JPS62267944A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS62267944A JPS62267944A JP11075886A JP11075886A JPS62267944A JP S62267944 A JPS62267944 A JP S62267944A JP 11075886 A JP11075886 A JP 11075886A JP 11075886 A JP11075886 A JP 11075886A JP S62267944 A JPS62267944 A JP S62267944A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光を用いて記録、再生、消去を行う
光磁気に係り、特に酸素及び水分等から磁気記録媒体に
保護するのに好適な保護膜の構造に関する。
光磁気に係り、特に酸素及び水分等から磁気記録媒体に
保護するのに好適な保護膜の構造に関する。
近年、情報化社会の進展に伴ない、高密度で大容量の情
報の任意読出し及び書換え可能な光磁気記録が注目され
ている。この光磁気記録媒体として、希土類−鉄族系非
晶質材料が研究の中心にある。その中で、Ｔｂ−Ｆａ−
Ｇｏ系を基体とする磁気記録膜は、最も実用化に近いと
いわれており、各所で盛んに研究されている。しかしな
がら、これらの材料は、酸素や水と容易に反応して酸化
物や水酸化物を成する。そのために、光磁気ディスクの
特性、例えばにｅｒｒ回転角或いは保磁力の変動が起っ
ていた。そこで、従来の光磁気ディスクは、記録媒体保
護のために、Ｓｉ○２１ Ｓ ｉ Ｏ、５ｉａＮ＋＋Ａ
ａＮ等を用いて記録媒体上に約０．１〜０．１５μｍの
保護膜を形成していた。この例として、特開昭５９−１
７１０５５号公報をあげることができる。
報の任意読出し及び書換え可能な光磁気記録が注目され
ている。この光磁気記録媒体として、希土類−鉄族系非
晶質材料が研究の中心にある。その中で、Ｔｂ−Ｆａ−
Ｇｏ系を基体とする磁気記録膜は、最も実用化に近いと
いわれており、各所で盛んに研究されている。しかしな
がら、これらの材料は、酸素や水と容易に反応して酸化
物や水酸化物を成する。そのために、光磁気ディスクの
特性、例えばにｅｒｒ回転角或いは保磁力の変動が起っ
ていた。そこで、従来の光磁気ディスクは、記録媒体保
護のために、Ｓｉ○２１ Ｓ ｉ Ｏ、５ｉａＮ＋＋Ａ
ａＮ等を用いて記録媒体上に約０．１〜０．１５μｍの
保護膜を形成していた。この例として、特開昭５９−１
７１０５５号公報をあげることができる。
光磁気ディスクの製造は、真空蒸着、スパッタ。
イオンブレーティング等の薄膜形成技術を駆使して行わ
れる。ところが形成した薄膜にはピンホールが存在する
場合があり、特に保護膜にピンホールが存在するとそこ
から薄膜内部へ空気中の酸素や水分が拡散してゆき、記
録媒体と反応して記録媒体／保Ｓ膜界面に酸化物または
水酸化物層が形成される。この反応は、記録媒体／保護
膜界面から記録媒体内部へ徐々に進行してゆくため、時
間の経過と共にＫａｒｒ回転角や保磁力が減少するとい
う問題が生じた。そこで、光磁気ディスクの特性の安定
化及び長寿命化をめざすには、この点を解決する必要が
あった。
れる。ところが形成した薄膜にはピンホールが存在する
場合があり、特に保護膜にピンホールが存在するとそこ
から薄膜内部へ空気中の酸素や水分が拡散してゆき、記
録媒体と反応して記録媒体／保Ｓ膜界面に酸化物または
水酸化物層が形成される。この反応は、記録媒体／保護
膜界面から記録媒体内部へ徐々に進行してゆくため、時
間の経過と共にＫａｒｒ回転角や保磁力が減少するとい
う問題が生じた。そこで、光磁気ディスクの特性の安定
化及び長寿命化をめざすには、この点を解決する必要が
あった。
本発明の目的は、磁気記録媒体を大気中の酸素や水分か
ら保護し、光磁気特性の労化を防止するのに有効な保護
膜構造を提供することにある。
ら保護し、光磁気特性の労化を防止するのに有効な保護
膜構造を提供することにある。
先にも述べたように、光磁気記録媒体上に形成した保護
膜には、ピンホールが存在する場合があり、そこを中心
に磁気記録媒体の腐食が進行し、光磁気特性の変動を生
じたにの腐食を防止する１つの手法として、記録媒体上
に形成する保護膜の膜厚を増加させることが考えられ矛
が、この手法を用いてもピンホール密度を下げることは
できるが零にすることができない、そこで、ピンホール
からＴｂやＦｅが酸化されるのを防ぐために。
膜には、ピンホールが存在する場合があり、そこを中心
に磁気記録媒体の腐食が進行し、光磁気特性の変動を生
じたにの腐食を防止する１つの手法として、記録媒体上
に形成する保護膜の膜厚を増加させることが考えられ矛
が、この手法を用いてもピンホール密度を下げることは
できるが零にすることができない、そこで、ピンホール
からＴｂやＦｅが酸化されるのを防ぐために。
