JPS62159341A - 磁気記録膜 - Google Patents
磁気記録膜Info
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- JPS62159341A JPS62159341A JP53586A JP53586A JPS62159341A JP S62159341 A JPS62159341 A JP S62159341A JP 53586 A JP53586 A JP 53586A JP 53586 A JP53586 A JP 53586A JP S62159341 A JPS62159341 A JP S62159341A
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- JP
- Japan
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- film
- protective film
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- magnetic recording
- oxygen
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光を用いて記録、再生、消去を行う
光磁気記録等の磁気記録膜に係り、特に酸素或いは水分
等からの記録媒体の保護に関する。
光磁気記録等の磁気記録膜に係り、特に酸素或いは水分
等からの記録媒体の保護に関する。
近年、高密度で大容量の情報の任意読出し及び書換え可
能な光磁気記録が注目されている。この光磁気記録媒体
として、希土類−鉄族系非晶質膜が研究の中心にある。
能な光磁気記録が注目されている。この光磁気記録媒体
として、希土類−鉄族系非晶質膜が研究の中心にある。
しかしながら、この材料は酸素や水分と反応し酸化物或
いは水酸化物を形成しやすくそのために光磁気ディスク
の特性、特にカー回転角の劣化或いは保磁力の変動等が
起つていた。そこで従来の光磁気ディスクは、記録媒体
を保護すルタａｌ）４Ｃ８ｉ Ｏｓｓ Ｓ ｉ Ｏ，Ｓ
１ａＮａ。
いは水酸化物を形成しやすくそのために光磁気ディスク
の特性、特にカー回転角の劣化或いは保磁力の変動等が
起つていた。そこで従来の光磁気ディスクは、記録媒体
を保護すルタａｌ）４Ｃ８ｉ Ｏｓｓ Ｓ ｉ Ｏ，Ｓ
１ａＮａ。
ＡＱＮ等を用いて、記録媒体上に約１０００人の保護膜
層を形成していた。この例として特開昭５９−１７１０
５５をあげることができる。
層を形成していた。この例として特開昭５９−１７１０
５５をあげることができる。
ところで、先に述べた材料のうち、酸化物を用いて保護
膜を形成しても、十分な効果が得られず。
膜を形成しても、十分な効果が得られず。
時間と共にカー回転角、保磁力−ｆＪ＜変化した。その
原因は、保護膜中に存在する酸素或いは外部から保護膜
中を拡散してきた水や酸素と記録膜とが反応し、記録媒
体／保護膜界面に酸化物層が形成されるためであると考
えられる。そこで、光磁気ディスクの特性の安定化及び
長寿命化を目ざすには、この点を解決することが必要で
ある。
原因は、保護膜中に存在する酸素或いは外部から保護膜
中を拡散してきた水や酸素と記録膜とが反応し、記録媒
体／保護膜界面に酸化物層が形成されるためであると考
えられる。そこで、光磁気ディスクの特性の安定化及び
長寿命化を目ざすには、この点を解決することが必要で
ある。
本発明の目的は、磁気記録媒体を大気中の酸素や水分か
ら保護し、光磁気特性の劣化を防止するのに有用な保護
手段を提供することにある。
ら保護し、光磁気特性の劣化を防止するのに有用な保護
手段を提供することにある。
希土類−鉄族を光磁気記録媒体として用いる場合には、
先に述べたように酸素や水分から記録媒体を保護する必
要がある。そのために設けられたのが保護膜である。従
来の保護膜の作用は、記録媒体膜−ヒに保護膜層を形成
することにより、記録媒体を外界から遮断して保護して
いる。ここで、保護膜材料として酸化物を用いると、膜
形成時に薄膜中に酸素をとり込んだり、膜表面が酸化さ
れたりするため、時間の経過とともに磁気特性が劣化す
るため、酸化物以外の保護膜材料について検討したとこ
ろ、金属炭化物が有効な材料であることを見出した。
先に述べたように酸素や水分から記録媒体を保護する必
要がある。そのために設けられたのが保護膜である。従
来の保護膜の作用は、記録媒体膜−ヒに保護膜層を形成
することにより、記録媒体を外界から遮断して保護して
いる。ここで、保護膜材料として酸化物を用いると、膜
形成時に薄膜中に酸素をとり込んだり、膜表面が酸化さ
れたりするため、時間の経過とともに磁気特性が劣化す
るため、酸化物以外の保護膜材料について検討したとこ
ろ、金属炭化物が有効な材料であることを見出した。
金属炭化物は、化学的に非常に安定な物質であり、化合
物中にもまた作成プロセス中にも酸素を含んでいないの
で、保護膜作成時及び作成後に保護膜中に存在する酸素
により記録媒体が酸化されることはない。また、スパッ
タ法により作成した金属炭化物膜は、非常に緻密な膜で
遮断効果に優れており、保護膜中を酸素や水分が拡散す
るのを抑制できることを見出した。この保護膜の作成方
法として、金属炭化物をターゲットとしてＡｒ’ｌ’Ｊ
囲気でスパッタする方法と、金属をターゲットとしてＣ
ｘ Ｈｚ、ＣＨｔ を放電ガスとして反応性スパッタに
より作成する方法の２つがある。両者について検討した
結果、得られる保護膜の膜質に差はみられなかった。そ
して各種炭化物薄膜を作成して記録膜の保護作用につい
て検討した結果、ｓｊ。
物中にもまた作成プロセス中にも酸素を含んでいないの
で、保護膜作成時及び作成後に保護膜中に存在する酸素
により記録媒体が酸化されることはない。また、スパッ
タ法により作成した金属炭化物膜は、非常に緻密な膜で
遮断効果に優れており、保護膜中を酸素や水分が拡散す
るのを抑制できることを見出した。この保護膜の作成方
法として、金属炭化物をターゲットとしてＡｒ’ｌ’Ｊ
囲気でスパッタする方法と、金属をターゲットとしてＣ
ｘ Ｈｚ、ＣＨｔ を放電ガスとして反応性スパッタに
より作成する方法の２つがある。両者について検討した
結果、得られる保護膜の膜質に差はみられなかった。そ
して各種炭化物薄膜を作成して記録膜の保護作用につい
て検討した結果、ｓｊ。
Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ＋ Ｖｅ Ｎｂ、Ｔｏ、Ｗ、Ｍ。
の炭化物或いはこれらの複数の元素からなる炭化物が最
も、化学的に安定でかつ良好な保護作用を示すことがわ
かった。
も、化学的に安定でかつ良好な保護作用を示すことがわ
かった。
以下１本発明の詳細を実施例１〜４を用いて説明する。
実施例１
試料セルの構造は第１図に示すように洗浄したガラスエ
ポキシ樹脂またはポリカーボネイト樹脂基板１上にスパ
ッタ法により記録膜となるＴｂａｘ。
ポキシ樹脂またはポリカーボネイト樹脂基板１上にスパ
ッタ法により記録膜となるＴｂａｘ。
Ｆ ｅ ｓｒ、ｚｃ ｏ １ｘ、ｘ系非晶質薄膜２を形
成する。その上にＭ ｏ Ｃ、Ｂ Ｃ、Ｔ ｉ Ｃ及び
ＷＣをそれぞれターゲットに、Ａｒを放電ガスに用い、
内圧：３Ｘ １０−”（Ｔｏｒｒ）高周波型カニ２５Ｗ
／ａ＃にて１時間スパッタして膜厚約０．５〜１μｍの
保護１１！！３を作成した。作成後ただちに、カー回転
角：Ｏｋ及び保磁カニＦＩｃを測定したところ、θに＝
０ 、４０ ” Ｈｃ ＝ ２ 、３ ｋ Ｏｅであっ
