JP3066847B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3066847B2 JP3066847B2 JP3308199A JP30819991A JP3066847B2 JP 3066847 B2 JP3066847 B2 JP 3066847B2 JP 3308199 A JP3308199 A JP 3308199A JP 30819991 A JP30819991 A JP 30819991A JP 3066847 B2 JP3066847 B2 JP 3066847B2
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- magnetic
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- recording layer
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タ等の外部
記憶装置(磁気ディスク装置)において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
記憶装置(磁気ディスク装置)において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
【0003】この磁気ディスクは、一般に、2mm程度
の堅い基板上に、厚さ1μm程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Fe2O3等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜を真空蒸着、スパッタリン
グ等の真空成膜技術により、ディスク基板上あるいは基
板上に形成された下地層上に形成したものが使用され始
めている。
の堅い基板上に、厚さ1μm程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Fe2O3等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜を真空蒸着、スパッタリン
グ等の真空成膜技術により、ディスク基板上あるいは基
板上に形成された下地層上に形成したものが使用され始
めている。
【0004】しかしながら、上記のコバルト−白金系合
金薄膜を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成する
ために必要な高保磁力、高SN比を得るためには、成膜
直前の真空槽内の到達真空度を10−7torr台以下
に制御しなければならず、また、磁気特性の到達真空度
依存性が強いことから、生産性を安定して向上させるの
が困難となるという問題点がある。
金薄膜を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成する
ために必要な高保磁力、高SN比を得るためには、成膜
直前の真空槽内の到達真空度を10−7torr台以下
に制御しなければならず、また、磁気特性の到達真空度
依存性が強いことから、生産性を安定して向上させるの
が困難となるという問題点がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、下記組成式、 Co(100−x−y−z)CrxPdyPtz (但し、x、y及びzは、それぞれ原子%で3.0≦x
≦17.0、0.5≦y≦7.0、0.0<z≦18.
0である。)で表される4元素よりなる合金薄膜を用い
ることにより、成膜前の到達真空度が低くても高保磁力
を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得ることができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、下記組成式、 Co(100−x−y−z)CrxPdyPtz (但し、x、y及びzは、それぞれ原子%で3.0≦x
≦17.0、0.5≦y≦7.0、0.0<z≦18.
0である。)で表される4元素よりなる合金薄膜を用い
ることにより、成膜前の到達真空度が低くても高保磁力
を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得ることができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記のごとき
組成で表される4元素よりなる合金薄膜からなる磁気記
録媒体に関する。
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記のごとき
組成で表される4元素よりなる合金薄膜からなる磁気記
録媒体に関する。
【0008】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。
る。
【0009】図1は、本発明による磁気記録媒体の一実
施態様を示す部分断面図である。非磁性基板1として
は、ニッケル−リン(Ni−P)メッキ膜、陽極酸化ア
ルマイト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、
酸化アルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタ
ン合金等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられ
る。また、下地層2としてクロム等の非磁性薄膜を50
0〜5000オングストロームの厚さに成膜する。
施態様を示す部分断面図である。非磁性基板1として
は、ニッケル−リン(Ni−P)メッキ膜、陽極酸化ア
ルマイト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、
酸化アルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタ
ン合金等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられ
る。また、下地層2としてクロム等の非磁性薄膜を50
0〜5000オングストロームの厚さに成膜する。
【0010】この下地層2上に本発明による、コバルト
−クロム−パラジウム−白金(以下、Co−Cr−Pd
−Ptと略す)系合金薄膜からなる磁気記録層3を形成
する。磁気記録層をCo(100−x−y−z)Crx
PdyPtzと表せば、x(原子%)は、3.0≦x≦
17.0、好ましくは、5.0≦x≦15.0であり、
y(原子%)は、0.5≦y≦7.0、好ましくは1.
