JP2539397B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2539397B2 JP2539397B2 JP61267515A JP26751586A JP2539397B2 JP 2539397 B2 JP2539397 B2 JP 2539397B2 JP 61267515 A JP61267515 A JP 61267515A JP 26751586 A JP26751586 A JP 26751586A JP 2539397 B2 JP2539397 B2 JP 2539397B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザーを用いて記録，再生，消去を行な
う光磁気記録に係り、特にディスクの長寿命化に好適な
記録媒体に関する。
う光磁気記録に係り、特にディスクの長寿命化に好適な
記録媒体に関する。
近年、高密度かつ大容量の情報の任意読み出し書換え
可能な光磁気記録が注目されている。現在この光磁気記
録媒体として希土類−鉄族系非晶質合金が研究の中心に
あり、中でもTbFeCo非晶質合金は最も実用化に近い段階
にある。しかしながらこれらの材料は、大気中の酸素や
水に対して活性で、水酸化物或いは酸化物を生成する。
この反応は、時間の経過とともに媒体の表面から膜内部
へ進行してゆく。その結果、記録媒体の磁気及び磁気光
学特性（例えばKerr回転角，保磁力，飽和磁化等）が低
下していた。そこで、従来の光磁化デイスクでは、光磁
気記録材料に防食効果を有する元素を添加して高耐食性
を持たせるという手法或いは光磁気記録膜表面に保護膜
を形成して大気中から記録膜を遮断する手法の２つの手
法が考えられてきた。このうち、前者の手法のみを用い
ると、保護膜形成を省略でき、プロセスの簡略化が達成
できる。その例として、特公昭60−21217号公報，特公
昭60−26725号公報等があげられる。
可能な光磁気記録が注目されている。現在この光磁気記
録媒体として希土類−鉄族系非晶質合金が研究の中心に
あり、中でもTbFeCo非晶質合金は最も実用化に近い段階
にある。しかしながらこれらの材料は、大気中の酸素や
水に対して活性で、水酸化物或いは酸化物を生成する。
この反応は、時間の経過とともに媒体の表面から膜内部
へ進行してゆく。その結果、記録媒体の磁気及び磁気光
学特性（例えばKerr回転角，保磁力，飽和磁化等）が低
下していた。そこで、従来の光磁化デイスクでは、光磁
気記録材料に防食効果を有する元素を添加して高耐食性
を持たせるという手法或いは光磁気記録膜表面に保護膜
を形成して大気中から記録膜を遮断する手法の２つの手
法が考えられてきた。このうち、前者の手法のみを用い
ると、保護膜形成を省略でき、プロセスの簡略化が達成
できる。その例として、特公昭60−21217号公報，特公
昭60−26725号公報等があげられる。
光磁気デイスク用磁性膜の耐食性向上をめざして、見
い出された上気公知例には次のような問題があった。す
なわち、希土類−鉄族系合金に耐食性向上のための添加
元素を加えてゆくと、添加量の増加に伴ない耐食性は向
上するが、光磁気特性は逆に低下してしまう。そこで、
光磁気特性を低下させずに光磁気記録膜の耐食性を向上
させることができるような添加元素及びその添加量を見
出す必要があつた。
い出された上気公知例には次のような問題があった。す
なわち、希土類−鉄族系合金に耐食性向上のための添加
元素を加えてゆくと、添加量の増加に伴ない耐食性は向
上するが、光磁気特性は逆に低下してしまう。そこで、
光磁気特性を低下させずに光磁気記録膜の耐食性を向上
させることができるような添加元素及びその添加量を見
出す必要があつた。
本発明の目的は、光磁気記録膜の光磁気特性を低下さ
せることなく、耐食性を向上させることにより長寿命か
つ高信頼性を有する光磁気デイスクを提供することにあ
る。
せることなく、耐食性を向上させることにより長寿命か
つ高信頼性を有する光磁気デイスクを提供することにあ
る。
上記の目的は、希土類−鉄族系元素を主体とする光磁
気記録材料にTaを添加することにより達成される。Taが
他の元素より有利なのは、十分な耐食性が得られる２〜
8atm％Taを添加した範囲では、光磁気特性（Kerr回転
角，保磁力及びリユーリ温度）が大きく低下しないため
である。
気記録材料にTaを添加することにより達成される。Taが
他の元素より有利なのは、十分な耐食性が得られる２〜
8atm％Taを添加した範囲では、光磁気特性（Kerr回転
角，保磁力及びリユーリ温度）が大きく低下しないため
である。
Taは通常表面に酸化物不動態被膜が存在しているため
に、腐食の進行を制御されている。この元素を環境に対
して活性な希土類−鉄族元素を主体とした光磁気記録膜
に添加すると、膜表面に相対的にTaが濃縮し不動態被膜
が形成されるため、空気中の水分や酸素に対して不活性
となる。この被膜により光磁気記録膜は外気から保護さ
れる。
に、腐食の進行を制御されている。この元素を環境に対
して活性な希土類−鉄族元素を主体とした光磁気記録膜
に添加すると、膜表面に相対的にTaが濃縮し不動態被膜
が形成されるため、空気中の水分や酸素に対して不活性
となる。この被膜により光磁気記録膜は外気から保護さ
れる。
以下、本発明を実施例１〜６により詳細に説明する。
［実施例１］ 作成した光磁気デイスクの断面構造の模式図を第２に
示す。洗浄したガラスまたは耐熱性の樹脂製の基板１上
にスパッタ他により膜厚1000ÅのSiO膜２を形成した。
その時の条件は、ターゲット材にSiO焼結体を、放電ガ
スにArを用い、放電ガス圧5mmTorr、投入RF電力1W/c
m2、スパッタ時間10分である。これにつづいて膜厚1000
ÅでTb26Fe62Co12なる組成を有する光磁気記録膜３をス
パツタ法により形成した。ターゲツト基板にFeCo合金を
用いその上にTb及びTaのチップを均一に並べたモザイク
状の複合ターゲツトを用いた。また、スパスタの条件
