JPS6370946A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6370946A JPS6370946A JP21541286A JP21541286A JPS6370946A JP S6370946 A JPS6370946 A JP S6370946A JP 21541286 A JP21541286 A JP 21541286A JP 21541286 A JP21541286 A JP 21541286A JP S6370946 A JPS6370946 A JP S6370946A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体のスパッタ法による製造方法に
関する。
関する。
従来、光磁気記録媒体に用いられている材料は、ＴｂＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＣ
ｏ。
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＣ
ｏ。
ＧｄＴｂＦｅ等の希土類遷移金属膜であるが、この希土
類遷移金属膜は酸化され易く（特に希土類金属の酸化が
激しい）そのためにこの希土類遷移金属層を誘電体膜で
サンドインチするなどして保護していた。しかしながら
窒化シリコン（以後５ｉＮ）窒化アルミニウム（以後Ａ
Ｉ Ｎ ）、酸化シリコン（以後５ｉｏ）等の誘電体
膜を成膜した後に希土類遷移金属膜を成膜しても、本来
の光磁気特性を示さず誘電体膜を成膜した後に逆スパツ
タをして、誘電体膜表面の浮遊酸素、窒素を除去する必
要があった。（テレビジョン学会誌Ｖｏｌ ４０，４
６゜１９８６、ｐ８２ ） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら前述の逆スパツタの技術により、光磁気特
性はかなり改良されたが、その光磁気特性にバラツキが
あるという問題点を有していた。
類遷移金属膜は酸化され易く（特に希土類金属の酸化が
激しい）そのためにこの希土類遷移金属層を誘電体膜で
サンドインチするなどして保護していた。しかしながら
窒化シリコン（以後５ｉＮ）窒化アルミニウム（以後Ａ
Ｉ Ｎ ）、酸化シリコン（以後５ｉｏ）等の誘電体
膜を成膜した後に希土類遷移金属膜を成膜しても、本来
の光磁気特性を示さず誘電体膜を成膜した後に逆スパツ
タをして、誘電体膜表面の浮遊酸素、窒素を除去する必
要があった。（テレビジョン学会誌Ｖｏｌ ４０，４
６゜１９８６、ｐ８２ ） 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら前述の逆スパツタの技術により、光磁気特
性はかなり改良されたが、その光磁気特性にバラツキが
あるという問題点を有していた。
そこでこのバラツキの要因を究明するために、鋭意研究
の結果、逆スパツタ後の希土類遷移金属膜を成膜するま
でのインターバル時間にそのバラツキの要因が有ること
を発見した。
の結果、逆スパツタ後の希土類遷移金属膜を成膜するま
でのインターバル時間にそのバラツキの要因が有ること
を発見した。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、バラツキの無い安定した光磁気特性を
示す媒体の製造方法を提供するところにある。
とするところは、バラツキの無い安定した光磁気特性を
示す媒体の製造方法を提供するところにある。
基板上に少なくとも誘電体膜と非晶質希土類遷移金属膜
が順に８層してなる光磁気記録媒体において、誘電体膜
を逆スパッタリングした後に３分以上６０分以下のイン
ターバル時間を経て非晶質希土類遷移金属膜を成膜する
ことを特徴とする。
が順に８層してなる光磁気記録媒体において、誘電体膜
を逆スパッタリングした後に３分以上６０分以下のイン
ターバル時間を経て非晶質希土類遷移金属膜を成膜する
ことを特徴とする。
本発明によれば、逆スパツタ後のインターバル時間が３
分未満もしくは６０分を超えると光磁気特性が十分でな
くなる。これは、逆スパッタ抜機の誘電体膜の表面は、
浮遊酸素、窒素は除去されているものの、かなシ活性化
されておシ、活性化された状態のままで希土類遷移金属
膜を成膜すると、希土類遷移金属が誘電体と界面で結合
してしまうためである。一方、逆にインターバル時間が
６０分を超えると誘電体膜表面に残留ガス（０２゜Ｎ２
０等）が再付着しだすため、光磁気特性が十分でなくな
るのである。
分未満もしくは６０分を超えると光磁気特性が十分でな
くなる。これは、逆スパッタ抜機の誘電体膜の表面は、
浮遊酸素、窒素は除去されているものの、かなシ活性化
されておシ、活性化された状態のままで希土類遷移金属
膜を成膜すると、希土類遷移金属が誘電体と界面で結合
してしまうためである。一方、逆にインターバル時間が
６０分を超えると誘電体膜表面に残留ガス（０２゜Ｎ２
０等）が再付着しだすため、光磁気特性が十分でなくな
るのである。
本発明を実施例をもとに詳述する。
第１図は本発明に用いたスパッタ装置の横から見た概略
図である。１はロードロック室で基板のセット及び取り
出し室で、２が誘電体成膜室、３が光磁気記録層成膜室
、４，５がゲートパルプで各室を仕切っている。まず、
ポリカーボネート（ｐｃ）基板６を基板ホルダー７に取
υ付け、ロードロック室を排気する。そしてＰＣ基板か
らのガス放出が無くなるまで十分排気した後、４のゲー
トパルプを開けＰＣ基板を誘電体成膜室２へ送り込む、
８はＡＩと３ｉの合金のターゲットであ’）、ＡｒとＮ
２が２を用いて反応スパッタした。
図である。１はロードロック室で基板のセット及び取り
出し室で、２が誘電体成膜室、３が光磁気記録層成膜室
、４，５がゲートパルプで各室を仕切っている。まず、
ポリカーボネート（ｐｃ）基板６を基板ホルダー７に取
υ付け、ロードロック室を排気する。そしてＰＣ基板か
らのガス放出が無くなるまで十分排気した後、４のゲー
トパルプを開けＰＣ基板を誘電体成膜室２へ送り込む、
８はＡＩと３ｉの合金のターゲットであ’）、ＡｒとＮ
２が２を用いて反応スパッタした。
そしてＰＣ基板上に窒化アルミニウムと窒化シリコンの
複合膜（以下Ａ Ｉ Ｓ、、、ｉ Ｎ ）を１０００大
成膜した後、ＡｒとＮ２が２の導入を止め、再度ゲート
バルブ４を゛開きＰＣ基板をロードロック室１へもどす
。そしてＡｒガスを導入し、ＲＦ電源９？用いＰＣ基板
上の誘電体膜表面の逆スパツタをおこなった。ｐｏｗｅ
ｒは５０Ｗ５分おこなった。そしてその後Ａｒガス導入
を止め、ゲートバルブ５を開は光磁気記録層成膜室６へ
送り込む。１０はＮｄとＤｙの合金ターゲット、１１は
ＦｅとＣＯとＴｌの合金ターゲットであシ、所定のイン
ターバル時間を待ってＤＣ電源１２を用いＡｒガス導入
後同時スパッタをおこない、Ｎｄ１）ｙＦｅｃｏＴｉ膜
４００Ｘ成膜した。モしてＡｒガスを止めゲートパルプ
４，５を開け、誘電体成膜室へ送シ込みＡｌ５ｉＮ膜１
ｏｏｏ入を成膜した。最後にロードロック室１から媒体
を取り出す。
複合膜（以下Ａ Ｉ Ｓ、、、ｉ Ｎ ）を１０００大
成膜した後、ＡｒとＮ２が２の導入を止め、再度ゲート
バルブ４を゛開きＰＣ基板をロードロック室１へもどす
。そしてＡｒガスを導入し、ＲＦ電源９？用いＰＣ基板
上の誘電体膜表面の逆スパツタをおこなった。ｐｏｗｅ
ｒは５０Ｗ５分おこなった。そしてその後Ａｒガス導入
を止め、ゲートバルブ５を開は光磁気記録層成膜室６へ
送り込む。１０はＮｄとＤｙの合金ターゲット、１１は
ＦｅとＣＯとＴｌの合金ターゲットであシ、所定のイン
ターバル時間を待ってＤＣ電源１２を用いＡｒガス導入
後同時スパッタをおこない、Ｎｄ１）ｙＦｅｃｏＴｉ膜
４００Ｘ成膜した。モしてＡｒガスを止めゲートパルプ
４，５を開け、誘電体成膜室へ送シ込みＡｌ５ｉＮ膜１
ｏｏｏ入を成膜した。最後にロードロック室１から媒体
を取り出す。
以上が本発明による光磁気記録媒体の製造工程であるが
、ロードロック室１での逆スパツタが終了してから、光
磁気記録層の成膜が開始されるまでのインターバル時間
を変えた光磁気記録媒体を作成した。第２図が、磁気光
学特性の逆スパッタ後インターバル時間依存性図である
。横軸がインターバル時間で、縦軸が保磁力ＨＣ及びフ
ァラデー回転角θｆである。本実施例に用いた磁性膜は
組成的に遷移金属ｒｉｃｈ側であるため、保磁力Ｈｅが
大きいほど媒体の酸化が少ないことを示している。２１