0≦y≦6.5であり、z(原子%)は、0.0<z≦
18.0、好ましくは、2.0≦z≦18.0、より好
ましくは、4.0≦z≦16.0である。これら4元素
の添加量が前記範囲より少ない場合には、本発明による
効果が得られないか、もしくは得られる媒体の保磁力が
悪くなるおそれがあり、一方、添加量が前記範囲より多
い場合には、本発明による効果が得られないか、もしく
は得られる媒体の保磁力及び飽和磁化が低下するおそれ
がある。なかでも、白金の含有量を多くした場合には、
著しくコスト高となるため、実用的ではない。なお、ノ
イズを低下させるために、Coの一部をタンタル(T
a)0.5〜5.0原子%で置換してもよい。
−クロム−パラジウム−白金(以下、Co−Cr−Pd
−Ptと略す)系合金薄膜からなる磁気記録層3を形成
する。磁気記録層をCo(100−x−y−z)Crx
PdyPtzと表せば、x(原子%)は、3.0≦x≦
17.0、好ましくは、5.0≦x≦15.0であり、
y(原子%)は、0.5≦y≦7.0、好ましくは1.
0≦y≦6.5であり、z(原子%)は、0.0<z≦
18.0、好ましくは、2.0≦z≦18.0、より好
ましくは、4.0≦z≦16.0である。これら4元素
の添加量が前記範囲より少ない場合には、本発明による
効果が得られないか、もしくは得られる媒体の保磁力が
悪くなるおそれがあり、一方、添加量が前記範囲より多
い場合には、本発明による効果が得られないか、もしく
は得られる媒体の保磁力及び飽和磁化が低下するおそれ
がある。なかでも、白金の含有量を多くした場合には、
著しくコスト高となるため、実用的ではない。なお、ノ
イズを低下させるために、Coの一部をタンタル(T
a)0.5〜5.0原子%で置換してもよい。
【0011】磁気記録層の厚さは、100〜2000オ
ングストローム、より好ましくは300〜1500オン
グストロームである。
ングストローム、より好ましくは300〜1500オン
グストロームである。
【0012】この磁気記録層の上に、炭素、酸化アルミ
ニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層
5を形成する。この厚みは50〜400オングストロー
ムが適当である。また、必要に応じて磁気記録層3と保
護層5の間に表面層4を加えてもよい。この表面層は、
クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその
厚みは、50〜200オングストロームが適当である。
ニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層
5を形成する。この厚みは50〜400オングストロー
ムが適当である。また、必要に応じて磁気記録層3と保
護層5の間に表面層4を加えてもよい。この表面層は、
クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその
厚みは、50〜200オングストロームが適当である。
【0013】以上のようにして得られた磁気記録ディス
クの使用にあたっては、必要に応じて保護層5の上に液
体潤滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤
滑剤を塗布して潤滑層6を形成して使用することができ
る。
クの使用にあたっては、必要に応じて保護層5の上に液
体潤滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤
滑剤を塗布して潤滑層6を形成して使用することができ
る。
【0014】2〜5の各層はスパッタ、真空蒸着等の真
空成膜技術等により成膜され、潤滑層6はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
空成膜技術等により成膜され、潤滑層6はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
【0015】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、特定の
元素比率を有したCo−Cr−Pd−Pt系合金薄膜を
磁気記録層として用いることにより、成膜直前の真空槽
内の到達真空度が10−5〜10−6torr台と低く
ても高保磁力を有する磁気記録媒体を製造することがで
きるので、生産性を著しく向上させることができる。
元素比率を有したCo−Cr−Pd−Pt系合金薄膜を
磁気記録層として用いることにより、成膜直前の真空槽
内の到達真空度が10−5〜10−6torr台と低く
ても高保磁力を有する磁気記録媒体を製造することがで
きるので、生産性を著しく向上させることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
【0017】実施例1 本発明の磁気記録媒体を次のようにして製造した。非磁
性基板として、平均表面粗さ100オングストロームに
研磨したニッケル−リン(Ni−P)メッキ膜被覆のア
ルミニウム合金を用いた。この非磁性基板の上に下地層
として厚さ3000オングストロームのクロム膜およ
び、磁気記録層として、Co−Cr−Pd−Pt合金薄
膜(但し、Crの含有量を12原子%、Pdの含有量を
2原子%、Ptの含有量を5原子%とし、残部Coから
なるものとする)600オングストロームを、共にDC
スパッタリング法により、連続的に同一チャンバ−内で
成膜した。更にこの層の上に、保護層として炭素膜をD
Cスパッタ法により300オングストロームの厚みに形
成し、磁気記録ディスクを製造した。ここで下地層を成
膜する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保
磁力の変化を図2に示す。図2によれば保磁力は到達真
空度によらずほぼ一定となる。
性基板として、平均表面粗さ100オングストロームに
研磨したニッケル−リン(Ni−P)メッキ膜被覆のア
ルミニウム合金を用いた。この非磁性基板の上に下地層
