JPH0334122A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0334122A JPH0334122A JP16522389A JP16522389A JPH0334122A JP H0334122 A JPH0334122 A JP H0334122A JP 16522389 A JP16522389 A JP 16522389A JP 16522389 A JP16522389 A JP 16522389A JP H0334122 A JPH0334122 A JP H0334122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- layer
- magnetic
- recording medium
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 13
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、コンピュータ等の外部記憶装置(磁気ディス
ク装置)の磁気記憶体として用いられる磁気記録媒体に
関するものである。
ク装置)の磁気記憶体として用いられる磁気記録媒体に
関するものである。
(従来の技術)
従来、コンピュータなどの記憶媒体としては磁性粉を塗
布したテープが広く用いられていた。しかし、この記憶
テープでは記憶密度が小さくアクセス時間が長いなどの
欠点があった。そこで、ランダムアクセスが可能な円板
状の磁気ディスクが開発され、なかでも基板にアルミ合
金などを用いた磁気ディスク、いわゆるハードディスク
が使用されるようになってきている。従来、このハード
ディスクは厚さ21nffl程度の堅い基板上に、厚さ
1μm程度の磁気記録層を形成することにより構成され
、この磁気記録層は酸化鉄などの磁性粉をバインダと混
合し、これをディスク基板上にスピンコードなどの手法
で塗布し得られていた。しかし、この方法で得られる磁
気記録媒体は飽和磁化の大き11こ限界があり、高密度
記録磁性媒体としてはほぼ限界に達してきているため、
最近ではより大きい飽和磁化を有するCoあるいはCo
系合金を真空蒸着、スパッタリングなどの真空成膜技術
により成膜した薄膜を磁気記録層として用いた磁気記録
媒体あるいは無電解メツキなどの湿式法により形成した
Co−P、Co−N1−Pなどの合金薄膜を磁気記録層
として用いた磁気記録媒体などが使用されはじめている
。しかしながら、上記の金属、合金薄膜を磁気記録層と
して用いる磁気記録媒体は、高分解能に必要な高保磁力
を得るためには磁気記録層の膜厚を薄くしなければなら
ず、これを薄くすると高出力を維持するのが困難となる
という問題を有する。すなわち、高分解能を達成するた
めに磁気記録層の膜厚を薄くすると、残留磁化が小さく
なり、外部増幅器を通して再生信号を増幅しても雑音を
も増幅してしまい高出力を得るのが困難となる。
布したテープが広く用いられていた。しかし、この記憶
テープでは記憶密度が小さくアクセス時間が長いなどの
欠点があった。そこで、ランダムアクセスが可能な円板
状の磁気ディスクが開発され、なかでも基板にアルミ合
金などを用いた磁気ディスク、いわゆるハードディスク
が使用されるようになってきている。従来、このハード
ディスクは厚さ21nffl程度の堅い基板上に、厚さ
1μm程度の磁気記録層を形成することにより構成され
、この磁気記録層は酸化鉄などの磁性粉をバインダと混
合し、これをディスク基板上にスピンコードなどの手法
で塗布し得られていた。しかし、この方法で得られる磁
気記録媒体は飽和磁化の大き11こ限界があり、高密度
記録磁性媒体としてはほぼ限界に達してきているため、
最近ではより大きい飽和磁化を有するCoあるいはCo
系合金を真空蒸着、スパッタリングなどの真空成膜技術
により成膜した薄膜を磁気記録層として用いた磁気記録
媒体あるいは無電解メツキなどの湿式法により形成した
Co−P、Co−N1−Pなどの合金薄膜を磁気記録層
として用いた磁気記録媒体などが使用されはじめている
。しかしながら、上記の金属、合金薄膜を磁気記録層と
して用いる磁気記録媒体は、高分解能に必要な高保磁力
を得るためには磁気記録層の膜厚を薄くしなければなら
ず、これを薄くすると高出力を維持するのが困難となる
という問題を有する。すなわち、高分解能を達成するた
めに磁気記録層の膜厚を薄くすると、残留磁化が小さく
なり、外部増幅器を通して再生信号を増幅しても雑音を
も増幅してしまい高出力を得るのが困難となる。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の目的は高分解能、高出力を示す磁気記録媒体を