は保磁力のインターバル時間依存性を示し、２２はファ
ラデー回転角のインターバル時間依存性を示す。この図
から明らかな様に逆スパツタ後のインターバル時間が３
分以上６０分以下で磁気特性は一定となっておシ、保磁
力、ファラデー回転角とも最良の値となっている。一方
、インターバル時間３分未満あるいは６０分を超える媒
体の磁気特性は劣化している。これらはいずれも光磁気
記録膜が一部劣化したもので°ある。又第３図は、耐候
性の逆スパッタ後インターバル時間依存性図である。耐
候性試験は６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に入れ、Ｂ
ｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ（ＢＥＲ）が倍罠なるまで
の時間を測定し、その時間を縦軸にした。又、各々の媒
体の初期のＢＥＲは２〜３ ｘ １０ ｂｉｔ／ｂｉ
ｔである。この第３図からもわかる様にインターバル時
間が６分以上６０分以下の媒体は耐候性の面でも優れて
いることがわかる。
、ロードロック室１での逆スパツタが終了してから、光
磁気記録層の成膜が開始されるまでのインターバル時間
を変えた光磁気記録媒体を作成した。第２図が、磁気光
学特性の逆スパッタ後インターバル時間依存性図である
。横軸がインターバル時間で、縦軸が保磁力ＨＣ及びフ
ァラデー回転角θｆである。本実施例に用いた磁性膜は
組成的に遷移金属ｒｉｃｈ側であるため、保磁力Ｈｅが
大きいほど媒体の酸化が少ないことを示している。２１
は保磁力のインターバル時間依存性を示し、２２はファ
ラデー回転角のインターバル時間依存性を示す。この図
から明らかな様に逆スパツタ後のインターバル時間が３
分以上６０分以下で磁気特性は一定となっておシ、保磁
力、ファラデー回転角とも最良の値となっている。一方
、インターバル時間３分未満あるいは６０分を超える媒
体の磁気特性は劣化している。これらはいずれも光磁気
記録膜が一部劣化したもので°ある。又第３図は、耐候
性の逆スパッタ後インターバル時間依存性図である。耐
候性試験は６０℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に入れ、Ｂ
ｉｔ Ｅｒｒｏｒ Ｒａｔｅ（ＢＥＲ）が倍罠なるまで
の時間を測定し、その時間を縦軸にした。又、各々の媒
体の初期のＢＥＲは２〜３ ｘ １０ ｂｉｔ／ｂｉ
ｔである。この第３図からもわかる様にインターバル時
間が６分以上６０分以下の媒体は耐候性の面でも優れて
いることがわかる。
この様に１本発明による製造方法すなわち逆スパツタ後
のインターバル時間を３分以上６０分以下とすることに
より、バラツキの無い極めて高品質の光磁気記録媒体が
得られる。逆にインターバル時間が３分未満あるいは６
０分を超える媒体ではインターバル時間により品質がバ
ラツキさらに品質も低いものに々ってしまう。
のインターバル時間を３分以上６０分以下とすることに
より、バラツキの無い極めて高品質の光磁気記録媒体が
得られる。逆にインターバル時間が３分未満あるいは６
０分を超える媒体ではインターバル時間により品質がバ
ラツキさらに品質も低いものに々ってしまう。
尚、本実施例に用いた媒体構造は光磁気記録層を誘電体
膜でサンドインチした構造であるが、３層目をＡＩ、（
：：ｕ等の反射膜を成膜しても本発明は有効であシ、４
層、５層構造でも何らさしつかえない。さらにＰＣ基板
以外のＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂等のプラスチック基
板さらにはガラス基板等で伺ら支障ない。又、誘電体膜
もＡｌ５ｉＮ以外にＳ ｉＮｓ ＡＩＮ％ Ｓ ｉｏｘ
Ｚｎ８等の誘電体膜であっても良い。そして、光磁気
記録層もＮｄＤｙＦｅＣ０Ｔｉ以外にＴｂＦｅ、ＴｂＦ
ｅＣｏ−ＧｄＴｂＦｅＣｏ、等の希土類遷移金属膜であ
れば何ら有効性を失わない。
膜でサンドインチした構造であるが、３層目をＡＩ、（
：：ｕ等の反射膜を成膜しても本発明は有効であシ、４
層、５層構造でも何らさしつかえない。さらにＰＣ基板
以外のＰＭＭＡ基板、エポキシ樹脂等のプラスチック基
板さらにはガラス基板等で伺ら支障ない。又、誘電体膜
