JP3066847B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3066847B2 JP3066847B2 JP3308199A JP30819991A JP3066847B2 JP 3066847 B2 JP3066847 B2 JP 3066847B2 JP 3308199 A JP3308199 A JP 3308199A JP 30819991 A JP30819991 A JP 30819991A JP 3066847 B2 JP3066847 B2 JP 3066847B2
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- magnetic recording
- magnetic
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- recording layer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タ等の外部
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
【０００３】この磁気ディスクは、一般に、２ｍｍ程度
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜を真空蒸着、スパッタリン
グ等の真空成膜技術により、ディスク基板上あるいは基
板上に形成された下地層上に形成したものが使用され始
めている。
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜を真空蒸着、スパッタリン
グ等の真空成膜技術により、ディスク基板上あるいは基
板上に形成された下地層上に形成したものが使用され始
めている。
【０００４】しかしながら、上記のコバルト−白金系合
金薄膜を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成する
ために必要な高保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜
直前の真空槽内の到達真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下
に制御しなければならず、また、磁気特性の到達真空度
依存性が強いことから、生産性を安定して向上させるの
が困難となるという問題点がある。
金薄膜を用いる磁気記録媒体は、高密度記録を達成する
ために必要な高保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜
直前の真空槽内の到達真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下
に制御しなければならず、また、磁気特性の到達真空度
依存性が強いことから、生産性を安定して向上させるの
が困難となるという問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、下記組成式、 Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＰｄｙＰｔｚ （但し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で３．０≦ｘ
≦１７．０、０．５≦ｙ≦７．０、０．０＜ｚ≦１８．
０である。）で表される４元素よりなる合金薄膜を用い
ることにより、成膜前の到達真空度が低くても高保磁力
を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得ることができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
に、下記組成式、 Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＰｄｙＰｔｚ （但し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で３．０≦ｘ
≦１７．０、０．５≦ｙ≦７．０、０．０＜ｚ≦１８．
０である。）で表される４元素よりなる合金薄膜を用い
ることにより、成膜前の到達真空度が低くても高保磁力
を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得ることができ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記のごとき
組成で表される４元素よりなる合金薄膜からなる磁気記
録媒体に関する。
下地層を介して、磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び
該磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気
記録媒体において、磁気記録層の組成が、前記のごとき
組成で表される４元素よりなる合金薄膜からなる磁気記
録媒体に関する。
【０００８】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明による磁気記録媒体の一実
施態様を示す部分断面図である。非磁性基板１として
は、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化ア
ルマイト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、
酸化アルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタ
ン合金等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられ
る。また、下地層２としてクロム等の非磁性薄膜を５０
０〜５０００オングストロームの厚さに成膜する。
施態様を示す部分断面図である。非磁性基板１として
は、ニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化ア
ルマイト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、
酸化アルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタ
ン合金等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられ
る。また、下地層２としてクロム等の非磁性薄膜を５０
０〜５０００オングストロームの厚さに成膜する。
【００１０】この下地層２上に本発明による、コバルト
−クロム−パラジウム−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ
−Ｐｔと略す）系合金薄膜からなる磁気記録層３を形成
する。磁気記録層をＣｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）Ｃｒｘ
ＰｄｙＰｔｚと表せば、ｘ（原子％）は、３．０≦ｘ≦
１７．０、好ましくは、５．０≦ｘ≦１５．０であり、
ｙ（原子％）は、０．５≦ｙ≦７．０、好ましくは１．
０≦ｙ≦６．５であり、ｚ（原子％）は、０．０＜ｚ≦
１８．０、好ましくは、２．０≦ｚ≦１８．０、より好
ましくは、４．０≦ｚ≦１６．０である。これら４元素
の添加量が前記範囲より少ない場合には、本発明による
効果が得られないか、もしくは得られる媒体の保磁力が
悪くなるおそれがあり、一方、添加量が前記範囲より多
い場合には、本発明による効果が得られないか、もしく
は得られる媒体の保磁力及び飽和磁化が低下するおそれ
がある。なかでも、白金の含有量を多くした場合には、
著しくコスト高となるため、実用的ではない。なお、ノ
イズを低下させるために、Ｃｏの一部をタンタル（Ｔ
ａ）０．５〜５．０原子％で置換してもよい。
−クロム−パラジウム−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ
−Ｐｔと略す）系合金薄膜からなる磁気記録層３を形成
する。磁気記録層をＣｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）Ｃｒｘ
ＰｄｙＰｔｚと表せば、ｘ（原子％）は、３．０≦ｘ≦
１７．０、好ましくは、５．０≦ｘ≦１５．０であり、
ｙ（原子％）は、０．５≦ｙ≦７．０、好ましくは１．
０≦ｙ≦６．５であり、ｚ（原子％）は、０．０＜ｚ≦
１８．０、好ましくは、２．０≦ｚ≦１８．０、より好
ましくは、４．０≦ｚ≦１６．０である。これら４元素
の添加量が前記範囲より少ない場合には、本発明による
効果が得られないか、もしくは得られる媒体の保磁力が
悪くなるおそれがあり、一方、添加量が前記範囲より多
い場合には、本発明による効果が得られないか、もしく
は得られる媒体の保磁力及び飽和磁化が低下するおそれ
がある。なかでも、白金の含有量を多くした場合には、
著しくコスト高となるため、実用的ではない。なお、ノ
イズを低下させるために、Ｃｏの一部をタンタル（Ｔ
ａ）０．５〜５．０原子％で置換してもよい。
【００１１】磁気記録層の厚さは、１００〜２０００オ
ングストローム、より好ましくは３００〜１５００オン
グストロームである。
ングストローム、より好ましくは３００〜１５００オン
グストロームである。
【００１２】この磁気記録層の上に、炭素、酸化アルミ
ニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層
５を形成する。この厚みは５０〜４００オングストロー
ムが適当である。また、必要に応じて磁気記録層３と保
護層５の間に表面層４を加えてもよい。この表面層は、
クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその
厚みは、５０〜２００オングストロームが適当である。
ニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層
５を形成する。この厚みは５０〜４００オングストロー
ムが適当である。また、必要に応じて磁気記録層３と保
護層５の間に表面層４を加えてもよい。この表面層は、
クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜からなりその
厚みは、５０〜２００オングストロームが適当である。
【００１３】以上のようにして得られた磁気記録ディス
クの使用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液
体潤滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤
滑剤を塗布して潤滑層６を形成して使用することができ
る。
クの使用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液
体潤滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤
滑剤を塗布して潤滑層６を形成して使用することができ
る。
【００１４】２〜５の各層はスパッタ、真空蒸着等の真
空成膜技術等により成膜され、潤滑層６はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
空成膜技術等により成膜され、潤滑層６はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、特定の
元素比率を有したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ系合金薄膜を
磁気記録層として用いることにより、成膜直前の真空槽
内の到達真空度が１０−５〜１０−６ｔｏｒｒ台と低く
ても高保磁力を有する磁気記録媒体を製造することがで
きるので、生産性を著しく向上させることができる。
元素比率を有したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ系合金薄膜を
磁気記録層として用いることにより、成膜直前の真空槽
内の到達真空度が１０−５〜１０−６ｔｏｒｒ台と低く
ても高保磁力を有する磁気記録媒体を製造することがで
きるので、生産性を著しく向上させることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
【００１７】実施例１ 本発明の磁気記録媒体を次のようにして製造した。非磁
性基板として、平均表面粗さ１００オングストロームに
研磨したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆のア
ルミニウム合金を用いた。この非磁性基板の上に下地層
として厚さ３０００オングストロームのクロム膜およ
び、磁気記録層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ合金薄
膜（但し、Ｃｒの含有量を１２原子％、Ｐｄの含有量を
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、残部Ｃｏから
なるものとする）６００オングストロームを、共にＤＣ
スパッタリング法により、連続的に同一チャンバ−内で
成膜した。更にこの層の上に、保護層として炭素膜をＤ
Ｃスパッタ法により３００オングストロームの厚みに形
成し、磁気記録ディスクを製造した。ここで下地層を成
膜する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保
磁力の変化を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真
空度によらずほぼ一定となる。
性基板として、平均表面粗さ１００オングストロームに
研磨したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆のア
ルミニウム合金を用いた。この非磁性基板の上に下地層
として厚さ３０００オングストロームのクロム膜およ
び、磁気記録層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ合金薄
膜（但し、Ｃｒの含有量を１２原子％、Ｐｄの含有量を
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、残部Ｃｏから
なるものとする）６００オングストロームを、共にＤＣ
スパッタリング法により、連続的に同一チャンバ−内で
成膜した。更にこの層の上に、保護層として炭素膜をＤ
Ｃスパッタ法により３００オングストロームの厚みに形
成し、磁気記録ディスクを製造した。ここで下地層を成
膜する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保
磁力の変化を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真
空度によらずほぼ一定となる。
【００１８】実施例２ 到達真空度を、５×１０−７Ｔｏｒｒ、５×１０−６Ｔ
ｏｒｒとし、磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ膜のＣ
ｒ含有量を１２原子％、Ｐｄ含有量を２原子％とし、Ｐ
ｔの含有量を変化させた以外は、実施例１と同様の方法
で磁気ディスクを得た。表１に保磁力のＰｔ含有量依存
性を示す。
ｏｒｒとし、磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ膜のＣ
ｒ含有量を１２原子％、Ｐｄ含有量を２原子％とし、Ｐ
ｔの含有量を変化させた以外は、実施例１と同様の方法
で磁気ディスクを得た。表１に保磁力のＰｔ含有量依存
性を示す。
【００１９】実施例３ 磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ膜のＣｒ含有量を１
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｐｄの含有量
を変化させた以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表２に保磁力のＰｄ含有量依存性を示す。
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｐｄの含有量
を変化させた以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表２に保磁力のＰｄ含有量依存性を示す。
【００２０】実施例４ 磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ−Ｐｔ膜のＰｄの含有量を
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｃｒの含有量
を変化させた以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表３に保磁力のＣｒ含有量依存性を示す。
２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％とし、Ｃｒの含有量
を変化させた以外は、実施例１と同様の方法で磁気ディ
スクを得た。表３に保磁力のＣｒ含有量依存性を示す。
【００２１】比較例１ 磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金薄膜（但し、Ｃｒの
含有量を１２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％、残部Ｃ
ｏとする）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気デ
ィスクを製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との
関係を図３に示す。図３によれば、保磁力は到達真空度
が悪くなるのに伴い著しく低下する傾向にある。
含有量を１２原子％、Ｐｔの含有量を５原子％、残部Ｃ
ｏとする）とした以外は実施例１と同様の方法で磁気デ
ィスクを製造した。成膜直前の到達真空度と保磁力との
関係を図３に示す。図３によれば、保磁力は到達真空度
が悪くなるのに伴い著しく低下する傾向にある。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【図１】 本発明における磁気記録媒体の一例の断面を
模式的に示す図である。
模式的に示す図である。
【図２】 実施例１における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
【図３】 比較例１における磁気記録媒体の成膜直前の
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
到達真空度と保磁力との関係を示す図である。
１ ： 非磁性基板 ２ ： 下地層 ３ ： 磁気記録層 ４ ： 表面層 ５ ： 保護層 ６ ： 潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
磁気記録層が下記組成式 Ｃｏ(100-x-y-z)ＣｒxＰｄyＰｔz （但し、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ原子％で４．０≦ｘ
≦１４．０、１．０≦ｙ≦６．０、４．０≦ｚ≦１６．
０である。）で表される４元素よりなる合金薄膜である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3308199A JP3066847B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3308199A JP3066847B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120670A JPH05120670A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3066847B2 true JP3066847B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=17978113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3308199A Expired - Fee Related JP3066847B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3066847B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3308199A patent/JP3066847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05120670A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |