以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
[第1実施形態]
(垂直磁気記録媒体)
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100の構成を説明する図である。図1に示す垂直磁気記録媒体100は、ディスク基板110、付着層120、第1軟磁性層131、スペーサ層132、第2軟磁性層133、前下地層140、下地層150、下記録層161、主記録層162、分断層170、補助記録層180、保護層190、潤滑層200で構成されている。なお第1軟磁性層131、スペーサ層132、第2軟磁性層133は、あわせて軟磁性層130を構成する。下記録層161と主記録層162はあわせてグラニュラ磁性層160を構成する。
ディスク基板110は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基板110を得ることができる。
ディスク基板110上に、DCマグネトロンスパッタリング法にて付着層120から補助記録層180まで順次成膜を行い、保護層190はCVD法により成膜することができる。この後、潤滑層200をディップコート法により形成することができる。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成について説明する。
付着層120はディスク基板110に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層130とディスク基板110との剥離強度を高める機能と、この上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層120は、ディスク基板110がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファス(非晶質)の合金膜とすることが好ましい。付着層の膜厚は、例えば6〜8nm程度とすることができる。
付着層120の組成としては、例えばCrTi系非晶質層、CoW系非晶質層、CrW系非晶質層、CrTa系非晶質層、CrNb系非晶質層から選択することができる。中でもCoW系合金膜は、微結晶を含むアモルファス金属膜を形成するので特に好ましい。付着層120は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばCrTi層の上にCoW層またはCrW層を形成してもよい。またこれらの付着層120は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。
軟磁性層130は、垂直磁気記録方式においてグラニュラ磁性層160に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層130は第1軟磁性層131と第2軟磁性層133の間に非磁性のスペーサ層132を介在させることによって、AFC(Antiferro-magnetic exchange coupling:反強磁性交換結合)を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層130の磁化方向を高い精度で磁路(磁気回路)に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層130から生じるノイズを低減することができる。軟磁性層130の膜厚は、第1軟磁性層131と第2軟磁性層133がそれぞれ18〜20nm程度、スペーサ層132が0.3〜0.9nm程度とすることができる。第1軟磁性層131、第2軟磁性層133の組成としては、CoTaZrなどのコバルト系合金、CoCrFeB、CoFeTaZrなどのCo−Fe系合金、[Ni−Fe/Sn]n多層構造のようなNi−Fe系合金などを用いることができる。
前下地層140(シード層ともいわれる)は、非磁性の合金層であり、軟磁性層130を防護する作用と、この上に成膜される下地層150に含まれる六方最密充填構造(hcp結晶構造)の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層140は面心立方構造(fcc結晶構造)の(111)面がディスク基板110の主表面と平行となっていることが好ましい。また前下地層140は、これらの結晶構造とアモルファスとが混在した構成としてもよい。前下地層の膜厚は8〜11nm程度とすることができる。前下地層140の材質としては、Ni、Cu、Pt、Pd、Zr、Hf、Nb、Taから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ti、V、Cr、Mo、Wのいずれか1つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばfcc結晶構造を取る合金としてはNiTa、NiW、NiWAl、NiWAlSi、CuW、CuCrを好適に選択することができる。また前下地層140を2層構造としてもよい。
下地層150はhcp結晶構造であって、グラニュラ磁性層160のCoのhcp結晶構造の結晶をグラニュラ構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層150の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層150の結晶の(0001)面がディスク基板110の主表面と平行になっているほど、グラニュラ磁性層160の結晶配向性を向上させることができる。下地層150の膜厚は、例えば20nm程度とすることができる。下地層150の材質としてはRuが代表的であるが、その他に、RuCr、RuCoから選択することができる。Ruはhcp結晶構造をとり、また結晶の格子間隔がCoと近いため、Coを主成分とする磁気記録層160を良好に配向させることができる。
さらに、下地層150のRuに酸素を微少量含有させてもよい。これによりさらにRuの結晶粒子の分離微細化を促進することができ、グラニュラ磁性層160のさらなる孤立化と微細化を図ることができる。なお酸素はリアクティブスパッタによって含有させてもよいが、スパッタリング成膜する際に酸素を含有するターゲットを用いることが好ましい。
また、スパッタ時のガス圧を変更することにより下地層150をRuからなる2層構造としてもよい。その場合の膜厚は、それぞれ10nm程度とすることができる。具体的には、下地層150の下層側を形成する際にはArのガス圧を低圧にし、下地層150の上層側を形成する際には下層側を形成するときよりもArのガス圧を高圧にすると、グラニュラ磁性層160の結晶配向性の向上、および磁性粒子の粒径の微細化が可能となる。
グラニュラ磁性層160は、本実施形態では組成および膜厚の異なる下記録層161、主記録層162から構成されている。
下記録層161は、Co系合金、Fe系合金、Ni系合金から選択される硬磁性体の磁性粒子の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界部を形成した柱状のグラニュラ構造を有する。本実施形態では、CoCrPtにSiO2、TiO2を含有させたターゲットを用いて成膜することにより、CoCrPtからなる磁性粒子の周囲に非磁性物質であるSiO2、TiO2が偏析して粒界部を形成し、磁性粒子が柱状に成長したグラニュラ構造を形成した。この磁性粒子は、下地層150の上に成膜することにより、Ruの結晶構造から継続してエピタキシャル成長することができる。
主記録層162は、Co系合金、Fe系合金、Ni系合金から選択されRuを5原子%以下含有させた硬磁性体の磁性粒子の周囲に、非磁性物質を偏析させて粒界部を形成した柱状のグラニュラ構造を有する。本実施形態では、CoCrPtRuにSiO2、TiO2を含有させたターゲットを用いて成膜することにより、CoCrPtRuからなる磁性粒子の周囲に非磁性物質であるSiO2、TiO2が偏析して粒界部を形成し、磁性粒子が柱状に成長したグラニュラ構造を形成した。
かかるRuは、Co粒子の格子欠陥を補填し、結晶配向性を向上させる作用がある。故に、良好な結晶配向性を獲得しつつ、主記録層162の磁性粒子を下記録層161の磁性合金粒子から継続してエピタキシャル成長させることができる。これにより、SNRを両立して向上させることができる。
また、特に、Ruを主成分とする下地層150の直上の磁気記録層(下記録層161)にRuを含有させると、保磁力[Hc]が低下してしまう。これは、下地層150のRuと磁気記録層(下記録層161)に含有されたRuが優先的に結合することにより、かえってCo粒子の結晶配向性の低下を招くためと考えられる。そこで本実施形態に示すように、下地層150のすぐ上の下記録層161にはRuを含有させず、主記録層162にのみRuを含有させることにより、下記録層161において保磁力[Hc]を確保しつつ、主記録層162においてはSNRを向上させることができる。
なお、主記録層162においてもRuの含有率を極端に増大することは逆効果であって、磁性粒子の5原子%以下の範囲であることが好ましい。5原子%より多いと、かえってSNRが低下してしまうためである。
なお、下記録層161では、Ruを含有しない分Ptを多めに含有させることにより、高い保磁力[Hc]を得ることができる。500GBit/Inch2を超える情報記録密度を実現するためには、垂直磁気記録媒体100の保磁力[Hc]を5000(Oe)以上、SNRを16.0(dB)以上にする必要がある。これら両方の値を達成するためには、保磁力[Hc]を充分に向上させる必要がある。そこで、下記録層161は、Ptの含有率を少なくとも主記録層162より高めに含有させると好適である。
