JP3030990B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3030990B2 JP3030990B2 JP3294893A JP29489391A JP3030990B2 JP 3030990 B2 JP3030990 B2 JP 3030990B2 JP 3294893 A JP3294893 A JP 3294893A JP 29489391 A JP29489391 A JP 29489391A JP 3030990 B2 JP3030990 B2 JP 3030990B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュ−タ等の外部
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュ−タ等の記憶媒体として
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
は磁性粉を塗布したテ−プ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テ−プ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハ−ドディスクが使用される
ようになってきている。
【０００３】この磁気ディスクは、一般に、２ｍｍ程度
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜、あるいは高ＳＮ比を有す
るコバルト−クロム−タンタル等の合金薄膜を真空蒸
着、スパッタリング等の真空成膜技術により、ディスク
基板上あるいは基板上に形成された下地層上に形成した
ものが使用され始めている。
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコ−ト等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜、あるいは高ＳＮ比を有す
るコバルト−クロム−タンタル等の合金薄膜を真空蒸
着、スパッタリング等の真空成膜技術により、ディスク
基板上あるいは基板上に形成された下地層上に形成した
ものが使用され始めている。
【０００４】しかしながら、上記のコバルト−白金系あ
るいはコバルト−クロム−タンタル系合金薄膜を用いる
磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために必要な高
保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜直前の真空槽内
の到達真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下に制御しなけれ
ばならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強いこ
とから、生産性を安定して向上させるのが困難となると
いう問題点がある。
るいはコバルト−クロム−タンタル系合金薄膜を用いる
磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために必要な高
保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜直前の真空槽内
の到達真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下に制御しなけれ
ばならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強いこ
とから、生産性を安定して向上させるのが困難となると
いう問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層を
コバルト−白金系磁性薄膜からなる磁性層とコバルト−
クロム−タンタル系磁性薄膜からなる磁性層で構成され
る２層構造とすることにより、低い到達真空度でも高保
磁力を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得ることが
できることを見出だし、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層を
コバルト−白金系磁性薄膜からなる磁性層とコバルト−
クロム−タンタル系磁性薄膜からなる磁性層で構成され
る２層構造とすることにより、低い到達真空度でも高保
磁力を有する生産性に優れた磁気記録媒体を得ることが
できることを見出だし、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び該
磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気記
録媒体において、該磁気記録層がコバルト−白金系磁性
薄膜からなる磁性層とコバルト−クロム−タンタル系磁
性薄膜からなる磁性層で構成される２層構造であること
を特徴とする磁気記録媒体に関する。
下地層を介して磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び該
磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気記
録媒体において、該磁気記録層がコバルト−白金系磁性
薄膜からなる磁性層とコバルト−クロム−タンタル系磁
性薄膜からなる磁性層で構成される２層構造であること
を特徴とする磁気記録媒体に関する。
【０００８】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施態様を示す
部分断面図である。下地体１としては、ニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化アルマイト膜等を被覆
したアルミ合金、窒化硅素焼結体、酸化アルミ焼結体等
のセラミックス、ステンレス、チタン合金等の金属、ガ
ラス、プラスチック等が用いられる。この下地体１の上
に、下地層２としてクロム等の非磁性薄膜を５００〜５
０００オングストロームの厚さに成膜する。
る。図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施態様を示す
部分断面図である。下地体１としては、ニッケル−リン
（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化アルマイト膜等を被覆
したアルミ合金、窒化硅素焼結体、酸化アルミ焼結体等
のセラミックス、ステンレス、チタン合金等の金属、ガ
ラス、プラスチック等が用いられる。この下地体１の上
に、下地層２としてクロム等の非磁性薄膜を５００〜５
０００オングストロームの厚さに成膜する。
【０００９】この下地層２上にコバルト−白金（以下、
Ｃｏ−Ｐｔと略す）系磁性薄膜からなる磁性層３を形成
する。この際、この磁性層をＣｏ（１００−ｘ）Ｐｔｘ
と表すならば、ｘは、１．０≦ｘ≦２０（原子％）の範
囲が好ましい。又、Ｃｏ−Ｐｔ系磁性薄膜からなる磁性
