JP3042878B2 - 磁気光学記録用多層体をスパッターする方法 - Google Patents
磁気光学記録用多層体をスパッターする方法Info
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スパッターされた白金／コバルト多層薄膜
を製造する改良された方法と、この方法によって製造さ
れた薄膜に関する。
を製造する改良された方法と、この方法によって製造さ
れた薄膜に関する。
従来の技術 垂直磁気異方性を有する薄膜は、高密度磁気記録と高
密度磁気光学記録に使用可能な材料の有力なものであ
る。そうした薄膜の製造に使用可能な材料の例は、米国
特許第4,587,176号（P.F.Carcia）に開示されるよう
な、酸化物であるガーネット及びフェライト、アモルフ
ァス希土類遷移金属合金、CoCrのような金属合金、及び
Pt/Co及びPd/Coの金属多層体を含む。
密度磁気光学記録に使用可能な材料の有力なものであ
る。そうした薄膜の製造に使用可能な材料の例は、米国
特許第4,587,176号（P.F.Carcia）に開示されるよう
な、酸化物であるガーネット及びフェライト、アモルフ
ァス希土類遷移金属合金、CoCrのような金属合金、及び
Pt/Co及びPd/Coの金属多層体を含む。
磁気光学記録用として有効であるためには、その材料
は垂直磁気異方性のほかに別の諸特性を持たなければな
らない。こうした要件には、角形ヒステリシスループ、
十分なカー（Kerr）効果、大きな室温保磁力Hc、及び使
用可能なレーザー出力と磁界強さに適合したスイッチン
グ特性が含まれる。これら必要な特性の全ては、最近の
刊行物に記述されているように、蒸着Pt/Co及びPd/Co多
層体によって示されている（例えば、W.B.Zeper他,J.Ap
pl.Phys.65,4971（1989）と、F.J.A.M.Greidanus,Appl.
Phys.Lett.54,2481（1989）を参照されたい）。
は垂直磁気異方性のほかに別の諸特性を持たなければな
らない。こうした要件には、角形ヒステリシスループ、
十分なカー（Kerr）効果、大きな室温保磁力Hc、及び使
用可能なレーザー出力と磁界強さに適合したスイッチン
グ特性が含まれる。これら必要な特性の全ては、最近の
刊行物に記述されているように、蒸着Pt/Co及びPd/Co多
層体によって示されている（例えば、W.B.Zeper他,J.Ap
pl.Phys.65,4971（1989）と、F.J.A.M.Greidanus,Appl.
Phys.Lett.54,2481（1989）を参照されたい）。
Pt/Co多層体は、より高いカー効果を示すが故に、磁
気光学記録に関してはPd/Co多層体よりも好ましい。ス
パッタリングは、他の方法よりも単純であり且つそれに
よって得られる結果の再現性がより高いが故に、こうし
た多層薄膜を調製するための好ましい製造方法である。
しかし、スパッターされたPt/Co多層体の保磁力は、磁
気光学記録のためには小さすぎる。例えば、Ochiai他,J
ap.J.Appl.Phys.28,L659（1989）と、Ochiai他,Digest
of the Int'l.Mag.Conf.−1989.Wash.,D.C.は、スパッ
ターガスとしてアルゴンを使用して調製したスパッター
されたPt/Co多層体では、そのHcが100〜350 Oe（８〜28
kA/m）に過ぎないことを報告している。これらHcの値
は、書込み−磁界として使用される一般的に約40 kA/m
であるHcの値より小さいか、又は、それと同程度の大き
さである。その結果として、新たな情報を書き込む際
に、書込み−磁界が、既知のPt/Co多層体中の直前に書
き込まれた情報を変化させる可能性がある。
気光学記録に関してはPd/Co多層体よりも好ましい。ス
パッタリングは、他の方法よりも単純であり且つそれに
よって得られる結果の再現性がより高いが故に、こうし
た多層薄膜を調製するための好ましい製造方法である。
しかし、スパッターされたPt/Co多層体の保磁力は、磁
気光学記録のためには小さすぎる。例えば、Ochiai他,J
ap.J.Appl.Phys.28,L659（1989）と、Ochiai他,Digest
of the Int'l.Mag.Conf.−1989.Wash.,D.C.は、スパッ