磁気記録膜上にＴｂやＦｅより電気化学的に卑な金属元
素層を設け、その上に通常の保護膜層を形成した二層構
造を有する保護膜構造をとった。これにより、ＴｂやＦ
ｅより酸化し易いＮｄ、Ｐｒ。
素層を設け、その上に通常の保護膜層を形成した二層構
造を有する保護膜構造をとった。これにより、ＴｂやＦ
ｅより酸化し易いＮｄ、Ｐｒ。
Ｓｍ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＥｕのうちから選択した１
つ以上の元素或いはその合金からなる薄膜層を第１層目
の保護膜として記録膜上に形成し、その上に、無機物及
び有機物の保護膜を作成した。
つ以上の元素或いはその合金からなる薄膜層を第１層目
の保護膜として記録膜上に形成し、その上に、無機物及
び有機物の保護膜を作成した。
もしも、ピンホールが存在していて、酸素や水分が拡散
してゆき記録膜表面に到達すると、第１層目の保護膜材
料と記録媒体との間に局部電池を形成して、第１層目の
保護膜が酸化されると同時に、記録膜自身は電池反応に
関与せず、拡散してきた酸素もしくは水を還元する。結
果として第１層目の保護膜が犠牲となって酸化され、記
ａ膜自身は酸化されず保護されたことになる。このよう
に、本発明は、ＴｂやＦｅより酸化されやすい元素を保
護膜に用い、保護膜と記録媒体との間に局部電池を構成
して記録膜を保護することができた。
してゆき記録膜表面に到達すると、第１層目の保護膜材
料と記録媒体との間に局部電池を形成して、第１層目の
保護膜が酸化されると同時に、記録膜自身は電池反応に
関与せず、拡散してきた酸素もしくは水を還元する。結
果として第１層目の保護膜が犠牲となって酸化され、記
ａ膜自身は酸化されず保護されたことになる。このよう
に、本発明は、ＴｂやＦｅより酸化されやすい元素を保
護膜に用い、保護膜と記録媒体との間に局部電池を構成
して記録膜を保護することができた。
以下１本発明の詳細を実施例１〜４を用いて説明する。
［実施例１］
作成した磁気ディスクの断面構造の模式図を第１図に示
す。まず洗浄したガラス又は樹脂のディスク基板（１）
上に、スパッタ法により厚さ０．１ｐｍのＴｂｚａＦｅ
ｓｚＣｏｘｏなる組成の磁気記録膜を作成する。その時
のスパッタ条件は、放電ガスにＡｒを用い、圧力３ Ｘ
１０−ａ（Ｔｏｒｒ） 、 ＲＦ出力Ｉ Ｗ／ｌ−ｎ
、スパッタ時間５分である。このようにして作成した磁
性膜上に、０．０５〜０．１μｍの厚さのＬａ、Ｅｕ或
いはＳｍを第１層目の保護膜（３）として、スパッタ法
により作成する。放電ガスにはＡｒまたはＡ ｒ ／
Ｈ２（＝ ９０ ／ １．０〜７０／３０）を用い、圧
力３ Ｘ １０−” （Ｔｏｒｒ）、ＲＦ出力ＩＷ／ａ
＃、スパッタ時間５〜１０分である。そして最後にＴｉ
、Ｃｕ、或いはＺｒをスパッタ法により、第２層目の保
護膜を作成した。スパッタ条件は、先の記録膜作成と同
じである。比較のために第１層目の保Ｍ膜のない、第２
層目のみのディスクも作成した。このようにして作成し
た光磁気ディスクを温度６０℃、湿度８０％の環境中に
保管した時の保磁カニＨｃ及びＫｅｒｒ回転角：θにの
経時変化を測定した。その結果を第２図に示す、縦軸に
Ｋａｒｒ回転角及び保磁力を、横軸に日数をとっである
。ディスク作成直後のディスクの特性はいずれもＨｃ＝
３ＫＯｅ、０ｋ＝ｏ、３７゜であった、まず、第１層目
の保護膜のないディスクの場合のθ翫の変化を曲線５に
、Ｈｃの変化を曲線５′に示す、ここで、保護膜の材質
の違いによる。保護効果の違いはみられなかった。θｋ
。
す。まず洗浄したガラス又は樹脂のディスク基板（１）
上に、スパッタ法により厚さ０．１ｐｍのＴｂｚａＦｅ
ｓｚＣｏｘｏなる組成の磁気記録膜を作成する。その時
のスパッタ条件は、放電ガスにＡｒを用い、圧力３ Ｘ
１０−ａ（Ｔｏｒｒ） 、 ＲＦ出力Ｉ Ｗ／ｌ−ｎ
、スパッタ時間５分である。このようにして作成した磁
性膜上に、０．０５〜０．１μｍの厚さのＬａ、Ｅｕ或
いはＳｍを第１層目の保護膜（３）として、スパッタ法
により作成する。放電ガスにはＡｒまたはＡ ｒ ／
Ｈ２（＝ ９０ ／ １．０〜７０／３０）を用い、圧
力３ Ｘ １０−” （Ｔｏｒｒ）、ＲＦ出力ＩＷ／ａ
＃、スパッタ時間５〜１０分である。そして最後にＴｉ
、Ｃｕ、或いはＺｒをスパッタ法により、第２層目の保
護膜を作成した。スパッタ条件は、先の記録膜作成と同
じである。比較のために第１層目の保Ｍ膜のない、第２
層目のみのディスクも作成した。このようにして作成し
た光磁気ディスクを温度６０℃、湿度８０％の環境中に
保管した時の保磁カニＨｃ及びＫｅｒｒ回転角：θにの
経時変化を測定した。その結果を第２図に示す、縦軸に
Ｋａｒｒ回転角及び保磁力を、横軸に日数をとっである
。ディスク作成直後のディスクの特性はいずれもＨｃ＝
３ＫＯｅ、０ｋ＝ｏ、３７゜であった、まず、第１層目
の保護膜のないディスクの場合のθ翫の変化を曲線５に
、Ｈｃの変化を曲線５′に示す、ここで、保護膜の材質
の違いによる。保護効果の違いはみられなかった。θｋ
。
Ｈｅともに約１００日経過後までは初期特性を保ってい
た。その後、Ｏｂは、徐々に減少してゆき２００日後で
０．２４’ となった。またＨｃは、１００日後からゆ
っくりと増大してゆき、２００日経適役で４．１ＫＯｅ
であった。これに対し、本発明の保護法を用いた場合、
第１層目にＬａを第２層目にＴｉを用いたとき及び第１
層目にＥｕを第２層目にＣｕを用いたときの劣化曲線は
、両者に差はみられず、６，６′に示す形状であった。
た。その後、Ｏｂは、徐々に減少してゆき２００日後で
０．２４’ となった。またＨｃは、１００日後からゆ
っくりと増大してゆき、２００日経適役で４．１ＫＯｅ
であった。これに対し、本発明の保護法を用いた場合、
第１層目にＬａを第２層目にＴｉを用いたとき及び第１
層目にＥｕを第２層目にＣｕを用いたときの劣化曲線は
、両者に差はみられず、６，６′に示す形状であった。
１４０日目８では、θ−及びＨｃともに初期特性を維持
していた。しかし、１４０日経過後、まずθにはわずか
ずつ小さくなり、２００日後でθに＝０．３２°となり
一層目の保護膜がない場合の０．２４＠と比べると蓄し
く劣化速度が遅いことがわかる。またＨｅの経時変化は
１４０日経過後かられずかずつ上昇してゆき、２００日
後で３．５ＫＯｅとなり、第１層目の保護膜がない場合
の４．１ＫＯｅと比べるとその増加の割合が小さいこと
がわかる０次に、第１層目の保護膜としてＳｍを、第２
層目の保護膜としてＺｒを用いた場合の劣化曲線を第２
図の曲線７，７′に示す。θ軌の経時変化を第２図の曲
線７に、Ｈｃのそれを曲線７′にそれぞれ示した。これ
によると、θ１及びＨｅともに１３０日経過後まで、初
期の磁気特性を維持していた。しかし、１３０日経過後
、まずθ５は、わずかずつ小さくなり２００日後でθに
＝０．３０５°となった。この結果は、先のＬａ−Ｔｉ
或いはＥｕ−ＡＱの組合せと比較すると、多少劣化速度
は少し速くなるが、Ｚｒ単一層のみの場合より著しく劣
化速度は遅いことがわかった。このことから、本発明は
、記録膜の保護法として著しく有用であることを見出し
た。
していた。しかし、１４０日経過後、まずθにはわずか
ずつ小さくなり、２００日後でθに＝０．３２°となり
一層目の保護膜がない場合の０．２４＠と比べると蓄し
く劣化速度が遅いことがわかる。またＨｅの経時変化は
１４０日経過後かられずかずつ上昇してゆき、２００日
後で３．５ＫＯｅとなり、第１層目の保護膜がない場合
の４．１ＫＯｅと比べるとその増加の割合が小さいこと
がわかる０次に、第１層目の保護膜としてＳｍを、第２
層目の保護膜としてＺｒを用いた場合の劣化曲線を第２
図の曲線７，７′に示す。θ軌の経時変化を第２図の曲
線７に、Ｈｃのそれを曲線７′にそれぞれ示した。これ
によると、θ１及びＨｅともに１３０日経過後まで、初
期の磁気特性を維持していた。しかし、１３０日経過後
、まずθ５は、わずかずつ小さくなり２００日後でθに
＝０．３０５°となった。この結果は、先のＬａ−Ｔｉ
或いはＥｕ−ＡＱの組合せと比較すると、多少劣化速度
は少し速くなるが、Ｚｒ単一層のみの場合より著しく劣
化速度は遅いことがわかった。このことから、本発明は
、記録膜の保護法として著しく有用であることを見出し
た。
［実施例２］
作成した磁気ディスクの構造は、実施例１と同様第１図
に示すとおりである。ディスクの作成は、洗浄したガラ
ス又は樹脂のディスク基板（１）上に、スパッタ法によ
り厚さ０．１μｍのＴｂｚｓＦｅｓｚＣｏｘｏなる組成
の磁気記録膜（２）を形成した。その時のスパッタ条件
は、実施例１と同様である。このようにして作成した磁
性膜上にＣｅ或いはＧｄを第１層目の保護膜（３）をス
パッタ法により形成する。その時の条件は実施例１と同
様である。そして最後に、ＷＣ或いはＭ ｏ Ｃをター
ゲットに用い、Ａ ｒ／ＣＨｉ ＝９０／ １０〜７０
／３０混合ガスを用い、圧力３ Ｘ １０−”（Ｔｏｒ
ｒ） 、 ＲＦ出力ＩＷ／ｄ、スパッタ時間５〜１０分
である比較のために、第１層目の保護膜のない第２層目
のみのディスクも作成した。このようにして作成した光
磁気ディスクを温度６０℃、湿度８０％のＱ項中に保管
した時の保磁カニＨｃ及びＫｅｒｒ回転角：θにの経時
変化を測定した。その結果を第３図に示す。縦軸にＫｅ
ｒｒ回転角及び保磁力を、横軸に日数をとっである。ま
ず、ディスク作成直後の特性は、いずれのディスクとも
Ｈｅ”３（ＫＯｅ） θｈ＝０．３７”であった、ま
ず、第１層目の保護膜が無いディスクの場合のθ軌の変
化を曲線８に、モしてＨｃの変化を曲ａ８′に示す。θ
に、Ｈａともに９０日経過後までは、初期特性を保って
いた。その後、θ−は徐々に減少してゆき、２００日後
で０．２２’ となった、また、Ｈｅは、９０日経過後
からゆっくり上昇してゆき、２００日後で２４．４ＫＯ
ｅとなった。これに対し１本発明の保護法を用いると、
第１層目にＣｅ、第２層目にＷＣとした場合、或いは第
１層目がＧｄ、第２層目にＭ ｏ Ｃを用いた場合とも
