JPS634419A - 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 - Google Patents
炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体Info
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- JPS634419A JPS634419A JP14863386A JP14863386A JPS634419A JP S634419 A JPS634419 A JP S634419A JP 14863386 A JP14863386 A JP 14863386A JP 14863386 A JP14863386 A JP 14863386A JP S634419 A JPS634419 A JP S634419A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 77
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- -1 silrefnium Chemical compound 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020514 Co—Y Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000713 I alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018499 Ni—F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910007727 Zr V Inorganic materials 0.000 description 1
- QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co] Chemical compound [Fe].[Co] QVYYOKWPCQYKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
に産業上の利用分野]
本発明は磁気記録に関する各種媒体、例えば磁気テープ
、磁気ディスク、70ツピーデイスク、特にCSSタイ
プの浮上磁気ヘッドを使用する磁気記録再生装置用磁気
記録媒体に関する。
、磁気ディスク、70ツピーデイスク、特にCSSタイ
プの浮上磁気ヘッドを使用する磁気記録再生装置用磁気
記録媒体に関する。
磁気記録に於て、その記録の高密度化が要求されるに伴
い、磁性層はパイング中に磁性粉を懸濁させた磁性塗料
を塗布して磁性粉が離散状態にある離散型磁性層から、
磁性体を稠密に充填できる真空蒸着法、スパッタリング
法で磁性体を支持体等の基面上に連続的に或は断続して
成長、堆積させる堆積型磁性層に移り、更に従来の水平
記録方式から飛躍的に高密化が図れる垂直記録方式が着
口され、実用化の段階に到った。 磁気記録の前記−般的傾向は磁気ディスク分野に於ても
反映されている。即ち5インチディスク等の小型高密度
装置が開発されて小径のディスクが用いられるに及び、
該小径ディスクと磁気ヘッド間の相対速度の低下による
再生出力、S/N比の劣化を出力の大きい高密度化磁性
層に換えることにより補償することが計られている。 前記磁性層は高密度化を狙う限り堆積型であることが必
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、従来の如くバインダ等による磁性層或は磁性体
に対する緩衝作用、表面過擦に対する保護作用がなく、
磁性体は外界がらの物理的衝フ、化学的刺戟に対し無防
備に裸呈し、繰返される記録、再生に対する磁気テープ
、磁気ディスク等の耐用性は甚だ乏しい。 特にコンタクトスタートストップ(CSS)方式の磁気
ディスク装置で相当な向回転をする磁気ディスクに於て
は致命的損傷を蒙る。 前記C8S方式用の磁気ディスクに於ても、従来技術で
は磁性粉を合成樹脂などのバインダに懸濁して磁性塗料
としこれをアルミニウム基板にスピンフートして塗布膜
を形成し、磁気記録媒体の磁性層を構成している。これ
に対し堆積型磁性膜は、鉄や鉄−コバルト、コバルト−
ニッケル系合金などの磁性材料を、スパッタや蒸着、メ
ツキなどの手法で基板上に形成するもので、バインダ(
結合剤)を含まない連続的に堆積生長した柱状結品とな
る。 この堆積型磁性膜は、従来の塗布膜のように合成樹脂な
どのバインダを含む離散型磁性膜に比して磁気特性がよ
