JPH0695403B2 - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0695403B2 JPH0695403B2 JP58233580A JP23358083A JPH0695403B2 JP H0695403 B2 JPH0695403 B2 JP H0695403B2 JP 58233580 A JP58233580 A JP 58233580A JP 23358083 A JP23358083 A JP 23358083A JP H0695403 B2 JPH0695403 B2 JP H0695403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- film
- gas
- optical information
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は光学的情報記録媒体に係り、特に記録媒体の寿
命を長くした光学的情報記録媒体に関する。
命を長くした光学的情報記録媒体に関する。
従来の一般的な垂直光磁気記録媒体は、第１図に示すも
の、あるいは第２図に示すものが代表的なものである。
即ち、第１図において、１はアクリルなどの有機樹脂、
あるいはガラスなどからなる基板である。２は基板面に
対し垂直の磁気異方性を有する記録膜である。記録膜と
しては、Gd,Tb,Dy,Hoなどの希土類金属とFe,Co,Niなど
の遷移金属とからなる非晶質合金膜が一般的である。
の、あるいは第２図に示すものが代表的なものである。
即ち、第１図において、１はアクリルなどの有機樹脂、
あるいはガラスなどからなる基板である。２は基板面に
対し垂直の磁気異方性を有する記録膜である。記録膜と
しては、Gd,Tb,Dy,Hoなどの希土類金属とFe,Co,Niなど
の遷移金属とからなる非晶質合金膜が一般的である。
希土類遷移金属非晶質合金膜は、膜の形成が比較的容易
であるとか、良好な光磁気特性を示すなど、幾つかの利
点はあるものの、空気中に保管した場合、非常に酸化さ
れ易いと云う欠点がある。即ち、例えばガラス基板上に
形成した厚さ1000ÅのTbFe膜は、大気中に放置した場
合、弱一ケ月でほぼ膜面全体が酸化物の生成により透明
化してしまう。透明化した記録膜は、当然記録膜として
の使用は不可能であるし、記録された情報も失なわれて
しまう。
であるとか、良好な光磁気特性を示すなど、幾つかの利
点はあるものの、空気中に保管した場合、非常に酸化さ
れ易いと云う欠点がある。即ち、例えばガラス基板上に
形成した厚さ1000ÅのTbFe膜は、大気中に放置した場
合、弱一ケ月でほぼ膜面全体が酸化物の生成により透明
化してしまう。透明化した記録膜は、当然記録膜として
の使用は不可能であるし、記録された情報も失なわれて
しまう。
第２図はかかる希土類遷移金属非晶質合金膜の欠点を改
良する目的で提案されたもので、記録膜２の上に酸化防
止層として保護層３を積層したものである。保護層３と
しては通例、蒸着法ないしスパッタ法などで形成したSi
O2などの酸化物薄膜ないしスピンナ法などで形成した有
機樹脂薄膜が用いられている。しかしながらかかる従来
技術による保護膜では記録膜の酸化を防止することは極
めて困難である。これは保護膜の厚さが１μｍ程度と薄
く、しかも形成された保護膜の緻密さが充分でないた
め、大気中の酸素分子は比較的容易に保護膜を通過して
しまうからである。基板１に有機樹脂を用いた場合には
基板を通過した酸素分子による記録膜の酸化も生じてし
まう。
良する目的で提案されたもので、記録膜２の上に酸化防
止層として保護層３を積層したものである。保護層３と
しては通例、蒸着法ないしスパッタ法などで形成したSi
O2などの酸化物薄膜ないしスピンナ法などで形成した有
機樹脂薄膜が用いられている。しかしながらかかる従来
技術による保護膜では記録膜の酸化を防止することは極
めて困難である。これは保護膜の厚さが１μｍ程度と薄
く、しかも形成された保護膜の緻密さが充分でないた
め、大気中の酸素分子は比較的容易に保護膜を通過して
しまうからである。基板１に有機樹脂を用いた場合には
基板を通過した酸素分子による記録膜の酸化も生じてし
まう。
本発明の目的は、かかる従来技術の欠点を除去し、大気
中に長期間保管しても酸化されることなく、実用に供し
うる程寿命の長い希土類・遷移金属非晶質合金膜記録膜
として用いた光学的情報記録媒体を提供することにあ
る。
中に長期間保管しても酸化されることなく、実用に供し
うる程寿命の長い希土類・遷移金属非晶質合金膜記録膜
として用いた光学的情報記録媒体を提供することにあ
る。
本発明に係る光学的情報記録媒体は、希土類・遷移金属
非晶質合金膜に窒素及び水素を含有させることを特徴と
