JPH056589A

JPH056589A - 光磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH056589A
Application number: JP27861791A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Hashimoto; 俊一橋本; Yoshitaka Ochiai; 祥隆落合
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1990-12-14
Filing date: 1991-09-30
Publication date: 1993-01-14

Abstract

(57)【要約】【構成】基板上にＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層と
が交互に積層された人工格子膜が形成されてなる光磁気
記録媒体の製造方法において、上記人工格子膜を所定の
ガス圧を有するＫｒ雰囲気中又はＸｅ雰囲気中でスパッ
タにより成膜する。【目的】基板上に直接成膜しても膜質に優れ、良好な
磁気光学特性を有する光磁気記録媒体の製造を可能にす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光等により情報の記録・再生を行う光磁気記
録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、書換え可能な高密度記録方式とし
て、半導体レーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄
膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用
いてこの情報を読み出す光磁気記録方式が注目されてい
る。この光磁気記録方式に使用される記録材料として
は、従来よりＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ等の希土類元素とＦｅ，
Ｃｏ等の遷移元素とを組み合わせた非晶質合金膜が代表
的なものとされている。この非晶質合金膜において、特
に希土類元素としてＴｂを含むＴｂＦｅＣｏ膜やＧｄＴ
ｂＦｅ膜等は大きな垂直磁気異方性を示し、既に実用化
されている。

【０００３】しかし、上記非晶質合金膜の構成成分であ
る希土類元素やＦｅは非常に酸化され易く、空気中の酸
素とも容易に結合して酸化物を形成する性質がある。こ
のため、このような酸化の進行により腐食や孔食が発生
し、記録信号の脱落を誘起する虞れがある。また、特に
希土類元素が選択的に酸化を受けると、保磁力や残留磁
気カー回転角の低下に伴ってＣ／Ｎ比が劣化するという
問題が生ずる。このような問題は、希土類元素を使用す
る限り免れることはできない。

【０００４】これに対して、希土類元素の代わりにＰｔ
やＰｄ等の貴金属を使用したＣｏ−Ｐｔ系材料、或いは
Ｃｏ−Ｐｄ系材料が知られている。これらＣｏ−Ｐｔ系
材料やＣｏ−Ｐｄ系材料は、良好な耐食性を有してお
り、光磁気記録の分野で期待されている。近年、所定の
層厚のＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層を超格子的に積
層させた、所謂人工格子膜が提案され、４００Å程度以
下の極めて薄膜とされる領域で良好な磁気光学特性を示
すことが見出されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の光磁
気記録媒体においては、耐蝕性の向上や多重反射による
カー回転角の増大を目的として、基板上に膜厚１００〜
２０００Å程度のＳｉＮ膜等からなる誘電層が形成され
る。しかし、製造コストの点から見ると基板上に直接記
録層を成膜する方が好ましい上、このように基板上に直
接記録層が形成されたディスク構造は、実用上重要なデ
ィスク形態であるとも言える。

【０００６】このように基板上に直接記録層を成膜しよ
うとする場合、耐食性の問題から記録材料として上述の
ＴｂＦｅＣｏ膜やＧｄＴｂＦｅ膜を使用することは不可
能である。これに対し、耐食性に優れた上記Ｃｏ−Ｐｔ
系材料やＣｏ−Ｐｄ系材料を使用すれば、実現可能と考
えられる。

【０００７】ところが、Ｃｏ−Ｐｔ系材料やＣｏ−Ｐｄ
系材料により人工格子膜を成膜する際に、スパッタガス
として汎用のＡｒガスを使用した場合、これにより得ら
れた記録層の膜質や磁気光学特性は十分なものではな
く、良好な光磁気記録媒体を得ることはできないことが
判明した。また、上記人工格子膜は、薄膜とされるため
に基板や基板上に形成された下地膜の影響を受け易い。
このため、特にポリカーボネート基板やガラス２ｐ基板
（基板表面に凹凸を有する光硬化樹脂層が形成されたガ
ラス基板）のような高分子基板上に直接成膜する場合に
は、通常のガラス基板上に成膜する場合に比べると、膜
質や磁気光学特性が著しく劣化してしまう。