は、放電ガスにArを、放電ガス圧５×10-2（Torr）、投
入RF電力1W/cm2、そしてスパツタ時間は３分である。ま
たスパツタ前には３×10-7（Torr）以下まで排気した。
また、耐食性を向上させるために加えるTa量は、並べる
チツプの枚数により制御した。
示す。洗浄したガラスまたは耐熱性の樹脂製の基板１上
にスパッタ他により膜厚1000ÅのSiO膜２を形成した。
その時の条件は、ターゲット材にSiO焼結体を、放電ガ
スにArを用い、放電ガス圧5mmTorr、投入RF電力1W/c
m2、スパッタ時間10分である。これにつづいて膜厚1000
ÅでTb26Fe62Co12なる組成を有する光磁気記録膜３をス
パツタ法により形成した。ターゲツト基板にFeCo合金を
用いその上にTb及びTaのチップを均一に並べたモザイク
状の複合ターゲツトを用いた。また、スパスタの条件
は、放電ガスにArを、放電ガス圧５×10-2（Torr）、投
入RF電力1W/cm2、そしてスパツタ時間は３分である。ま
たスパツタ前には３×10-7（Torr）以下まで排気した。
また、耐食性を向上させるために加えるTa量は、並べる
チツプの枚数により制御した。
このようにして作成した光磁気デイスクのTa添加量と
磁気及び磁気光学特性（Kerr回転角：θK,保磁力:HC,キ
ユーリ温度:TC）の関係を第３図に示す。まず、Taを含
まないTb26Fe59Co15のθＫは0.54゜、Hcは8.0koeで、TC
は200℃であった。この材料にTaを添加すると、曲線４
に示すようにθＫは徐々に減少してゆき、7atm％以上の
添加でθＫは急激に減少する。HCは曲線５に示すように
Taの添加量の増加に反比例して減少する。また、TCは曲
線６に示すようにTaの添加量の増加とともにゆるやかに
減少してゆく。このようにTaを添加量の増加とともにθ
K,HC,TCは減少してゆく。ここで、これら特性を実用レ
ベル（HC2koe,TC＝200℃，θＫ0.3゜）以上にする
ことはCo量を増加させてθK,TCを上げ、希土類元素と鉄
族元素の比を変えてHCを増加させる。このことにより、
Ta添加により低下した分は補えるので、実用材料を説明
する上では特性低下は問題にならない。
磁気及び磁気光学特性（Kerr回転角：θK,保磁力:HC,キ
ユーリ温度:TC）の関係を第３図に示す。まず、Taを含
まないTb26Fe59Co15のθＫは0.54゜、Hcは8.0koeで、TC
は200℃であった。この材料にTaを添加すると、曲線４
に示すようにθＫは徐々に減少してゆき、7atm％以上の
添加でθＫは急激に減少する。HCは曲線５に示すように
Taの添加量の増加に反比例して減少する。また、TCは曲
線６に示すようにTaの添加量の増加とともにゆるやかに
減少してゆく。このようにTaを添加量の増加とともにθ
K,HC,TCは減少してゆく。ここで、これら特性を実用レ
ベル（HC2koe,TC＝200℃，θＫ0.3゜）以上にする
ことはCo量を増加させてθK,TCを上げ、希土類元素と鉄
族元素の比を変えてHCを増加させる。このことにより、
Ta添加により低下した分は補えるので、実用材料を説明
する上では特性低下は問題にならない。
このようにして作成した光磁気デイスクの耐食性試験
を次の３つの手法により行なつた。すなわち、高温高湿
度試験，孔食試験、そして高温酸化試験の３つである。
高温高湿度試験は、作成したデイスク温度80℃、相対湿
度95％の雰囲気中に500時間おいた時の飽和磁化（Ms）
の経時変化を測定した。また、高温酸化試験は、作成し
たデイスクを温度200℃の乾燥空気中に保存したきの飽
和磁化（Ms）の経時変化を測定した。そして、孔食試験
は、液温25℃にて１規定塩化ナトリウム水溶液（1N−Na
Clと以下略す）に試料を一定時間浸せきしたときの膜の
高透過率の経時変化を測定した。以上、３つの試験結果
を第１図にまとめて示す。まず曲線７は、高温高湿度試
験結果で、80℃−95％RH中に500時間保存後のMsの変化
のTa濃度依存を示している。このグラフよりわかるよう
に、Taを添加していないTbFeCo膜における飽和磁化の変
化率は、初期の43％の増加であつた。これにTaを添加し
てゆくと添加量の増加に伴ない飽和磁化の変化率は添激
に低下する。そしてさらにTaを添加して2.5atm％以上で
は、ほぼ５％の増加であつた。また孔食試験における膜
の光透過率の変化を曲線８に示す。この図より約2atm％
付近に膜の光透過率の変化量のピークが存在しているこ
とがわかる。そしてさらにこれにTaを加えると急激に光
透過率の変化量は減少する。このことから孔食の抑制に
は、Taを３％以上TbFeCoに添加が効果がある。そして、
高温酸化試験の結果を示したのが曲線９である。200℃
中に試料を100時間保存すると、Taを含まないTbFeCo系
薄膜の飽和酸化の変化率は200％と著しく大きかつた。
この系にTaを添加してゆくと添加量2atm％までは徐々に
Msの変化率は小さくなつてゆき、2atm％と3atm％の間で
急激に低下し、それ以降Msの変化率は約10％とほぼ一定
となつた。
を次の３つの手法により行なつた。すなわち、高温高湿
度試験，孔食試験、そして高温酸化試験の３つである。
高温高湿度試験は、作成したデイスク温度80℃、相対湿
度95％の雰囲気中に500時間おいた時の飽和磁化（Ms）
の経時変化を測定した。また、高温酸化試験は、作成し
たデイスクを温度200℃の乾燥空気中に保存したきの飽
和磁化（Ms）の経時変化を測定した。そして、孔食試験
は、液温25℃にて１規定塩化ナトリウム水溶液（1N−Na
Clと以下略す）に試料を一定時間浸せきしたときの膜の
高透過率の経時変化を測定した。以上、３つの試験結果
を第１図にまとめて示す。まず曲線７は、高温高湿度試
験結果で、80℃−95％RH中に500時間保存後のMsの変化
のTa濃度依存を示している。このグラフよりわかるよう
に、Taを添加していないTbFeCo膜における飽和磁化の変
化率は、初期の43％の増加であつた。これにTaを添加し
てゆくと添加量の増加に伴ない飽和磁化の変化率は添激