さらに保磁力[Hc]を向上させるための手段として、主記録層162の膜厚を下記録層161よりも厚くするとよい。通常、磁気記録層の膜厚を厚くすると、保磁力[Hc]を向上させることができるが、SNRは低下してしまう。しかし、磁性粒子にRuを含有する場合には、膜厚を厚くしても、通常と比してSNRの低下が抑制される。故に、保磁力[Hc]を好適に向上させることができる。特に、保磁力[Hc]を向上させるために下記録層161のPtの含有率を高めに設定した場合にはノイズが多くなりがちであるが、下記録層161の膜厚を薄くして反磁界を大きくすることにより、下記録層161から出るノイズを低減させることができる。このような理由から、主記録層162の膜厚は厚く、下記録層161の膜厚は薄く設定されると好適である(主記録層162の膜厚≧下記録層161の膜厚)。具体的には、下記録層161の膜厚は0.5〜4nm程度、主記録層162の膜厚は5〜15nm程度とするとよい。
なお、上記に示した下記録層161、主記録層162に用いた物質は一例であり、これに限定されるものではない。粒界部を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化チタン(TiO2)、酸化珪素(SiOx)、酸化クロム(CrXOY)、酸化コバルト(Co3O4)、酸化ジルコン(ZrO2)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化鉄(Fe2O3)、酸化ボロン(B2O3)等の酸化物を例示できる。また、BN等の窒化物、B4C3等の炭化物も好適に用いることができる。さらに本実施形態では、下記録層161、主記録層162において2種類の酸化物を用いているが、これに限定されるものではなく、いずれの層においても1種類の酸化物としたり、または2種類以上の酸化物を複合したりすることも可能である。
分断層170は主記録層162の上かつ補助記録層180の下に設けられ、これらの層の磁性をほぼ分断する層である。分断層170は非磁性であることが好ましいが、若干であれば弱い磁性を有していてもよい。
分断層170の磁性に対する作用としては、主記録層162と補助記録層180との磁性を分断し、これらの間の交換結合の強さを調整する。これにより主記録層162と補助記録層180の間、および主記録層162の隣接する磁性粒子の間での磁気的な接続を弱め、保磁力[Hc]とOW(オーバーライト)特性を維持しつつ、SNRの向上、トラック幅の狭小化を図ることができる。
また分断層170の結晶構造に対する作用としては、補助記録層180の結晶粒子の分離を促進する。補助記録層180は後述するように面内方向に磁気的に連続した磁性層であるが、結晶粒子の粒界部(酸化物ではない)が明瞭となり、磁化反転の単位が小さくなり、また磁壁も狭くなる。これによりSNRを向上させることができる。良好な交換結合強度を得るために、分断層170は0.3〜0.9nmの膜厚であることが好ましい。
分断層170は、結晶配向性の継承を低下させないために、Ru合金を主成分とする層であることが好ましい。Ru合金とは、Ruに他の金属元素を添加したものであるが、さらに酸素を含んだり、酸化物を添加したりしたものもRu合金に含まれる。具体例としては、RuWO3、RuTiO2、RuOなどを含有させたターゲットを用いて成膜することができる。分断層170に酸素を含ませた場合には、多量の酸化物を含むグラニュラ磁性層160と、酸素を含まない補助記録層180との間で、磁気的および構造的な橋渡しとなる。
また分断層170は、Coを含んでいてもよい。具体例としては、RuCoを挙げることができる。特にRuCoは、Coがグラニュラ磁性層160から補助記録層180に向かって結晶配向性を継承することができ、SNRの向上に優れている。
補助記録層180は基板主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である。補助記録層180はグラニュラ磁性層160に対して磁気的相互作用を有するように、隣接または近接している必要がある。補助記録層の膜厚は、例えば5〜7nmとすることができる。補助記録層180の材質としては、例えばCoCrPt、CoCrPtB、またはこれらに微少量の酸化物を含有させて構成することができる。
