JPH05197943A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05197943A JPH05197943A JP2755292A JP2755292A JPH05197943A JP H05197943 A JPH05197943 A JP H05197943A JP 2755292 A JP2755292 A JP 2755292A JP 2755292 A JP2755292 A JP 2755292A JP H05197943 A JPH05197943 A JP H05197943A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- film
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- magnetic
- recording layer
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＣＯ及びＰｔと、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｍ、Ｐｂ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎよりなる群より選ばれる元素とか
らなる金属薄膜を磁気記録層として構成された磁気記録
媒体。 【効果】この発明を構成する磁気記録層は、成膜前の到
達真空度が低い場合においても高保磁力を持ち、これを
用いると磁気特性の到達真空度依存性の小さい磁気記録
媒体とすることができる
ａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎよりなる群より選ばれる元素とか
らなる金属薄膜を磁気記録層として構成された磁気記録
媒体。 【効果】この発明を構成する磁気記録層は、成膜前の到
達真空度が低い場合においても高保磁力を持ち、これを
用いると磁気特性の到達真空度依存性の小さい磁気記録
媒体とすることができる
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タ等の外部
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため最近では、ラ
ンダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用
いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用いた
磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用されるよ
うになってきている。 【０００３】この磁気ディスクは、一般に、厚さ２ｍｍ
程度の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形
成することにより構成され、磁気記録層としては一般に
γ−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉を結合剤と混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。 【０００４】しかし、この方法で得られる磁気ディスク
は、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒体と
してはほぼ限界に達している。そこで、より高密度記録
が可能な媒体を得るために高保磁力、高飽和磁化を有す
るＣｏ−Ｐｔ合金薄膜を真空蒸着、スパッタリング等の
真空成膜技術により、ディスク基板上あるいは基板上に
形成された下地層上に形成したものが使用され始めてい
る。 【０００５】しかしながら、上記のＣｏ−Ｐｔ合金薄膜
を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために
必要な高保磁力を得るためには、成膜直前の真空槽内の
到達真空度を１０−７［ｔｏｒｒ］台以下に制御しなけ
ればならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強い
ことから、安定した生産性の向上が困難となるという問
題点がある。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、組成式、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍ（但し、Ｍは、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｓｍ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｓｎよりなる群よ
り選ばれる元素）で表される金属薄膜を用いることによ
り、低い到達真空度でも高保磁力を有する生産性に優れ
た磁気記録媒体を得ることができることを見出し本発明
を完成するに至った。 【０００８】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記組成式で
表される金属薄膜からなる磁気記録媒体である。 【０００９】本発明の媒体の磁気記録層は、コバルトお
よび白金と、前記した添加元素より構成されることが特
徴であるが、磁気記録層の厚さは１００〜２０００Ａ、
より好ましくは３００〜１５００Ａである。 【００１０】又、この記録層の組成は、白金が２〜３０
原子％、添加元素が０．１〜１０原子％、残部がコバル
トである。この組成が前記した範囲を外れると本発明の
効果が小さくなる。 【００１１】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明による磁気記録媒体の一実施態様を
示す部分断面図である。下地体１としては、Ｎｉ−Ｐメ
ッキ膜、陽極酸化アルマイト膜等を被覆したアルミ合
金、窒化硅素焼結体、酸化アルミ焼結体等のセラミック
ス、ステンレス、チタン合金等の金属、ガラス、プラス
チック等が用いられる。 【００１２】この上に下地層２としてクロム等の非磁性
薄膜を５００〜５０００Ａの厚さに成膜する。この下地
層２上に本発明を特徴付ける金属薄膜からなる磁気記録
層３を形成する。さらにこの層の上に、炭素、酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護
層５を形成する。この保護層の厚みは５０〜４００Ａが
適当である。また、必要に応じて磁気記録層３と保護層
５の間に表面層４を加えてもよい。この表面層は、クロ
ム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその厚み
は５０〜２００Ａが適当である。 【００１３】以上の通り得られた磁気記録ディスクの使
用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液体潤滑
剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤を
塗布して潤滑層６を形成して使用することができる。 【００１４】２〜５の各層は通常のスパッタ、真空蒸着
等の真空成膜技術等により成膜され、潤滑層６はスパッ
タ、真空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を
用いることができる。 【００１５】 【発明の効果】本発明の磁気記録層は、その原理は明ら
かではないが、成膜前の到達真空度が低い場合において
も高保磁力を有し、これを用いることにより磁気特性の
到達真空度依存性の小さい磁気記録媒体を高い生産性で
得ることができる。 【００１６】 【実施例】以下、本発明の具体的な実施例と比較例につ
いて説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。 【００１７】実施例１ 図１に示す本発明の磁気記録媒体を用いた磁気記録ディ