に低下する。そしてさらにTaを添加して2.5atm％以上で
は、ほぼ５％の増加であつた。また孔食試験における膜
の光透過率の変化を曲線８に示す。この図より約2atm％
付近に膜の光透過率の変化量のピークが存在しているこ
とがわかる。そしてさらにこれにTaを加えると急激に光
透過率の変化量は減少する。このことから孔食の抑制に
は、Taを３％以上TbFeCoに添加が効果がある。そして、
高温酸化試験の結果を示したのが曲線９である。200℃
中に試料を100時間保存すると、Taを含まないTbFeCo系
薄膜の飽和酸化の変化率は200％と著しく大きかつた。
この系にTaを添加してゆくと添加量2atm％までは徐々に
Msの変化率は小さくなつてゆき、2atm％と3atm％の間で
急激に低下し、それ以降Msの変化率は約10％とほぼ一定
となつた。
以上の結果を統合するとTaを３〜8atm％添加すると、
磁気及び磁気光学特性を低下させることなく耐食性を向
上させることができ、デイスク寿命を大きく伸ばすこと
ができた。
磁気及び磁気光学特性を低下させることなく耐食性を向
上させることができ、デイスク寿命を大きく伸ばすこと
ができた。
これらの光磁気デイスク（Taを4atm％以上含むデイス
ク）のC/N（キヤリア対ノイズ比）は55dBで80℃−95％R
H中に500時間保存してもほとんど経時変化を示さない。
このことからTa添加は著しく耐食性向上に著しく有用で
あることがわかる。
ク）のC/N（キヤリア対ノイズ比）は55dBで80℃−95％R
H中に500時間保存してもほとんど経時変化を示さない。
このことからTa添加は著しく耐食性向上に著しく有用で
あることがわかる。
［実施例２］ 作成した光磁気デイスクの断面構造は、実施例１と同
様で第２図に示すとおりである。光磁気デイスクの作成
はインライン型マグネトロンスパツタ装置を用いて行な
つた。洗浄したガラスまたは耐熱性樹脂基板１上に、ス
パツタ法で膜厚1000ÅのAlN膜２を作成した。作成条件
は、AlN焼結体をターゲツトとし、放電ガスに40％N260
％Ar標準混合ガスを用い、放電ガス圧5mmTorr、投入RF
電力1W/cm2、スパッタ時間は10分である。つづいて、
（Gd0.6Tb0.4）0.22（Fe0.7Co0.3）0.78−ＸTaXなる組
成を有する光磁気記録膜３を1000Åの膜厚に形成した。
ターゲットとして152mmφのFe−Co合金円板上に5mm角の
GdTb合金チツプ及びTaチツプを均一になるよう配置した
もざいく状のターゲツトを用いた。この他の光磁気記録
膜の作成条件は実施例１と同様である。
様で第２図に示すとおりである。光磁気デイスクの作成
はインライン型マグネトロンスパツタ装置を用いて行な
つた。洗浄したガラスまたは耐熱性樹脂基板１上に、ス
パツタ法で膜厚1000ÅのAlN膜２を作成した。作成条件
は、AlN焼結体をターゲツトとし、放電ガスに40％N260
％Ar標準混合ガスを用い、放電ガス圧5mmTorr、投入RF
電力1W/cm2、スパッタ時間は10分である。つづいて、
（Gd0.6Tb0.4）0.22（Fe0.7Co0.3）0.78−ＸTaXなる組
成を有する光磁気記録膜３を1000Åの膜厚に形成した。
ターゲットとして152mmφのFe−Co合金円板上に5mm角の
GdTb合金チツプ及びTaチツプを均一になるよう配置した
もざいく状のターゲツトを用いた。この他の光磁気記録
膜の作成条件は実施例１と同様である。
このようにして作成した光磁気デイスクのTa添加量と
磁気及び磁気光学特性（θK,HC及びTC）の関係を第４図
に示す。まずTaを含まない（Gd0.6Tb0.4）0.22（Fe0.8C
o0.2）0.78のθＫは0.75゜、HCは7.8KOeでTCは190℃で
あつた。これにTaを添加するとθＫは、曲線10に示すよ
うに徐々に減少してゆき、8atm％以上の添加でθＫは急
激に減少する。HCは、曲線11に示すようにTaの添加量の
増加とともにその値は減少してゆき、10atm％の添加で
2.5KOeとなつた。TCは、曲線12の示すようにTaの添加量
を増加させてゆくと、ゆるやかに減少してゆき、10atm
％の添加で100℃に低下した。しかし、これら光磁気特
性の変動は、Gd−Tb−Fe−Co−Ta系を実用材料として用
いる際に要求される特性（HC2KOe,TC＝200℃，θＫ
0.3゜）以上にするには、Co量を増加させてθK,TCを上
げ、希土類元素と鉄族元素の比を変えてHCを増加させ
る。これにより、Ta添加により低下した各特性値を引上
げることができるので実用材料を設計する上で特性の低
下は問題にならない。
磁気及び磁気光学特性（θK,HC及びTC）の関係を第４図
に示す。まずTaを含まない（Gd0.6Tb0.4）0.22（Fe0.8C
o0.2）0.78のθＫは0.75゜、HCは7.8KOeでTCは190℃で
あつた。これにTaを添加するとθＫは、曲線10に示すよ
うに徐々に減少してゆき、8atm％以上の添加でθＫは急
激に減少する。HCは、曲線11に示すようにTaの添加量の
増加とともにその値は減少してゆき、10atm％の添加で
2.5KOeとなつた。TCは、曲線12の示すようにTaの添加量
を増加させてゆくと、ゆるやかに減少してゆき、10atm
％の添加で100℃に低下した。しかし、これら光磁気特
性の変動は、Gd−Tb−Fe−Co−Ta系を実用材料として用
いる際に要求される特性（HC2KOe,TC＝200℃，θＫ
0.3゜）以上にするには、Co量を増加させてθK,TCを上
げ、希土類元素と鉄族元素の比を変えてHCを増加させ
る。これにより、Ta添加により低下した各特性値を引上
げることができるので実用材料を設計する上で特性の低
下は問題にならない。
このようにして作成した光磁気デイスクの耐食性試験
を実施例１と同様の手法で行なつた、結果を第５図に示
す。まず、80℃−95％RH中に500時間保存したときの飽
和磁化の変化率のTa濃度依存性は曲線13に示すように、
Taを含まない場合が47％増加する。そしてこれにTaを添