た。その後に高速劣化試験を温度６５℃、湿度９０％の
条件にて行い、Ｏｋ及びｌｉｅの経時変化を測定した。
成する。その上にＭ ｏ Ｃ、Ｂ Ｃ、Ｔ ｉ Ｃ及び
ＷＣをそれぞれターゲットに、Ａｒを放電ガスに用い、
内圧：３Ｘ １０−”（Ｔｏｒｒ）高周波型カニ２５Ｗ
／ａ＃にて１時間スパッタして膜厚約０．５〜１μｍの
保護１１！！３を作成した。作成後ただちに、カー回転
角：Ｏｋ及び保磁カニＦＩｃを測定したところ、θに＝
０ 、４０ ” Ｈｃ ＝ ２ 、３ ｋ Ｏｅであっ
た。その後に高速劣化試験を温度６５℃、湿度９０％の
条件にて行い、Ｏｋ及びｌｉｅの経時変化を測定した。
その結果を第２図に示す。
まず基板による特性の差はほとんどみられなかった。こ
の図は、初期のＯｋ、Ｈａに対する変化率を表わしたも
ので、曲線４は従来から使われてきた５ｉＯ１を保護膜
として用いた場合、曲線５は本発明のＭ ｏ に 、
Ｂ Ｃ’、 、 Ｔ ｉ Ｃ及びＷＣを用いたＩＩｃ、
Ｏｋの検討結果で両者の変化率は同一である。これより
まずＢ Ｃ、Ｔ ＩＣ、Ｍ ｏ Ｃ、Ｗ Ｃの材料によ
る保護効果の差はみられなかった。またＳｉＯ２を保護
膜に用いた場合と比軟すると。
の図は、初期のＯｋ、Ｈａに対する変化率を表わしたも
ので、曲線４は従来から使われてきた５ｉＯ１を保護膜
として用いた場合、曲線５は本発明のＭ ｏ に 、
Ｂ Ｃ’、 、 Ｔ ｉ Ｃ及びＷＣを用いたＩＩｃ、
Ｏｋの検討結果で両者の変化率は同一である。これより
まずＢ Ｃ、Ｔ ＩＣ、Ｍ ｏ Ｃ、Ｗ Ｃの材料によ
る保護効果の差はみられなかった。またＳｉＯ２を保護
膜に用いた場合と比軟すると。
その保護効果は著しく向上している６また。Ｈｅ及びＯ
ｋの経時変化は、５ｉＯｚを用いた場合が２５日後から
徐々に始まり、１００日後でＨｅが３２％、Ｏｋが３８
％それぞれ減少した。これに対し、本発明の金属カーバ
イドを用いた場合は、６０日後かられずかに減少しはじ
め、１００日後で４％とその減少率は極めて小さく記録
媒体の保護膜として有効である。
ｋの経時変化は、５ｉＯｚを用いた場合が２５日後から
徐々に始まり、１００日後でＨｅが３２％、Ｏｋが３８
％それぞれ減少した。これに対し、本発明の金属カーバ
イドを用いた場合は、６０日後かられずかに減少しはじ
め、１００日後で４％とその減少率は極めて小さく記録
媒体の保護膜として有効である。
［実施例２］
作成した試料セルは、第１図に示すように、実施例１の
場合と同様の構造である。そして、洗浄したガラス、エ
ポキシ樹脂及びポリカーボネイト基板１上に実施例１と
同様の手法で形成した記録膜２上にＴａ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎ
ｂ、をターゲットとしＣＨ４を放電ガスに用い、内圧：
３ＸＩＱ−”（Ｔｏｒｒ） 、高周波型カニ２．５Ｗ／
ａＪにて１．０時間スパッタして膜厚約０．５〜１．０
μｍの保護膜３を作成した。作成後ただちに、カー回転
角＝ｏｋ及び保持力）Ｔ ｃを測定したところ、ｏｋ＝
０．４１’ 、Ｈｃ＝２．５ｋｏｅであった。そして、
温度６５℃、湿度９０％の条件にて高速劣化試験を行い
、Ｏｋ及びＨｅの経時変化を測定した。ここで基板材質
の違いによる磁気特性の相違はみられなかった。その結
果、θに及ぞＨｅの経時変化は第２図の曲線６及び７に
示すとおりである。曲線６は、ＺｒＣ及びＶＣを保護膜
として用いた場合で、曲線７は、ＴａＣ及びＮｂＣを保
護膜とじ一〇用いた場合のそれぞれＨｅ及びθにの経時
変化である。この結果から、５ｉＯｚを保護膜として用
いた場合のＨｃ及びＯｋの経時変化と比較すると、記録
媒体の磁気特性の低下はＳ ｘ Ｏｚより小さく、金属
カーバイドは記録媒体の保護膜として好適である。
場合と同様の構造である。そして、洗浄したガラス、エ