θ−、Ｈｃの経時変化に大きな差はみられなかった。そ
の変化の様子を示したのが９，９′で９はＯｋの、９′
はＨｃの経時変化をそれぞれ示す。
に示すとおりである。ディスクの作成は、洗浄したガラ
ス又は樹脂のディスク基板（１）上に、スパッタ法によ
り厚さ０．１μｍのＴｂｚｓＦｅｓｚＣｏｘｏなる組成
の磁気記録膜（２）を形成した。その時のスパッタ条件
は、実施例１と同様である。このようにして作成した磁
性膜上にＣｅ或いはＧｄを第１層目の保護膜（３）をス
パッタ法により形成する。その時の条件は実施例１と同
様である。そして最後に、ＷＣ或いはＭ ｏ Ｃをター
ゲットに用い、Ａ ｒ／ＣＨｉ ＝９０／ １０〜７０
／３０混合ガスを用い、圧力３ Ｘ １０−”（Ｔｏｒ
ｒ） 、 ＲＦ出力ＩＷ／ｄ、スパッタ時間５〜１０分
である比較のために、第１層目の保護膜のない第２層目
のみのディスクも作成した。このようにして作成した光
磁気ディスクを温度６０℃、湿度８０％のＱ項中に保管
した時の保磁カニＨｃ及びＫｅｒｒ回転角：θにの経時
変化を測定した。その結果を第３図に示す。縦軸にＫｅ
ｒｒ回転角及び保磁力を、横軸に日数をとっである。ま
ず、ディスク作成直後の特性は、いずれのディスクとも
Ｈｅ”３（ＫＯｅ） θｈ＝０．３７”であった、ま
ず、第１層目の保護膜が無いディスクの場合のθ軌の変
化を曲線８に、モしてＨｃの変化を曲ａ８′に示す。θ
に、Ｈａともに９０日経過後までは、初期特性を保って
いた。その後、θ−は徐々に減少してゆき、２００日後
で０．２２’ となった、また、Ｈｅは、９０日経過後
からゆっくり上昇してゆき、２００日後で２４．４ＫＯ
ｅとなった。これに対し１本発明の保護法を用いると、
第１層目にＣｅ、第２層目にＷＣとした場合、或いは第
１層目がＧｄ、第２層目にＭ ｏ Ｃを用いた場合とも
θ−、Ｈｃの経時変化に大きな差はみられなかった。そ
の変化の様子を示したのが９，９′で９はＯｋの、９′
はＨｃの経時変化をそれぞれ示す。
まず、θ＠ ｇ Ｈｅともに１５０日経過後までは初期
特性を保持していた。その後、まずθには、ゆっくり減
少してゆき、２００日経過後で０．２８”と２層の保Ｓ
膜を設けることによりθ賢の変動を小さく抑制できた。
特性を保持していた。その後、まずθには、ゆっくり減
少してゆき、２００日経過後で０．２８”と２層の保Ｓ
膜を設けることによりθ賢の変動を小さく抑制できた。
これに対してＨｃは、徐々に増加してゆき、２００日後
で３．６ＫＯｅと１層のみの保護膜しか有さない場合よ
りその変動は著しく小さく、本発明により有効に磁気記
録膜を保護することができた。
で３．６ＫＯｅと１層のみの保護膜しか有さない場合よ
りその変動は著しく小さく、本発明により有効に磁気記
録膜を保護することができた。
［実施例３］
作成した磁気ディスクの構造は、実施例１の場合と同様
第１図に示すとおりである。ディスクの作成は、洗浄し
たガラス又は樹脂のディスク基板（１）上に、スパッタ
法により厚さＯ，１μｍのＴ ｂｚａＦ ５ｅｚｃ ｏ
ｔｏなる組成の磁気記録膜（２）を形成した。ひきつづ
き、この膜上に、第１層目の保ａＳとして厚さ０．０５
〜０．１μｍのＮｄとＡＱ合金薄膜を形成した。すなわ
ち、合金薄膜はＮｄとＡｌを二次元同時蒸着法により作
成し、組成比：Ｎｄ／Ａ嚢＝７０／３０〜８０／２０を
有する。この場合、真空度は、蒸着時で４Ｘ１０−７（
Ｔｏｒｒ ）以上、基板は約５℃のＨＯガスにより十分
に冷却した。そして最後に、ＮｂｚＯａ、 ＴａｚＯａ
或いはＣｒｚＯａ薄膜をスパッタ法により形成した。
第１図に示すとおりである。ディスクの作成は、洗浄し
たガラス又は樹脂のディスク基板（１）上に、スパッタ
法により厚さＯ，１μｍのＴ ｂｚａＦ ５ｅｚｃ ｏ
ｔｏなる組成の磁気記録膜（２）を形成した。ひきつづ
き、この膜上に、第１層目の保ａＳとして厚さ０．０５
〜０．１μｍのＮｄとＡＱ合金薄膜を形成した。すなわ
ち、合金薄膜はＮｄとＡｌを二次元同時蒸着法により作
成し、組成比：Ｎｄ／Ａ嚢＝７０／３０〜８０／２０を
有する。この場合、真空度は、蒸着時で４Ｘ１０−７（
Ｔｏｒｒ ）以上、基板は約５℃のＨＯガスにより十分
に冷却した。そして最後に、ＮｂｚＯａ、 ＴａｚＯａ
或いはＣｒｚＯａ薄膜をスパッタ法により形成した。
その時の条件は、Ｎ ｂ ５ｏａｒ Ｔ ａ ｇｏｓ、
或いはＣｒｚＯａをターゲットとし、Ａｒ／Ｈｚ 〜９
０／１０混合ガスを放電ガスに用いて、ＲＦｆｆｉ力Ｉ
Ｗ／ｄにて１０〜１５分スパッタして０．１μｍ膜厚の
２層目の保護膜を形成した。比較のために、第１層目の
保ａＳを有していないディスクもいっしょに作成した。
或いはＣｒｚＯａをターゲットとし、Ａｒ／Ｈｚ 〜９
０／１０混合ガスを放電ガスに用いて、ＲＦｆｆｉ力Ｉ
Ｗ／ｄにて１０〜１５分スパッタして０．１μｍ膜厚の
２層目の保護膜を形成した。比較のために、第１層目の
保ａＳを有していないディスクもいっしょに作成した。
こうして作成した光磁気ディスクを温度６０℃、湿度８
０％の環境中に保管したときの保磁カニＨｃ及びにｅｒ
ｒ回転角：θにの経時変化を測定した。その結果を第４
図に示す、この図は、縦軸にＫｅｒｒ回転角及び保磁力
を、横軸に日数をとっである。まず、ディスク作成直後
の特性は、いずれのディスクともＨｃ 〜３ Ｋ Ｏｅ
、θ１＝０．３７ °であった。まず、第１層目の保
護膜が無いディスクの場合のθｈの変化を曲線１０に、
Ｈｅの変化を曲線１０′に示す、まず、Ｏｋ及びＨａと
も１１０日経過後まで初期特性の変化はみられなかった
。その後Ｏｋは徐々に減少しはじめ、２００日経過後で
は０．２４＠どなった。また、ＨＣは、１１０日後より
逆にゆっくりと上昇してゆき２００日後まで４．２ＫＯ
ａとなった。これに対し、本発明の保Ｓ膜を用いた場合
は、二層目の保護膜の材質に関係なく、同一の特性を有
した。
０％の環境中に保管したときの保磁カニＨｃ及びにｅｒ
ｒ回転角：θにの経時変化を測定した。その結果を第４
図に示す、この図は、縦軸にＫｅｒｒ回転角及び保磁力
を、横軸に日数をとっである。まず、ディスク作成直後
の特性は、いずれのディスクともＨｃ 〜３ Ｋ Ｏｅ
、θ１＝０．３７ °であった。まず、第１層目の保
護膜が無いディスクの場合のθｈの変化を曲線１０に、
Ｈｅの変化を曲線１０′に示す、まず、Ｏｋ及びＨａと
も１１０日経過後まで初期特性の変化はみられなかった
。その後Ｏｋは徐々に減少しはじめ、２００日経過後で
は０．２４＠どなった。また、ＨＣは、１１０日後より
逆にゆっくりと上昇してゆき２００日後まで４．２ＫＯ
ａとなった。これに対し、本発明の保Ｓ膜を用いた場合
は、二層目の保護膜の材質に関係なく、同一の特性を有
した。
まず１４０日経過後までは、初期特性を保っていた。１
４０日後からθ賢は徐々に減少しはじめ、２００日後で
０．３０°とその減少量は著しく小さくなった。また、
Ｈｃは、１５０日後からゆっくりと上昇してゆき、２０
０日後で３．５ＫＯｅであった。このように、本発明に
より有効に磁気記録膜を保護することができた。
４０日後からθ賢は徐々に減少しはじめ、２００日後で
０．３０°とその減少量は著しく小さくなった。また、
Ｈｃは、１５０日後からゆっくりと上昇してゆき、２０
０日後で３．５ＫＯｅであった。このように、本発明に
より有効に磁気記録膜を保護することができた。
［実施例４コ
作成した磁気ディスクの構造は、実施例１と同様第１図
に示すとおりである。ディスクの作成は、洗浄したガラ
スまたは樹脂のディスク基板（１）上に、スパッタ法に
より厚さ０．１μｍのＴｂｚａＦ ｅ ＠ｚＣｏ １ｏ
なる組成の磁気記録膜（２）を形成した。ひきつづき、
この膜上第１層目の保護膜として厚さ０．０５〜０．１
μｍのＰｒとＡＱ合金薄膜を二元同時蒸着法により形成
した。混合比はＰ ｒ ／ Ａ Ｑ ＝ ７０ ／ ３
０〜８０ ／ ２０である。この時の条件は、実施例３
と同様である。そして最後に、ＡＱＮ或いはＴａａＮａ
薄膜をスパッタ法により形成した。その時の条件は、Ａ
ＱＮ或いはＴａａＮｇをターゲットに用い、Ａｒ／Ｎｚ
＝８０／２０〜７０／３０混合ガスを放電ガスに用いて
、ＲＦ電力ＩＷ／ｃｄにて１０〜１５分スパッタして０
．１μｍ膜厚の２層目の保護膜を形成した。比較のため
に、第１層目の保護膜を有していないディスクも合わせ
て作成した。こうして作成した光磁気ディスクを温度６
０℃、湿度８０％の環境中に保管したときの保磁カニＨ
ｃ、及びＫｅｒｒ回転角；θにの経時変化を測定した。
に示すとおりである。ディスクの作成は、洗浄したガラ
スまたは樹脂のディスク基板（１）上に、スパッタ法に
より厚さ０．１μｍのＴｂｚａＦ ｅ ＠ｚＣｏ １ｏ
なる組成の磁気記録膜（２）を形成した。ひきつづき、
この膜上第１層目の保護膜として厚さ０．０５〜０．１
μｍのＰｒとＡＱ合金薄膜を二元同時蒸着法により形成
した。混合比はＰ ｒ ／ Ａ Ｑ ＝ ７０ ／ ３
０〜８０ ／ ２０である。この時の条件は、実施例３
と同様である。そして最後に、ＡＱＮ或いはＴａａＮａ
薄膜をスパッタ法により形成した。その時の条件は、Ａ
ＱＮ或いはＴａａＮｇをターゲットに用い、Ａｒ／Ｎｚ
＝８０／２０〜７０／３０混合ガスを放電ガスに用いて
、ＲＦ電力ＩＷ／ｃｄにて１０〜１５分スパッタして０
．１μｍ膜厚の２層目の保護膜を形成した。比較のため
に、第１層目の保護膜を有していないディスクも合わせ
て作成した。こうして作成した光磁気ディスクを温度６
０℃、湿度８０％の環境中に保管したときの保磁カニＨ
ｃ、及びＫｅｒｒ回転角；θにの経時変化を測定した。
その結果を第５図に示す、この図は、縦軸にＫａｒｒ回
転角及び保磁力を、横軸には日数をとっである。まず、
ディスク作成直後の特性は、いずれのディスクともＨｃ
＝３ＫＯｓ、θｈ＝０．３７＠であった。まず、第１層
目の保護膜が無いディスクの場合のθ−の変化を曲線１
２に、Ｈｃの変化を曲線１２′にそれぞれ示した。ＡΩ
Ｎ、ＴａδＮ６のいずれを保護膜に用いた場合とも、そ