加してゆくと、添加量の増加に伴ない飽和磁化の変化率
は、急激に小さくなる。また、2.5atm％以上Taを添加す
ると、飽和磁化の変化率は徐々は減少する。そしてTaを
10atm％添加するとその変化率は２％と無添加の場合よ
りその変化は著しく小さいことがわかる。また、孔食試
験の結果は、曲線14に示すようにTa添加量の増加ととも
に膜の光透過率の変化量も増加してゆく。そして、2atm
％でピークに達し、さらにTaを添加してゆくと急激に光
透過率の変化量も小さくなり、5atm％以上の添加でほぼ
一定となった。Taを10atm％添加した時の膜の光透過率
の変化量は、0.1％とTaを含まない場合より著しく小さ
く、透過率の変化量を減少でき、孔食の発生を大きく抑
制することができる。さらに、高温酸化試験を行ない結
果を曲線15に示す。200℃の大気中に試料を100時間保存
すると、Taを含まないGdTbFeCo系薄膜の飽和磁化:Msの
変化率は200％と大きく、これにTaを添加してゆくと添
加量が2.5atm％までは徐々にMsの変化率は小さくなつて
ゆき、2.5atm％と3atm％の間で急激に低下し、それ以降
Msの変化率は、約10％とほぼ一定となつた。
を実施例１と同様の手法で行なつた、結果を第５図に示
す。まず、80℃−95％RH中に500時間保存したときの飽
和磁化の変化率のTa濃度依存性は曲線13に示すように、
Taを含まない場合が47％増加する。そしてこれにTaを添
加してゆくと、添加量の増加に伴ない飽和磁化の変化率
は、急激に小さくなる。また、2.5atm％以上Taを添加す
ると、飽和磁化の変化率は徐々は減少する。そしてTaを
10atm％添加するとその変化率は２％と無添加の場合よ
りその変化は著しく小さいことがわかる。また、孔食試
験の結果は、曲線14に示すようにTa添加量の増加ととも
に膜の光透過率の変化量も増加してゆく。そして、2atm
％でピークに達し、さらにTaを添加してゆくと急激に光
透過率の変化量も小さくなり、5atm％以上の添加でほぼ
一定となった。Taを10atm％添加した時の膜の光透過率
の変化量は、0.1％とTaを含まない場合より著しく小さ
く、透過率の変化量を減少でき、孔食の発生を大きく抑
制することができる。さらに、高温酸化試験を行ない結
果を曲線15に示す。200℃の大気中に試料を100時間保存
すると、Taを含まないGdTbFeCo系薄膜の飽和磁化:Msの
変化率は200％と大きく、これにTaを添加してゆくと添
加量が2.5atm％までは徐々にMsの変化率は小さくなつて
ゆき、2.5atm％と3atm％の間で急激に低下し、それ以降
Msの変化率は、約10％とほぼ一定となつた。
以上の結果を総合するとTaを３〜8atm％添加すると、
磁気及び磁気光学特性を大きく低下させることなく耐食
性を向上させることができ、デイスク寿命を大きく伸す
ことができた。
磁気及び磁気光学特性を大きく低下させることなく耐食
性を向上させることができ、デイスク寿命を大きく伸す
ことができた。
これらの光磁気デイスク（Taを4atm％以上含むデイス
ク）のC/N（キヤリア対雑音比）は57dBで80℃−95％RH
中で500時間保存してもほとんど経時変化を示さなかつ
た。これより、Taはデイスクの長寿命化に有用であるこ
とがわかる。
ク）のC/N（キヤリア対雑音比）は57dBで80℃−95％RH
中で500時間保存してもほとんど経時変化を示さなかつ
た。これより、Taはデイスクの長寿命化に有用であるこ
とがわかる。
［実施例３］ 作成した光磁気デイスクの断面構造は、実施例１と同
様で第２図に示すとおりである。光磁気デイスクの作成
は、インライン型マグネトロンスパツタ装置を用いて行
なつた。洗浄したガラスまたは耐熱性樹脂基板１上に、
スパツタ法で膜厚1000ÅのSi3N4薄膜２を作成した。作
成条件は、Si3N4焼結体をターゲツトとし、放電ガスに4
0％N2−60％Ar標準混合ガスを用い、放電ガス圧5mmTor
r、投入RF電力1W/cm2、スパツタ時間は10分である。つ
づいて、（Gd0.8Dy0.2）0.22（Fe0.7Co0.3）0.78−ＸTa
Xなる組成を有する光磁気記録膜３を1000Åの膜厚に形
成した。ターゲットとして152mmφのFe−Co合金円板上
に5mm角、厚さ1mmのGdDy合金チツプ及びTaチツプを均一
になるよう配置したもざいく状のターゲットを用いた。
この他の記録膜の作成条件は、実施例１と同様である。
様で第２図に示すとおりである。光磁気デイスクの作成
は、インライン型マグネトロンスパツタ装置を用いて行
なつた。洗浄したガラスまたは耐熱性樹脂基板１上に、
スパツタ法で膜厚1000ÅのSi3N4薄膜２を作成した。作
成条件は、Si3N4焼結体をターゲツトとし、放電ガスに4
0％N2−60％Ar標準混合ガスを用い、放電ガス圧5mmTor
r、投入RF電力1W/cm2、スパツタ時間は10分である。つ
づいて、（Gd0.8Dy0.2）0.22（Fe0.7Co0.3）0.78−ＸTa
Xなる組成を有する光磁気記録膜３を1000Åの膜厚に形
成した。ターゲットとして152mmφのFe−Co合金円板上
に5mm角、厚さ1mmのGdDy合金チツプ及びTaチツプを均一
になるよう配置したもざいく状のターゲットを用いた。
この他の記録膜の作成条件は、実施例１と同様である。
このようにして作成した光磁気デイスクのTa添加量と
磁気・磁気光学特性（θK,HC及びTC）の関係を第６図に
示す。まずTaを含まない（Gd0.8Cy0.2）0.22（Fe0.7Co
0.3）のθＫは0.78゜、HCは7.8KOeでTCは185℃であつ
た。この系にTaを添加するとθＫは、曲線16に示すよう
に徐々に減少してゆき、8atm％以上の添加でθＫは急激
に減少する。HCは、曲線17に示すようにTaの添加量の増
加とともにその値は減少してゆき、10atm％の添加で2.5
KOeとなつた。また、TCは、曲線18に示すようにTa添加
量を増加させてゆくと、ゆるやかに減少してゆき、10at
m％の添加で100℃に低下した。しかし、これら光磁気特