ポキシ樹脂及びポリカーボネイト基板１上に実施例１と
同様の手法で形成した記録膜２上にＴａ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎ
ｂ、をターゲットとしＣＨ４を放電ガスに用い、内圧：
３ＸＩＱ−”（Ｔｏｒｒ） 、高周波型カニ２．５Ｗ／
ａＪにて１．０時間スパッタして膜厚約０．５〜１．０
μｍの保護膜３を作成した。作成後ただちに、カー回転
角＝ｏｋ及び保持力）Ｔ ｃを測定したところ、ｏｋ＝
０．４１’ 、Ｈｃ＝２．５ｋｏｅであった。そして、
温度６５℃、湿度９０％の条件にて高速劣化試験を行い
、Ｏｋ及びＨｅの経時変化を測定した。ここで基板材質
の違いによる磁気特性の相違はみられなかった。その結
果、θに及ぞＨｅの経時変化は第２図の曲線６及び７に
示すとおりである。曲線６は、ＺｒＣ及びＶＣを保護膜
として用いた場合で、曲線７は、ＴａＣ及びＮｂＣを保
護膜とじ一〇用いた場合のそれぞれＨｅ及びθにの経時
変化である。この結果から、５ｉＯｚを保護膜として用
いた場合のＨｃ及びＯｋの経時変化と比較すると、記録
媒体の磁気特性の低下はＳ ｘ Ｏｚより小さく、金属
カーバイドは記録媒体の保護膜として好適である。
［実施例３］
作成した試料セルは、第１図に示すように、実施例１の
場合と同様の構造である。すなオ）ち、洗浄したガラス
、エポキシ樹脂及びポリカーボネイト基板を上に実施例
１の場合と同一の条件で形成した記録膜２上にＨｆ、Ｓ
ｉ或いはＴｉをターゲラ１〜とし、ＣｚＨｘを放電ガス
に用いて、内圧＝３Ｘ １０−２（Ｔｏｒｒ）、高周波
型カニ ２．５Ｗ／ｃｄにて１時間の反応性スパッタを
行い、０．５〜１．０μｍの膜厚の保護膜３を作成した
。作成後ただちに、カー回転角：Ｏｋ及び保磁力Ｈｅを
測定したところ、Ｏｋ ＝ ０ 、４０ ” 、 Ｈｃ
＝ ２ 、３ ｋ Ｏｅであった。そして、温度６５
℃、湿度９０％の条件にて高速劣化試験を行い、Ｏｋ及
びＨｃの経時変化を測定した。その結果、Ｏｋ及びＨｃ
の経時変化は、いずれの材料を用いた場合も第２図の曲
線７に示すとおりである。この結果から、５ｉＯｚを保
護膜として用いた場合のＨｃ、及びθにの経時変化と比
較すると、記録媒体の磁気特性の低下は５ｉＯｚを用い
たセルより著しく小さく、Ｈｆｃ、ＳｉＣは保護膜とし
て有用である。
場合と同様の構造である。すなオ）ち、洗浄したガラス
、エポキシ樹脂及びポリカーボネイト基板を上に実施例
１の場合と同一の条件で形成した記録膜２上にＨｆ、Ｓ
ｉ或いはＴｉをターゲラ１〜とし、ＣｚＨｘを放電ガス
に用いて、内圧＝３Ｘ １０−２（Ｔｏｒｒ）、高周波
型カニ ２．５Ｗ／ｃｄにて１時間の反応性スパッタを
行い、０．５〜１．０μｍの膜厚の保護膜３を作成した
。作成後ただちに、カー回転角：Ｏｋ及び保磁力Ｈｅを
測定したところ、Ｏｋ ＝ ０ 、４０ ” 、 Ｈｃ
＝ ２ 、３ ｋ Ｏｅであった。そして、温度６５
℃、湿度９０％の条件にて高速劣化試験を行い、Ｏｋ及
びＨｃの経時変化を測定した。その結果、Ｏｋ及びＨｃ
の経時変化は、いずれの材料を用いた場合も第２図の曲
線７に示すとおりである。この結果から、５ｉＯｚを保
護膜として用いた場合のＨｃ、及びθにの経時変化と比
較すると、記録媒体の磁気特性の低下は５ｉＯｚを用い
たセルより著しく小さく、Ｈｆｃ、ＳｉＣは保護膜とし
て有用である。
［実施例４］
作成した試料セルは、第１図に示すように、実施例１の
場合と同様の構造である。すなわち洗浄したガラス、エ
ポキシ樹脂及びポリカーボネイト樹脂基板１上に実施例
１の場合と同一の条件で形成した記録膜２上にＷＣとＭ
ｏ Ｃ混合物をターゲットとし、Ａｒを放電ガスに用
いて、内圧：３Ｘ１０’″”（Ｔｏｒｒ）高周波型カニ
２．５Ｗ／ｄにて１時間スパッタして約０．５〜１μ