ターガスとしてアルゴンを使用して調製したスパッター
されたPt/Co多層体では、そのHcが100〜350 Oe（８〜28
kA/m）に過ぎないことを報告している。これらHcの値
は、書込み−磁界として使用される一般的に約40 kA/m
であるHcの値より小さいか、又は、それと同程度の大き
さである。その結果として、新たな情報を書き込む際
に、書込み−磁界が、既知のPt/Co多層体中の直前に書
き込まれた情報を変化させる可能性がある。
これとは対照的に、蒸着Pt/Co多層体は、約1000 Oe
（80 kA/m）のHcを有し、このHc値は、直前に書き込ま
れた情報を書込み処理中において保存するのに十分な大
きさである。
（80 kA/m）のHcを有し、このHc値は、直前に書き込ま
れた情報を書込み処理中において保存するのに十分な大
きさである。
Y.Ochiai他によるEP 0304873は、Hcを増大させるため
に下引き層の使用を含む、スパッタされたPt/Co多層体
の研究を開示する。しかし、この場合には、一般的には
僅かなHcの改善しか得られず、700 Oe（56 kA/m）とい
う卓越した最上の結果を得るには、厚さ1000Å（100 n
m）のPt下層を必要とする。そのようなPt下層が、基板
側からの情報の読取りと書込みを不可能にし、その厚い
Pt層の大きな熱容量と熱拡散率が、現行の固体レーザー
を用いて得られる限定された出力による書込みを不可能
にしそうであるが故に、そのような厚いPt下層の必要性
は多くの磁気光学記録応用物にとって非実用的である。
に下引き層の使用を含む、スパッタされたPt/Co多層体
の研究を開示する。しかし、この場合には、一般的には
僅かなHcの改善しか得られず、700 Oe（56 kA/m）とい
う卓越した最上の結果を得るには、厚さ1000Å（100 n
m）のPt下層を必要とする。そのようなPt下層が、基板
側からの情報の読取りと書込みを不可能にし、その厚い
Pt層の大きな熱容量と熱拡散率が、現行の固体レーザー
を用いて得られる限定された出力による書込みを不可能
にしそうであるが故に、そのような厚いPt下層の必要性
は多くの磁気光学記録応用物にとって非実用的である。
一般に、スパッターされたPt/Co多層体と、スパッタ
ーされた金属多層体に関する全ての参照文献は、スパッ
ターガスとしてアルゴンの使用を開示している。
ーされた金属多層体に関する全ての参照文献は、スパッ
ターガスとしてアルゴンの使用を開示している。
本発明の目的は、高い保磁力を有し且つ磁気光学記録
に適したPt/Co多層体を直接的にスパッターする方法を
提供することである。
に適したPt/Co多層体を直接的にスパッターする方法を
提供することである。
発明の要約 本発明は、白金とコバルトの交互層から成る白金／コ
バルト（Pt/Co）多層薄膜を製造する改良されたスパッ
タリング法であって、この改良は、スパッターガスとし
てクリプトン、キセノン又はそれらの混合物を使用する
ことから成る。約２〜約12 mTorr（約0.27〜約1.6 Pa）
のスパッタリングガス圧力が好ましい。この方法は、そ
のコバルト層の全てが実質適に同一の厚さdCoを有し、
且つ、その白金層の全てが実質的に同一の厚さdPtを有
し、更に、dCoが約12Å（1.2nm）未満であり、dPtが約2
4Å（2.4nm）未満であり、且つ、その多層薄膜の総厚さ
が約750Å（75 nm）未満である、高い磁気保磁力を有し
且つ磁気光学記録に適したPt/Co多層薄膜の製造に特に
有効である。
バルト（Pt/Co）多層薄膜を製造する改良されたスパッ
タリング法であって、この改良は、スパッターガスとし
てクリプトン、キセノン又はそれらの混合物を使用する
ことから成る。約２〜約12 mTorr（約0.27〜約1.6 Pa）
のスパッタリングガス圧力が好ましい。この方法は、そ
のコバルト層の全てが実質適に同一の厚さdCoを有し、
且つ、その白金層の全てが実質的に同一の厚さdPtを有
し、更に、dCoが約12Å（1.2nm）未満であり、dPtが約2
4Å（2.4nm）未満であり、且つ、その多層薄膜の総厚さ
が約750Å（75 nm）未満である、高い磁気保磁力を有し
且つ磁気光学記録に適したPt/Co多層薄膜の製造に特に
有効である。
本発明は、この方法で作られるPt/Co多層薄膜をも提