補助記録層180はグラニュラ磁性層160の磁性粒子と磁気的相互作用を有する(交換結合を行う)ことによって、逆磁区核形成磁界Hnの調整、保磁力[Hc]の調整を行い、これにより耐熱揺らぎ特性、OW特性、およびSNRの改善を図ることを目的としている。この目的を達成するために、補助記録層180は結晶磁気異方性エネルギー[KU]および飽和磁化[Ms]が高い材料であることが望ましい。またグラニュラ磁性層160の磁性粒子と接続する結晶粒子(磁気的相互作用を有する結晶粒子)がグラニュラ磁性層160の磁性粒子の断面よりも広面積となるため、磁気ヘッドから多くの磁束を受けて磁化反転しやすくなり、全体のOW特性を向上させるものと考えられる。
なお、「磁気的に連続している」とは、磁性が連続しており、結晶粒子が酸化物などの非磁性物質によって微細化(分離孤立化)されていないことを意味している。「ほぼ連続している」とは、補助記録層180全体で観察すれば必ずしも単一の磁石ではなく、部分的に磁性が不連続となっていてもよいことを意味している。すなわち補助記録層180は、グラニュラ磁性層160の複数の磁性粒子の集合体から構成される記録ビットにまたがって(かぶさるように)磁性が連続していればよい。この条件を満たす限り、補助記録層180においてCrが偏析していてもよく、さらに微少量の酸化物を含有させて偏析させても良い。
保護層190は、真空を保ったままカーボンをCVD法により成膜して形成することができる。保護層190は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録媒体100を防護するための層である。保護層190の膜厚は、例えば4〜6nmとすることができる。一般にCVD法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録媒体100を防護することができる。
潤滑層200は、PFPE(パーフロロポリエーテル)をディップコート法により成膜することができる。PFPEは長い鎖状の分子構造を有し、保護層190表面のN原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層200の作用により、垂直磁気記録媒体100の表面に磁気ヘッドが接触しても、保護層190の損傷や欠損を防止することができる。潤滑層200の膜厚は、例えば1.3〜1.4nmとすることができる。
以上、第1実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100について説明した。上述したように、本実施形態では、グラニュラ磁性層160に下記録層161と主記録層162が設けられる。主記録層162ではRuが磁性粒子の5原子%以下含有され、下記録層161では、Ruを含有せずその分Ptの含有率が高めに設定される。そして、主記録層162の膜厚は、下記録層161の膜厚よりも厚めに設定される。これにより、500GBit/Inch2を超える情報記録密度を実現することができる。
(第1実施形態を適用した実施例と比較例)
図2は、第1実施形態を適用した実施例と比較例を示す図である。以下、図2に示す実施例11〜13および比較例11〜15を用いて、第1実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100の有効性を検証する。
実施例および比較例として、ディスク基板110上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、付着層120から補助記録層180まで順次成膜を行った。なお、断らない限り成膜時のArガス圧は0.6Paである。付着層120はCr−50Tiを10nm成膜した。軟磁性層130は、第1軟磁性層131、第2軟磁性層133はそれぞれ92(40Fe−60Co)−3Ta−5Zrを20nm成膜し、スペーサ層132はRuを0.7nm成膜した。前下地層140はNi−5Wを8nm成膜した。下地層150はRu膜の2層構造とし、成膜時のArガス圧を下層側を0.6Pa、上層側を5Paとしてそれぞれ10nm成膜した。下記録層161、主記録層162の組成および膜厚は、図2に示す実施例11〜13、比較例11〜15のように成膜した。分断層170の組成は0.3nmのRu膜を成膜した。補助記録層180は5.5nmの62Co−18Cr−15Pt−5Bを成膜した。保護層134はCVD法によりC2H4を用いて5nm成膜し、表層にN2を含浸させた。潤滑層200はディップコート法によりPFPEを用いて1nm形成した。
図2を参照して、実施例11〜13および比較例11〜15について検証する。実施例11〜13はいずれも主記録層162にRuを含有し、下記録層161のPtの含有率を高めに設定し、かつ下記録層161よりも主記録層162の膜厚を厚くしている。実施例11〜13ではRuの含有率が異なり、それぞれ1原子%、3原子%、5原子%である。実施例11〜実施例13ではいずれも保磁力[Hc]5000(Oe)以上、SNRを16.0(dB)以上を達成することができ、概ね良好な結果が得られた。なお、SNRは3原子%のところにピークがあり、またRuの含有率が増えるにつれて保磁力[Hc]は低下する傾向にあった。このことから、Ruの含有率は5原子%以下が好ましいことが確認された。
詳しく観察すると、まず主記録層162にRuを含有させた実施例11と、Ruを含有させていない比較例11とを比較すれば、実施例11では保磁力[Hc]が若干低下しているものの、SNRが大幅に向上していることがわかる。
また実施例12と比較例14とを比較すれば、下記録層161の方が主記録層162よりもPtの含有率が高い方が、SNRが向上することを確認できる。同様に実施例13と比較例15とを比較すれば、主記録層162を下記録層161よりも膜厚を厚くすることにより、SNRが向上する(低下が抑制される)ことを確認できる。
一方、下記録層161および主記録層162にRuを含有しない比較例11では、保磁力[Hc]5000(Oe)以上は達成しているものの、SNRは16.0(dB)未満となってしまっている。また、Ruを下記録層161のみに含有する比較例12では、保磁力[Hc]が大幅に低下してしまった。これは、下地層150のRuと磁気記録層に含有されたRuが優先的に結合することにより、かえってCo粒子の結晶配向性の低下を招くためと考えられる。また、磁性粒子であるCoの含有率が下がったことも保磁力[Hc]が低下した要因の1つであると考えられる。下記録層161と主記録層162の両方にRuを含有させた比較例13では、下記録層161に加えて主記録層162でも保磁力が低下するため、さらに保磁力[Hc]が低下してしまっている。
以上、本実施形態の実施例および比較例について説明した。これより、上述した垂直磁気記録媒体100において、500GBit/Inch2を超える情報記録密度を実現し得ることが証明された。よって、かかる垂直磁気記録媒体100の技術的貢献は明らかである。
[第2実施形態]
(垂直磁気記録媒体)
本発明の第2実施形態について説明する。図3は、第2実施形態にかかる垂直磁気記録媒体202の構成を説明する図である。図3に示すように、第2実施形態の第1実施形態との違いは、グラニュラ磁性層260の主記録層262をさらに複数の磁気記録層に分割し、第1主記録層263、第2主記録層264、第3主記録層265から構成されている点である。
第1実施形態と同様に下記録層161には、Ruは含有されず、他の原子の含有率が高めに設定される。以下、理解を容易にするために、下記録層161にPtが高めに含有されるものとして、第1主記録層263、第2主記録層264、第3主記録層265について説明する。なお、下記録層161、主記録層262は、いずれもCo系合金、Fe系合金、Ni系合金から選択される硬磁性体の磁性粒子の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界部を形成した柱状のグラニュラ構造を有するが、その詳細については上述したため省略する。
第1主記録層263は、本実施形態ではCoCrPtにSiO2、TiO2を含有させたターゲットを用いて成膜される。このときのPtの含有率(原子%)は、下記録層161のPtの含有率(原子%)よりも低めに設定される。そして、その減少分Co等の含有率が高く設定される。
第2主記録層264は、本実施形態ではCoCrPtにSiO2、TiO2を含有させたターゲットを用いて成膜される。このときのPtの含有率(原子%)は、第1主記録層263のPtの含有率(原子%)よりも低めまたは同等に設定される。Ptの含有率(原子%)を低下させた場合、その減少分Co等の含有率が高く設定される。
第3主記録層265は、CoCrPtRuにSiO2、TiO2を含有させたターゲットを用いて成膜される。このとき、Ruは、磁性粒子の5原子%以下含有される。Ptの含有率は、第2主記録層264よりも低めまたは同等に設定される。
このように、保磁力[Hc]を獲得している下記録層161から積層されるにしたがって、Ptの含有率が次第に低下または同等とすることにより、SNRの低下を抑制しつつ、好適に高い保磁力[Hc]を獲得することができる。
また、上記ではRuが第3主記録層265に含有されるものとして説明したが、保磁力[Hc]とSNRの兼ね合いで、第2主記録層264や第1主記録層263の磁性粒子にもRuを5原子%以下含有させてよい。詳述すると、第2主記録層264にRuを5原子%以下添加すると、よりSNRを向上させることができる。さらに、第1主記録層263にもRuを5原子%以下添加、すなわち第1主記録層263〜第3主記録層265までRuを5原子%以下添加すると、さらなるSNRの向上を図ることができる。