提供することにある。
提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行っ
た結果、磁気記録媒体の磁気記録層を構成する柱状晶の
粒径を大きくとることにより磁気記録媒体の磁気特性、
特に残留磁化と保磁力が同時に向上することを見出だし
、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、非磁
性下地層を被覆した基板、基板上に設けた磁性金属薄膜
からなる磁気記録層および該磁気記録層を保護するため
の保護層を含んでなる磁気記録媒体において、磁気記録
層の厚さ(δ)と磁気記録層の柱状晶の粒径(d)の比
(R=d/δ)が1.5以上であることを特徴とする磁
気記録媒体およびその製造方性である。
た結果、磁気記録媒体の磁気記録層を構成する柱状晶の
粒径を大きくとることにより磁気記録媒体の磁気特性、
特に残留磁化と保磁力が同時に向上することを見出だし
、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、非磁
性下地層を被覆した基板、基板上に設けた磁性金属薄膜
からなる磁気記録層および該磁気記録層を保護するため
の保護層を含んでなる磁気記録媒体において、磁気記録
層の厚さ(δ)と磁気記録層の柱状晶の粒径(d)の比
(R=d/δ)が1.5以上であることを特徴とする磁
気記録媒体およびその製造方性である。
本発明の磁気記録媒体は、磁気記録層を構成する柱状晶
の粒径が大きいものであり、磁気記録層のRの値を1.
5以上とするものであるが、このことにより磁気記録媒
体の磁気特性、特に保磁力と残留磁化が向上する。従っ
て、本発明の磁気記録媒体はその磁気記録層の膜厚を薄
くしなくても高保磁力を得ることができ、その結果この
磁気記録媒体は、高出力、高分解能を有するものとなる
。
の粒径が大きいものであり、磁気記録層のRの値を1.
5以上とするものであるが、このことにより磁気記録媒
体の磁気特性、特に保磁力と残留磁化が向上する。従っ
て、本発明の磁気記録媒体はその磁気記録層の膜厚を薄
くしなくても高保磁力を得ることができ、その結果この
磁気記録媒体は、高出力、高分解能を有するものとなる
。
上記のように磁気特性が向上する理由は明らかではない
が、Rを大きくすることにより磁気記録層面内の形状異
方性効果が大きくなることが原因として考えられる。
が、Rを大きくすることにより磁気記録層面内の形状異
方性効果が大きくなることが原因として考えられる。
本発明の磁気記録媒体におけるRの値が1.5以上の磁
気記録層は、例えば磁気記録媒体を構成する非磁性下地
層および/または磁気記録層を成膜する際に、基板にバ
イアス電圧を印加しながら成膜することにより得ること
ができる。このとき印加するバイアス電圧の大きさを調
整することにより磁気記録層のRの値を調整することが
でき、バイアス電圧を大きくすることにより、磁気記録
層を構成する柱状晶の粒径が大きくなる傾向がみられる
。印加するバイアス電圧の大きさは−50〜−700V
であることが好ましく、より好ましくは−250〜−5
00Vである。−50V未満の場合磁気記録層のRの値
が大きくならず、得られる磁気記録媒体の磁気特性が向
上しない傾向があり、−700Vを越える場合逆スパツ
タリングの現象が生じ、非磁性下地層あるいは磁気記録
層がエツチングされるおそれがある。
気記録層は、例えば磁気記録媒体を構成する非磁性下地
層および/または磁気記録層を成膜する際に、基板にバ
イアス電圧を印加しながら成膜することにより得ること
ができる。このとき印加するバイアス電圧の大きさを調
整することにより磁気記録層のRの値を調整することが
でき、バイアス電圧を大きくすることにより、磁気記録
層を構成する柱状晶の粒径が大きくなる傾向がみられる
。印加するバイアス電圧の大きさは−50〜−700V
であることが好ましく、より好ましくは−250〜−5
00Vである。−50V未満の場合磁気記録層のRの値
が大きくならず、得られる磁気記録媒体の磁気特性が向
上しない傾向があり、−700Vを越える場合逆スパツ
タリングの現象が生じ、非磁性下地層あるいは磁気記録
層がエツチングされるおそれがある。
以下、図面に基づき本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の磁気記録媒体の構造の一例を示す部分
断面図である。下地体1はN i −Pなどのメツキを
施した基板である。この基板は特に限定されるものでは
ないが、バイアス電圧を印加しながら非磁性層および/
または磁気記録層を成膜する方法により本発明の磁気記
録媒体を製造する際には、一定のバイアス電圧を印加で
きるものを用いることが好ましく、アルミニウム基板な
どが例示される。この下地体1上にはクロム、チタン、
バナジウム、タングステンあるいはこれらの合金などか
らなる非磁性下地層2が構成される。この膜厚は500
〜5000人程度であることが好ましい。更にこの非磁
性下地層2上に磁気記録層3が構成される。この磁気記
録層3としては、コバルト、コバルトニッケル合金また
はこれらに白金、クロム、ロジウム、チタン、レニウム
、タンタル、タングステン、ニッケル、サマリウムから
なる群から選ばれる少なくとも一種以上の金属を添加し
たものなどが用いられる。また、この厚みは100〜2
000人であることが好ましい。上記した非磁性下地層
2および/または磁気記録層3を成膜する際に、基板に
バイアス電圧を印加することにより、磁気記録層3のR
の値を大きく調整することができる。この磁気記録層3
上に炭素、酸化アルミニウム、ジルコニアなどの無機物
質からなる保護層5をスパッタなどによって形成するこ
とにより、磁気記録層3は外部環境から保護される。な
お保護層5の厚みは50〜400人程度が適当である。
断面図である。下地体1はN i −Pなどのメツキを
施した基板である。この基板は特に限定されるものでは
ないが、バイアス電圧を印加しながら非磁性層および/
または磁気記録層を成膜する方法により本発明の磁気記
録媒体を製造する際には、一定のバイアス電圧を印加で
きるものを用いることが好ましく、アルミニウム基板な
どが例示される。この下地体1上にはクロム、チタン、
バナジウム、タングステンあるいはこれらの合金などか
らなる非磁性下地層2が構成される。この膜厚は500
〜5000人程度であることが好ましい。更にこの非磁
性下地層2上に磁気記録層3が構成される。この磁気記
録層3としては、コバルト、コバルトニッケル合金また
はこれらに白金、クロム、ロジウム、チタン、レニウム
、タンタル、タングステン、ニッケル、サマリウムから
なる群から選ばれる少なくとも一種以上の金属を添加し
たものなどが用いられる。また、この厚みは100〜2
000人であることが好ましい。上記した非磁性下地層
2および/または磁気記録層3を成膜する際に、基板に
バイアス電圧を印加することにより、磁気記録層3のR
の値を大きく調整することができる。この磁気記録層3
上に炭素、酸化アルミニウム、ジルコニアなどの無機物
質からなる保護層5をスパッタなどによって形成するこ
とにより、磁気記録層3は外部環境から保護される。な
お保護層5の厚みは50〜400人程度が適当である。
また磁気記録層の耐蝕性を向上せしめるために、必要に
応じて磁気記録層3と保護層5の間に表面層4を設けて
もよい。この表面層4は、クロム、チタン、バナジウム
などの金属薄膜からなり、その厚みは50〜200人が
適当である。更に本発明の磁気記録媒体の使用に当たり
ては、上記保護層に肢体潤滑剤、または固体潤滑剤、あ
るいはこれらの複合潤滑剤を塗布して潤滑層6を形成し
て使用することができる。非磁性下地層2、磁気記録層
3、表面層4および保護層5の各層はスパッタリング広
、真空蒸着法などの真空成膜技術により成膜され、潤滑
層6はスパッタリング法、真空蒸着法、スピンコード、
ディッピング法などの方法により形成することかできる
。
応じて磁気記録層3と保護層5の間に表面層4を設けて
もよい。この表面層4は、クロム、チタン、バナジウム
などの金属薄膜からなり、その厚みは50〜200人が
適当である。更に本発明の磁気記録媒体の使用に当たり
ては、上記保護層に肢体潤滑剤、または固体潤滑剤、あ
るいはこれらの複合潤滑剤を塗布して潤滑層6を形成し
て使用することができる。非磁性下地層2、磁気記録層
3、表面層4および保護層5の各層はスパッタリング広
、真空蒸着法などの真空成膜技術により成膜され、潤滑
層6はスパッタリング法、真空蒸着法、スピンコード、
ディッピング法などの方法により形成することかできる
。
(実施例)
以下、本発明の具体的な実施例と比較例について説明す
る。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。
る。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものでは
ない。
実施例1 比較例1
第1図に示す磁気記録媒体を作製した。下地体1として
アルミニウム基板上にN1−Pメツキ膜を被覆し、これ
を平均表面粗さ約100人に研磨したものをを用い、こ
の下地体1の上に非磁性下地層2としてDCスパッタリ
ング法により厚さ3000人のクロム薄膜を形成した。