している。
非晶質合金膜に窒素及び水素を含有させることを特徴と
している。
本発明によれば、記録膜自体の耐酸化性が著しく向上す
るため、保護膜の積層と云う効果の少ないにも拘らず、
記録媒体の製造工程を複雑化させる手段を要せず、極め
て単純な構成でありながら、寿命の著しく長い光学的情
報記録媒体を得ることができる。
るため、保護膜の積層と云う効果の少ないにも拘らず、
記録媒体の製造工程を複雑化させる手段を要せず、極め
て単純な構成でありながら、寿命の著しく長い光学的情
報記録媒体を得ることができる。
第３図は、本発明を実施するための装置の一例を示す図
である。第３図中11は真空容器、12は真空ポンプ排気
孔、13はスパッタのためのガス導入孔、14はターゲッ
ト、15は電力導入端子、16は接地された対向電極であ
り、基板ホルダーを兼ねている。
である。第３図中11は真空容器、12は真空ポンプ排気
孔、13はスパッタのためのガス導入孔、14はターゲッ
ト、15は電力導入端子、16は接地された対向電極であ
り、基板ホルダーを兼ねている。
第３図に基づき、本発明の光学的情報記録媒体の製造方
法の一例を説明する。基板ホルダーを兼ねた対向電極上
に基板を設置したのち、真空容器11を10-6Torr程度に迄
排気する。しかるのち、ガス導入孔よりArガスと窒素，
水素，アンモニアなどの混合ガスを10-3〜10-2Torrの範
囲になるよう導入する。導入圧力が10-4Torrより低くと
も、10-1より高くとも放電は安定しない。Arガスと窒
素，水素との混合比は、形成する記録膜に含有させる窒
素及び水素の含有量に応じて所定のものに設定される。
法の一例を説明する。基板ホルダーを兼ねた対向電極上
に基板を設置したのち、真空容器11を10-6Torr程度に迄
排気する。しかるのち、ガス導入孔よりArガスと窒素，
水素，アンモニアなどの混合ガスを10-3〜10-2Torrの範
囲になるよう導入する。導入圧力が10-4Torrより低くと
も、10-1より高くとも放電は安定しない。Arガスと窒
素，水素との混合比は、形成する記録膜に含有させる窒
素及び水素の含有量に応じて所定のものに設定される。
次に、電力導入端子15より、例えば13.56MHzの高周波電
力を印加し、放電を開始する。Arガスと窒素及び水素ガ
スとの混合プラズマで希土類・遷移金属合金ターゲット
をスパッタし、基板上に希土類遷移金属，炭素，水素と
からなる記録膜を形成する。
力を印加し、放電を開始する。Arガスと窒素及び水素ガ
スとの混合プラズマで希土類・遷移金属合金ターゲット
をスパッタし、基板上に希土類遷移金属，炭素，水素と
からなる記録膜を形成する。
窒素及び水素を記録膜に含有させるためには、窒素及び
水素を含むガス中で放電を行なえばよいが、上述の如く
窒素と水素を含むガスとArガスとの混合ガスのプラズマ
を発生させて行なう方法が極めて有効である。記録膜中
へ均一に含有させることが可能であり、Arガスと窒素，
水素を含むガスとの混合比を変えることにより、記録膜
中へ含有させる炭素，水素量を任意に変化させることが
極めて容易だからである。
水素を含むガス中で放電を行なえばよいが、上述の如く
窒素と水素を含むガスとArガスとの混合ガスのプラズマ
を発生させて行なう方法が極めて有効である。記録膜中
へ均一に含有させることが可能であり、Arガスと窒素，
水素を含むガスとの混合比を変えることにより、記録膜
中へ含有させる炭素，水素量を任意に変化させることが
極めて容易だからである。
窒素，水素を含むガスは所定の割合に混合されたN2ガス
とH2ガスとの組合せでも良く、NH3,N2H2など窒素と水素
とからなる化合物ガスを用いても良い。
とH2ガスとの組合せでも良く、NH3,N2H2など窒素と水素
とからなる化合物ガスを用いても良い。
また希土類及び遷移金属は、スパッタでなく例えば蒸着
により基板上に堆積させてもよい。
により基板上に堆積させてもよい。
窒素及び水素の含有量は記録膜の耐酸化性と磁気特性と
を考慮して設定される。窒素及び水素の含有量が多くな
るに従い耐酸化性は向上するが、磁気特性は逆に劣化す
る。窒素及び水素の含有量は合計で20atomic％以下であ
ることが好ましい。20atomic％より多く炭素及び水素が
含まれると記録膜の飽和磁化の低下、垂直磁気異方性定
数の低下などによりビットと称される記録情報に対応し
た微小磁区が熱に対して不安定になる。あるいは記録膜
の屈折率が変化し、記録及び再生に用いるレーザビーム
に対する吸収量が減少し、良好な記録再生が行なわれな
くなるなど、希土類・遷移金属非晶質合金膜が本来保有
していた記録膜としての好的な性質が失なわれるからで
ある。
を考慮して設定される。窒素及び水素の含有量が多くな
るに従い耐酸化性は向上するが、磁気特性は逆に劣化す
る。窒素及び水素の含有量は合計で20atomic％以下であ
ることが好ましい。20atomic％より多く炭素及び水素が
含まれると記録膜の飽和磁化の低下、垂直磁気異方性定
数の低下などによりビットと称される記録情報に対応し
た微小磁区が熱に対して不安定になる。あるいは記録膜
の屈折率が変化し、記録及び再生に用いるレーザビーム
に対する吸収量が減少し、良好な記録再生が行なわれな
くなるなど、希土類・遷移金属非晶質合金膜が本来保有
していた記録膜としての好的な性質が失なわれるからで
ある。
本発明の記録媒体の一例を第４図に示す。第４図中、１
は基板、４は記録膜である。
は基板、４は記録膜である。
実施例−１ アークメルト法で製作したCd15Tb15Fe70合金ターゲット
をArガスとNH3ガスとの混合ガスによるプラズマでスパ
ッタして記録膜を製作した。ArガスとNH3ガスとの混合
比は圧力比NH3/（Ar＋NH3）の値で0.1,0.2,0.4,0.6,0.
8,1.0とした。放電時の圧力は２×10-2Torr、高周波電
力は300Wとした。基板は厚さ0.8mmのユーニング社製705
9型のガラス板を用いた。形成される記録膜の厚さはい
ずれの混合比においても1000Åとなるよう放電時間を変
化させた。CH4/（CH4＋Ar）の値が1.0のものは、形成後
１〜２日大気中に保管中に記録膜が基板より剥離した。
をArガスとNH3ガスとの混合ガスによるプラズマでスパ
ッタして記録膜を製作した。ArガスとNH3ガスとの混合
比は圧力比NH3/（Ar＋NH3）の値で0.1,0.2,0.4,0.6,0.
8,1.0とした。放電時の圧力は２×10-2Torr、高周波電
力は300Wとした。基板は厚さ0.8mmのユーニング社製705
9型のガラス板を用いた。形成される記録膜の厚さはい
ずれの混合比においても1000Åとなるよう放電時間を変
化させた。CH4/（CH4＋Ar）の値が1.0のものは、形成後
１〜２日大気中に保管中に記録膜が基板より剥離した。
本実施例で製作した記録媒体の波長8300Åにおける透過
率と反射率とを測定した。測定した透過率，反射率の値
から次式により吸収率を算出した。
率と反射率とを測定した。測定した透過率，反射率の値
から次式により吸収率を算出した。
吸収率＝１−反射率−透過率 算出した吸収率とArガスとNH3ガスとの混合比との関係
を第５図中21に示す。混合比が0.8迄の記録媒体は0.3以
上の良好な吸収率を示すことが判る。第５図中22で示し
た破線は、本実施例で製作した記録媒体を70℃,85％RH
の条件で15日間処理した後に求めた吸収率と混合比との
関係を示したものである。窒素と水素とを含むことによ
り耐酸化性の著しく増加することが判る。
を第５図中21に示す。混合比が0.8迄の記録媒体は0.3以
上の良好な吸収率を示すことが判る。第５図中22で示し
た破線は、本実施例で製作した記録媒体を70℃,85％RH
の条件で15日間処理した後に求めた吸収率と混合比との
関係を示したものである。窒素と水素とを含むことによ
り耐酸化性の著しく増加することが判る。
比較例−１ 比較例として実施例−１と同一のGd15Tb15Fe70ターゲッ
トを純Arガス中でスパッタして、ガラス基板上に厚さ10
00Åの記録膜を形成した。本比較例の記録媒体は0.5と
云う高い吸収率を示した。しかし、70℃,85％RHの条件
の８日間放置により膜面の全面が透明化した。
トを純Arガス中でスパッタして、ガラス基板上に厚さ10
00Åの記録膜を形成した。本比較例の記録媒体は0.5と
云う高い吸収率を示した。しかし、70℃,85％RHの条件
の８日間放置により膜面の全面が透明化した。
実施例−２ Gd30Fe50Co20合金ターゲットをArガスとN2及びH2ガスの
混合ガスとによるプラズマでスパッタして記録膜を製作
した。圧力比（N2＋H2）／（Ar＋N2＋H2）の値は0.3と
した。H2/N2の値は４とした。基板は厚さ0.8mmの7059ガ
ラス板，記録膜の厚さは800Åとした。本実施例の記録
媒体の波長8300Åにおける吸収率は、0.45という良好な
値を示した。本実施例の記録媒体を70℃,85％RHの条件
で20日間処理したのち、吸収率を測定した。処理後の吸
収率は0.40とほとんど低下が認められなかった。
混合ガスとによるプラズマでスパッタして記録膜を製作
した。圧力比（N2＋H2）／（Ar＋N2＋H2）の値は0.3と
した。H2/N2の値は４とした。基板は厚さ0.8mmの7059ガ
ラス板，記録膜の厚さは800Åとした。本実施例の記録
媒体の波長8300Åにおける吸収率は、0.45という良好な
値を示した。本実施例の記録媒体を70℃,85％RHの条件
で20日間処理したのち、吸収率を測定した。処理後の吸