第1実施形態で説明したように、磁性粒子にRuを含有する場合には、膜厚を厚くしても、通常と比してSNRの低下が抑制される。そのため、本実施形態では、Ruを含有する層ほど膜厚を厚くするとよい。また、下記録層161から積層されるにしたがってPtの含有率が低下する(または同等となる)ため、下側の層ほど膜厚を薄くすることで好適にノイズを低減しつつ、上側の層ほど膜厚を厚くすることで保磁力[Hc]を向上させることができる。具体例としては、下記録層161の膜厚は0.5〜3.5nm程度、第1主記録層263の膜厚は2.5〜4.0nm程度、第2主記録層264の膜厚は3.0〜5.0nm程度、第3主記録層265の膜厚は4.0〜6.0nm程度とするとよい。なお、下記録層161から第3主記録層265までを含むグラニュラ磁性層260の全体の膜厚は、磁気ヘッドから軟磁性層130までの距離であるスペーシングロスを低減させる目的から、14nm以下とすることが好ましい。
以上、第2実施形態にかかる垂直磁気記録媒体202について説明した。上述したように、本実施形態では、主記録層262が、第1主記録層263、第2主記録層264、第3主記録層265から構成される。Ruは、少なくとも第3主記録層265に磁性粒子の5原子%以下含有される。しかし、第2主記録層264にも含有させたり、第1主記録層263〜第3主記録層265の全てに含有させてもよい。また、保磁力[Hc]を獲得するために下記録層161にPtが高めに含有され、Ptの含有率が積層されるにしたがって次第に低下するように(または同等と)なっている。これにより、Ptの添加に伴うSNRの低下を抑制しつつ、好適に保磁力[Hc]を確保することができる。すなわち、保磁力[Hc]とSNRの向上を両立させることができる。
(第2実施形態を適用した実施例と比較例)
図4は、第2実施形態を適用した実施例と比較例を示す図である。以下、図4に示す実施例21〜23および比較例21〜23を用いて、第2実施形態にかかる垂直磁気記録媒体202の有効性を検証する。
実施例および比較例として、第1実施形態として上述した実施例および比較例と同様に、ディスク基板110上に付着層120〜下地層150、分断層170〜潤滑層200を形成した。下記録層161、および第1主記録層263〜第3主記録層265の組成および膜厚は、図4に示す実施例21〜23、比較例21〜23のように成膜した。
図4を参照して、実施例21〜23および比較例21〜23について検証する。実施例21〜23はいずれも主記録層262のディスク基板110から離れた側の1または2以上の層の磁性粒子にRuを5原子%以下含有している。また、下記録層161のPtの含有率が高めに設定されていて、グラニュラ磁性層260において各々の層が積層されるにしたがい、Ptの含有率が次第に低下している(または同等となっている)。これと対照的に、各々の層の膜厚は、積層されるにしたがって厚くなっている。これにより、実施例21〜実施例23ではいずれも保磁力[Hc]5000(Oe)以上、SNR16.0(dB)以上を達成することができ、概ね良好な結果が得られた。
実施例21では第3主記録層265にのみRuを含有し、実施例22では第2主記録層264および第3主記録層265にRuを含有し、実施例23では第1主記録層263〜第3主記録層265にRuを含有している。図4を参照すると、相対的に、実施例21では保磁力[Hc]が高く、実施例23ではSNRが向上していることが分かる。すなわち、第2主記録層264や第1主記録層263にRuを含有させるほど、よりSNRを向上させることができる。
一方、比較例21〜23では、いずれも保磁力[Hc]5000(Oe)以上、SNR16.0(dB)以上を達成することができなかった。詳細には、Ruを一切含有させていない比較例1では、SNR16.0(dB)以上を確保することができなかった。また、実施例23と比較例22を比較すると、下記録層161にRuを含有させた場合には、保磁力[Hc]が低下してしまい、保磁力[Hc]5000(Oe)以上を達成できないことが分かる。さらに、実施例22と比較例23とを比較すれば、グラニュラ磁性層260において各々の層が積層されるにしたがい、Ptの含有率を低く(または同等と)すると、Pt添加に伴うSNRの低下を抑制できることが分かる。換言すれば、比較例23は、Ptの含有率が上側にいくほど低下していない(または同等となっていない)ため、SNR16.0(dB)以上を確保することができない。
以上、本実施形態の実施例および比較例について説明した。これより、上述した垂直磁気記録媒体202において、500GBit/Inch2を超える情報記録密度を実現し得ることが証明された。よって、かかる垂直磁気記録媒体202の技術的貢献は明らかである。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。