供する。そのコバルト層の全てが実質的に同一の厚さd
Coを有し、且つ、その白金層の全てが実質的に同一の厚
さdPtを有し、更に、dCoが約12Å（1.2nm）未満であ
り、dPtが約24Å（2.4nm）未満であり、且つ、その多層
薄膜の総厚さが約750Å（75 nm）未満であるPt/Co多層
薄膜が好ましい。dCoが約２〜約５Å（約0.2〜0.5nm）
であり、且つdPt/dCoが約１〜約５である多層薄膜が、
特に好ましい。
供する。そのコバルト層の全てが実質的に同一の厚さd
Coを有し、且つ、その白金層の全てが実質的に同一の厚
さdPtを有し、更に、dCoが約12Å（1.2nm）未満であ
り、dPtが約24Å（2.4nm）未満であり、且つ、その多層
薄膜の総厚さが約750Å（75 nm）未満であるPt/Co多層
薄膜が好ましい。dCoが約２〜約５Å（約0.2〜0.5nm）
であり、且つdPt/dCoが約１〜約５である多層薄膜が、
特に好ましい。
本発明の多層薄膜は、アルゴン中でスパッターされる
同一のdCoとdPt及び層数を有する多層薄膜よりも、遙に
大きな磁気保磁力を有する。その結果として、本発明の
多層薄膜は、アルゴン中でスパッターされる多層薄膜と
は対照的に、磁気光学記録に有効である。
同一のdCoとdPt及び層数を有する多層薄膜よりも、遙に
大きな磁気保磁力を有する。その結果として、本発明の
多層薄膜は、アルゴン中でスパッターされる多層薄膜と
は対照的に、磁気光学記録に有効である。
発明の詳細な説明 本発明は、スパッターガスとしてクリプトン、キセノ
ン又はそれらの混合物を使用して白金／コバルト（Pt/C
o）多層薄膜を作るための、改良されたスパッタリング
法を提供する。この薄膜は、白金とコバルトの層を交互
にスパッターすることによって生成される。その多層薄
膜中のコバルト層の全てが実質的に同一の厚さdCoを有
し、且つ、その白金層の全てが実質的に同一の厚さdPt
を有することが好ましい。dCo約12Å（1.2nm）未満であ
り、dPtが約24Å（2.4nm）未満であり、且つ、その多層
薄膜の総厚さが約750Å（75 nm）未満であることが好ま
しい。更に、dCoが約２〜約５Å（約0.2〜約0.5 nm）で
あり、且つ、dPt/dCoが約１〜約５であることが最も好
ましい。ここで規定された好ましい範囲は、磁気光学記
録に最も適した特性を有する構造に一致する。
ン又はそれらの混合物を使用して白金／コバルト（Pt/C
o）多層薄膜を作るための、改良されたスパッタリング
法を提供する。この薄膜は、白金とコバルトの層を交互
にスパッターすることによって生成される。その多層薄
膜中のコバルト層の全てが実質的に同一の厚さdCoを有
し、且つ、その白金層の全てが実質的に同一の厚さdPt
を有することが好ましい。dCo約12Å（1.2nm）未満であ
り、dPtが約24Å（2.4nm）未満であり、且つ、その多層
薄膜の総厚さが約750Å（75 nm）未満であることが好ま
しい。更に、dCoが約２〜約５Å（約0.2〜約0.5 nm）で
あり、且つ、dPt/dCoが約１〜約５であることが最も好
ましい。ここで規定された好ましい範囲は、磁気光学記
録に最も適した特性を有する構造に一致する。
この多層薄膜は、例えばガラス、研磨シリコン、研磨
サファイア（Al2O3）、紙、アルミニウム、又は、ポリ
イミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ（エチレン
テレフタラート）等のようなポリマー材料の様々な基板
の上に、PtとCoの交互層として沈着され得る。
サファイア（Al2O3）、紙、アルミニウム、又は、ポリ
イミド、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ（エチレン
テレフタラート）等のようなポリマー材料の様々な基板
の上に、PtとCoの交互層として沈着され得る。
DC又はRFマグネトロンによるスパッタリングが使用可
能である。典型的には、基板を、回転テーブル上に置
き、Ptスパッタリング流れとCoスパッタリング流れに対
して交互に繰り返して露出する。PtとCoの沈着中予め選
択された一定時間そのテーブルが停止することが出来る
ように、そのテーブルの動きをプログラムし得る。こう
することによって、PtとCoの相対厚さを調節することか