層の厚さは、１００〜１０００オングストローム、より
好ましくは１００〜８００オングストロームである。
Ｃｏ−Ｐｔと略す）系磁性薄膜からなる磁性層３を形成
する。この際、この磁性層をＣｏ（１００−ｘ）Ｐｔｘ
と表すならば、ｘは、１．０≦ｘ≦２０（原子％）の範
囲が好ましい。又、Ｃｏ−Ｐｔ系磁性薄膜からなる磁性
層の厚さは、１００〜１０００オングストローム、より
好ましくは１００〜８００オングストロームである。
【００１０】次にこの磁性層３上に、コバルト−クロム
−タンタル（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａと略す）系磁性薄
膜からなる磁性層４を形成する。この際、この磁性層を
Ｃｏ（１００−ｙ−ｚ）ＣｒｙＴａｚと表すならば、ｙ
は、３．０≦ｙ≦２０（原子％）、ｚは、０．２０≦ｚ
≦％５．０（原子％）の範囲が好ましい。又、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系磁性薄膜からなる磁性層の厚さは、１００〜
１０００オングストローム、より好ましくは１５０〜７
００オングストロームである。
−タンタル（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａと略す）系磁性薄
膜からなる磁性層４を形成する。この際、この磁性層を
Ｃｏ（１００−ｙ−ｚ）ＣｒｙＴａｚと表すならば、ｙ
は、３．０≦ｙ≦２０（原子％）、ｚは、０．２０≦ｚ
≦％５．０（原子％）の範囲が好ましい。又、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系磁性薄膜からなる磁性層の厚さは、１００〜
１０００オングストローム、より好ましくは１５０〜７
００オングストロームである。
【００１１】なお、Ｃｏ−Ｐｔ系磁性薄膜からなる磁性
層とＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜からなる磁性層との積
層順序は特に限定されないが、高保磁力を有するＣｏ−
Ｐｔ系磁性薄膜を下地体に近い方に、低ノイズ媒体であ
るＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜をその上に積層するほう
がより高性能な磁気記録媒体が得られるため好ましい。
これらの磁性層の上に、炭素、酸化アルミニウム、酸
化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層６を形成す
る。この厚みは５０〜４００オングストロームが適当で
ある。また、必要に応じて磁性層４と保護層６の間に表
面層５を加えてもよい。この表面層５は、クロム、チタ
ン、バナジウム等の金属薄膜からなりその厚みは、５０
〜２００オングストロームが適当である。
層とＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜からなる磁性層との積
層順序は特に限定されないが、高保磁力を有するＣｏ−
Ｐｔ系磁性薄膜を下地体に近い方に、低ノイズ媒体であ
るＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系磁性薄膜をその上に積層するほう
がより高性能な磁気記録媒体が得られるため好ましい。
これらの磁性層の上に、炭素、酸化アルミニウム、酸
化ジルコニウム等の無機物質からなる保護層６を形成す
る。この厚みは５０〜４００オングストロームが適当で
ある。また、必要に応じて磁性層４と保護層６の間に表
面層５を加えてもよい。この表面層５は、クロム、チタ
ン、バナジウム等の金属薄膜からなりその厚みは、５０
〜２００オングストロームが適当である。
【００１２】以上のようにして得られた磁気記録媒体の
使用にあたっては、必要に応じて保護層６の上に液体潤
滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤
を塗布して潤滑層７を形成して使用することができる。
使用にあたっては、必要に応じて保護層６の上に液体潤
滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤
を塗布して潤滑層７を形成して使用することができる。
【００１３】２〜６の各層はスパッタ、真空蒸着等の真
空成膜技術等により成膜され、潤滑層７はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
空成膜技術等により成膜され、潤滑層７はスパッタ、真
空蒸着、スピンコ−ト、ディッピング等の方法を用いる
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００１５】実施例１ 本発明の磁気記録媒体を次のような方法で製造した。下
地体として、平均表面粗さ１００オングストロームに研
磨したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆のアル
ミニウム合金を用いた。この下地体の上に下地層として
厚さ３０００オングストロームのクロム膜および、磁性
層として、Ｃｏ−Ｐｔ合金薄膜（但し、Ｐｔの含有量を
１０原子％とし、残部Ｃｏからなるものとする）３００
オングストロームを、さらに、磁性層として、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ合金薄膜（但し、Ｃｒの含有量を１２原子％、
Ｔａの含有量を２原子％とし、残部Ｃｏからなるものと
する）４００オングストロームを、この順序でＤＣスパ
ッタリング法により、連続的に同一チャンバ−内で成膜
した。更にこの層の上に、保護層として炭素膜をＤＣス
パッタ法により３００オングストロームの厚みに形成
し、磁気記録ディスクを製造した。ここで下地層を成膜
する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保磁
力の変化を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真空
度によらずほぼ一定となる。
地体として、平均表面粗さ１００オングストロームに研
磨したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆のアル
ミニウム合金を用いた。この下地体の上に下地層として
厚さ３０００オングストロームのクロム膜および、磁性
層として、Ｃｏ−Ｐｔ合金薄膜（但し、Ｐｔの含有量を
１０原子％とし、残部Ｃｏからなるものとする）３００
オングストロームを、さらに、磁性層として、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ合金薄膜（但し、Ｃｒの含有量を１２原子％、
Ｔａの含有量を２原子％とし、残部Ｃｏからなるものと
する）４００オングストロームを、この順序でＤＣスパ
ッタリング法により、連続的に同一チャンバ−内で成膜
した。更にこの層の上に、保護層として炭素膜をＤＣス
パッタ法により３００オングストロームの厚みに形成
し、磁気記録ディスクを製造した。ここで下地層を成膜