<、In工程も簡単になる。また記録密度も向上し高密
度媒体として優れた特性を有するものが得られており、
特にコバルトニッケル系合金膜は材質的にも硬く、磁気
記録媒体として非常に良好なものとして評価されている
。 ところで従来の磁気ディスクと同様にこの堆積型磁性層
を有する磁気ディスクを使用する磁気ディスク装置に対
してもC55(Contact 5tart 5top
)方式が採用される。従って記録再生の作動時には磁気
ヘッドがディスク面から浮上しているが、磁気記録媒体
の回転開始時および停止時のように浮上刃が発生しない
状態では、磁気記録媒体表面と磁気ヘッドのスライダー
が接触し、摺動する。そのため磁気ヘッドが摺動接触す
るヘッドランディングゾーンの磁気記録媒体表面が摩耗
してその磨砕粉が磁気記り媒体の全面に飛散しヘッドク
ラッシュを引き起こす原因となる。したがって磁気記録
媒体表面の摩耗を極力防止することが必要となる。 従って堆積型磁性層を有する磁気記録媒体表面には保、
J層を設は耐摩耗性、表面滑性を上げることが通常であ
り、保:aMとして機械的保護効果、滑面効果更に耐蝕
性を兼噛えるように、炭素、モリブデン、酸化珪素、樹
脂その池の単体、化合物或はそれらの複合素材が工夫さ
れ、保護層素材の特性に合わせてスパッタ法、化′7蒸
着法(CVD)或は塗布法その他によって、出力のスペ
ースロスが許容範囲に収るように多くはO6lμl以下
の保護層が設けられる。しかし酸化シリコン(S;02
)や炭素などの保3!膜においては膜自体の付着強度や
、硬度が小さい等の理由により剥離等が発生し剥離粉に
よりへンドクラッシュ等が発生する。 また強磁性層上に潤滑性のオーバフート層を設け、或は
潤滑性の高い物質を含浸させ強磁性層の表面潤滑性を高
め、磁性層の損傷防止、特性劣化防止が図られている。 しかしながら潤滑剤を塗布すると、潤滑剤で磁気ヘッド
スライダ−が磁気記録媒体面に粘着し、磁気記録媒体が
回転開始する際に磁気ヘッドの支持機構を破損したり、
ヘッドクラッシュを招(恐れがある。
い、磁性層はパイング中に磁性粉を懸濁させた磁性塗料
を塗布して磁性粉が離散状態にある離散型磁性層から、
磁性体を稠密に充填できる真空蒸着法、スパッタリング
法で磁性体を支持体等の基面上に連続的に或は断続して
成長、堆積させる堆積型磁性層に移り、更に従来の水平
記録方式から飛躍的に高密化が図れる垂直記録方式が着
口され、実用化の段階に到った。 磁気記録の前記−般的傾向は磁気ディスク分野に於ても
反映されている。即ち5インチディスク等の小型高密度
装置が開発されて小径のディスクが用いられるに及び、
該小径ディスクと磁気ヘッド間の相対速度の低下による
再生出力、S/N比の劣化を出力の大きい高密度化磁性
層に換えることにより補償することが計られている。 前記磁性層は高密度化を狙う限り堆積型であることが必
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、従来の如くバインダ等による磁性層或は磁性体
に対する緩衝作用、表面過擦に対する保護作用がなく、
磁性体は外界がらの物理的衝フ、化学的刺戟に対し無防
備に裸呈し、繰返される記録、再生に対する磁気テープ
、磁気ディスク等の耐用性は甚だ乏しい。 特にコンタクトスタートストップ(CSS)方式の磁気
ディスク装置で相当な向回転をする磁気ディスクに於て
は致命的損傷を蒙る。 前記C8S方式用の磁気ディスクに於ても、従来技術で
は磁性粉を合成樹脂などのバインダに懸濁して磁性塗料
としこれをアルミニウム基板にスピンフートして塗布膜
を形成し、磁気記録媒体の磁性層を構成している。これ
に対し堆積型磁性膜は、鉄や鉄−コバルト、コバルト−
ニッケル系合金などの磁性材料を、スパッタや蒸着、メ
ツキなどの手法で基板上に形成するもので、バインダ(
結合剤)を含まない連続的に堆積生長した柱状結品とな
る。 この堆積型磁性膜は、従来の塗布膜のように合成樹脂な
どのバインダを含む離散型磁性膜に比して磁気特性がよ
<、In工程も簡単になる。また記録密度も向上し高密
度媒体として優れた特性を有するものが得られており、
特にコバルトニッケル系合金膜は材質的にも硬く、磁気
記録媒体として非常に良好なものとして評価されている
。 ところで従来の磁気ディスクと同様にこの堆積型磁性層
を有する磁気ディスクを使用する磁気ディスク装置に対
してもC55(Contact 5tart 5top
)方式が採用される。従って記録再生の作動時には磁気
ヘッドがディスク面から浮上しているが、磁気記録媒体
の回転開始時および停止時のように浮上刃が発生しない
状態では、磁気記録媒体表面と磁気ヘッドのスライダー