アルミニウム基板上にN1−Pメツキ膜を被覆し、これ
を平均表面粗さ約100人に研磨したものをを用い、こ
の下地体1の上に非磁性下地層2としてDCスパッタリ
ング法により厚さ3000人のクロム薄膜を形成した。
次にこの非磁性下地層2上に磁気記録層3としてDCス
パッタリング法によりニッケルを20原子パーセント、
クロムを10原子パーセント含むコバルト合金薄膜を8
00人形成した。なお、非磁性下地層2および磁気記録
層3をスパッタリングして形成する際に、下地体1の基
板にバイアス電圧を印加した。
パッタリング法によりニッケルを20原子パーセント、
クロムを10原子パーセント含むコバルト合金薄膜を8
00人形成した。なお、非磁性下地層2および磁気記録
層3をスパッタリングして形成する際に、下地体1の基
板にバイアス電圧を印加した。
更に、この磁気記録層3の上に表面層4としてクロムを
DCスパッタリング法により厚さ100人形成し、表面
層4上に保護層5として炭素からなる膜をDCスパッタ
リング法により300人形成し磁気記録ディスクを作製
した。
DCスパッタリング法により厚さ100人形成し、表面
層4上に保護層5として炭素からなる膜をDCスパッタ
リング法により300人形成し磁気記録ディスクを作製
した。
非磁性下地層2および磁気記録層3を成膜する際に、基
板に印加するバイアス電圧を変化させて磁気記録媒体を
得た。得られた磁気記録媒体の磁気特性の評価結果を表
1に示す。また磁気記録層3の柱状晶の粒径(d)を走
査型電子顕微鏡を用いて1llll定し、厚さ(δ)と
の比R=d/δを求めた。その結果を表1に示す。
板に印加するバイアス電圧を変化させて磁気記録媒体を
得た。得られた磁気記録媒体の磁気特性の評価結果を表
1に示す。また磁気記録層3の柱状晶の粒径(d)を走
査型電子顕微鏡を用いて1llll定し、厚さ(δ)と
の比R=d/δを求めた。その結果を表1に示す。
また比較例1として、バイアス電圧を印加しないで磁気
記録媒体を作製し、この磁気特性を評価した。その結果
を表1にあわせて示す。
記録媒体を作製し、この磁気特性を評価した。その結果
を表1にあわせて示す。
表1
単位:保磁力(Oe) 残留磁化(nm飽和磁化(n
m T) T) 実施例2 実施例1と同じ方法で同じ構造の磁気記録媒体を作製し
た。ただし本実施例の場合、非磁性下地層2の成膜時の
みに基板にバイアス電圧を印加し、磁気記録媒体を得た
。これらの磁気特性の評価結果を表2に示す。
m T) T) 実施例2 実施例1と同じ方法で同じ構造の磁気記録媒体を作製し
た。ただし本実施例の場合、非磁性下地層2の成膜時の
みに基板にバイアス電圧を印加し、磁気記録媒体を得た
。これらの磁気特性の評価結果を表2に示す。
表2
111位:保磁力(Oe) 残留磁化(nm T)
飽和磁化(nm T) 実施例3 実施例1と同し方法で同じ構造の磁気記録媒体を作製し
た。ただし本実施例の場合、磁気記録層3の成膜時のみ
に基板にバイアス電圧を印加し、磁気記録媒体を得た。
飽和磁化(nm T) 実施例3 実施例1と同し方法で同じ構造の磁気記録媒体を作製し
た。ただし本実施例の場合、磁気記録層3の成膜時のみ
に基板にバイアス電圧を印加し、磁気記録媒体を得た。
これらの磁気特性の評価結果を表3に示す。
表3
単位:保磁力(Oe) 残留磁化(nm T)飽和
磁化(nm T) (発明の効果) 以上述べたとおり、本発明の磁気記録媒体は磁気特性、
特に保磁力、残留磁化に優れ、高出力、高分解能を有す
る磁気記録媒体である。また磁気記録層の厚みを薄くす
ることなく磁気特性を向上することのできるものとなる
。
磁化(nm T) (発明の効果) 以上述べたとおり、本発明の磁気記録媒体は磁気特性、
特に保磁力、残留磁化に優れ、高出力、高分解能を有す
る磁気記録媒体である。また磁気記録層の厚みを薄くす
ることなく磁気特性を向上することのできるものとなる
。
4、
第1図は本発明の磁気記録媒体の構造の一例を示す図で
ある。 図中、 ・・下地体 2・・・非磁性下地層 3・・・磁気記録層 4・・・表面層 5・・・保護層 6・・・潤滑層 を各々示す。
ある。 図中、 ・・下地体 2・・・非磁性下地層 3・・・磁気記録層 4・・・表面層 5・・・保護層 6・・・潤滑層 を各々示す。
Claims (2)
- (1)非磁性下地層を被覆した基板、基板上に設けた磁
性金属薄膜からなる磁気記録層および該磁気記録層を保
護するための保護層を含んでなる磁気記録媒体において
、磁気記録層の厚さ(δ)と磁気記録層の柱状晶の粒径
(d)の比(R=d/δ)が1.5以上であることを特
徴とする磁気記録媒体。 - (2)基板にバイアス電圧を印加しながら非磁性下地層
および/または磁気記録層を成膜することを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16522389A JPH0334122A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16522389A JPH0334122A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0334122A true JPH0334122A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15808196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16522389A Pending JPH0334122A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0334122A (ja) |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16522389A patent/JPH0334122A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2601491B2 (ja) | 磁気ディスク構造及びその製造方法 | |
JPS63187414A (ja) | 磁気記録媒体 | |
US5252367A (en) | Method of manufacturing a magnetic recording medium | |
JPH0573881A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH09288818A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3359706B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61199224A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0334122A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JP3030990B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2002324313A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0650683B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JP2650282B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0268712A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体 | |
JP2557381B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP3044571B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61217925A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2792118B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP3434845B2 (ja) | 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 | |
JPS62141628A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2814630B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH02139709A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH02121116A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0467251B2 (ja) | ||
JPH05197943A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH02210614A (ja) | 磁気記録媒体 |