ｍの膜厚の保護膜３を作成した。作成後ただちに、カー
回転角二〇ｋ及び保磁力Ｈｅを測定したところ、θに＝
０．４１＠、Ｈｃ＝２．３ＫＯｅであった。そして、温
度６５℃、温度９０％の条件にて高速劣化試験を行い、
Ｏｋ及びＨｅの経時変化を測定した。その結果Ｏｋ及び
Ｈｃの経時変化は第２図の曲線８に示すとおりである。
場合と同様の構造である。すなわち洗浄したガラス、エ
ポキシ樹脂及びポリカーボネイト樹脂基板１上に実施例
１の場合と同一の条件で形成した記録膜２上にＷＣとＭ
ｏ Ｃ混合物をターゲットとし、Ａｒを放電ガスに用
いて、内圧：３Ｘ１０’″”（Ｔｏｒｒ）高周波型カニ
２．５Ｗ／ｄにて１時間スパッタして約０．５〜１μ
ｍの膜厚の保護膜３を作成した。作成後ただちに、カー
回転角二〇ｋ及び保磁力Ｈｅを測定したところ、θに＝
０．４１＠、Ｈｃ＝２．３ＫＯｅであった。そして、温
度６５℃、温度９０％の条件にて高速劣化試験を行い、
Ｏｋ及びＨｅの経時変化を測定した。その結果Ｏｋ及び
Ｈｃの経時変化は第２図の曲線８に示すとおりである。
ここで、基板の材質の違いによる、磁気特性の経時変化
はみられずＯｋ及びＨｃの経時変化は、同一の曲線を描
いた。この結果から、Ｓｉｎｇを保護膜として用いた場
合のＨｃ及びｆｌ）ｋの経時変化と比較すると、記録媒
体の磁気特性の低下は５ｉＯｚより著しく小さく複合金
属カーバイトを用いた場合も記録媒体の保護膜として有
用である。
はみられずＯｋ及びＨｃの経時変化は、同一の曲線を描
いた。この結果から、Ｓｉｎｇを保護膜として用いた場
合のＨｃ及びｆｌ）ｋの経時変化と比較すると、記録媒
体の磁気特性の低下は５ｉＯｚより著しく小さく複合金
属カーバイトを用いた場合も記録媒体の保護膜として有
用である。
また、実施例１〜４の結果より、カーバイド化する母金
属の種類や炭化物薄膜の作製法によらず。
属の種類や炭化物薄膜の作製法によらず。
その（！ 護効果は一定で、５ｉＯｚ等の酸化物を保護
膜に用いた場合より、著しく効果が向上している。しか
し、反応性スパッタ法により炭化物薄膜を作成すると、
炭化物薄膜中にスパッタガスが取り込まれそのガスが、
炭化物薄膜を安定化することが考えられ、保護膜作成の
手法として最も適している。
膜に用いた場合より、著しく効果が向上している。しか
し、反応性スパッタ法により炭化物薄膜を作成すると、
炭化物薄膜中にスパッタガスが取り込まれそのガスが、
炭化物薄膜を安定化することが考えられ、保護膜作成の
手法として最も適している。
本発明によれば、磁気記録膜の保護のために、金属カー
バイド薄膜を用いる。この薄膜は非常に緻密であり化学
的にも安定であることから、磁気記録膜を外界から完全
に遮断する効果がある。さらに、この保護膜形成をＡｒ
雰囲気戒い゛はＣＨ４やＣｘ Ｈｘ雰囲気で行うため、
記録膜表面を酸化する等のダメージを与える心配もない
。その結果として、磁気記録膜の特性を長期間維持する
効果がある。この他、金属カーバイドは非常に硬い物質
であるため、光デイスク表面に金属カーバイド膜を形成
すると、ディスクの機械的強度を大幅に増すという効果
を見出した。この他、本発明で見出した保護適用の金属
カーバイドは、熱膨張係数が記録膜とほぼ同じであるこ
とから、記録膜と保護股との間のストレスを低減する効
果もある。
バイド薄膜を用いる。この薄膜は非常に緻密であり化学
的にも安定であることから、磁気記録膜を外界から完全
に遮断する効果がある。さらに、この保護膜形成をＡｒ
雰囲気戒い゛はＣＨ４やＣｘ Ｈｘ雰囲気で行うため、
記録膜表面を酸化する等のダメージを与える心配もない
。その結果として、磁気記録膜の特性を長期間維持する
効果がある。この他、金属カーバイドは非常に硬い物質
であるため、光デイスク表面に金属カーバイド膜を形成