が接触し、摺動する。そのため磁気ヘッドが摺動接触す
るヘッドランディングゾーンの磁気記録媒体表面が摩耗
してその磨砕粉が磁気記り媒体の全面に飛散しヘッドク
ラッシュを引き起こす原因となる。したがって磁気記録
媒体表面の摩耗を極力防止することが必要となる。 従って堆積型磁性層を有する磁気記録媒体表面には保、
J層を設は耐摩耗性、表面滑性を上げることが通常であ
り、保:aMとして機械的保護効果、滑面効果更に耐蝕
性を兼噛えるように、炭素、モリブデン、酸化珪素、樹
脂その池の単体、化合物或はそれらの複合素材が工夫さ
れ、保護層素材の特性に合わせてスパッタ法、化′7蒸
着法(CVD)或は塗布法その他によって、出力のスペ
ースロスが許容範囲に収るように多くはO6lμl以下
の保護層が設けられる。しかし酸化シリコン(S;02
)や炭素などの保3!膜においては膜自体の付着強度や
、硬度が小さい等の理由により剥離等が発生し剥離粉に
よりへンドクラッシュ等が発生する。 また強磁性層上に潤滑性のオーバフート層を設け、或は
潤滑性の高い物質を含浸させ強磁性層の表面潤滑性を高
め、磁性層の損傷防止、特性劣化防止が図られている。 しかしながら潤滑剤を塗布すると、潤滑剤で磁気ヘッド
スライダ−が磁気記録媒体面に粘着し、磁気記録媒体が
回転開始する際に磁気ヘッドの支持機構を破損したり、
ヘッドクラッシュを招(恐れがある。
前記した本発明の目的は、非磁性基体上に磁性層を設け
た磁気記録媒体に於て、該磁性層上に、チタン、バナジ
ウム、クロム、シルレフニウム、ニオブ、モリブチ゛ン
、ハフニウム、タンタル、タングステン、シリコン及び
硼素各元素から選ばれる少なくとも1種と炭素とからな
る組成の保護層を少なくとも−m設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。 尚本発明の3様に於ては、前記少なくとも一層設けられ
る保護層の組成は、前記各元素の少なくとも1種の炭化
物または炭素との固溶体であることが好ましり、1層の
姐成の中に炭化物と炭素固溶体を併せ含んでいてもよい
し、或は複rtL層に五り炭化物と炭素固溶体を別々の
保護層に含んでいてもよい。 本発明に係る保護層は、出力のスペーシングロスを抑え
るために藩い方がよいが薄すぎると保護効果を失うので
0.01〜0.15μl更に0.01〜0.04μlが
好ましい。 本発明に係る炭化物は、硬くて化学的に着しく安定な共
有型炭化物の炭化珪素5iC1炭化硼素LC1更に高融
点で硬く化学的に安定な侵入型炭化物MC及びM’C,
(ここにHはTi、Zr、Iff、V、Nb%Ta、M
n1旧M’はV、 Ta、 Mo、−である)が好まし
く炭化クロムとしてはCraCzが好しい。 更に本発明に係る炭素含有固溶体は、置換型固溶体でも
侵入型固溶体のいづれでもよい、また、本発明に謂う固
溶体には、2種以上の金属元素と炭素の作る一般には金
属間化合物の範時に含まれる化合物を含んでいる。 前記本発明に於る固溶体に於て前記各元素と炭素の原子
比M/C(Mは各元素を表す)は0.1〜10が好まし
い。 前記保護層の炭素に対する各元素の組合せとしては、W
−TiJ−Ta、Cr−Mo、1lr−V、Zr−V、
Ti−Ta、Ti−Zr−tlLCr−No−14、T
i−Ta−等が好ましい。 尚保護層に磁性を生じない範囲に於てNi、Fe、C。 等の強磁性体を混入してもよい、特に徽ユのコバルトの
添加は耐用性向上に効果的である。 また、本発明−二係る磁性体としてはFe、Co、Ni
その他の磁性金属あるいは、Fe−Ba、 Fe−Co
、Fe−^1. Fe −Ni、Co−Ni、Fe−5
i、Fe−Rh、Fe−V、Fc−Cu、Fe−^u、
Co−Cr。 Co−P%Co−V、Co−5i、 Co−Y、 Co
−La%Co −Cr、 Co−1’r%Co−3v、
Co−Mn、Co−PL、Ni−Cu、Co−Ni−F
e、Fe−^/−Ni、Co−Ni−八g1Co−Ni
−CrへCo−Ni−Zn、Co−5i−^i’、Fe
−5i−ΔLM++−[1i、Mu−Sb、 Mu−へ
J!等の合金系磁性金属及びそれらの酸化物(例えばγ
−FezO3、FezO3、Ba7 xライト)等が挙
げられる。ここで好ましくは、coあるいはCo −N
i合fi(Ni含有率30w L%以下)、あるいは
Co−Cr合金(Cr含有率26wt%以下)である。 磁性層厚は0.03〜0.6μsであってよい。 前記本発明に係る保護層及び磁性層は夫々の塗料を調合
して支持体に塗設する塗布型の保護層、磁性層であって
もよい、尚塗布型とする場合、使用するバインダー及び
分散剤等の各種添加剤、フィラーMf2は塗料調合技術
、塗設方法等には従来公知の技術を流用することができ
る。 しかしながら本発明に於ては保護層、磁性層の形成には
気相堆積法を適用することが好ましい。 該気相堆積法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーテング法、化学蒸着法或は対向ターデッド
スパッタ法等が用いられる。 更に本発明に係る保護層、磁性層には連続或は非連続の
亀裂を生成せしめ特性の改善を図ってもよい。 また保1mの上に更に支障の起らぬ程度に補助的に潤滑
剤溶液をオーバコートし潤滑面もしくは潤滑層を設けて
もよい。 また基板としては、A2、陽極酸化被膜(例えばアルマ
イト処理)を設けたAe、N1−Pメツキ処理をほどこ
したA1、ポリイミド、ポリアラミド、ポリカーボネー
ト、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポ
リサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラプルオロ
エチレン、ポリプロピレン等のプラスチックがある。基
板は盤状、フィルム状”911々であってよい。
た磁気記録媒体に於て、該磁性層上に、チタン、バナジ
ウム、クロム、シルレフニウム、ニオブ、モリブチ゛ン
、ハフニウム、タンタル、タングステン、シリコン及び
硼素各元素から選ばれる少なくとも1種と炭素とからな
る組成の保護層を少なくとも−m設けたことを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。 尚本発明の3様に於ては、前記少なくとも一層設けられ
る保護層の組成は、前記各元素の少なくとも1種の炭化
物または炭素との固溶体であることが好ましり、1層の
姐成の中に炭化物と炭素固溶体を併せ含んでいてもよい
し、或は複rtL層に五り炭化物と炭素固溶体を別々の
保護層に含んでいてもよい。 本発明に係る保護層は、出力のスペーシングロスを抑え
るために藩い方がよいが薄すぎると保護効果を失うので
0.01〜0.15μl更に0.01〜0.04μlが
好ましい。 本発明に係る炭化物は、硬くて化学的に着しく安定な共
有型炭化物の炭化珪素5iC1炭化硼素LC1更に高融
点で硬く化学的に安定な侵入型炭化物MC及びM’C,
(ここにHはTi、Zr、Iff、V、Nb%Ta、M
n1旧M’はV、 Ta、 Mo、−である)が好まし
く炭化クロムとしてはCraCzが好しい。 更に本発明に係る炭素含有固溶体は、置換型固溶体でも
侵入型固溶体のいづれでもよい、また、本発明に謂う固
溶体には、2種以上の金属元素と炭素の作る一般には金
属間化合物の範時に含まれる化合物を含んでいる。 前記本発明に於る固溶体に於て前記各元素と炭素の原子
比M/C(Mは各元素を表す)は0.1〜10が好まし
い。 前記保護層の炭素に対する各元素の組合せとしては、W
−TiJ−Ta、Cr−Mo、1lr−V、Zr−V、
Ti−Ta、Ti−Zr−tlLCr−No−14、T
i−Ta−等が好ましい。 尚保護層に磁性を生じない範囲に於てNi、Fe、C。 等の強磁性体を混入してもよい、特に徽ユのコバルトの
添加は耐用性向上に効果的である。 また、本発明−二係る磁性体としてはFe、Co、Ni
その他の磁性金属あるいは、Fe−Ba、 Fe−Co
、Fe−^1. Fe −Ni、Co−Ni、Fe−5
i、Fe−Rh、Fe−V、Fc−Cu、Fe−^u、
Co−Cr。 Co−P%Co−V、Co−5i、 Co−Y、 Co
−La%Co −Cr、 Co−1’r%Co−3v、
Co−Mn、Co−PL、Ni−Cu、Co−Ni−F
e、Fe−^/−Ni、Co−Ni−八g1Co−Ni
−CrへCo−Ni−Zn、Co−5i−^i’、Fe
−5i−ΔLM++−[1i、Mu−Sb、 Mu−へ
J!等の合金系磁性金属及びそれらの酸化物(例えばγ
−FezO3、FezO3、Ba7 xライト)等が挙
げられる。ここで好ましくは、coあるいはCo −N
i合fi(Ni含有率30w L%以下)、あるいは
Co−Cr合金(Cr含有率26wt%以下)である。 磁性層厚は0.03〜0.6μsであってよい。 前記本発明に係る保護層及び磁性層は夫々の塗料を調合
して支持体に塗設する塗布型の保護層、磁性層であって
もよい、尚塗布型とする場合、使用するバインダー及び
分散剤等の各種添加剤、フィラーMf2は塗料調合技術
、塗設方法等には従来公知の技術を流用することができ
る。 しかしながら本発明に於ては保護層、磁性層の形成には
気相堆積法を適用することが好ましい。 該気相堆積法としては真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーテング法、化学蒸着法或は対向ターデッド
