JPH05151552A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】非磁性基板上に、磁気記録層、この磁気記録層
を保護するための保護層を設た磁気記録媒体であって、
磁気記録層がＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｍ（Ｍ：Ｎｂ、Ｔｉ、
Ｐｒ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｖから選ばれる金属）を含む
金属薄膜からなる磁気記録媒体 【効果】このような構成とした磁気記録媒体は、記録層
の成膜前の到達真空度が低い場合でも、高保磁力を持つ
媒体が得られ、磁気特性の到達真空度依存性の小さい磁
気記録媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タ等の外部
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は、磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。
しかし、この記憶テ−プ方式では、記憶密度が小さくア
クセス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近で
は、ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが
広く用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を
用いた磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用さ
れるようになってきている。

【０００３】この磁気ディスクは、一般に、２ｍｍ程度
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般に、
γ−Ｆｅ_２Ｏ_３等の磁性粉をバインダと混合し、これを
ディスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したもの
が用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気デ
ィスクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録
媒体としての使用には制限がある。

【０００４】そこで、より高密度記録が可能な媒体を得
るために、高保磁力を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金薄膜
を、真空蒸着、スパッタリング等の真空成膜技術によ
り、ディスク基板上あるいは基板上に形成された下地層
上に形成したものが使用され始めている。

【０００５】しかしながら、上記のＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合
金薄膜を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成する
ために必要な高保磁力を得るためには、成膜直前の真空
槽内の到達真空度を１０^−７ｔｏｒｒ台以下に制御しな
ければならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強
いことから、安定した生産性を維持すること、更にそれ
を向上させることが困難となるなどの問題点がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため、特に磁気記録層を構成する成分に関し
て鋭意検討を行った結果、磁気記録層に、ある種の金属
で構成される金属薄膜を用いると、低い到達真空度でも
高保磁力を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得るこ
とができることを見出した。

【０００８】即ち本発明は、非磁性基板上に、非磁性下
地層を介して磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁
気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気記録
媒体において、該磁気記録層が、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｐｒ、Ｍ
ｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｖから選ばれる金属及びＣｏ、Ｃｒ並
びにＰｔを含む金属薄膜からなることを特徴とする磁気
記録媒体に関するものである。

【０００９】本発明の媒体の磁気記録層は前記したよう
に、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｐｒ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｖから選ば
れる金属（Ｍ）とＣｏ、Ｃｒ更にＰｔより、即ち、ＣＯ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｍで構成されることが特徴である。これ
ら構成元素の量的割合は、下記に示した範囲が一応の目
安となるが、Ｃｒ、Ｐｔの割合が少なすぎた場合は、得
られた媒体の保磁力が低下するおそれがある。又、同じ
くこれらの割合が多すぎた場合には同様に本発明による
効果が得られないか、又は保磁力および飽和磁化が低下
するおそれがある。なかでも、白金の含有量を多くした
場合には経済面で実用的ではない。そこで本発明では、
Ｃｒについては３〜１５原子％、Ｐｔについては１〜１
８原子％、Ｎｂ、Ｔｉ等から選ばれる金属については
０．５〜５原子％）、残部がＣｏであることが好まし
い。

【００１０】本発明での磁気記録層の厚さは、１００〜
２０００Ａ、より好ましくは３００〜１５００Ａであ
る。

【００１１】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明による磁気記録媒体の一実施態様を
示す部分断面図である。基板としての下地体１は、Ｎｉ
−Ｐメッキ膜、陽極酸化アルマイト膜等を被覆したアル
ミニウム合金、窒化硅素焼結体、酸化アルミニウム焼結
体等のセラミックス、ステンレス、チタン合金等の金
属、ガラス、プラスチック等が用いられる。又、下地層
２として、クロム等の非磁性薄膜を５００〜５０００Ａ
の厚さに成膜したものが通常用いられる。

【００１２】この下地層上に本発明による、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｍ系組成の金属薄膜からなる磁気記録層３を形
成する。さらにこの層の上に、炭素、酸化アルミニウ
ム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層５を
形成する。この保護層の厚みは５０〜４００Ａが適当で
ある。また、必要に応じて磁気記録層３と保護層５の間
に表面層４を加えてもよい。この表面層は、クロム、チ
タン、バナジウム等の金属薄膜からなりその厚みは５０
〜２００Ａが適当である。

【００１３】なお、磁気記録層３の構成成分としてタン
タル０．５〜５原子％を加えることにより、記録媒体の
ノイズを低減させることも可能である。

【００１４】以上の通り得られた磁気記録媒体の使用に
あたっては、必要に応じて保護層５の上に液体潤滑剤、
または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤を塗布
して潤滑層６を形成して使用することができる。

【００１５】図１に於ける２〜５の各層の形成方法は特
に制限されないが、通常実施されているスパッタリング
法、真空蒸着方等の真空成膜技術等により成膜すること
ができ、潤滑層６の形成についても同じくスパッタリン
グ法、真空蒸着法、スピンコ−ティング法、ディッピン
グ法等の通常の方法を用いることができる。

【００１６】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、高保磁力を持
ち、高い生産性で得ることができる。又、本発明の構成
とすることにより、記録媒体の成膜前の到達真空度が低
い場合においても、高保磁力を持つ媒体が得られ、磁気
特性の到達真空度依存性の小さい磁気記録媒体である。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例と比較例につ
いて説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。

【００１８】実施例１ 図１に示す磁気記録媒体を用いた磁気記録ディスクを作
製した。下地層１として、平均表面粗さ１００Ａに研磨
したNi-Pメッキ膜被覆のアルミニウム合金を用いた。こ
の下地体１の上に下地層２として厚さ３０００Ａのクロ
ム膜および、磁気記録層３として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−
Ｎｂ合金薄膜（但し、Ｃｒの含有量を１２原子％、Ｐｔ
の含有量を５原子％、Ｎｂの含有量を２原子％とし、残
部Ｃｏとしたもの（図２の（ａ））、Ｃｒの含有量を１
２原子％、Ｐｔの含有量を３原子％、Ｎｂの含有量を５
原子％とし、残部Ｃｏとしたもの（図２の（ｂ））、６
００Ａを、共にＤＣスパッタリング法により、同一チャ
ンバ−内で成膜した。更にこの層の上に、保護層４とし
て炭素膜をＤＣスパッタ法により３００Ａの厚みに形成
し、磁気記録ディスクを作製した。ここで下地層３を成
膜する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保
磁力の変化を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真
空度によらずほぼ一定となることがわかる。

【００１９】実施例２ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＮｂをＴｉに置き
換え、磁性層の組成式をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂとした
以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクを得た。
図３に保磁力の到達真空度依存性を示す。図３によれば
保磁力は到達真空度によらずほぼ一定となることがわか
る。

【００２０】実施例３ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＮｂをＰｒに置き
換え、磁性層の組成式をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｐｒとした
以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクを得た。
図４に保磁力の到達真空度依存性を示す。図４によれば
保磁力は到達真空度によらずほぼ一定となることがわか
る。

【００２１】実施例４ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＮｂをＭｏに置き
換え、磁性層の組成式をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｍｏとした
以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクを得た。
図５に保磁力の到達真空度依存性を示す。図５によれば
保磁力は到達真空度によらずほぼ一定となることがわか
る。

【００２２】実施例５ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＮｂをＲｈに置き
換え、磁性層の組成式をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｈとした
以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクを得た。
図６に保磁力の到達真空度依存性を示す。図６によれば
保磁力は到達真空によらずほぼ一定となることがわか
る。

【００２３】実施例６ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＮｂをＲｕに置き
換え、磁性層の組成式をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕとした
以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクを得た。
図７に保磁力の到達真空度依存性を示す。図７によれば
保磁力は到達真空によらずほぼ一定となることがわか
る。

【００２４】実施例７ 実施例１で示したの構成元素のうち、ＮｂをＶに置き換
え、磁性層の組成式をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｖとした以外
は、実施例１と同様の方法で磁気ディスクを得た。図８
に保磁力の到達真空度依存性を示す。図８によれば保磁
力は到達真空によらずほぼ一定となることがわかる。

【００２５】比較例１ 磁気記録層３をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（但し、Ｃｒの含有量
を１２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％、残部Ｃｏとす
る）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気ディスク
を作製した。図９に、保磁力の到達真空度依存性を示
す。図９によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるのに
伴い低下する傾向にあることがわかる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体を用いて得た磁気記録デ
ィスクの一例を示す部分断面図。

【図２】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ膜を用い
た時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図３】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔｉ膜を用い
た時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図４】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｐｒ膜を用い
た時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図５】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｍｏ膜を用い
た時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図６】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｈ膜を用い
た時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図７】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ膜を用い
た時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図８】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｖ膜を用いた
時の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【図９】磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ膜を用いた時
の、保磁力の到達真空度依存性を示す図。

【符号の説明】 １：下地体 ２：下地層 ３：磁気記録層 ４：表面層 ５：保護層 ６：潤滑層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】非磁性基板上に、非磁性下地層を介して磁
   性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
   するための保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
   磁気記録層が、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｐｒ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｒｕ、
   Ｖから選ばれる金属及びＣｏ、Ｃｒ並びにＰｔを含む金
   属薄膜からなることを特徴とする磁気記録媒体。