【０００８】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、基板上に直接成膜しても膜質
や磁気光学特性の向上を図ることが可能な光磁気記録媒
体の製造方法の提供を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上述の目的
を達成するために検討を重ねた結果、Ｃｏ層とＰｔ層及
び／又はＰｄ層を超格子的に積層した人工格子膜をＫｒ
雰囲気中又はＸｅ雰囲気中で成膜すれば、良好な膜質や
磁気光学特性を有する光磁気記録媒体を形成することが
できることを見出し、本発明に至ったものである。

【００１０】即ち、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上にＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層とが交互
に積層された人工格子膜が形成されてなる光磁気記録媒
体の製造方法において、上記人工格子膜を２×10^-3〜３
×10^-2Torrなるガス分圧を有するＫｒガス及び／又はＸ
ｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜することを特徴と
するものである。

【００１１】本発明にかかる光磁気記録媒体において、
記録層は人工格子膜より構成される。この人工格子膜と
しては、Ｃｏ層とＰｔ層とを積層したＣｏ−Ｐｔ系人工
格子膜、Ｃｏ層とＰｄ層とを積層したＣｏ−Ｐｄ系人工
格子膜、及びＣｏ層とＰｔ層とＰｄ層の三者を積層した
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜が挙げられる。これら人
工格子膜の全厚は、５０〜８００Åの範囲とすることが
好ましい。上記人工格子膜の全厚が上記範囲から外れる
と、磁気カー回転角や保磁力が劣化する等、磁気光学特
性の低下が見られる。

【００１２】特にＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場合には、
Ｃｏ層２〜８Å、Ｐｔ層３〜４０Å、全厚５０〜４００
Åであることが好ましく、かかる範囲で良好な磁気光学
特性を発揮する。勿論、これ以外の範囲、例えば層厚８
００Å以下の領域でも磁気光学特性を発揮するが、４０
０Åを越えた領域では角形比が若干低下する。

【００１３】同様に、Ｃｏ−Ｐｄ系人工格子膜の場合に
は、Ｃｏ層１〜９Å、Ｐｄ層２〜４０Å、全厚５０〜８
００Åで良好な磁気光学特性を発揮する。以上の層厚の
範囲は磁気光学特性を最適化する観点から設定されたも
のであり、いずれの場合も上記範囲外では面内磁化成分
が発生して磁気光学特性が劣化する。

【００１４】また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系人工格子膜の場
合、積層構造としては、Ｃｏ層とＰｔ−Ｐｄ合金層とを
交互に積層したものであっても良いし、Ｃｏ層−Ｐｔ層
−Ｃｏ層−Ｐｄ層−、或いはＣｏ層−Ｐｔ層−Ｐｄ層−
Ｃｏ層−の順に積層したものであっても良い。

【００１５】また、上記人工格子膜には、熱安定性を高
めたりキュリー点を下げる等の目的で各種元素を添加元
素として適宜添加しても良い。この場合、人工格子膜の
種類や添加する金属層の種類によって最適な添加元素や
添加量が異なる。

【００１６】例えば、Ｃｏ層とＰｔ層が積層された人工
格子膜において、前記Ｃｏ層に添加元素を加える場合、
当該Ｃｏ層はＣｏ_100-xＭ_x（但し、ｘは置換量を原子
％で表し、Ｍは添加元素を表す。）で表され、添加元素
ＭとしてはＢ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｓｂ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｔａの少なくとも一種で
あることが好ましい。最適な置換量は、元素毎に若干異
なり、Ｍ＝Ａｌの場合０．１≦ｘ≦７、Ｍ＝Ｚｒの場合
０．１≦ｘ≦１４、Ｍ＝Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａの場合０．１
≦ｘ≦２０、Ｍ＝Ｆｅの場合０．１≦ｘ≦２５、Ｍ＝
Ｂ、Ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓ
ｎの場合０．１≦ｘ≦３０、Ｍ＝Ｐの場合０．１≦ｘ≦
３５、Ｍ＝Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙの場合０．１≦ｘ≦４０、
Ｍ＝Ｓｂの場合０．１≦ｘ≦４５、Ｍ＝Ｎｉの場合０．
１≦ｘ≦７０である。