スパッタ法等が用いられる。 更に本発明に係る保護層、磁性層には連続或は非連続の
亀裂を生成せしめ特性の改善を図ってもよい。 また保1mの上に更に支障の起らぬ程度に補助的に潤滑
剤溶液をオーバコートし潤滑面もしくは潤滑層を設けて
もよい。 また基板としては、A2、陽極酸化被膜(例えばアルマ
イト処理)を設けたAe、N1−Pメツキ処理をほどこ
したA1、ポリイミド、ポリアラミド、ポリカーボネー
ト、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチレン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポ
リサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラプルオロ
エチレン、ポリプロピレン等のプラスチックがある。基
板は盤状、フィルム状”911々であってよい。
次に実施例によって本発明の詳細な説明する。
共通の磁性層に本発明に係る保護層及び比較の保護層を
施し、後記CSS試験を行い耐用性を比較した。 磁性wI: Δl基板にN1−Pメツキを施し鏡面研磨し、りDA素
地M O05μz、Co−N1zo磁性に!l0008
μ署を順次スパッタリング法で形成した。 保護M: 前記磁性層上に炭素及び炭素に組合せる前記元素を夫々
ターデッドとする二元ターデッド法でスパッタリングし
0.02μ肩の保護層を形成した。組成比はターデッド
面積によって設定した。 次に耐用性試験を次のような方法で行った。すなわち、
荷重2gのウィンチエスタ型ヘッドを用い最初にディス
クの停止状態においてヘアドをディスク表面に接触させ
てお(、ディスクの回転をはじめ6秒後に、15a/s
の定速状態に達した後、3秒間再生を行い出力値を記録
する。さらに次の6秒間でディスクの回転を停止させ、
最初の状態に戻す、このようなサイクルを繰返し行い出
力値が最初の値の90%になった回数をもって保護膜強
度のパラメータとした。以下このテストをC35(Co
ntact 5tartStop)試験とよぷ、ΔNS
I規格によれば媒体に要求されるC55it用性は10
,000回とされているが、今後の技術革新によりなお
一層の耐用性が要求されるのは当然である。今回はCS
S耐用性100,000回を達成したものは、その後の
試験を中止した。 実施例および比較例のサンプルについて上記の耐用性試
験を行った結果、実施例はすべてC8S耐用性ioo、
ooo回をクリアし一方比較例は53,000回にて出
力値が初期比90%を刺っな。 尚、実施例には炭素に組合せた元素は一種である場合を
掲げたが複数種の元素を組合せた結果もc s s i
t泪注性100000回をクリアーした。更にテスト回
数を増せば差が表れて(るものと思われる。 【発明の効果] 堆積型磁性層を設けた磁気ディスクにC3Sに対する充
分な耐用性を与えることができた。
施し、後記CSS試験を行い耐用性を比較した。 磁性wI: Δl基板にN1−Pメツキを施し鏡面研磨し、りDA素
地M O05μz、Co−N1zo磁性に!l0008
μ署を順次スパッタリング法で形成した。 保護M: 前記磁性層上に炭素及び炭素に組合せる前記元素を夫々
ターデッドとする二元ターデッド法でスパッタリングし
0.02μ肩の保護層を形成した。組成比はターデッド
面積によって設定した。 次に耐用性試験を次のような方法で行った。すなわち、
荷重2gのウィンチエスタ型ヘッドを用い最初にディス
クの停止状態においてヘアドをディスク表面に接触させ
てお(、ディスクの回転をはじめ6秒後に、15a/s
の定速状態に達した後、3秒間再生を行い出力値を記録
する。さらに次の6秒間でディスクの回転を停止させ、
最初の状態に戻す、このようなサイクルを繰返し行い出
力値が最初の値の90%になった回数をもって保護膜強
度のパラメータとした。以下このテストをC35(Co
ntact 5tartStop)試験とよぷ、ΔNS
I規格によれば媒体に要求されるC55it用性は10
,000回とされているが、今後の技術革新によりなお
一層の耐用性が要求されるのは当然である。今回はCS
S耐用性100,000回を達成したものは、その後の
試験を中止した。 実施例および比較例のサンプルについて上記の耐用性試
験を行った結果、実施例はすべてC8S耐用性ioo、
ooo回をクリアし一方比較例は53,000回にて出
力値が初期比90%を刺っな。 尚、実施例には炭素に組合せた元素は一種である場合を
掲げたが複数種の元素を組合せた結果もc s s i