もＡｌ５ｉＮ以外にＳ ｉＮｓ ＡＩＮ％ Ｓ ｉｏｘ
Ｚｎ８等の誘電体膜であっても良い。そして、光磁気
記録層もＮｄＤｙＦｅＣ０Ｔｉ以外にＴｂＦｅ、ＴｂＦ
ｅＣｏ−ＧｄＴｂＦｅＣｏ、等の希土類遷移金属膜であ
れば何ら有効性を失わない。
以上述べた様に本発明によれば、誘電体膜を逆スパツタ
した後に５分以上６０分以下のインターバル時間を経て
希土類遷移金属膜を成膜することによシバラツキの無い
高品質の媒体を作成できるという効果を有する。
した後に５分以上６０分以下のインターバル時間を経て
希土類遷移金属膜を成膜することによシバラツキの無い
高品質の媒体を作成できるという効果を有する。
第１図は本発明に用いたスパッタ装置の横から見た概略
図。 第２図は磁気光学特性の逆スパッタ後インターバル時間
依存性図。 第３図は耐候性の逆スパッタ後インターバル時間依存性
図。 １・・・ロードロック室 ２・・・誘電体成膜室 ３・・・光磁気記録層成膜室 ４・・・ゲートパルプ ５・・・ゲートバルブ ６・・・ポリカーボネート（ｐｃ）基板７・・・基板ホ
ルダー ８・・・ＡＩとＳｉの合金のターゲット９・・・ＲＦ電
源 １０・・・ＮｄとＩ）７の合金ターゲット１１・・・Ｆ
ｅとＧｏとＴｉの合金ターゲット１２・・・ＤＣ電源 ２１・・・保磁力のインターバル時間依存性２２・・・
７７ラデ一回転角のインターバル時間依存性 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 Ｈｃ（ｋｏｅ） イ二ター／（ル時ｒ４
図。 第２図は磁気光学特性の逆スパッタ後インターバル時間
依存性図。 第３図は耐候性の逆スパッタ後インターバル時間依存性
図。 １・・・ロードロック室 ２・・・誘電体成膜室 ３・・・光磁気記録層成膜室 ４・・・ゲートパルプ ５・・・ゲートバルブ ６・・・ポリカーボネート（ｐｃ）基板７・・・基板ホ
ルダー ８・・・ＡＩとＳｉの合金のターゲット９・・・ＲＦ電
源 １０・・・ＮｄとＩ）７の合金ターゲット１１・・・Ｆ
ｅとＧｏとＴｉの合金ターゲット１２・・・ＤＣ電源 ２１・・・保磁力のインターバル時間依存性２２・・・
７７ラデ一回転角のインターバル時間依存性 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 Ｈｃ（ｋｏｅ） イ二ター／（ル時ｒ４
Claims (1)
- 基板上に少なくとも誘電体膜と非晶質希土類遷移金属膜
が順に積層してなる光磁気記録媒体において、前記誘電
体膜を逆スパッタリングした後に３分以上６０分以下の
インターバル時間を経て前記非晶質希土類遷移金属膜を
成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21541286A JPS6370946A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21541286A JPS6370946A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370946A true JPS6370946A (ja) | 1988-03-31 |
Family
ID=16671899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21541286A Pending JPS6370946A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370946A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03192551A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP21541286A patent/JPS6370946A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03192551A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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