JP3030994B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3030994B2 JP3030994B2 JP3308194A JP30819491A JP3030994B2 JP 3030994 B2 JP3030994 B2 JP 3030994B2 JP 3308194 A JP3308194 A JP 3308194A JP 30819491 A JP30819491 A JP 30819491A JP 3030994 B2 JP3030994 B2 JP 3030994B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等に外部
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
記憶装置（磁気ディスク装置）において、磁気記憶体と
して用いられる磁気ディスク等に使用される高密度記録
用の磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータ等の記録媒体として
は磁性粉を塗布したテープ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テープ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハードディスクが使用される
ようになってきている。
は磁性粉を塗布したテープ等が広く用いられている。し
かし、この記憶テープ方式では記憶密度が小さくアクセ
ス時間が長いなどの欠点がある。このため、最近では、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く
用いられており、なかでも、基板にアルミ合金等を用い
た磁気ディスク、いわゆるハードディスクが使用される
ようになってきている。
【０００３】この磁気ディスクは、一般に、２ｍｍ程度
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコート等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜、あるいは高ＳＮ比を有す
るコバルト−クロム−タンタル等の合金薄膜を真空蒸
着、スパッタリング等の真空成膜技術により、ディスク
基板上あるいは基板上に形成された下地層上に形成した
ものが使用され始めている。
の堅い基板上に、厚さ１μｍ程度の磁気記録層を形成す
ることにより構成され、磁気記録層としては、一般にγ
−Ｆｅ２Ｏ３等の磁性粉をバインダと混合し、これをデ
ィスク基板上にスピンコート等の手法で塗布したものが
用いられてきた。しかし、この方法で得られる磁気ディ
スクは、飽和磁化の大きさに限界があり、高密度記録媒
体としてはほぼ限界に達してきている。そこで、より高
密度記録が可能な媒体を得るために、高保磁力を有する
コバルト−白金等の合金薄膜、あるいは高ＳＮ比を有す
るコバルト−クロム−タンタル等の合金薄膜を真空蒸
着、スパッタリング等の真空成膜技術により、ディスク
基板上あるいは基板上に形成された下地層上に形成した
ものが使用され始めている。
【０００４】しかしながら、上記のコバルト−白金系あ
るいはコバルトークロム−タンタル系合金薄膜を用いる
磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために必要な高
保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜直前の真空槽内
の到着真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下に制御しなけれ
ばならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強いこ
とから、生産性を安定して向上させるのが困難となると
いう問題点がある。
るいはコバルトークロム−タンタル系合金薄膜を用いる
磁気記録媒体は、高密度記録を達成するために必要な高
保磁力、高ＳＮ比を得るためには、成膜直前の真空槽内
の到着真空度を１０−７ｔｏｒｒ台以下に制御しなけれ
ばならず、また、磁気特性の到達真空度依存性が強いこ
とから、生産性を安定して向上させるのが困難となると
いう問題点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
問題点に鑑み、成膜前の到達真空度が低い状態で成膜し
ても、高保磁力を達成できる生産性に優れた磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
が、その両表面を除いてコバルト−クロム−タンタル−
白金系合金薄膜で形成され、非磁性基板側の表面（Ａ）
ではタンタル濃度が０であり、相対する反対側の表面
（Ｂ）では白金濃度が０であり、両表面以外の白金濃度
及びタンタル濃度を変化させることにより、低い到達真
空度でも高保磁力を有する生産性に優れた磁気記録媒体
が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気記録層
が、その両表面を除いてコバルト−クロム−タンタル−
白金系合金薄膜で形成され、非磁性基板側の表面（Ａ）
ではタンタル濃度が０であり、相対する反対側の表面
（Ｂ）では白金濃度が０であり、両表面以外の白金濃度
及びタンタル濃度を変化させることにより、低い到達真
空度でも高保磁力を有する生産性に優れた磁気記録媒体
が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち本発明は、非磁性基板上に非磁性
下地層を介して磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び該
磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気記
録媒体において、磁気記録層が、その両表面を除いてコ
バルト−クロム−タンタル−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ−Ｐｔと略す）系合金薄膜で形成され、非磁性基板
側の表面（Ａ）ではタンタル濃度が０であり、相対する
反対側の表面（Ｂ）では白金濃度が０であり、表面
（Ａ）から表面（Ｂ）に向かって白金濃度が減少し、表
面（Ｂ）から表面（Ａ）に向かってタンタル濃度が減少
することを特徴とする磁気記録媒体に関する。
下地層を介して磁性金属薄膜からなる磁気記録層及び該
磁気記録層を保護するための保護層を設けてなる磁気記
録媒体において、磁気記録層が、その両表面を除いてコ
バルト−クロム−タンタル−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ−Ｐｔと略す）系合金薄膜で形成され、非磁性基板
側の表面（Ａ）ではタンタル濃度が０であり、相対する
反対側の表面（Ｂ）では白金濃度が０であり、表面
（Ａ）から表面（Ｂ）に向かって白金濃度が減少し、表
面（Ｂ）から表面（Ａ）に向かってタンタル濃度が減少
することを特徴とする磁気記録媒体に関する。
【０００８】以下、図面に基づき本発明を詳細に説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施態
様を示す部分断面図である。非磁性基板１としては、ニ
ッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化アルマイ
ト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、酸化ア
ルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタン合金
等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられる。この
非磁性基板１の上に、非磁性下地層２としてクロム等の
非磁性薄膜を５００〜５０００オングストロームの厚さ
に成膜する。
様を示す部分断面図である。非磁性基板１としては、ニ
ッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜、陽極酸化アルマイ
ト膜等を被覆したアルミ合金、窒化硅素焼結体、酸化ア
ルミ焼結体等のセラミックス、ステンレス、チタン合金
等の金属、ガラス、プラスチック等が用いられる。この
非磁性基板１の上に、非磁性下地層２としてクロム等の
非磁性薄膜を５００〜５０００オングストロームの厚さ
に成膜する。
【００１０】この非磁性下地層２上に磁気記録層３を形
成する。この磁気記録層３は、その両表面を除いて、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金薄膜で形成され、非磁性基
板側の表面（Ａ）ではタンタル濃度が０であり、相対す
る反対側の表面（Ｂ）では白金濃度が０であり、表面
（Ａ）から表面（Ｂ）に向かって白金濃度が減少し、表
面（Ｂ）から表面（Ａ）に向かってタンタル濃度が減少
するよう形成されている。
成する。この磁気記録層３は、その両表面を除いて、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金薄膜で形成され、非磁性基
板側の表面（Ａ）ではタンタル濃度が０であり、相対す
る反対側の表面（Ｂ）では白金濃度が０であり、表面
（Ａ）から表面（Ｂ）に向かって白金濃度が減少し、表
面（Ｂ）から表面（Ａ）に向かってタンタル濃度が減少
するよう形成されている。
【００１１】白金濃度は、表面（Ａ）から表面（Ｂ）に
向かって減少するが、その減少のパターンは、種々選択
することができる。例えば、表面（Ａ）から表面（Ｂ）
に向かって濃度を一定の減少率をもって減少させるパタ
ーン、段階的に濃度を変化させて減少させるパターン、
表面（Ａ）に近い部分では濃度を大きく変化させず、表
面（Ｂ）に近づいた部分で濃度を大きく減少させるパタ
ーン等を示すことができる。
向かって減少するが、その減少のパターンは、種々選択
することができる。例えば、表面（Ａ）から表面（Ｂ）
に向かって濃度を一定の減少率をもって減少させるパタ
ーン、段階的に濃度を変化させて減少させるパターン、
表面（Ａ）に近い部分では濃度を大きく変化させず、表
面（Ｂ）に近づいた部分で濃度を大きく減少させるパタ
ーン等を示すことができる。
【００１２】同様に、タンタル濃度は、表面（Ｂ）から
表面（Ａ）に向かって減少するが、その減少のパターン
は、種々選択することができる。例えば、表面（Ｂ）か
ら表面（Ａ）に向かって濃度を一定の減少率をもって減
少させるパターン、段階的に濃度を変化させて減少させ
るパターン、表面（Ｂ）に近い部分では濃度を大きく変
化させず、表面（Ａ）に近づいた部分で濃度を大きく減
少させるパターン等を示すことができる。
表面（Ａ）に向かって減少するが、その減少のパターン
は、種々選択することができる。例えば、表面（Ｂ）か
ら表面（Ａ）に向かって濃度を一定の減少率をもって減
少させるパターン、段階的に濃度を変化させて減少させ
るパターン、表面（Ｂ）に近い部分では濃度を大きく変
化させず、表面（Ａ）に近づいた部分で濃度を大きく減
少させるパターン等を示すことができる。
【００１３】好ましい磁気記録層として、例えば、以下
の組成を例示することができる。
の組成を例示することができる。
【００１４】 Ｃｏ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｒｘＴａｙＰｔｚ （ｘ、ｙ及びｚの単位は、原子％であり、それぞれ３．
０≦ｘ≦２０．０、０．０≦ｙ≦５．０、０．０≦ｚ≦
１５．０である。但し、ｘ及びｙは、同時に０でなく、
ｙ＝０．０は表面（Ａ）における組成、ｚ＝０．０は表