可能である。PtターゲットとCoターゲットのスパッター
される流れが重なり合う可能性を排除するために、その
PtターゲットとCoターゲットを物理的に分離することが
好ましい。
能である。典型的には、基板を、回転テーブル上に置
き、Ptスパッタリング流れとCoスパッタリング流れに対
して交互に繰り返して露出する。PtとCoの沈着中予め選
択された一定時間そのテーブルが停止することが出来る
ように、そのテーブルの動きをプログラムし得る。こう
することによって、PtとCoの相対厚さを調節することか
可能である。PtターゲットとCoターゲットのスパッター
される流れが重なり合う可能性を排除するために、その
PtターゲットとCoターゲットを物理的に分離することが
好ましい。
スパッターガスは、クリプトン、キセノン、又はそれ
らの混合物である。約２〜約12 mTorr（約0.27〜約1.6
Pa）のスパッタリングガス圧力が好ましい。
らの混合物である。約２〜約12 mTorr（約0.27〜約1.6
Pa）のスパッタリングガス圧力が好ましい。
本発明の方法は、アルゴンをスパッターガスとして使
用した場合に得られるPt/Co界面よりもはっきりと、又
はより明瞭に画定されたPt/Co界面を結果的に生ずると
考えられる。これらのはっきりした界面は、結果的に、
垂直磁気異方性（Ｋ）に対する大きな界面寄与（例え
ば、P.F.Carcia他,Appl.Phys.Lett.47,148（1989））と
考えられ、そしてその結果、その磁気保磁力（Hc＝2K/
M）も大きい。一般的には、この技術のスパッタリング
薄膜のより低いHcの原因は、蒸着薄膜の場合に比べて、
その界面がより不明確であること又は、化学的に混合さ
れた界面によるものであると考えられている。一般的に
スパッタリングは蒸着よりも高エネルギーの粒子を含ん
でいる。最も高いエネルギーの、且つ、それ故多層体界
面に対する最も潜在的破裂粒子は、より質量の大きいPt
ターゲットから跳ね返り、且つ成長中の薄膜に衝撃を与
えるスパッターガスイオン（例えばAr+）である。これ
らのスパッターガスイオンは、ほぼ直ちに中性化される
が故に、一般的に「エネルギー中性粒子」と呼ばれる。
これらの流束とエネルギーの両方は、ターゲット原子と
スパッターガス原子の質量差に比例している。即ち、最
も可能性が高いスパッターガス原子の跳ね返りエネルギ
ーは、次式で近似的に与えられる。
用した場合に得られるPt/Co界面よりもはっきりと、又
はより明瞭に画定されたPt/Co界面を結果的に生ずると
考えられる。これらのはっきりした界面は、結果的に、
垂直磁気異方性（Ｋ）に対する大きな界面寄与（例え
ば、P.F.Carcia他,Appl.Phys.Lett.47,148（1989））と
考えられ、そしてその結果、その磁気保磁力（Hc＝2K/
M）も大きい。一般的には、この技術のスパッタリング
薄膜のより低いHcの原因は、蒸着薄膜の場合に比べて、
その界面がより不明確であること又は、化学的に混合さ
れた界面によるものであると考えられている。一般的に
スパッタリングは蒸着よりも高エネルギーの粒子を含ん
でいる。最も高いエネルギーの、且つ、それ故多層体界
面に対する最も潜在的破裂粒子は、より質量の大きいPt
ターゲットから跳ね返り、且つ成長中の薄膜に衝撃を与
えるスパッターガスイオン（例えばAr+）である。これ
らのスパッターガスイオンは、ほぼ直ちに中性化される
が故に、一般的に「エネルギー中性粒子」と呼ばれる。
これらの流束とエネルギーの両方は、ターゲット原子と
スパッターガス原子の質量差に比例している。即ち、最
も可能性が高いスパッターガス原子の跳ね返りエネルギ
ーは、次式で近似的に与えられる。
Ｅ＝［（Mt−Mg）2/（Mt＋Mg）２］Eo Mt＞Mg 前式中でEoはガスイオンの初期エネルギーであり、Mt
はターゲットの原子質量であり、Mgはスパッタリングガ
スの原子質量である。スパッタリングに使用可能な幾つ
かの非反応性ガスは、各々に質量20、40、83、131のN
e、Ar、Kr、Xeを含む。Ptの質量が195であるので、スパ
ッターガスの選択によって、衝撃ガス原子のエネルギー
と流束の両方を調節することが可能である。
はターゲットの原子質量であり、Mgはスパッタリングガ
スの原子質量である。スパッタリングに使用可能な幾つ
かの非反応性ガスは、各々に質量20、40、83、131のN
e、Ar、Kr、Xeを含む。Ptの質量が195であるので、スパ
ッターガスの選択によって、衝撃ガス原子のエネルギー
と流束の両方を調節することが可能である。
実施例 全ての薄膜を、各々に直径6.5″（16.5 cm）のCoター
ゲットとPtターゲットからの、DCマグネトロンスパッタ
リングによって調製した。各々のターゲットに対するス
パッタリング電力は40Wだった。回転テーブル上に基板
を置き、各々の金属で交互に被覆した。ターゲットと基
板の間の距離は約３″（7.6 cm）だった。ガラス基板を
用いて得られた結果と、研磨シリコン基板を用いて得ら
れた結果との間には、大きな差異はなかった。ここに記
載される実施例と実験例に関しては、ガラス基板を使用
した。コンピュータによって基板の動きを制御すること
によって、沈着中に回転テーブルが各ターゲットの下で
一定時間に亙って静止状態を維持するように、回転テー
ブルをプログラムした。１秒間のCoターゲット下の滞留
時間tCoは、結果的に約３〜４Å（0.3〜0.4 nm）のCo厚
さを生じせしめる。３〜６秒間のPtターゲット下の滞留
時間tPtは、結果的に約10〜20Å（1.0〜2.0 nm）のPt厚
さを生じせしめる。沈着を行う前には、スパッタリング
ガス導入前、約２×10-7Torr（2.7×10-5Pa）のバック
グラウンド圧に、真空チャンバをポンプで排気した。
ゲットとPtターゲットからの、DCマグネトロンスパッタ
リングによって調製した。各々のターゲットに対するス
パッタリング電力は40Wだった。回転テーブル上に基板
を置き、各々の金属で交互に被覆した。ターゲットと基
板の間の距離は約３″（7.6 cm）だった。ガラス基板を
用いて得られた結果と、研磨シリコン基板を用いて得ら
れた結果との間には、大きな差異はなかった。ここに記
載される実施例と実験例に関しては、ガラス基板を使用
した。コンピュータによって基板の動きを制御すること
によって、沈着中に回転テーブルが各ターゲットの下で
一定時間に亙って静止状態を維持するように、回転テー
ブルをプログラムした。１秒間のCoターゲット下の滞留
時間tCoは、結果的に約３〜４Å（0.3〜0.4 nm）のCo厚
さを生じせしめる。３〜６秒間のPtターゲット下の滞留
時間tPtは、結果的に約10〜20Å（1.0〜2.0 nm）のPt厚
さを生じせしめる。沈着を行う前には、スパッタリング
ガス導入前、約２×10-7Torr（2.7×10-5Pa）のバック
グラウンド圧に、真空チャンバをポンプで排気した。
１対の隣接するPt層とCo層を「二重層」と称する。も
ちろん、Pt層の数とCo層の数は、各々に二重層の数Ｎに
等しい。
ちろん、Pt層の数とCo層の数は、各々に二重層の数Ｎに
等しい。
以下で開示される多層薄膜は全て、その薄膜平面に垂
直な磁化容易軸と、１に等しい磁気角形比を有し、即
ち、ゼロ印加磁場におけるその残留磁化が飽和値に等し
い。
直な磁化容易軸と、１に等しい磁気角形比を有し、即
ち、ゼロ印加磁場におけるその残留磁化が飽和値に等し
い。
実施例１〜４ 10個のPt/Co二重層を各々が有する４個の試料を、ク
リプトンをスパッターガスとして使用し、各々のスパッ
ターガス圧力を５、７、８、10 mTorrとしてスパッター
した。Coターゲット下の滞留時間tCoは１秒であり、Pt
ターゲット下の滞留時間tPtは３秒であった。それらの
試料の実際厚さdPtとdCoを表１に示す。得られたHcは、
スパッターガス圧力の増大に伴って増大し、これも表１
に示す。得られたHcは全て600 Oe（48 kA/m）を超えて
いる。これらの４個の薄膜の極性カー回転角θは、約0.
25〜約0.30度の範囲であった。これらの薄膜は磁気光学
記録用に有効であろう。
リプトンをスパッターガスとして使用し、各々のスパッ
ターガス圧力を５、７、８、10 mTorrとしてスパッター
した。Coターゲット下の滞留時間tCoは１秒であり、Pt
ターゲット下の滞留時間tPtは３秒であった。それらの
試料の実際厚さdPtとdCoを表１に示す。得られたHcは、
スパッターガス圧力の増大に伴って増大し、これも表１
に示す。得られたHcは全て600 Oe（48 kA/m）を超えて
いる。これらの４個の薄膜の極性カー回転角θは、約0.
25〜約0.30度の範囲であった。これらの薄膜は磁気光学
記録用に有効であろう。
実施例５〜８ ５、10、15、20個のPt/Co二重層を含有する４個の試
料各々を、クリプトンをスパッターガスとして使用し、
そのスパッターガス圧力を7 mTorrとしてスパッターし
た。COターゲット下の滞留時間tCOは１秒であり、Ptタ
ーゲット下の滞留時間tPtは４秒であった。実際厚さdPt
とdCoを表１に示す。得られたHcは、その二重層の数Ｎ
が10以上である場合には、このＮとは無関係であり、こ
れも表１に示す。得られたHcは全て570 Oe（46 kA/m）
を超えており、これらの薄膜は磁気光学記録用に有効で
あろう。
料各々を、クリプトンをスパッターガスとして使用し、
そのスパッターガス圧力を7 mTorrとしてスパッターし
た。COターゲット下の滞留時間tCOは１秒であり、Ptタ
ーゲット下の滞留時間tPtは４秒であった。実際厚さdPt
とdCoを表１に示す。得られたHcは、その二重層の数Ｎ
が10以上である場合には、このＮとは無関係であり、こ
れも表１に示す。得られたHcは全て570 Oe（46 kA/m）
を超えており、これらの薄膜は磁気光学記録用に有効で
あろう。
実施例９ 25個のPt/Co二重層を含有する試料を、キセノンをス
パッターガスとして使用し、そのスパッターガス圧力を
10 mTorrとしてスパッターした。Coターゲット下の滞留
時間tCoは１秒であり、Ptターゲット下の滞留時間tPtは
４秒だった。実際厚さdPtとdCoが表１に示す。得られた
Hcは1495 Oe（120 kA/m）であり、この薄膜は磁気光学
記録用に有効であろう。
パッターガスとして使用し、そのスパッターガス圧力を
10 mTorrとしてスパッターした。Coターゲット下の滞留
時間tCoは１秒であり、Ptターゲット下の滞留時間tPtは
４秒だった。実際厚さdPtとdCoが表１に示す。得られた
Hcは1495 Oe（120 kA/m）であり、この薄膜は磁気光学
記録用に有効であろう。
実施例10 40個のPt/Co二重層を有する試料を、キセノンをスパ
ッターガスとして使用し、そのスパッターガス圧力を5
mTorrとしてスパッターした。Coターゲット下の滞留時
間tCoを１秒であり、Ptターゲット下の滞留時間tPtは３
秒だった。実際厚さdPtとdCoを表１に示す。得られたHc
は785 Oe（62 kA/m）であり、この薄膜は磁気光学記録
用に有効であろう。
ッターガスとして使用し、そのスパッターガス圧力を5
mTorrとしてスパッターした。Coターゲット下の滞留時
間tCoを１秒であり、Ptターゲット下の滞留時間tPtは３
秒だった。実際厚さdPtとdCoを表１に示す。得られたHc
は785 Oe（62 kA/m）であり、この薄膜は磁気光学記録
用に有効であろう。
比較実験例ＡーＢ 10個のPt/Co二重層を各々有する２個の試料を、アル
ゴンをスパッターガスとして使用し、そのスパッターガ
ス圧力を5 mTorrと10 mTorrとしてスパッターした。Co
ターゲット下の滞留時間tCoは１秒であり、Ptターゲッ
ト下の滞留時間tPtは３秒だった。実際厚さdPtとdCoを
表１に示す。得られたHcをも表１に示す。これら薄膜は
磁気光学記録用には有効ではないだろう。
ゴンをスパッターガスとして使用し、そのスパッターガ
ス圧力を5 mTorrと10 mTorrとしてスパッターした。Co
ターゲット下の滞留時間tCoは１秒であり、Ptターゲッ
ト下の滞留時間tPtは３秒だった。実際厚さdPtとdCoを
表１に示す。得られたHcをも表１に示す。これら薄膜は
磁気光学記録用には有効ではないだろう。
実施例11 光重合性アクリレート系ラッカーによって形成され且
つその層の上に約80nmのAlN層が沈着させられている予
め溝切りされた層で被覆された、直径5.25″（133 cm）
のガラスディスクに関して、Pt/Co多層ディスクの熱磁
気記録特性を測定した。そのAlN層上に直接的に沈着し
たPt/Co多層記録要素は、dPt＝11.0Å（1.1 nm）且つd
Co＝3.5Å（0.35 nm）の10個の二重層から構成された。
その溝は、レーザー光のためのガイドトラックを与え、
そのAlN誘電層が、総体的な磁気−光学性能示数Ｒθ２
（Ｒが反射率であり且つθがカー回転角である）を増大
させる。そのPt/Co多層体は、7 mTorr（0.93 Pa）の圧
力でクリプトンガスによってPt層とCo層を交互にスパッ
ターすることによって形成された。その磁気保磁力は約
800 Oe（64 kA/m）だった。
つその層の上に約80nmのAlN層が沈着させられている予
め溝切りされた層で被覆された、直径5.25″（133 cm）
のガラスディスクに関して、Pt/Co多層ディスクの熱磁
気記録特性を測定した。そのAlN層上に直接的に沈着し
たPt/Co多層記録要素は、dPt＝11.0Å（1.1 nm）且つd
Co＝3.5Å（0.35 nm）の10個の二重層から構成された。
その溝は、レーザー光のためのガイドトラックを与え、
そのAlN誘電層が、総体的な磁気−光学性能示数Ｒθ２
（Ｒが反射率であり且つθがカー回転角である）を増大
させる。そのPt/Co多層体は、7 mTorr（0.93 Pa）の圧
力でクリプトンガスによってPt層とCo層を交互にスパッ
ターすることによって形成された。その磁気保磁力は約
800 Oe（64 kA/m）だった。
ディスク回転速度5 m/s、帯域幅30 KHz、周波数1 MH
z、レーザーパルス幅400 ns、書込み出力4.7 mW、書込
みフィールド300 Oe（23 kA/m）、読取り出力1.2 mWに
よる幾つかの熱磁気実験において、磁区はこの記録要素
に書き込まれ且つ記憶させられた。磁区の書込みと読取
りは、約820 nmの波長を有するAlGaAsレーザーからの基
板入射、放射で行なわれた。そのSN比は10.4dBであり、
その書込みノイズは非常に僅かだった。
z、レーザーパルス幅400 ns、書込み出力4.7 mW、書込
みフィールド300 Oe（23 kA/m）、読取り出力1.2 mWに
よる幾つかの熱磁気実験において、磁区はこの記録要素
に書き込まれ且つ記憶させられた。磁区の書込みと読取
りは、約820 nmの波長を有するAlGaAsレーザーからの基
板入射、放射で行なわれた。そのSN比は10.4dBであり、
その書込みノイズは非常に僅かだった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 G11B 5/85 G11B 11/10 H01F 10/08 H01F 41/18
Claims (7)
- 【請求項１】白金とコバルトとの交互層から成る白金／
コバルト多層薄膜を製造する方法において、スパッター
ガスとしてクリプトン、キセノン又はそれらの混合物を
使用することを特徴とする改良されたスパッタリング方
法。 - 【請求項２】前記スパッターガスがクリプトンである請
求項１に記載の方法。 - 【請求項３】前記スパッターガスがキセノンである請求
項１に記載の方法。 - 【請求項４】スパッターガス圧力が約２〜約12mTorr
（約0.27〜約1.6Pa）である請求項１〜３の何れかに記
載の方法。 - 【請求項５】前記コバルト層の全てが実質的に同一の厚
さdCoを有し、且つ、前記白金層の全てが実質的に同一
の厚さdPtを有し、更に、該dCoが約12Å（1.2nm）未満
であり、該dPtが約24Å（2.4nm）未満であり、且つ、該
多層薄膜の総厚さが約750Å（75nm）未満である請求項
１〜４の何れかに記載の方法。 - 【請求項６】該dCoが約２〜約５Å（約0.2〜0.5nm）で
あり、dPt/dCoが約１〜約５である請求項５に記載の方
法。 - 【請求項７】請求項１〜６の何れかの方法で製造された
白金／コバルト多層薄膜。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/441,499 US5068022A (en) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | Process for sputtering multilayers for magneto-optical recording |
| US441,499 | 1989-11-29 | ||
| PCT/US1990/006767 WO1991008578A1 (en) | 1989-11-27 | 1990-11-27 | Process for sputtering multilayers for magneto-optical recording |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05504993A JPH05504993A (ja) | 1993-07-29 |
| JP3042878B2 true JP3042878B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=23753116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03501076A Expired - Lifetime JP3042878B2 (ja) | 1989-11-27 | 1990-11-27 | 磁気光学記録用多層体をスパッターする方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5068022A (ja) |
| EP (1) | EP0502950B1 (ja) |
| JP (1) | JP3042878B2 (ja) |
| KR (1) | KR970004574B1 (ja) |
| CN (1) | CN1054450A (ja) |
| DE (1) | DE69003951T2 (ja) |
| WO (1) | WO1991008578A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013176332A1 (ko) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 고려대학교 산학협력단 | 반전구조를 갖는 코발트(Ｃｏ) 및 플래티늄(Ｐｔ) 기반의 다층박막 및 이의 제조방법 |
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| US5082749A (en) * | 1990-03-15 | 1992-01-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
| EP0459413B1 (en) * | 1990-05-29 | 1996-02-28 | Oki Electric Industry Company, Limited | Method for fabricating a magnetic recording medium |
| US5281554A (en) * | 1991-02-08 | 1994-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor device having a tantalum thin film |
| US5633092A (en) * | 1991-12-10 | 1997-05-27 | British Technology Group Ltd. | Magnetostrictive material |
| EP0549246B1 (en) * | 1991-12-27 | 2003-10-15 | Honeywell International Inc. | Multilayer film materials system |
| DE4215664C1 (de) * | 1992-05-13 | 1993-11-25 | Mtu Muenchen Gmbh | Verfahren zum Aufbringen von metallischen Zwischenschichten und seine Anwendung |
| EP0576376B1 (en) * | 1992-06-26 | 1998-05-06 | Eastman Kodak Company | Cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
| GB9216074D0 (en) * | 1992-07-28 | 1992-09-09 | Johnson Matthey Plc | Magneto-optical recording materials system |
| US5750228A (en) * | 1993-02-22 | 1998-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information storage medium |
| US5505835A (en) * | 1993-02-22 | 1996-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating optical information storage medium |