すると、ディスクの機械的強度を大幅に増すという効果
を見出した。この他、本発明で見出した保護適用の金属
カーバイドは、熱膨張係数が記録膜とほぼ同じであるこ
とから、記録膜と保護股との間のストレスを低減する効
果もある。
第１図は、本発明の実施例における試料セルの断面回、
第２図は、実施例および従来例のカー回転角及び保磁力
の経時変化を示す図である。 １・・・基板、２・・・磁気記録膜、３・・・保護膜、
４・・・５ｉＯｚ保護膜のθに、）！ｃの経時変化、５
・・・Ｍ ｏ Ｃ、Ｂ Ｃ、Ｔ ｊ、 Ｃ及びＷＣ保ｓ
膜の経時変化。 ６・・・ＺｒＣ及びＶＣ保護膜の経時変化、７・・・Ｔ
ａＣ，１１ｆＣ，Ｔｉｃ：及びＮｂＣ保護膜の経時変化
、８・・・（Ｗ、 Ｍ ｏ ） Ｃ保護膜の経時変化。
第２図は、実施例および従来例のカー回転角及び保磁力
の経時変化を示す図である。 １・・・基板、２・・・磁気記録膜、３・・・保護膜、
４・・・５ｉＯｚ保護膜のθに、）！ｃの経時変化、５
・・・Ｍ ｏ Ｃ、Ｂ Ｃ、Ｔ ｊ、 Ｃ及びＷＣ保ｓ
膜の経時変化。 ６・・・ＺｒＣ及びＶＣ保護膜の経時変化、７・・・Ｔ
ａＣ，１１ｆＣ，Ｔｉｃ：及びＮｂＣ保護膜の経時変化
、８・・・（Ｗ、 Ｍ ｏ ） Ｃ保護膜の経時変化。
Claims (1)
- Ｓｉ、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｏ、Ｗ、Ｍ
ｏのうちから選ばれる少なくとも１種類の元素の炭化物
を磁気記録媒体の保護膜として用いたことを特徴とする
磁気記録膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53586A JPS62159341A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 磁気記録膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53586A JPS62159341A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 磁気記録膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159341A true JPS62159341A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=11476451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53586A Pending JPS62159341A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 磁気記録膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634419A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Konica Corp | 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP53586A patent/JPS62159341A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634419A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-09 | Konica Corp | 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 |
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