として厚さ3000オングストロームのクロム膜およ
び、磁気記録層として、Co−Cr−Pd−Pt合金薄
膜(但し、Crの含有量を12原子%、Pdの含有量を
2原子%、Ptの含有量を5原子%とし、残部Coから
なるものとする)600オングストロームを、共にDC
スパッタリング法により、連続的に同一チャンバ−内で
成膜した。更にこの層の上に、保護層として炭素膜をD
Cスパッタ法により300オングストロームの厚みに形
成し、磁気記録ディスクを製造した。ここで下地層を成
膜する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保
磁力の変化を図2に示す。図2によれば保磁力は到達真
空度によらずほぼ一定となる。
【0018】実施例2 到達真空度を、5×10−7Torr、5×10−6T
orrとし、磁気記録層Co−Cr−Pd−Pt膜のC
r含有量を12原子%、Pd含有量を2原子%とし、P
tの含有量を変化させた以外は、実施例1と同様の方法
で磁気ディスクを得た。表1に保磁力のPt含有量依存
性を示す。
orrとし、磁気記録層Co−Cr−Pd−Pt膜のC
r含有量を12原子%、Pd含有量を2原子%とし、P
tの含有量を変化させた以外は、実施例1と同様の方法
で磁気ディスクを得た。表1に保磁力のPt含有量依存
性を示す。
【0019】実施例3 磁気記録層Co−Cr−Pd−Pt膜のCr含有量を1
2原子%、Ptの含有量を5原子%とし、Pdの含有量
を変化させた以外は、実施例1と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表2に保磁力のPd含有量依存性を示す。
2原子%、Ptの含有量を5原子%とし、Pdの含有量
を変化させた以外は、実施例1と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表2に保磁力のPd含有量依存性を示す。
【0020】実施例4 磁気記録層Co−Cr−Pd−Pt膜のPdの含有量を
2原子%、Ptの含有量を5原子%とし、Crの含有量
を変化させた以外は、実施例1と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表3に保磁力のCr含有量依存性を示す。
2原子%、Ptの含有量を5原子%とし、Crの含有量
を変化させた以外は、実施例1と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表3に保磁力のCr含有量依存性を示す。
【0021】比較例1 磁気記録層をCo−Cr−Pt合金薄膜(但し、Crの
含有量を12原子%、Ptの含有量を5原子%、残部C
oとする)とした以外は実施例1と同様の方法で磁気デ
ィスクを製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との
関係を図3に示す。図3によれば、保磁力は到達真空度
が悪くなるのに伴い著しく低下する傾向にある。
含有量を12原子%、Ptの含有量を5原子%、残部C
oとする)とした以外は実施例1と同様の方法で磁気デ
ィスクを製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との
関係を図3に示す。図3によれば、保磁力は到達真空度
が悪くなるのに伴い著しく低下する傾向にある。
【0022】
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】
【表3】
【図1】 本発明における磁気記録媒体の一例の断面を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図2】 実施例1における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
【図3】 比較例1における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
1 : 非磁性基板 2 : 下地層 3 : 磁気記録層 4 : 表面層 5 : 保護層 6 : 潤滑層
Claims (1)
- 【請求項1】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
磁気記録層が下記組成式 Co(100-x-y-z)CrxPdyPtz (但し、x、y及びzは、それぞれ原子%で4.0≦x
≦14.0、1.0≦y≦6.0、4.0≦z≦16.
0である。)で表される4元素よりなる合金薄膜である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3308199A JP3066847B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3308199A JP3066847B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05120670A JPH05120670A (ja) | 1993-05-18 |
JP3066847B2 true JP3066847B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=17978113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3308199A Expired - Fee Related JP3066847B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3066847B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3308199A patent/JP3066847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05120670A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |