明する図であり、（ｃ）は図１の本実施形態の連続層の構成を説明する図であり、（ａ）および（ｂ）は本実施形態との比較対象の連続層の構成を説明する図である。図３は単一の組成から成る単層の連続層膜厚と保磁力との関係を示すグラフである。

まず図３を参照すれば、連続膜を設けない（膜厚０ｎｍ）ところから徐々に膜厚を増やしていくと保磁力Ｈｃは向上し、やがて低下していく傾向にあることがわかる。この現象について本発明の発明者らが鋭意検討したところ、磁気記録層上に隣接する連続層の下部（磁性層に近い部分）は、磁性層のグラニュラー構造を引き継いでＣｏが柱状にエピタキシャル成長し、磁性層に含まれる非磁性物質と同様に、磁性物質（Ｃｏ）の周囲に偏析する性質を有すると予想されるＣｒが、実際に粒界に偏析して、エピタキシャル成長を促進しているのではないか、との考察がなされた。そして連続層の上部へゆくにしたがって、膜面方向の結晶成長が優位となり、本来の連続層の性質に移行するとの考察もなされた。

図２（ａ）（ｂ）の比較例では、連続層１２４、２２４は、ＣｏＣｒＰｔＢの含量比が一定の単一の組成からなる単層である。ただし図２（ａ）の連続層１２４の膜厚は薄く、４ｎｍ未満である一方、図２（ｂ）の膜厚は大きく、４ｎｍ〜１２ｎｍである。同一組成の連続層の場合、膜厚が大きくなると、既に述べたように、保磁力Ｈｃは向上し、やがて低下していく。これは、図２（ｂ）に示すように、磁気記録層２２と、磁気記録層２２上に隣接し磁気記録層２２の性質を引き継いだ連続層２２４の下部とを含めた部位２２６が、グラニュラー構造として機能すると考えられるからである。

図２（ｃ）は図１の本実施形態の連続層の構成を説明する図であり、連続層２４は、組成の異なる第１の連続層２４ａ、第２の連続層２４ｂの２層から成る。これは、第１連続層２４ａのクロムを多くして保磁力Hｃを高め、第２連続層２４ｂのクロム含量を少なくしてオーバライト特性の改善、ＳＮ比の改善を行うためである。

第１連続層２４ａのクロム含量は１８〜２０ａｔ％であり、第２連続層２４ｂのクロム含量は１５〜１８ａｔ％である。図３に示すように、クロム含量が高い層ほど、膜厚を増大させるにしたがって顕著に保磁力Ｈｃが増大させることが可能だからであり、かかる保磁力Ｈｃの増大を第１連続層２４ａによって担保するためである。

例えば曲線２０−１４−Ｂ５は、クロム含量２０ａｔ％、プラチナ含量１４ａｔ％、ボロン含量５ａｔ％を示す。保磁力は、図３に示すように、上記のごとく、クロム含量が高い層ほど、膜厚を増大させるにしたがって顕著に保磁力Ｈｃが増大する。

図３では、「連続層なし」のときの保磁力Ｈｃを１と定義し、任意単位（arbitrary unit; a.u.）を与え、連続層２４の付与によりどの程度保磁力Ｈｃの増加が認められるかを示している。保磁力Ｈｃの増大をより具体的に見ると、Ｃｒ＞１５ａｔ％にて、約２０％以上もの保磁力Ｈｃの向上が確認された。Ｃｒが１２ａｔ％である場合、約１０％しか保磁力Ｈｃが上昇しないため、保磁力Ｈｃ増大を目的とした層としては、十分な役割を果たしていない。そのため、Ｃｒの下限は１５ａｔ％である。

本発明者の検討の結果、２１−１５−Ｂ５という組成にしても、十分な保磁力が得られなかった。単に２層化しても十分な電特改善効果は期待できないため、Ｃｒの上限は、特に考慮する必要がないと考えられ、連続層２４のＣｒ範囲は１５ａｔ％〜２０ａｔ％とするとよい。

第２連続層２４ｂのＣｒ含量は、以下のように考えてよい。本来、第２連続層２４ｂはオーバライト特性の改善を目的としているため、第２連続層２４ｂは第１連続層２４ａと比較して飽和磁化Ｍｓが高くなければならない。したがって、第２連続層２４ｂのクロム含有量は２０ａｔ％未満であって、第１連続層２４ａのクロム含有量より少なくする。

本実施形態では連続層２４を構成する層の数は２層であるが、磁気記録層に近い層ほどクロム含量が大きければ、連続層２４を構成する層の数は、２層に限られず、いくつ設けてもよい。また、連続層２４は、複数の層に明確に分かれている必要はなく、磁気記録層に近付くほどクロム含量が大きくなればよい。図２（ｂ）（ｃ）に示したように、磁気記録層２２上に隣接している連続層２４の下部ほどクロム含量を高くして効果的に保磁力Ｈｃを向上させる役割を果たさせつつ、上部にてクロム含量を少なくしてノイズ低減・オーバライト特性の維持を実現するとよいからである。