の保護効果に差はみられなかった。まず、Ｏｋ及びＨｅ
とも１１０日経過後まで、初期特性の変化はみられなか
った。その後、θｈは徐々に減少しはじめ、２００日経
過後では０．２３°となった。また、Ｈｃは１１０日後
付近から徐々に上昇をはじめ、２００日経過後で４．１
ＫＯｅとなった。これに対し、本発明のＰｒ／Ａ１１−
ＡｆｌＮまたはＰｒ／Ａｌ−ＴａａＮ＋ｓのいずれを保
Ｗ膜に用いた場合とも保護効果に差はみられなかった。
転角及び保磁力を、横軸には日数をとっである。まず、
ディスク作成直後の特性は、いずれのディスクともＨｃ
＝３ＫＯｓ、θｈ＝０．３７＠であった。まず、第１層
目の保護膜が無いディスクの場合のθ−の変化を曲線１
２に、Ｈｃの変化を曲線１２′にそれぞれ示した。ＡΩ
Ｎ、ＴａδＮ６のいずれを保護膜に用いた場合とも、そ
の保護効果に差はみられなかった。まず、Ｏｋ及びＨｅ
とも１１０日経過後まで、初期特性の変化はみられなか
った。その後、θｈは徐々に減少しはじめ、２００日経
過後では０．２３°となった。また、Ｈｃは１１０日後
付近から徐々に上昇をはじめ、２００日経過後で４．１
ＫＯｅとなった。これに対し、本発明のＰｒ／Ａ１１−
ＡｆｌＮまたはＰｒ／Ａｌ−ＴａａＮ＋ｓのいずれを保
Ｗ膜に用いた場合とも保護効果に差はみられなかった。
そして、Ｏｋ及びＨｃの劣化曲線を曲線１２及び１２′
にそれぞれ示す、まず、約１５０日経過後までは、θｈ
、Ｈｃ とも光磁気特性の変化はみられなかった。こ
れに対して、１５０８後より、θ、は徐々に小さくなり
、２００日後で０．３０°となった。また、Ｈａは１５
０日後よりわずかずつ上昇し、２００日経過後で約３．
５ＫＯｅとなった１以上のことから１本発明の二層構造
を有する保護膜を用いることにより、磁性膜の耐食性を
著しく向上させることができた。
にそれぞれ示す、まず、約１５０日経過後までは、θｈ
、Ｈｃ とも光磁気特性の変化はみられなかった。こ
れに対して、１５０８後より、θ、は徐々に小さくなり
、２００日後で０．３０°となった。また、Ｈａは１５
０日後よりわずかずつ上昇し、２００日経過後で約３．
５ＫＯｅとなった１以上のことから１本発明の二層構造
を有する保護膜を用いることにより、磁性膜の耐食性を
著しく向上させることができた。
本発明によれば、第１層目の保護膜が犠牲電極として作
用することにより磁気記録膜の腐食を有効に防止するこ
とができるので、ディスク寿命を著しく長くする効果が
ある１本発明は特に、保護膜中にピンホールやクラック
の存在により磁気記録膜が露出している場合に有効に機
能する。
用することにより磁気記録膜の腐食を有効に防止するこ
とができるので、ディスク寿命を著しく長くする効果が
ある１本発明は特に、保護膜中にピンホールやクラック
の存在により磁気記録膜が露出している場合に有効に機
能する。
第１図は光磁気ディスクの断面構造の模式図。
第２図〜第５図は光磁気ディスクの光磁気特性の経時変
化を示す図である。 １・・・ガラス又は樹脂製ディスク基板、２・・・磁気
記録膜、３・・・第１層目の保ｉｉ！ｌ＃膜、４・・・
第２層目の保護膜、５・・・Ｔｉ、Ｃｕ、或いはＺｒの
みの一層からなる保護膜を用いた光磁気ディスクの光磁
気特性の劣化曲線、６．６’−Ｌａ−Ｔｉ、Ｅｕ−Ｃｕ
の組み合わせの二層よりなる保７ｓ膜を用いた光磁気デ
ィスクの光磁気特性の劣化曲線、７゜７′・・・Ｓｍ−
Ｚｒの組み合せの二層よりなる保護膜を用いた光磁気デ
ィスクの光磁気特性の劣化曲線、８，８′・・・ＷＣ，
或いはＭ ｏ Ｃのみの一層からなる保護膜を用いた光
磁気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、９．９’−Ｃｅ
−ＷＣ，Ｇｄ−Ｍ ｏ Ｃの組合せの二層よりなる保護
膜を用いた光磁気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、１
０゜１０’ ・＝ＮｂｚＯＩＩ、Ｔａｘｅｓ、及びＣｒ
ｘＯｓのみの一層からなる保護膜を用いた光磁気ディス
クの光磁気特性の劣化曲線、１１．１１’・・・第１層
目の保護膜にＮｄ／ＡＱ合金を、第２層目の保護膜にＮ
ｂｘＯａ、Ｔａｘｅｓ、或いはＣｒｚＯａを用いた光磁
気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、１２゜１２′・・
・Ａｌ２Ｎ、ＴａａＮａのみの一層よりなる保護膜を用
いた光磁気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、１３ 、
１３ ’ ・＝ Ｐ ｒ ／ Ａ Ｑ −Ａ Ｑ Ｎ
、 Ｐ ｒ／ Ａ ｎ −Ｔ ａ ｓ Ｎ ｓの組合せ
の二層よりなる保護膜早 １Ｉｆｌ 乙 ８ 数 （ｇ） 第 ３ 目 Ｂ 牧 （日〕 菓 ４ 国 日数（８）
化を示す図である。 １・・・ガラス又は樹脂製ディスク基板、２・・・磁気
記録膜、３・・・第１層目の保ｉｉ！ｌ＃膜、４・・・
第２層目の保護膜、５・・・Ｔｉ、Ｃｕ、或いはＺｒの
みの一層からなる保護膜を用いた光磁気ディスクの光磁
気特性の劣化曲線、６．６’−Ｌａ−Ｔｉ、Ｅｕ−Ｃｕ
の組み合わせの二層よりなる保７ｓ膜を用いた光磁気デ
ィスクの光磁気特性の劣化曲線、７゜７′・・・Ｓｍ−
Ｚｒの組み合せの二層よりなる保護膜を用いた光磁気デ
ィスクの光磁気特性の劣化曲線、８，８′・・・ＷＣ，
或いはＭ ｏ Ｃのみの一層からなる保護膜を用いた光
磁気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、９．９’−Ｃｅ
−ＷＣ，Ｇｄ−Ｍ ｏ Ｃの組合せの二層よりなる保護
膜を用いた光磁気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、１
０゜１０’ ・＝ＮｂｚＯＩＩ、Ｔａｘｅｓ、及びＣｒ
ｘＯｓのみの一層からなる保護膜を用いた光磁気ディス
クの光磁気特性の劣化曲線、１１．１１’・・・第１層
目の保護膜にＮｄ／ＡＱ合金を、第２層目の保護膜にＮ
ｂｘＯａ、Ｔａｘｅｓ、或いはＣｒｚＯａを用いた光磁
気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、１２゜１２′・・
・Ａｌ２Ｎ、ＴａａＮａのみの一層よりなる保護膜を用
いた光磁気ディスクの光磁気特性の劣化曲線、１３ 、
１３ ’ ・＝ Ｐ ｒ ／ Ａ Ｑ −Ａ Ｑ Ｎ
、 Ｐ ｒ／ Ａ ｎ −Ｔ ａ ｓ Ｎ ｓの組合せ
の二層よりなる保護膜早 １Ｉｆｌ 乙 ８ 数 （ｇ） 第 ３ 目 Ｂ 牧 （日〕 菓 ４ 国 日数（８）
Claims (1)
- １、ガラス或いは有機高分子物質の基板を用いた光磁気
ディスクにおいて、磁気記録膜上に、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ
、Ｌａ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＥｕのうちから選ばれる少なく
とも１種類の金属或いはその合金の薄膜を第１層目の保
護膜として形成し、さらにその上にＴｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌから成る元素群のう
ちから選ばれる少なくとも１種類以上の金属単体或いは
その窒化物、炭化物、酸化物の薄膜を第２層目の保護膜
として形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075886A JPS62267944A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075886A JPS62267944A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62267944A true JPS62267944A (ja) | 1987-11-20 |
Family
ID=14543815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11075886A Pending JPS62267944A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62267944A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296951A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-09 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02199645A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5545477A (en) * | 1987-11-25 | 1996-08-13 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US6214482B1 (en) * | 1990-01-31 | 2001-04-10 | Information Business Machines Corporation | Dielectric-layer for magneto-optic storage media structures |
| US8906523B2 (en) | 2008-08-11 | 2014-12-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
| US9334557B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-05-10 | Sapurast Research Llc | Method for sputter targets for electrolyte films |
| US9532453B2 (en) | 2009-09-01 | 2016-12-27 | Sapurast Research Llc | Printed circuit board with integrated thin film battery |
| US9634296B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-04-25 | Sapurast Research Llc | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US9786873B2 (en) | 2008-01-11 | 2017-10-10 | Sapurast Research Llc | Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices |
| US9793523B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-10-17 | Sapurast Research Llc | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US10680277B2 (en) | 2010-06-07 | 2020-06-09 | Sapurast Research Llc | Rechargeable, high-density electrochemical device |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11075886A patent/JPS62267944A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5545477A (en) * | 1987-11-25 | 1996-08-13 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
| JPH0296951A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-09 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02199645A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| US6214482B1 (en) * | 1990-01-31 | 2001-04-10 | Information Business Machines Corporation | Dielectric-layer for magneto-optic storage media structures |
| US9634296B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-04-25 | Sapurast Research Llc | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
| US9793523B2 (en) | 2002-08-09 | 2017-10-17 | Sapurast Research Llc | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
| US9334557B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-05-10 | Sapurast Research Llc | Method for sputter targets for electrolyte films |
| US9786873B2 (en) | 2008-01-11 | 2017-10-10 | Sapurast Research Llc | Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices |
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| US9532453B2 (en) | 2009-09-01 | 2016-12-27 | Sapurast Research Llc | Printed circuit board with integrated thin film battery |
| US10680277B2 (en) | 2010-06-07 | 2020-06-09 | Sapurast Research Llc | Rechargeable, high-density electrochemical device |
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