収率は0.40とほとんど低下が認められなかった。
比較例−２ 比較例として実施例−２と同一のGd30Fe50Co20合金ター
ゲットを純Arガス中でスパッタして、ガラス基板上に厚
さ1000Åの記録膜を形成した。本比較例の記録媒体を70
℃,85％RHの条件で10日間処理したところ膜面の全面が
透明化した。
ゲットを純Arガス中でスパッタして、ガラス基板上に厚
さ1000Åの記録膜を形成した。本比較例の記録媒体を70
℃,85％RHの条件で10日間処理したところ膜面の全面が
透明化した。
第１図，第２図は従来の光学的情報記録媒体を示す断面
図、第３図は本発明を実施するための装置の説明図、第
４図は本発明の記録媒体の一実施例を示す断面図、第５
図は本発明の記録媒体の波長8300Åにおける吸収率の加
速劣化試験に伴なう変化を示した図である。 １……基板、４……記録膜、11……真空容器、12……真
空ポンプへの排気孔、13……ガス導入孔、14……ターゲ
ット、15……電力導入端子、16……対向電極。
図、第３図は本発明を実施するための装置の説明図、第
４図は本発明の記録媒体の一実施例を示す断面図、第５
図は本発明の記録媒体の波長8300Åにおける吸収率の加
速劣化試験に伴なう変化を示した図である。 １……基板、４……記録膜、11……真空容器、12……真
空ポンプへの排気孔、13……ガス導入孔、14……ターゲ
ット、15……電力導入端子、16……対向電極。
Claims (2)
- 【請求項１】基板面に対し垂直な方向に磁化容易軸を有
し、情報の記録・再生を光ビームの照射により行なう光
磁気記録膜の形成された光学的情報記録媒体において、
上記光磁気記録膜が窒素と水素とを合計で20atomic％以
下含有する希土類遷移金属非晶質合金膜であることを特
徴とする光学的情報記録媒体。 - 【請求項２】光磁気記録膜はGd,Tb,Dy,Hoからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種の希土類金属とFe,Co,Niから
なる群より選ばれた少なくとも１種の遷移金属とからな
る希土類遷移金属非晶質合金膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233580A JPH0695403B2 (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58233580A JPH0695403B2 (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125950A JPS60125950A (ja) | 1985-07-05 |
| JPH0695403B2 true JPH0695403B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=16957293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58233580A Expired - Lifetime JPH0695403B2 (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695403B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4957824A (en) * | 1987-03-24 | 1990-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium and method of manufacturing the same |
| DE3803000A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Flaechenfoermiges, mehrschichtiges magneto-optisches aufzeichnungsmaterial |
| DE69130441T2 (de) * | 1990-08-07 | 1999-04-08 | Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki, Osaka | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP58233580A patent/JPH0695403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60125950A (ja) | 1985-07-05 |
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