スクを作製した。下地体１として、平均表面粗さ１００
Ａに研磨したＮｉ−Ｐメッキ膜被覆のアルミニウム合金
を用いた。この下地体の上に下地層２として厚さ３００
０Ａのクロム膜および、磁気記録層３として、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｚｎ合金薄膜（但し、Ｐｔの含有量を８原子％、Ｚ
ｎの含有量を４原子％とし、残部Ｃｏとする）６００Ａ
を、共にＤＣスパッタリング法により同一チャンバ−内
で成膜した。更にこの層の上に保護層４として炭素膜を
ＤＣスパッタ法により３００Ａの厚みに形成し、磁気記
録ディスクを作製した。ここで下地層３を成膜する直前
の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保磁力の変化
を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真空度によら
ずほぼ一定となることが判る。 【００１８】実施例２ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＺｎをＩｎ、Ｓ
ｍ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎに夫々代えて磁性層
を構成した以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディス
クを得た。図３〜９に夫々の保磁力の到達真空度依存性
を示す。これらの図から、保磁力は到達真空度によらず
ほぼ一定となることが判る。 【００１９】比較例１ 磁気記録層をＣｏ−Ｐｔ（但し、Ｐｔの含有量を８原子
％、残部Ｃｏとする）とした以外は実施例１と同様の方
法で磁気ディスクを作製した。図１０に、このものの保
磁力の到達真空度依存性を示す。図１０によれば、保磁
力は到達真空度が悪くなるのに伴い低下する傾向にある
ことが判る。
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため最近では、ラ
ンダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用
いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用いた
磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用されるよ
うになってきている。 【０００３】この磁気ディスクは、一般に、厚さ２ｍｍ
程度の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形
成することにより構成され、磁気記録層としては一般に
γ−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉を結合剤と混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。 【０００４】しかし、この方法で得られる磁気ディスク
は、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒体と
してはほぼ限界に達している。そこで、より高密度記録
が可能な媒体を得るために高保磁力、高飽和磁化を有す
るＣｏ−Ｐｔ合金薄膜を真空蒸着、スパッタリング等の
真空成膜技術により、ディスク基板上あるいは基板上に
形成された下地層上に形成したものが使用され始めてい
る。 【０００５】しかしながら、上記のＣｏ−Ｐｔ合金薄膜
を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために
必要な高保磁力を得るためには、成膜直前の真空槽内の
到達真空度を１０−７［ｔｏｒｒ］台以下に制御しなけ
ればならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強い
ことから、安定した生産性の向上が困難となるという問
題点がある。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、組成式、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍ（但し、Ｍは、Ｚｎ、Ｉ
ｎ、Ｓｍ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｂ、Ｓｎよりなる群よ
り選ばれる元素）で表される金属薄膜を用いることによ
り、低い到達真空度でも高保磁力を有する生産性に優れ
た磁気記録媒体を得ることができることを見出し本発明
を完成するに至った。 【０００８】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記組成式で
表される金属薄膜からなる磁気記録媒体である。 【０００９】本発明の媒体の磁気記録層は、コバルトお
よび白金と、前記した添加元素より構成されることが特
徴であるが、磁気記録層の厚さは１００〜２０００Ａ、
より好ましくは３００〜１５００Ａである。 【００１０】又、この記録層の組成は、白金が２〜３０
原子％、添加元素が０．１〜１０原子％、残部がコバル
トである。この組成が前記した範囲を外れると本発明の
効果が小さくなる。 【００１１】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明による磁気記録媒体の一実施態様を
示す部分断面図である。下地体１としては、Ｎｉ−Ｐメ
ッキ膜、陽極酸化アルマイト膜等を被覆したアルミ合
金、窒化硅素焼結体、酸化アルミ焼結体等のセラミック
ス、ステンレス、チタン合金等の金属、ガラス、プラス
チック等が用いられる。 【００１２】この上に下地層２としてクロム等の非磁性
薄膜を５００〜５０００Ａの厚さに成膜する。この下地
層２上に本発明を特徴付ける金属薄膜からなる磁気記録
層３を形成する。さらにこの層の上に、炭素、酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護
層５を形成する。この保護層の厚みは５０〜４００Ａが
適当である。また、必要に応じて磁気記録層３と保護層
５の間に表面層４を加えてもよい。この表面層は、クロ
ム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその厚み
は５０〜２００Ａが適当である。 【００１３】以上の通り得られた磁気記録ディスクの使
用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液体潤滑
剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤を
塗布して潤滑層６を形成して使用することができる。 【００１４】２〜５の各層は通常のスパッタ、真空蒸着
等の真空成膜技術等により成膜され、潤滑層６はスパッ
タ、真空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を
用いることができる。 【００１５】 【発明の効果】本発明の磁気記録層は、その原理は明ら
かではないが、成膜前の到達真空度が低い場合において
も高保磁力を有し、これを用いることにより磁気特性の
到達真空度依存性の小さい磁気記録媒体を高い生産性で
得ることができる。 【００１６】 【実施例】以下、本発明の具体的な実施例と比較例につ
いて説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。 【００１７】実施例１ 図１に示す本発明の磁気記録媒体を用いた磁気記録ディ
スクを作製した。下地体１として、平均表面粗さ１００
Ａに研磨したＮｉ−Ｐメッキ膜被覆のアルミニウム合金
を用いた。この下地体の上に下地層２として厚さ３００
０Ａのクロム膜および、磁気記録層３として、Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｚｎ合金薄膜（但し、Ｐｔの含有量を８原子％、Ｚ