t泪注性100000回をクリアーした。更にテスト回
数を増せば差が表れて(るものと思われる。 【発明の効果] 堆積型磁性層を設けた磁気ディスクにC3Sに対する充
分な耐用性を与えることができた。
Claims (3)
- (1)非磁性基体上に磁性層を設けた磁気記録媒体に於
て、該磁性層上に、チタン、バナジウム、クロム、ジル
コニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル
、タングステン、シリコン及び硼素各元素から選ばれる
少なくとも1種と炭素とからなる組成の保護層を少なく
とも一層設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)前記少なくとも一層の保護層の組成が前記各元素
の少なくとも1種の元素の炭化物からなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。 - (3)前記少なくとも一層の保護層の組成が前記各元素
の少なくとも1種の元素と炭素との固溶体であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14863386A JPS634419A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14863386A JPS634419A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS634419A true JPS634419A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15457154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14863386A Pending JPS634419A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 炭素含有組成の保護層を設けた磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS634419A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202158A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
JPH01202159A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
US5236791A (en) * | 1988-08-31 | 1993-08-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961106A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
JPS62159341A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Hitachi Ltd | 磁気記録膜 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14863386A patent/JPS634419A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961106A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
JPS62159341A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Hitachi Ltd | 磁気記録膜 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202158A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
JPH01202159A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-15 | Stanley Electric Co Ltd | 過電流検出回路 |
US5236791A (en) * | 1988-08-31 | 1993-08-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage |
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