性の変動は、Gd−Dy−Fe−Co−Ta系を実用材料として用
いる際に要求される特性（HC2.0KOe,TC＝200℃，θＫ
0.3゜）を満足するには、Co量を増加させてθK,TCを
要求の値に戻すことが可能であることが実施例１より明
らかであり、実用上問題はない。
磁気・磁気光学特性（θK,HC及びTC）の関係を第６図に
示す。まずTaを含まない（Gd0.8Cy0.2）0.22（Fe0.7Co
0.3）のθＫは0.78゜、HCは7.8KOeでTCは185℃であつ
た。この系にTaを添加するとθＫは、曲線16に示すよう
に徐々に減少してゆき、8atm％以上の添加でθＫは急激
に減少する。HCは、曲線17に示すようにTaの添加量の増
加とともにその値は減少してゆき、10atm％の添加で2.5
KOeとなつた。また、TCは、曲線18に示すようにTa添加
量を増加させてゆくと、ゆるやかに減少してゆき、10at
m％の添加で100℃に低下した。しかし、これら光磁気特
性の変動は、Gd−Dy−Fe−Co−Ta系を実用材料として用
いる際に要求される特性（HC2.0KOe,TC＝200℃，θＫ
0.3゜）を満足するには、Co量を増加させてθK,TCを
要求の値に戻すことが可能であることが実施例１より明
らかであり、実用上問題はない。
このようにして作成した光磁気デイスクの耐食性試験
を実施例１と同様の手法で行なつた。結果を第７図に示
す。まず、80℃−95％RH中に500時間保存したときの飽
和磁化の変化率のTaの濃度依存性は、曲線19に示すよう
に、Taを含まない場合が48％の増加がみられる。そし
て、これにTaを添加してゆくと、添加量の増加に伴ない
飽和磁化の変化率は、急激に小さくなり4atm％以上でほ
ぼ一定となる。そして、10atm％の添加で２％の増加と
無添加の場合によりその変化は著しく小さいことがわか
る。また、孔食試験の結果は、曲線20に示すようにTaを
含まない場合の膜の光透過率の変化率が1.5％であつ
た。これにTaを添加してゆくと、光透過率は増加してゆ
き、2atm％の添加で極大に達する。そしてさらにTaを添
加してゆくと急激に光透過率の変化量も小さくなり、4a
tm％以上の添加でほぼ一定となつた。そしてTaを10atm
％添加した時の膜の光透過率の変化量は、0.15％とTaを
含まない場合より著しく透過率の変化量を減少でき、孔
食の発生を大きく抑制できる。さらに、高温酸化試験を
行ないその結果を示したのが曲線21である。200℃の大
気中に試料を100時間保存すると、Taを含まないGdDyFeC
o系薄膜の飽和磁化:Msの変化率は295％と大きく、これ
にTaを添加すると3atm％まで徐々にその変化率は減少し
てゆき、３〜4atm％付近で急激に変化率は小さくなり7a
tm％以上で約10％とほぼ一定となつた。
を実施例１と同様の手法で行なつた。結果を第７図に示
す。まず、80℃−95％RH中に500時間保存したときの飽
和磁化の変化率のTaの濃度依存性は、曲線19に示すよう
に、Taを含まない場合が48％の増加がみられる。そし
て、これにTaを添加してゆくと、添加量の増加に伴ない
飽和磁化の変化率は、急激に小さくなり4atm％以上でほ
ぼ一定となる。そして、10atm％の添加で２％の増加と
無添加の場合によりその変化は著しく小さいことがわか
る。また、孔食試験の結果は、曲線20に示すようにTaを
含まない場合の膜の光透過率の変化率が1.5％であつ
た。これにTaを添加してゆくと、光透過率は増加してゆ
き、2atm％の添加で極大に達する。そしてさらにTaを添
加してゆくと急激に光透過率の変化量も小さくなり、4a
tm％以上の添加でほぼ一定となつた。そしてTaを10atm
％添加した時の膜の光透過率の変化量は、0.15％とTaを
含まない場合より著しく透過率の変化量を減少でき、孔
食の発生を大きく抑制できる。さらに、高温酸化試験を
行ないその結果を示したのが曲線21である。200℃の大
気中に試料を100時間保存すると、Taを含まないGdDyFeC
o系薄膜の飽和磁化:Msの変化率は295％と大きく、これ
にTaを添加すると3atm％まで徐々にその変化率は減少し
てゆき、３〜4atm％付近で急激に変化率は小さくなり7a
tm％以上で約10％とほぼ一定となつた。
以上の結果を総合すると、Taを３〜8atm％添加する
と、磁気及び磁気光学特性を大きく低下することなく耐
食性を向上させることができ、デイスク寿命を大きく伸
することができた。
と、磁気及び磁気光学特性を大きく低下することなく耐
食性を向上させることができ、デイスク寿命を大きく伸
することができた。
これらの光磁気デイスク（Taを4atm％以上含むデイス
ク）のC/N（キヤリア対ノイズ比）は80℃−95％RH中で5
00時間保存しても53dBでほとんど経時変化を示さなかつ
た。このことからTa添加は著しく低食性向上に有用であ
ることがわかる。
ク）のC/N（キヤリア対ノイズ比）は80℃−95％RH中で5
00時間保存しても53dBでほとんど経時変化を示さなかつ
た。このことからTa添加は著しく低食性向上に有用であ
ることがわかる。
［実施例４］ 作成した光磁気デイスクの断面構造は、実施例１と同
様で、その模式図を第２図に示す。洗浄したガラスまた
は耐熱性樹脂製基板１上に、スパツタ法により約1000Å
のSiO膜２を作成した。その時の条件は、実施例１と同
様である。ひきつづき、光磁気記録膜としてTb25Co70Ta
5,Gd18Tb7Co70Ta5をスパツタ法で、実施例１と同様の条
件により形成した。また、Nd23Fe60Co10Ta7を電子ビー
ム蒸着法（EB法）により作成した。その時の条件は、４
×10-7（Torr）まで排気した後、シヤツタを閉じたまま
約10分のプリ蒸着を行なつた後、光学効果膜付きのデイ
スク基板上に記録膜を蒸着した。
様で、その模式図を第２図に示す。洗浄したガラスまた
は耐熱性樹脂製基板１上に、スパツタ法により約1000Å
のSiO膜２を作成した。その時の条件は、実施例１と同
様である。ひきつづき、光磁気記録膜としてTb25Co70Ta