する直前の真空槽内の到達真空度を変化させた時の保磁
力の変化を図２に示す。図２によれば保磁力は到達真空
度によらずほぼ一定となる。
【００１６】比較例１ 磁気記録層をＣｏ−Ｐｔ合金薄膜（但し、Ｐｔの含有量
を１０原子％、残部Ｃｏとする）の単層で６００オング
ストロームの厚さで成膜した以外は実施例１と同様の方
法で磁気ディスクを製造した。このとき成膜直前の到達
真空度を変化させて磁気ディスクを製造し得られたサン
プルの磁気特性を測定した。図３に、保磁力の到達真空
度依存性を示す。図３によれば、保磁力は到達真空度が
悪くなるのに伴い低下する傾向にある。
を１０原子％、残部Ｃｏとする）の単層で６００オング
ストロームの厚さで成膜した以外は実施例１と同様の方
法で磁気ディスクを製造した。このとき成膜直前の到達
真空度を変化させて磁気ディスクを製造し得られたサン
プルの磁気特性を測定した。図３に、保磁力の到達真空
度依存性を示す。図３によれば、保磁力は到達真空度が
悪くなるのに伴い低下する傾向にある。
【００１７】比較例２ 磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金薄膜（但し、Ｃｒの
含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％、残部Ｃ
ｏとする）の単層で６００オングストロームの厚さで成
膜した以外は実施例１と同様の方法で磁気ディスクを製
造した。このとき成膜直前の到達真空度を変化させて磁
気ディスクを製造し、得られたサンプルの磁気特性を測
定した。図４に、保磁力の到達真空度依存性を示す。図
４によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるのに伴い著
しく低下する傾向にある。
含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％、残部Ｃ
ｏとする）の単層で６００オングストロームの厚さで成
膜した以外は実施例１と同様の方法で磁気ディスクを製
造した。このとき成膜直前の到達真空度を変化させて磁
気ディスクを製造し、得られたサンプルの磁気特性を測
定した。図４に、保磁力の到達真空度依存性を示す。図
４によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるのに伴い著
しく低下する傾向にある。
【００１８】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、磁気記
録層をＣｏ−Ｐｔ系磁性薄膜からなる磁性層とＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系磁性薄膜からなる磁性層で構成される２層構
造とすることにより、成膜直前の真空槽内の到達真空度
が低くても高保磁力を有する磁気記録媒体を得ることが
できるので、生産性を著しく向上させることができる。
録層をＣｏ−Ｐｔ系磁性薄膜からなる磁性層とＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ系磁性薄膜からなる磁性層で構成される２層構
造とすることにより、成膜直前の真空槽内の到達真空度
が低くても高保磁力を有する磁気記録媒体を得ることが
できるので、生産性を著しく向上させることができる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の構成を模式的に示し
た図である。
た図である。
【図２】 磁気記録層をＣｏ−Ｐｔ／Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ
の二層構造とした時の保磁力と到達真空度との関係を示
す図である。
の二層構造とした時の保磁力と到達真空度との関係を示
す図である。
【図３】 磁気記録層にＣｏ−Ｐｔ膜を用いた時の、保
磁力と到達真空度との関係を示す図である。
磁力と到達真空度との関係を示す図である。
【図４】 磁気記録層にＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を用いた時
の、保磁力と到達真空度との関係を示す図である。
の、保磁力と到達真空度との関係を示す図である。
１ ： 下地体 ２ ： 下地層 ３ ： 磁性層 ４ ： 磁性層 ５ ： 表面層 ６ ： 保護層 ７ ： 潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
該磁気記録層がコバルト−白金系磁性薄膜からなる磁性
層とコバルト−クロム−タンタル系磁性薄膜からなる磁
性層で構成される２層構造であることを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3294893A JP3030990B2 (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3294893A JP3030990B2 (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109043A JPH05109043A (ja) | 1993-04-30 |
| JP3030990B2 true JP3030990B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=17813617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3294893A Expired - Fee Related JP3030990B2 (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030990B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150015A (en) | 1997-12-04 | 2000-11-21 | Komag, Incorporated | Ultra-thin nucleation layer for magnetic thin film media and the method for manufacturing the same |
| US6730420B1 (en) | 2000-10-31 | 2004-05-04 | Komag, Inc. | Magnetic thin film recording media having extremely low noise and high thermal stability |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP3294893A patent/JP3030990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05109043A (ja) | 1993-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |