JPS62252550A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、希土類元素と鉄族元素を主成分とする非晶質
磁性薄膜を有し、膜面と垂直方向に磁化容易方向を右す
る光磁気記録媒体に関するものである。

（従来の技術） 希土類元素とＦｅ、　Ｃｏの鉄族元素を主たる成分とす
る非晶質磁性薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を
有し、Ｓ極あるいはＮ極に一様に磁化された膜面内に逆
向きの小さなスポット状の反転磁区を作ることが出来る
。この反転磁区の有無をＮ］、［０１に対応させること
によって、このような磁性薄ｌＩＱを高密度の磁気記録
媒体として用いることができる。このような磁性薄膜の
うち、室温にて大きな保持力を有し、かつキューリ一点
又は磁気的補償温度が比較的°７温に近い薄膜は、キュ
ーリ一点又は磁気的補償温度を利用して光〆−ムにより
、任意の位置に反転磁区を作ることができる。これを利
用することによって情報を記録することが可能であり、
ディスク・テープ・シート状の光磁気メモリー媒体とし
て利用することが可能になりつつある。次に読み出す方
法は、こうして反転記録した媒体に対して、磁気カー効
果やファラデー効果を利用して行なう。具体的には記録
媒体に書ぎ込む時の強度より弱い偏光されたレーザー光
を照射して、磁化の向きに応じて偏向面が回転づること
を利用し、その反射光を検光子を通して検出すると、明
暗の２値信シ）として検出することができる。

従来、公知である膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、かつレーザー光により情報を占き込み・読み出せる磁
性ＩＩ合金としては、ＨｎＢ　ｉに代表される多結晶合
金薄膜、ＧＩＧに代表される単結晶薄膜、そして希土類
元素と遷移金属による非晶質合金薄膜があるが、この非
晶質合金’ｔｉｅ　ｒ！が実用上一番良い月利として注
目されている。

例えば、Ｒ（Ｇｄ、　Ｔｂ、　ＤＶ）とＴ　（Ｃｏ、　
ｌ’Ｑ）の比率Ｒｘ　Ｔ　１−ｘは従来から０．１≦Ｘ
≦０．４と知られている通りである。（特願昭５５−３
０２５１゜５５−３７３４７．５１−２５５３４等参照
）更に、Ｒはその他の希を類元素で置換しても、若干は
各特性が劣る場合もあるが問題ない。

（発明７＋＜　ｖＲ決しようとする問題点）しかし、■
述した非晶質合金磁性薄膜は、書込感度が高い・垂直の
磁気異方性が大面積で安定に作れる・（９れた磁気特性
を有する・磁気的に安定性がある・−髪」−り一点も低
いため小さい光（熱）エネルギーで１１き込める・非晶
質のため粒界ノイズが小さくＳ／Ｎ比が大きく取り出せ
る、等の多くの利点があるにもかかわらず、希土類元素
およびＦｅ、　Ｃｏ等は、本来耐環境性に対して弱く、
酸化。

分解、腐α等が生じやすく、合金においても同様であり
、艮明安定性に対して問題があり、経時変化が生じ磁気
特性の劣化が生じるため、書き込まれた信号の状態が変
化しエラーやＳ／Ｎ比の減少が生じるという欠点を有し
ている。

そこで本発明は、上述した従来の欠点を除去し、耐環境
性に（１れ、安定性が良いため経時変化が少なく、長期
間安定な非晶質磁性薄膜合金を記録媒体とした光磁気記
録媒体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するためにこの発明は、Ｎｄを含む非
晶質磁性薄膜合金に、更に添加元素（Ｖ。

■ａ、　　Ｃｒ、　　Ｎｏ、　　Ｗ、　　Ｈｎ、　　Ｒ
ｅ、　　Ｒｕ、　　Ｏｓ、　　Ｒｈ、　　Ｉｒ、　　Ｎ
ｉの１種の元素）を加えることによって、経時変化の少
ない長期保存性に優れた光磁気記録媒体を提供すること
を可能としたものである。

（作用） 本発明に係る光磁気記録媒体に於いては、次に示された
式 ％式％ Ｔ＝Ｆｃ、Ｃｏが１種以上の元素 Ｍ＝Ｖ、　Ｔａ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ｗ、　Ｈｎ、　Ｒ
ｅ、　Ｒｔｌ、　Ｏ３゜Ｒｈ、　Ｉｒ、　Ｎｉの１種の
元素 ０．１≦Ｘ≦０．４ ０．０１≦Ｙ≦０．１５ で表わされた組成をもつ非晶式磁性薄膜を形成すること
により、経時変化の少ない長期保存性に優れた光磁気記
録媒体が得られる。

つまり元来、Ｎｄ−４移元素による合金は酸化しやすい
ため、磁気特性が劣化し、保磁力（ｌｌｃ）が小さくな
り、又、飽和磁化（Ｈｓ）ら小さくなることから、＾密
度の情報記録が不可能になり、記録された情報が不安定
になる。又、キューリ一点や補償温度が変化するためレ
ーデ−による書込みが不可能に＜＜ったすし、ビット、
７１り率が大きい媒体となってしまう。さらに、カー回
転角、ファラデー同転角等に変化が生じたり、レーザー
での読取り時に不可能なピットが生じたりして同様に誤
り率が大きくなったり、Ｓ／Ｎ比が小さくなる等の多く
の欠点を右している。これらを防ぐために、Ｓ　！　０
２　′：ｒＦの透明酸化膜、窒化膜等の保護膜をコーテ
ィング覆るが、記録媒体が劣化しやすい合金であるため
、十分に経時変化を防ぐことは難しい欠点を有していた
。そこで本発明であるところのＣｒ。

旧、　Ｎｏ等を少々添加することにより経時変化を少な
くしている。

また、本発明の上記組成式で示された光磁気記録媒体は
、磁化容易軸が膜面に１１！直な方向に向けられるだけ
の十分な磁気異方性を持たな【プればならない。このた
めにはまず、λ９膜を非晶質で構成する必要があり、こ
れには、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などによ
って薄膜を作製することにより達成される。そして十分
な磁気＋ｌａ方性およびカー回転角を持たせるための組
成としては、上記組成範囲を満たさなければならない。

（実施例） 以下にこの発明を実施例にもとづいて説明する。

これらの磁性膜はスパッタリング法により作製したが、
真空蒸着法、イオンブレーティング法などその他の物理
的ペイバーディポジション法によっても作ｔＪすること
ができる。

基板は、ガラスあるいは有機系透明体を用いる。

ターゲットは、円形状のＦ（あるいはＣｏ）ターゲット
上に１０Ｘ　１　Ｑｘ　１ｓ＋角のＮｄ、　ｃｒ箸を載
せる複合ターゲットを使用した。

第１図にＮｄＦｅ合金にＣ「、あるいはＮｉを添加した
ときの組成とカー回転角の関係を示す。Ｃｒ、　Ｎｉと
６に０．１５モル程の添加ならばθｋにはあまり影響し
ないが、それ以上だと大きく低下し、垂直磁化膜が１１
１られなくなることがわかった。

第２図には、Ｎｄｌ’ｅ合金にＣｒ、あるいは旧を少量
添加し、８０℃、湿匪９５％の環境中に放置した時のθ
にの経時変化を示している。これかられかるように、Ｃ
ｒあるいはＮ１を少量添加することにより、経時変化に
対して十分効果を発揮し、劣化をおさえている。

ここでは、Ｃｒ、　Ｎｉについての効果を示したが、Ｖ
、　Ｔａ、　Ｎｏ、　Ｗ、　Ｈｎ、　Ｉｌｅ、　Ｒｕ、
　Ｏｓ、　Ｉｌｈ、　Ｉｒについても同様に効果がみら
れる。

（発明の効果） この発明は、以上説明したように組成式が（Ｎｄｘ　Ｔ
　１−ｘ　）　１−ＹＭ　ＹＴ＝Ｆｃ、Ｃｏが１種以上
の元素 Ｍ＝　Ｖ　、　Ｔａ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ｗ、　Ｈｎ、
　Ｒｅ、　Ｒｕ、　Ｏｓ。

Ｒｈ、　ｌｒ、　Ｎｉの１種の元素 ０．１≦Ｘ≦０．４ ０．０１≦Ｙ≦０．１５ であるとき、経時変化の少ない長期保存性に優れた光磁
気記録媒体を提供できるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】 第１図は、ＮｄＦｅ合金にＣｒ、　ｔ４ｉを添加したと
きのそれぞれの添加量とカー回転角の関係を示した図で
ある。 第２図は、本発明に係る経時変化を示した図である。８
０℃、湿ａ９５％の高温槽の中にＨｄＦｅとＣｒ、　Ｎ
ｉをそれぞれ少量添加したＮｄｒｃＣｒ、　ＮｄｒｅＮ
ｉとカー回転角の経時変化を示した図である。 出願人　　セイコー電子工業株式会社 〃−回転杓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金の
   一般式 （Ｎｄ＿ＸＴ＿１＿−＿Ｘ）＿１＿−＿ＹＭ＿Ｙ（ここ
   で、ＴはＦｅ、Ｃｏが１種以上の元素であり、ＭはＶ、
   Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ
   、Ｉｒ、Ｎｉの１種の元素であり、 Ｘは０．１≦Ｘ≦０．４、Ｙは０．０１≦Ｙ≦０．１５
   である。） で示される組成を有することを特徴とした光磁気記録媒
   体。