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| US5875169A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic data storage device having multiple data storage levels |
| US6328856B1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-12-11 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multilayer film deposition utilizing rotating multiple magnetron cathode device |
| US6893542B1 (en) | 1999-09-10 | 2005-05-17 | Seagate Technology Llc | Sputtered multilayer magnetic recording media with ultra-high coercivity |
| WO2001073153A1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Trikon Holdings Limited | Method of depositing metal films |
| JP2009080897A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Hoya Corp | 垂直磁気記録ディスクの製造方法および垂直磁気記録ディスク |
| US10566522B2 (en) | 2012-05-22 | 2020-02-18 | SK Hynix Inc. | Platinum and cobalt/copper-based multilayer thin film having low saturation magnetization and fabrication method thereof |
| CN105948535A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-09-21 | 信义节能玻璃（芜湖）有限公司 | 超低辐射镀膜玻璃及其制备方法 |
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| JPS58122622A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体に有機保護膜を形成する方法 |
| JPH0766507B2 (ja) * | 1984-02-16 | 1995-07-19 | コニカ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US4587176A (en) * | 1985-01-14 | 1986-05-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Layered coherent structures for magnetic recording |
| JPS61242321A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| EP0304873B1 (en) * | 1987-08-26 | 1991-11-21 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1989
- 1989-11-27 US US07/441,499 patent/US5068022A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-27 JP JP03501076A patent/JP3042878B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-27 KR KR1019920701122A patent/KR970004574B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-11-27 WO PCT/US1990/006767 patent/WO1991008578A1/en active IP Right Grant
- 1990-11-27 DE DE91900447T patent/DE69003951T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-27 CN CN90109852A patent/CN1054450A/zh active Pending
- 1990-11-27 EP EP91900447A patent/EP0502950B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US9705075B2 (en) | 2012-05-22 | 2017-07-11 | SK Hynix Inc. | Cobalt (Co) and platinum (Pt)-based multilayer thin film having inverted structure and method for manufacturing same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920704323A (ko) | 1992-12-19 |
| DE69003951D1 (de) | 1993-11-18 |
| CN1054450A (zh) | 1991-09-11 |
| EP0502950A1 (en) | 1992-09-16 |
| JPH05504993A (ja) | 1993-07-29 |
| WO1991008578A1 (en) | 1991-06-13 |
| KR970004574B1 (ko) | 1997-03-29 |
| US5068022A (en) | 1991-11-26 |
| DE69003951T2 (de) | 1994-04-14 |
| EP0502950B1 (en) | 1993-10-13 |
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