図４は組成の異なる２層から成る連続層２４の第２連続層２４ｂの膜厚を固定し、第１連続層２４ａの膜厚を様々に変化させたときの、磁気記録媒体の記録トラック幅とビットエラーレートとの関係を示すグラフである。

図４では、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_２の組成は、クロムの含量の多い第１連続層２４ａにおいて２０−１５−Ｂ４であり、クロム含量の少ない第２連続層２４ｂにおいて１５−１５−Ｂ５である。

第２連続層２４ｂの膜厚は一定であり、第１連続層２４ａの膜厚をそれぞれ０ｎｍ、１ｎｍ、２．５ｎｍ、５ｎｍとした場合の記録トラック幅とビットエラーレートとの関係が図４にはプロットされている。

図４の縦軸であるビットエラーレートは、ＳＮ比と呼応する値であり、小さくなるほど（マイナスになるほど）ノイズが低減され、望ましい。図４によれば、第１連続層２４ａがない場合（膜厚０ｎｍ）と比較して、第１連続層２４ａの膜厚が１ｎｍの場合、および２．５ｎｍの場合には、ノイズがさらに低減されている。

しかし第１連続層２４ａを５ｎｍまで厚くすると、むしろノイズは増大してしまう。したがって、第１連続層２４ａの膜厚は、０より大きく実質的に３ｎｍまでとするとよい。

図５は図３と同様のグラフであり、第２連続層２４ｂの膜厚を決定するためのものである。仮に、連続層２４がない場合の磁気記録層２２の保磁力Ｈｃ（図５の縦軸における１）を５０００エルステッド（Oe）とする。所望の第１連続層２４ａを付与することに得られる最大保磁力は、図５によれば、６０００エルステッドである。これを実用上使用可能である保磁力Ｈｃの範囲４０００〜５０００エルステッドに低下させる必要がある。すなわち、図５のグラフの規格化保磁力にして０．８〜１程度まで低下させる必要がある。図５のグラフで示した傾向から、保磁力Ｈｃが４０００〜５０００エルステッドとなる（規格化保磁力にして０．８〜１程度となる）実質的に３〜７ｎｍが、第２連続層２４ｂの膜厚として好ましい範囲である。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体として利用することができる。

本実施形態に係る磁気記録媒体の構成を説明する図である。 （ｃ）は図１の本実施形態の連続層の構成を説明する図であり、（ａ）および（ｂ）は本実施形態との比較対称の連続層の構成を説明する図である。 単一の組成から成る単層の連続層膜厚と保磁力との関係を示すグラフである。 組成の異なる２層から成る連続層の第２連続層の膜厚を固定し、第１連続層の膜厚を様々に変化させたときの、磁気記録媒体の記録トラック幅とビットエラーレートとの関係を示すグラフである。 第２連続層の膜厚を決定するための、図３と同様のグラフである。

符号の説明

１ …ディスク基体
１２ …付着層
１４ …軟磁性層
１４ａ …第１軟磁性層
１４ｂ …スペーサ層
１４ｃ …第２軟磁性層
１６ …配向制御層
１８ …下地層
１８ａ …第１下地層
１８ｂ …第２下地層
２２ …磁気記録層
２２ａ …第１磁気記録層
２２ｂ …第２磁気記録層
２４ …連続層
２４ａ …第１連続層
２４ｂ …第２連続層
２８ …媒体保護層
３０ …潤滑層

Claims (4)

1. コバルト（Ｃｏ）を含有し柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層と、該磁気記録層上に隣接し面方向に磁気的に連続した薄膜からなる連続層とを備える垂直磁気記録媒体において、
   前記連続層はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有し、
   前記連続層は非磁性層を含まず、
   前記連続層では、前記磁気記録層に近付くほどクロム含量が大きくなり、
   前記連続層は下層と上層の２層から成り、該下層のクロム含量は１８〜２０ａｔ％であり、該上層のクロム含量は１５〜１８ａｔ％であって、前記上層は前記下層よりクロム含量が少なく、前記上層は前記下層より飽和磁化が高く、
   前記下層の膜厚は０より大きく実質的に３ｎｍまでであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. 前記非磁性物質は、酸化クロム、クロム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ジルコンおよび酸化タンタルから成る群から選択される１または複数の物質であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
3. 前記上層の膜厚は実質的に３〜７ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
4. 前記連続層は、さらにボロン（Ｂ）を含むコバルト・クロム・プラチナ・ボロン（ＣｏＣｒＰｔＢ）の組成を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。

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