5,Gd18Tb7Co70Ta5をスパツタ法で、実施例１と同様の条
件により形成した。また、Nd23Fe60Co10Ta7を電子ビー
ム蒸着法（EB法）により作成した。その時の条件は、４
×10-7（Torr）まで排気した後、シヤツタを閉じたまま
約10分のプリ蒸着を行なつた後、光学効果膜付きのデイ
スク基板上に記録膜を蒸着した。
このようにして作成した光磁気デイスクの磁気・磁気
光学特性及び耐食性について測定した結果を第１表にま
とめる。この表よりTbCo,GdTbCo,NdFeCoいずれも鉄族元
素に比べて希土類元素の方が腐食速度が早い。そのた
め、飽和磁化で評価すると湿食及び乾食ともに飽和磁化
の大きな減少がみられた。しかし、これら合金にTaを添
加することにより、湿食及び乾食による飽和磁化の経時
変化を著しく小さくすることができた。また、 孔食は、1N−NaClaq中に一定時間（100分）浸漬した前
後の光透過率の変化により評価すると、Taを含まない記
録膜では５〜６％と著しく大きく増加した。こを光学顕
微鏡にて観察すると、10〜100μｍの範囲の径の異なる
孔が多数みられ、希土類−鉄族元素のみでは光磁気デイ
スク用の記録膜として用いることはできない。そこで、
この記録膜にTaを添加すると、孔食の発生を著しく抑制
することができる。顕微鏡観察の結果、観測される孔の
数も少なく、径も数μｍと密度及びサイズともに大きく
減少させることができた。また、Taを含む記録幕を用い
たデイスクのC/N（キヤリア対ノイズ比）は作成直後48d
Bであつたものが、80℃−95％RH中に500時間保算しても
47dBと大きな変化をみせず本発明は、デイスク寿命を大
きく伸すことができることがわかる。Taを含まない記録
膜を用いると記録膜は透明化し、C/N測定ができなかつ
た。このように、Taは、いずれの希土類−鉄族の合金に
おいても等しく、デイスクの耐食性向上に有用であるこ
とがわかる。
光学特性及び耐食性について測定した結果を第１表にま
とめる。この表よりTbCo,GdTbCo,NdFeCoいずれも鉄族元
素に比べて希土類元素の方が腐食速度が早い。そのた
め、飽和磁化で評価すると湿食及び乾食ともに飽和磁化
の大きな減少がみられた。しかし、これら合金にTaを添
加することにより、湿食及び乾食による飽和磁化の経時
変化を著しく小さくすることができた。また、 孔食は、1N−NaClaq中に一定時間（100分）浸漬した前
後の光透過率の変化により評価すると、Taを含まない記
録膜では５〜６％と著しく大きく増加した。こを光学顕
微鏡にて観察すると、10〜100μｍの範囲の径の異なる
孔が多数みられ、希土類−鉄族元素のみでは光磁気デイ
スク用の記録膜として用いることはできない。そこで、
この記録膜にTaを添加すると、孔食の発生を著しく抑制
することができる。顕微鏡観察の結果、観測される孔の
数も少なく、径も数μｍと密度及びサイズともに大きく
減少させることができた。また、Taを含む記録幕を用い
たデイスクのC/N（キヤリア対ノイズ比）は作成直後48d
Bであつたものが、80℃−95％RH中に500時間保算しても
47dBと大きな変化をみせず本発明は、デイスク寿命を大
きく伸すことができることがわかる。Taを含まない記録
膜を用いると記録膜は透明化し、C/N測定ができなかつ
た。このように、Taは、いずれの希土類−鉄族の合金に
おいても等しく、デイスクの耐食性向上に有用であるこ
とがわかる。
［実施例５］ 作成した光磁気デイスクの断面構造の模式図は第８図
に示すとおりである。洗浄したガラスまたは樹脂基板22
上に、二元同時スパツタ法によりTb28Fe62-XCo10TaX膜2
3を作成した。その際、Ta濃度が基板面から記録膜表面
に向うに従い、高くなるように作成した。ターゲツトに
Ta板（152mmφ×1mmt）及びTb28Fe60Co12（面積比）な
る組成の焼結体ターゲット（152mmφ×1.5mmt）を用い
た。スパツタに先だち、チヤンバ内を４×10-7（Torr）
以上の高真空に排気した。スパツタ条件は、Arを放電ガ
スに用い、プリスパツタ後のRF出力をTaターゲツトにつ
いては、初期0.3W/cm2でスタートし、２分後に1W/cm2と
し、これで４分間保持し、スパツタを終了した。一方、
焼結体ターゲットは、1W/cm2でスタートし、２分後より
RF出力を徐々に低下してゆき、４分後では0W/cm2となる
ように出力をコントロールした。こうして、組成を変調
した1200Åの磁性膜を形成した。
に示すとおりである。洗浄したガラスまたは樹脂基板22
上に、二元同時スパツタ法によりTb28Fe62-XCo10TaX膜2
3を作成した。その際、Ta濃度が基板面から記録膜表面
に向うに従い、高くなるように作成した。ターゲツトに
Ta板（152mmφ×1mmt）及びTb28Fe60Co12（面積比）な
る組成の焼結体ターゲット（152mmφ×1.5mmt）を用い
た。スパツタに先だち、チヤンバ内を４×10-7（Torr）
以上の高真空に排気した。スパツタ条件は、Arを放電ガ
スに用い、プリスパツタ後のRF出力をTaターゲツトにつ
いては、初期0.3W/cm2でスタートし、２分後に1W/cm2と
し、これで４分間保持し、スパツタを終了した。一方、
焼結体ターゲットは、1W/cm2でスタートし、２分後より
RF出力を徐々に低下してゆき、４分後では0W/cm2となる
ように出力をコントロールした。こうして、組成を変調
した1200Åの磁性膜を形成した。
このデイスクの特性は、Kerr回転角：θＫ＝0.35゜,H
C＝6KOe,C/N＝50dBであつた。次にデイスクの寿命試験
を、実施例１と同様の手法にて行なつた。その結果、孔
食，湿食、及び乾食ともなう、光透過率及び飽和磁化及
びC/Nの変化もまつたく起らず、このようにTaの添加は
腐食抑制に対しと著しく有用であることがわかる。
C＝6KOe,C/N＝50dBであつた。次にデイスクの寿命試験
を、実施例１と同様の手法にて行なつた。その結果、孔
食，湿食、及び乾食ともなう、光透過率及び飽和磁化及