【００１７】上記各元素の置換量ｘの下限は、０．１原
子％とされているが、これより低い場合にはキュリー点
の低減効果が現れない。また、上記各元素の置換量ｘの
上限は添加する元素によって７〜４０原子％と異なって
いるが、これらの値より高い場合には磁気光学特性をか
えって劣化させる虞れがある。

【００１８】また、上述の第３の元素をＰｔ層に添加
し、当該Ｐｔ層の組成をＰｔ_100-xＭ_x（但し、ｘは置
換量を原子％で表し、０≦ｘ≦１５であり、Ｍは添加元
素を表す。）とすることも考えられるが、この場合は磁
気光学特性や熱安定性を改善することを目的とするので
はなく、むしろキュリー点の調節を主目的とするべきで
ある。それは、第３の元素をＰｔ層に添加すると、一部
の例外を除いてキュリー点が上昇するとともに磁気カー
回転角が低下するからである。但し、キュリー点は記録
情報に保護の観点から無制限に低ければ良いという性質
のものではないので、もともと記録層のキュリー点が著
しく低い場合等はこのような手段により実用的な範囲ま
でこれを高めることが可能である。Ｐｔ層に添加し得る
元素としては、Ｃｏ層と同様の元素の他、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｃｏ、Ｚｎ、Ｙ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｈｏ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ等が挙げ
られる。更には、上述のＰｔ層は任意の割合でＰｄに置
きかわっていても良い。

【００１９】一方、Ｃｏ層とＰｄ層が積層された人工格
子膜において前記Ｃｏ層に添加元素を加える場合には、
当該Ｃｏ層はやはりＣｏ_100-xＭ_x（但し、ｘは置換量
を原子％で表し、Ｍは添加元素を表す。）で表され、添
加元素ＭとしてはＰ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｇｅ、
Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗの少なくとも一種であるこ
とが好ましい。この場合にも最適添加量は添加元素の種
類によって異なり、Ｍ＝Ｚｒの場合０．１≦ｘ≦１０、
Ｍ＝Ｍ＝Ｐ、Ａｌの場合０．１≦ｘ≦１２、Ｍ＝Ｓｎ、
Ｓｂ、Ｗの場合０．１≦ｘ≦２０、Ｍ＝Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｎｂの場合０．１≦ｘ≦２５、Ｍ＝
Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｉｎの場合０．１≦
ｘ≦３０、Ｍ＝Ｔａの場合０．１≦ｘ≦４０である。限
定の理由は先のＣｏ−Ｐｔ系人工格子膜の場合と同様で
ある。

【００２０】また、Ｐｄ層に添加元素を添加してもよ
く、この場合の添加元素の種類、添加量等はＰｔ層の場
合と同様である。なお、上述の各人工格子膜を構成する
金属層の界面は、異種金属原子が互いに入り乱れずに平
坦に形成され、所謂超格子構造とされていることが理想
的であるが、界面にやや乱れを生じながらも全体として
は、一定の周期を保って組成が変動する、所謂変調構造
（組成変調構造）を有するものであっても良い。

【００２１】本発明においては、上記人工格子膜をＫｒ
ガス及び／又はＸｅガスが導入されたスパッタ雰囲気中
で成膜することを最大の特徴とする。上記スパッタ雰囲
気中には、Ｋｒガス又はＸｅガスがそれぞれ単独で導入
されていても良く、これらガスが混合されていても良
い。また、これらガスとともに、他のガスを使用しても
ある程度の効果を期待することができるが、例えばＡｒ
ガスを混在させた場合、膜質や磁気光学特性の向上に対
する効果はＡｒガスの導入量に比例して減少する傾向が
ある。従って、スパッタ雰囲気中には、ＫｒガスやＸｅ
ガスのみが導入されることが好ましい。特に、Ｘｅガス
を使用する方がＫｒガスを使用する場合よりもより効果
的である。

【００２２】Ｋｒガス及び／又はＸｅガスのスパッタ雰
囲気中におけるガス分圧は、２×10^-3〜３×10^-2Torrと
する。これらガスのガス分圧が上記範囲を外れると、良
好な膜質や優れた磁気光学特性を確保することが困難と
なる。

【００２３】このようなスパッタにおける蒸着源として
は、Ｃｏ−Ｐｔ系或いはＣｏ−Ｐｄ系のような２成分系
の場合には各成分金属について独立に用意する必要があ
る。また、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐｄ系のような３成分系の場合
には、各成分金属について独立に蒸着源を用意する方法
の他、特にＰｔ及びＰｄに関してはこれらを組み合わせ
て合金蒸着源とする方法、或いは少ない成分金属の蒸着
源を他の金属の蒸着源の上に置く等の方法も可能であ
る。例えば上述のような３成分系の光磁気記録媒体をス
パッタリングにより作成する場合、Ｐｔチップを載置し
たＰｄターゲットとＣｏターゲットとを使用した同時二
元スパッタリング、Ｃｏターゲット、Ｐｄターゲット及
びＰｔターゲットを使用した同時三元スパッタリング、
或いはＣｏターゲット、Ｐｔターゲット及び２個のＰｄ
ターゲットを使用してＣｏ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｐｄ−・・・
の順番で各金属層を積層する同時四元スパッタリング等
の方法が可能である。

【００２４】なお、本発明の光磁気記録媒体において
は、記録層を上記人工格子膜と上記人工格子膜と交換結
合する希土類−遷移金属膜とにより構成するようにして
もよい。この場合、上記希土類−遷移金属膜は、希土類
元素と遷移金属との合金膜であってもよく、あるいは希
土類元素層と遷移金属層が積層された人工格子膜であっ
てもよい。また、希土類−遷移金属膜を人工格子膜とす
る場合には、Ｃｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層が積層さ
れた人工格子膜と希土類−遷移金属膜はＣｏ層と遷移金
属層が互いに接するように積層されていることが望まし
い。

【００２５】また、基板の材料としては、ガラス、ポリ
カーボネート、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレー
ト）、セラミクス、シリコンウェハ、或いはガラス２ｐ
（ガラス基板上に光重合法によりグループやビット等の
凹凸を有する光硬化樹脂層が形成された基板）等が使用
可能であり、更に、上述のような人工格子膜を記録層と
して形成するの先立って、予め基板上にスパッタリン
グ、真空蒸着、ＭＢＥ等により下地膜を形成しても良
い。但し、本発明においては、下地膜を形成せずに、基
板上に直接記録層を形成しても十分な耐食性や保磁力を
確保することができる。

【００２６】上記下地膜を構成する元素としては、面心
立方構造（ｆｃｃ構造）を有するＣｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｒ、ＰＴ、Ａｕ、及び体心立方構造（ｂｃｃ構
造）を有するＷの少なくとも１種を使用することが好ま
しい。特に顕著な効果を現す元素の種類は下地膜上に形
成される規則層の種類によって若干異なり、例えばＣｏ
−Ｐｔ系記録層の場合はＰｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕの
下地膜を、Ｃｏ−Ｐｄ系記録層の場合はＰｄ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ａｕの下地膜を使用することが効果的である。な
お、これらの元素は単独で使用しても、或いは２種以上
組合せて使用しても良い。

【００２７】このような光磁気記録媒体に対する書き込
み方法としては、光ビームの他、針型磁気ヘッド、熱ペ
ン、電子ビーム等、反転磁区を生じさせるのに必要なエ
ネルギーを供給できるものであれば、いかなるものでも
良いことは言うまでもない。

【００２８】

【作用】Ｃｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層とを交互に積
層した人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体におい
ては、希土類元素が添加されていないので、耐蝕性の向
上を図ることができる。また、所定のガス分圧を有する
Ｋｒガス雰囲気中又はＸｅガス雰囲気中でスパッタを行
って上記人工格子膜を成膜することにより、膜質が改善
されるとともに、優れた角形比や保磁力を確保すること
ができる。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について実験結
果にもとづき説明する。

【００３０】実験例１本実験例は、人工格子膜を成膜する際のＸｅガス濃度
と、作製された光磁気ディスクの保磁力の関係について
検討した例である。

【００３１】先ず、以下のようにして、成膜雰囲気中の
Ｘｅガス濃度を変化させてＣｏ／Ｐｔ人工格子膜を成膜
し、各種光磁気ディスクを作製した。

【００３２】直径１００ｍｍのＣｏ及びＰｔの各円板状
ターゲットをチャンバー内に設置し、これらのターゲッ
トと対向する位置にスライドガラス基板を載置した。そ
して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの雰囲気中で、基板を
所定速度（６〜６０ｒｐｍ）で回転させながら２元同時
スパッタリングを行い、Ｃｏ層の厚さが４Å，Ｐｔ層の
厚さが１１Å，全膜厚が１５０ÅのＣｏ／Ｐｔ人工格子
膜を成膜し、光磁気ディスクを作製した。

【００３３】なお、スパッタリングはＣｏおよびＰｔの
いずれに対しても直流（ＤＣ）モードで行い、投入パワ
ーは、Ｃｏについては０．３〜０．５Ａ，３００Ｖ、Ｐ
ｔについては０．３〜０．４Ａ，３００Ｖにそれぞれ設
定した。

【００３４】このようにして作製された各種光磁気ディ
スクについて、保磁力を測定した。Ｃｏ／Ｐｔ人工格子
膜を成膜する際のＸｅ濃度と光磁気ディスクの保磁力の
関係を図１に示す。

【００３５】図１からわかるように、光磁気ディスクの
保磁力は、人工格子膜成膜雰囲気中のＸｅガス濃度の増
加に伴って向上し、Ｘｅガスのみで人工格子膜を成膜し
た光磁気ディスクでは、Ａｒガスのみで人工格子膜を成
膜した光磁気ディスクの約３倍（１ｋＯｅ）の保磁力を
示した。また、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜する際のＸ
ｅガス濃度と光磁気ディスクの保磁力の関係についても
同様にして検討したところ、光磁気ディスクの保磁力
は、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜する際のＸｅ濃度の増
加に伴って、Ｃｏ／Ｐｔ人工格子膜の場合と同程度に増
加した。

【００３６】したがって、これらの結果から、Ｃｏ／Ｐ
ｔ人工格子膜，Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜するに際
し、成膜雰囲気中にＸｅガスを混合することは、良好な
磁気光学特性を有する光磁気ディスクを製造する上で有
効であることがわかった。

【００３７】実験例２本実験例は、人工格子膜を成膜する際のＫｒガス濃度
と、作製された光磁気ディスクの保磁力の関係について
検討した例である。

【００３８】Ｘｅガスの代わりにＫｒガスを使用する以
外は、実験例１と同様にして各種Ｋｒガス濃度でＣｏ／
Ｐｔ人工格子膜を成膜し、光磁気ディスクを作製した。
そして、作製された各光磁気ディスクについて、保磁力
を測定した。

【００３９】その結果、光磁気ディスクの保磁力は、成
膜雰囲気中のＫｒガス濃度の増加に伴って向上し、Ｋｒ
ガスのみで人工格子膜を成膜した光磁気ディスクは、７
００Ｏｅの保磁力を示した。また、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子
膜を成膜する際のＫｒガス濃度と光磁気ディスクの保磁
力の関係についても同様にして検討したところ、光磁気
ディスクの保磁力は、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜する
際のＫｒ濃度の増加に伴って、Ｃｏ／Ｐｔ人工格子膜の
場合と同程度に増加した。

【００４０】したがって、これらの結果から、Ｃｏ／Ｐ
ｔ人工格子膜，Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜するに際
し、成膜雰囲気中にＫｒガスを混合することは、良好な
磁気光学特性を有する光磁気ディスクを製造する上で有
効であることがわかった。

【００４１】実験例３光磁気ディスクにおいては、カーループの角形比が１付
近である場合に実用的な特性を発揮する。また、人工格
子膜では、角形比はその膜厚に大きく依存する。そこ
で、本実験例では、Ｘｅガス雰囲気中で人工格子膜を各
種膜厚で成膜して光磁気ディスクを作製し、人工格子膜
の膜厚と作製された光磁気ディスクの磁気光学特性の関
係について検討した。

【００４２】成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガス（Ｘｅ
単独ガス）を使用し、Ｃｏ層４Å、Ｐｔ層９ÅのＣｏ／
Ｐｔ人工格子膜を各種膜厚でスライドガラス上に成膜し
た以外は実験例１と同様にして光磁気ディスクを作製し
た。そして、作製した光磁気ディスクについて、ポーラ
ーカー測定装置を使用してカーループを調べて角形比を
測定し、人工格子膜の膜厚と角形比の関係について検討
した。その結果を図２に示す。