ｎの含有量を４原子％とし、残部Ｃｏとする）６００Ａ
を、共にＤＣスパッタリング法により同一チャンバ−内
で成膜した。更にこの層の上に保護層４として炭素膜を
ＤＣスパッタ法により３００Ａの厚みに形成し、磁気記
録ディスクを作製した。ここで下地層３を成膜する直前
の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保磁力の変化
を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真空度によら
ずほぼ一定となることが判る。 【００１８】実施例２ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＺｎをＩｎ、Ｓ
ｍ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｎに夫々代えて磁性層
を構成した以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディス
クを得た。図３〜９に夫々の保磁力の到達真空度依存性
を示す。これらの図から、保磁力は到達真空度によらず
ほぼ一定となることが判る。 【００１９】比較例１ 磁気記録層をＣｏ−Ｐｔ（但し、Ｐｔの含有量を８原子
％、残部Ｃｏとする）とした以外は実施例１と同様の方
法で磁気ディスクを作製した。図１０に、このものの保
磁力の到達真空度依存性を示す。図１０によれば、保磁
力は到達真空度が悪くなるのに伴い低下する傾向にある
ことが判る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体を用いて得た磁気記録デ
ィスクの一例を示す部分断面図。 【図２】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｚｎ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図３】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｉｎ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図４】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｓｍ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図５】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｐｂ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図６】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｌａ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図７】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｅ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図８】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｎｄ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図９】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｓｎ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図10】記録層にＣｏ−Ｐｔ膜を用いた時の保磁力の到
達真空度依存性を示す図。 【符号の説明】 １：下地体 ２：下地層 ３：磁気記録層 ４：表面層 ５：保護層 ６：潤滑層
ィスクの一例を示す部分断面図。 【図２】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｚｎ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図３】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｉｎ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図４】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｓｍ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図５】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｐｂ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図６】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｌａ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図７】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｃｅ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図８】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｎｄ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図９】記録層にＣｏ−Ｐｔ−Ｓｎ膜を用いた時の保磁
力の到達真空度依存性を示す図。 【図10】記録層にＣｏ−Ｐｔ膜を用いた時の保磁力の到
達真空度依存性を示す図。 【符号の説明】 １：下地体 ２：下地層 ３：磁気記録層 ４：表面層 ５：保護層 ６：潤滑層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁性金属薄膜から
なる磁気記録層及び該磁気記録層を保護するための保護
層を設けてなる磁気記録媒体において、該磁気記録層が
下記組成式 Ｃｏ−Ｐｔ−Ｍ （但し、Ｍは、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｍ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、
Ｎｄ、Ｓｎよりなる群より選ばれる元素）で表される金
属薄膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2755292A JPH05197943A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2755292A JPH05197943A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05197943A true JPH05197943A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12224229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2755292A Pending JPH05197943A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05197943A (ja) |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP2755292A patent/JPH05197943A/ja active Pending
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