びC/Nの変化もまつたく起らず、このようにTaの添加は
腐食抑制に対しと著しく有用であることがわかる。
［実施例６］ 作成した光磁気デイスクの断面構造は、実施例５と同
様で第８図に示すとおりである。洗浄したガラスまたは
耐熱性樹脂基板22上に、マグネトロンスパツタ法によ
り、Tb28Fe62-XCo10TaX膜23を作成した。その際ターゲ
ツトは、次のような形状を有する。つまり152mmφのFe
板上に外径152mmφ，内径132mmφ，厚さ1mmのリング状
のTa板をおき、30mmφ，厚さ1mmの円板状のTa板を中心
付近にそれぞれ配置し、この中間にTa,TbとCoを均一に
なるように置いた複合ターゲツトである。スパツタに先
立ち、チヤンバ内を４×10-7（Torr）以上の高真空に排
気した。スパツタ条件は、放電ガスにArを用い、投入RF
出力1W/cm2、放電ガス圧５（mmTorr）にて30分間プリス
パツタ後、メインスパツタを４分間行つた。このように
して、1200Åの光磁気記録膜を形成した。
様で第８図に示すとおりである。洗浄したガラスまたは
耐熱性樹脂基板22上に、マグネトロンスパツタ法によ
り、Tb28Fe62-XCo10TaX膜23を作成した。その際ターゲ
ツトは、次のような形状を有する。つまり152mmφのFe
板上に外径152mmφ，内径132mmφ，厚さ1mmのリング状
のTa板をおき、30mmφ，厚さ1mmの円板状のTa板を中心
付近にそれぞれ配置し、この中間にTa,TbとCoを均一に
なるように置いた複合ターゲツトである。スパツタに先
立ち、チヤンバ内を４×10-7（Torr）以上の高真空に排
気した。スパツタ条件は、放電ガスにArを用い、投入RF
出力1W/cm2、放電ガス圧５（mmTorr）にて30分間プリス
パツタ後、メインスパツタを４分間行つた。このように
して、1200Åの光磁気記録膜を形成した。
このデイスクの特性は、Kerr回転角：θＫ＝0.35゜,H
C＝6KOe,C/N＝50dBであつた。次にデイスクの寿命試験
を行なつたところ、デイスクのトラツク部分の耐食性に
ついては実施例１と同様であるが、デイスクの内周部分
と外周部分から情報記録部分への腐食が時として問題と
なることがあつたが、外周部分及び内周部分におけるTa
濃度を著しく高くすることでこの部分から腐食を防ぐこ
とができることがわかる。
C＝6KOe,C/N＝50dBであつた。次にデイスクの寿命試験
を行なつたところ、デイスクのトラツク部分の耐食性に
ついては実施例１と同様であるが、デイスクの内周部分
と外周部分から情報記録部分への腐食が時として問題と
なることがあつたが、外周部分及び内周部分におけるTa
濃度を著しく高くすることでこの部分から腐食を防ぐこ
とができることがわかる。
本発明によれば、希土類−鉄族よりなる合金薄膜にTa
を３〜８原子パーセント添加することにより表面に不働
態被膜が形成され、記録膜の酸化を著しく抑えることが
できるので、光磁気デイスクの寿命を大きく伸す効果が
ある。その際磁気・磁気光学特性はほとんど低下せず、
耐食性のみを伸すことができた。さらに、Taを記録膜表
面に濃縮することにより、この効果を増大することがで
きる。また、デイスク面に垂直な方向にTa濃度の勾配を
もたせることで耐食性向上効果を大きく増大でき、これ
は、不働態の形成をさらに促進した結果である。一方、
デイスク面と平行方向にもTa濃度の勾配をつけることに
より、外周部或いは内周部用からの腐食を著しく抑制で
きる。この場合の効果もTaが先と同じ効果を有するから
である。
を３〜８原子パーセント添加することにより表面に不働
態被膜が形成され、記録膜の酸化を著しく抑えることが
できるので、光磁気デイスクの寿命を大きく伸す効果が
ある。その際磁気・磁気光学特性はほとんど低下せず、
耐食性のみを伸すことができた。さらに、Taを記録膜表
面に濃縮することにより、この効果を増大することがで
きる。また、デイスク面に垂直な方向にTa濃度の勾配を
もたせることで耐食性向上効果を大きく増大でき、これ
は、不働態の形成をさらに促進した結果である。一方、
デイスク面と平行方向にもTa濃度の勾配をつけることに
より、外周部或いは内周部用からの腐食を著しく抑制で
きる。この場合の効果もTaが先と同じ効果を有するから
である。
第１図は実施例１における耐食性試験結果を示す図、第
２図は実施例１〜４のデイスクの断面構造の模式図であ
る。第３図〜第７図は実施例２〜６における耐食性試験
結果を示す図、第８図は実施例５及び６におけるデイス
クの断面構造の模式図である。 １……基板、２……光学的効果、３……光磁気記録膜、
４……Kerr回転角のTa濃度依存性、５……保磁力のTa濃
度依存性、６……キユリー温度のTa濃度依存性、７……
80℃−95％RH−500hr後のMsの変化のTa濃度依存性、８
……1N−NaClaq中に100分保存後の光透過率のTa濃度依
存性、９……200℃大気中に100hr保存後のMsの変化のTa
濃度依存性、10……θＫのTa濃度依存性、11……HCのTa
濃度依存性、12……TCのTa濃度依存性、13……80℃−95
％RH−500hr後のMsの変化のTa濃度依存性、14……1N−N
aClaq中に100分保存後の光透過率のTa濃度依存性、15…
…200℃大気中に100hr保存後のMsのTa濃度依存性、16…
…θＫのTa濃度依存性、17……HCのTa濃度依存性、18…
…TCのTaの濃度依存性、19……80℃−95％RH−500hr後
のMsの変化のTa濃度依存性、20……1N−NaClaq中に100
分浸せき後の光透過率のTa濃度依存性、21……200℃大
気中に100hr保存後のMsの変化のTa濃度依存性、22……
基板、23……光磁気記録膜。
２図は実施例１〜４のデイスクの断面構造の模式図であ
る。第３図〜第７図は実施例２〜６における耐食性試験
結果を示す図、第８図は実施例５及び６におけるデイス
クの断面構造の模式図である。 １……基板、２……光学的効果、３……光磁気記録膜、
４……Kerr回転角のTa濃度依存性、５……保磁力のTa濃
度依存性、６……キユリー温度のTa濃度依存性、７……
80℃−95％RH−500hr後のMsの変化のTa濃度依存性、８
……1N−NaClaq中に100分保存後の光透過率のTa濃度依
存性、９……200℃大気中に100hr保存後のMsの変化のTa
濃度依存性、10……θＫのTa濃度依存性、11……HCのTa
濃度依存性、12……TCのTa濃度依存性、13……80℃−95
％RH−500hr後のMsの変化のTa濃度依存性、14……1N−N
aClaq中に100分保存後の光透過率のTa濃度依存性、15…
…200℃大気中に100hr保存後のMsのTa濃度依存性、16…
…θＫのTa濃度依存性、17……HCのTa濃度依存性、18…
…TCのTaの濃度依存性、19……80℃−95％RH−500hr後
のMsの変化のTa濃度依存性、20……1N−NaClaq中に100
分浸せき後の光透過率のTa濃度依存性、21……200℃大
気中に100hr保存後のMsの変化のTa濃度依存性、22……
基板、23……光磁気記録膜。
フロントページの続き (72)発明者 鈴木 良夫 国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式 会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 太田 憲雄 国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式 会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−84358（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−53703（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84803（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−87307（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232736（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−252550（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板に対して垂直方向に磁化容易軸を有す
る希土類−鉄族系元素を主体とする光磁気記録媒体にお
いて、該希土類−鉄族系元素以外の元素は、Taであり、
Ta濃度が膜厚方向および／または基板面と水平方向に組
成勾配を有するように当該光磁気記録媒体にTaを３原子
パーセント以上、８原子パーセント以下添加したことを
特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267515A JP2539397B2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267515A JP2539397B2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122034A JPS63122034A (ja) | 1988-05-26 |
| JP2539397B2 true JP2539397B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=17445911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61267515A Expired - Lifetime JP2539397B2 (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539397B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR890012281A (ko) * | 1987-01-14 | 1989-08-25 | 도날드 밀러 셀 | 안정한 자기 광학기록매체 |
| JP2948589B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1999-09-13 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH03269847A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高耐食性光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984358A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6153703A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS6184803A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用材料 |
| JPS6187307A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用材料 |
| JPS62232736A (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録用媒体 |
| JPS62252550A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61267515A patent/JP2539397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63122034A (ja) | 1988-05-26 |
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