【００４３】また、比較として、成膜雰囲気中のガスと
してＡｒガスを使用して作製した光磁気ディスクについ
ても、同様にして人工格子膜の膜厚と角形比の関係を調
べた。その結果も併せて図２に示す。

【００４４】

【表１】

【００４５】なお、上記角形比は、残留磁気カー回転角
θ_K ^rと飽和磁気カー回転角θ_K ^sの比（＝θ_K ^r／
θ_K ^s）であり、この値が１に近いほど再生時のＣ／Ｎ
比が良好となることを示すものである。

【００４６】図２を見ると、成膜雰囲気中のガスとして
Ａｒガスを使用した光磁気ディスクでは、角形比は膜厚
１５０Åを越えたところで急激に劣化し、角形比が１と
なる膜厚は１５０Å以下と極めて薄い範囲のみであるの
に対し、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガスを使用した
光磁気ディスクにおいては、膜厚が４５０Åに至るまで
角形比が１に維持され、良好な膜厚特性を示すことがわ
かる。

【００４７】また、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜してな
る光磁気ディスクについても、同様にしてＣｏ／Ｐｄ人
工格子膜の膜厚と光磁気ディスクの角形比の関係を検討
したところ、成膜ガスとしてＸｅガスを使用すると、や
はりＣｏ／Ｐｔ人工格子膜の場合と同様に良好な膜厚特
性を示す。

【００４８】したがって、これらの結果から、Ｃｏ／Ｐ
ｔ人工格子膜、Ｃｏ／Ｐｄ人工格子膜を成膜する際にＸ
ｅガスを使用することにより、膜厚特性においても優れ
た光磁気ディスクが得られることがわかった。

【００４９】実験例４成膜ガスとしてＡｒガスを使用して人工格子膜を成膜す
る従来の製造方法においては、ガラス２Ｐ基板（ガラス
基板上にエポキシ樹脂を用いてグルーブやピット等の凹
凸を有する光硬化樹脂層が形成された基板）やポリカー
ボネート基板等の高分子基板に対して人工格子膜を成膜
した場合に、特に光磁気ディスクの磁気光学特性が低く
なる。そこで、本実験例では、成膜雰囲気中のガスとし
てＸｅガスを使用して、ガラス２Ｐ基板やポリカーボネ
ート基板に人工格子膜を成膜し、光磁気ディスクの特性
についてＡｒガスを使用した場合と比較した。

【００５０】成膜雰囲気中のガスの種類、基板の種類、
人工格子膜の構成を表１に示すように変えた以外は、実
験例１と同様して光磁気ディスクを作製した。

【００５１】但し、ディスク２〜ディスク４及び比較デ
ィスク２〜比較ディスク６を作製するに際しては、Ｃｏ
のスパッタリングは直流モードで投入パワーを０．２〜
１Ａ，３００Ｖに設定して行い、Ｐｔ，Ｐｄのスパッタ
リングは、直流モードで投入パワーを０．２〜１Ａ、３
００Ｖに設定して行うか或いは高周波モードで投入パワ
ーを２００〜５００Ｗに設定して行った。また、上記２
ｐ基板としては、成膜工程の前処理として真空中で温度
を８０℃に保持して２４時間熱処理を行い、基板表面に
吸着した水分を完全に除去したものを用いた。

【００５２】

【表２】

【００５３】このようにして作製された光磁気ディスク
について、ポーラーカー測定装置を使用して磁気カー曲
線を調べた。その結果を図３〜図１２に示す。図中、横
軸は保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）を表し、縦軸は磁気カー回転角
（°）をそれぞれ表す。先ず、成膜雰囲気中のガスとし
てＡｒガスを使用して作製された光磁気ディスクにおい
ては、図７〜図１２を見て明らかなように、十分満足の
いく角形比を示さず、特にガラス２Ｐ基板あるいはポリ
カーボネート基板に対して成膜を行って作製された光磁
気ディスクは、角形比が低く、磁気光学特性が劣化して
いることがわかる。

【００５４】一方、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガス
を使用すると、図３〜図６を見てわかるように、ガラス
２Ｐ基板あるいはポリカーボネート基板に対して成膜を
行った場合でも、光磁気ディスクは優れた保磁力，角形
比を示し、良好な磁気光学特性を示す。

【００５５】したがって、以上の結果から成膜雰囲気中
のガスとしてＸｅガスを使用すれば、ガラス２Ｐ基板や
ポリカーボネート基板等の高分子基板に対して人工格子
膜を成膜した場合でも良好な特性を発揮する光磁気ディ
スクが得られることがわかった。

【００５６】また、ディスク２及びディスク４につい
て、線速度を１０ｍ／秒、ビット長を５μｍ、読み出し
パワー１ｍＷ、記録パワー７ｍＷの条件にて記録再生特
性を検討したところ、それぞれ５０ｄＢ、５３ｄＢ（バ
ンド巾分解能３０ｋＨｚ）の高いＣ／Ｎ比が得られた。

【００５７】実験例５本実験例では、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガスを使
用して、窒化シリコン誘電体膜上に人工格子膜を成膜
し、その光磁気ディスクの特性についてＡｒガスを使用
した場合と比較した。

【００５８】先ず、表２に示す基板上にＳｉＮ膜を７０
０Å成膜した。ＳｉＮ膜の成膜は、ターゲットとしてＳ
ｉを、スパッタガスとしてＡｒ：Ｎ₂＝１：１のＡｒ／
Ｎ₂ガスを使用し、２×１０^-3Ｔｏｒｒの雰囲気下で行
った。

【００５９】次いで、上述のようにして成膜されたＳｉ
Ｎ膜上に、ガスの種類、人工格子膜の構成を表２に示す
ように変えて実験例１と同様にして人工格子膜を成膜
し、光磁気ディスクを作製した。但し、ディスク６及び
比較ディスク８を作製に際しては、Ｃｏのスパッタリン
グは直流モードで投入パワーを０．２〜１Ａ，３００Ｖ
に設定して行い、Ｐｔ，Ｐｄのスパッタリングは、直流
モードで投入パワーを０．２〜１Ａ、３００Ｖに設定し
て行うか或いは高周波モードで投入パワーを２００〜５
００Ｗに設定して行った。

【００６０】このようにして作製された各光磁気ディス
クについて、ポーラーカー測定装置により基板側より磁
気光学特性を測定した。その結果を図１３〜図１６に示
す。

【００６１】図１３，図１４と図１５，図１６を比較し
てわかるように、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガスを
使用して作製された光磁気ディスクは、Ａｒガスを使用
して作製された光磁気ディスクに比べて、良好な角形
比，保磁力が得られ、優れた磁気光学特性が達成され
る。

【００６２】したがって、ＳｉＮ膜上に人工格子膜を成
膜するに際しても、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガス
を使用すれば、良好な磁気光学特性を発揮する光磁気デ
ィスクが得られることがわかった。

【００６３】次に、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガス
を使用した光磁気ディスクに対して、実際に記録再生を
行い、記録再生特性について調べた。

【００６４】先ず、光磁気ディスク用ガラス２Ｐ基板上
に、上述と同様な条件にて、ＳｉＮ膜を８５０Å成膜し
た。次いで、成膜雰囲気中のガスとしてＸｅガスを使用
してＣｏ４Å／Ｐｔ１３Åの人工格子膜を実験例１と同
様なスパッタ条件にて２００Å厚成膜して光磁気ディス
クを作製した。

【００６５】そして、このようにして作製された光磁気
ディスクに対して、回転数２０００ｒｐｍ，記録磁界１
００Ｏｅ，記録周波数１ＭＨｚ、再生パワー１ｍＷで記
録再生を行い、キャリアレベル、ノイズレベルを測定し
た。図１７に記録パワーとキャリアレベル、ノイズレベ
ルの関係および記録パワーとＣＮ比の関係を示す。ま
た、比較として、成膜雰囲気中のガスとしてＡｒガスを
使用して作製された光磁気ディスクについても同様にし
て記録再生を行い、キャリアレベル、ノイズレベルを測
定した。その結果も図１７に併せて示す。

【００６６】図１７を見てわかるように、人工格子膜を
Ａｒガスを使用して成膜したディスクに比べて、Ｘｅガ
スを使用して人工格子膜を成膜したディスクはノイズレ
ベルが低く、Ｃ／Ｎ比が３〜４ｄＢ向上している。ま
た、このような傾向はＣｏ／Ｐｄ人工格子膜においても
同様に認められた。

【００６７】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の光磁気記録媒体は、基板上にＣｏ層とＰｔ層及び／
又はＰｄ層の多層膜からなる人工格子膜が直接形成され
ただけの非常に簡単な構造とすることができ、且つ優れ
た磁気光学特性を有している。また、Ｃｏ−Ｐｔ系材
料、Ｃｏ−Ｐｄ系材料は高い耐蝕性を有しているので、
保護膜等を形成しなくても十分な実用性を確保すること
ができる。従って、本発明によれば、安価なＣｏ層／Ｐ
ｔ層光磁気ディスク、或いはＣｏ層／Ｐｄ層光磁気ディ
スクを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】成膜雰囲気中のＸｅ濃度と保磁力の関係を示す
特性図である。

【図２】人工格子膜の膜厚と角形比の関係を示す特性図
である。

【図３】Ｘｅガス雰囲気中にてポリカーボネート基板上
に成膜したＣｏ４Å／Ｐｔ１１Å人工格子膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。

【図４】Ｘｅガス雰囲気中にてポリカーボネート基板上
に成膜したＣｏ４Å／Ｐｔ１６Å人工格子膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。

【図５】Ｘｅガス雰囲気中にてガラス２ｐ基板上に成膜
したＣｏ４Å／Ｐｔ１６Å人工格子膜の磁気カー曲線を
示す特性図である。

【図６】Ｘｅガス雰囲気中にてガラス２ｐ基板上に成膜
したＣｏ４Å／Ｐｄ１６Å人工格子膜の磁気カー曲線を
示す特性図である。

【図７】Ａｒガス雰囲気中にてポリカーボネート基板上
に成膜したＣｏ４Å／Ｐｔ１１Å人工格子膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。

【図８】Ａｒガス雰囲気中にてポリカーボネート基板上
に成膜したＣｏ４Å／Ｐｔ１６Å人工格子膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。

【図９】Ａｒガス雰囲気中にてポリカーボネート基板上
に成膜したＣｏ４Å／Ｐｄ１２Å人工格子膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。

【図１０】Ａｒガス雰囲気中にてガラス２Ｐ基板上に成
膜したＣｏ４Å／Ｐｔ１６Å人工格子膜の磁気カー曲線
を示す特性図である。

【図１１】Ａｒガス雰囲気中にてガラス２Ｐ基板上に成
膜したＣｏ４Å／Ｐｄ１２Å人工格子膜の磁気カー曲線
を示す特性図である。

【図１２】Ａｒガス雰囲気中にてスライドガラス基板上
に成膜したＣｏ４Å／Ｐｔ１６Å人工格子膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。

【図１３】誘電層が形成されたポリカーボネート基板上
にＸｅガス雰囲気中にて成膜したＣｏ−Ｐｔ人工格子膜
の磁気カー曲線を示す特性図である。

【図１４】誘電層が形成されたガラス２ｐ基板上にＸｅ
ガス雰囲気中にて成膜したＣｏ−Ｐｔ人工格子膜の磁気
カー曲線を示す特性図である。

【図１５】誘電層が形成されたポリカーボネート基板上
にＡｒガス雰囲気中にて成膜したＣｏ−Ｐｔ人工格子膜
の磁気カー曲線を示す特性図である。

【図１６】誘電層が形成されたガラス２ｐ基板上にＡｒ
ガス雰囲気中にて成膜したＣｏ−Ｐｔ人工格子膜の磁気
カー曲線を示す特性図である。

【図１７】光磁気記録ディスクの記録再生特性を示す特
性図である。

Claims

【特許請求の範囲】【請求項１】基板上にＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ
層とが交互に積層された人工格子膜が形成されてなる光
磁気記録媒体の製造方法において、上記人工格子膜を２
×10^-3〜３×10^-2Torrなるガス分圧を有するＫｒガス及
び／又はＸｅガス雰囲気中でスパッタにより成膜するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。