面（Ｂ）における組成を示す。）又、磁気記録層の厚さ
としては、１００−２０００オングストローム、好まし
くは、３００−１５００オングストロームである。
０≦ｘ≦２０．０、０．０≦ｙ≦５．０、０．０≦ｚ≦
１５．０である。但し、ｘ及びｙは、同時に０でなく、
ｙ＝０．０は表面（Ａ）における組成、ｚ＝０．０は表
面（Ｂ）における組成を示す。）又、磁気記録層の厚さ
としては、１００−２０００オングストローム、好まし
くは、３００−１５００オングストロームである。
【００１５】この様な濃度勾配をもつ磁気記録層は、例
えば、コバルト−クロム−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔと略す）系合金ターゲット及びコバルト−クロム−タ
ンタル（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａと略す）系合金ターゲ
ットを同時スパッタし、この際、ターゲットに投入する
パワーを制御することによって形成することができる。
えば、コバルト−クロム−白金（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔと略す）系合金ターゲット及びコバルト−クロム−タ
ンタル（以下、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａと略す）系合金ターゲ
ットを同時スパッタし、この際、ターゲットに投入する
パワーを制御することによって形成することができる。
【００１６】これらの磁気記録層３の上に、炭素、酸化
アルミニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる
保護層５を形成する。この厚みは５０〜４００オングス
トロームが適当である。また、必要に応じて磁気記録層
３と保護層５の間に表面層４を加えてもよい。この表面
層４は、クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜から
なりその厚みは、５０〜２００オングストロームが適当
である。
アルミニウム、酸化ジルコニウム等の無機物質からなる
保護層５を形成する。この厚みは５０〜４００オングス
トロームが適当である。また、必要に応じて磁気記録層
３と保護層５の間に表面層４を加えてもよい。この表面
層４は、クロム、チタン、バナジウム等の金属薄膜から
なりその厚みは、５０〜２００オングストロームが適当
である。
【００１７】以上のようにして得られた磁気記録媒体の
使用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液体潤
滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤
を塗布して潤滑層６を形成して使用することができる。
使用にあたっては、必要に応じて保護層５の上に液体潤
滑剤、または固体潤滑剤、あるいはこれらの複合潤滑剤
を塗布して潤滑層６を形成して使用することができる。
【００１８】２〜５の各層はスパッタ等の真空成膜技術
等により成膜され、潤滑層６はスパッタ、真空蒸着、ス
ピンコート、ディッピング等の方法を用いることができ
る。
等により成膜され、潤滑層６はスパッタ、真空蒸着、ス
ピンコート、ディッピング等の方法を用いることができ
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００２０】実施例１ 非磁性基板として、平均表面粗さ１００オングストロー
ムに研磨したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆
のアルミニウム合金を用い、この非磁性基板の上に非磁
性下地層として厚さ３０００オングストロームのクロム
膜を形成した。
ムに研磨したニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキ膜被覆
のアルミニウム合金を用い、この非磁性基板の上に非磁
性下地層として厚さ３０００オングストロームのクロム
膜を形成した。
【００２１】更に、磁気記録層として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ系合金ターゲット（但し、Ｃｒの含有量を１２原子
％、Ｔａの含有量を２原子％とし、残部がＣｏからなる
もの）とＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金ターゲット（但し、Ｃ
ｒの含有量を１２原子％、Ｐｔの含有量を８原子％と
し、残部がＣｏからなるもの）とを同時スパッタの方法
によりＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金薄膜６００オング
ストロームを形成したこの際、各々のターゲットに対す
る投入パワーを変化させて、図２に示すようにタンタル
及び白金の濃度を変化させた。なお、図２の横軸におい
て、０オングストロームの位置は、非磁性下地層と接触
している面を示し、６００オングストロームの位置は、
後述する保護層と接触している面を示す。
ａ系合金ターゲット（但し、Ｃｒの含有量を１２原子
％、Ｔａの含有量を２原子％とし、残部がＣｏからなる
もの）とＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金ターゲット（但し、Ｃ
ｒの含有量を１２原子％、Ｐｔの含有量を８原子％と
し、残部がＣｏからなるもの）とを同時スパッタの方法
によりＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金薄膜６００オング
ストロームを形成したこの際、各々のターゲットに対す
る投入パワーを変化させて、図２に示すようにタンタル
及び白金の濃度を変化させた。なお、図２の横軸におい
て、０オングストロームの位置は、非磁性下地層と接触
している面を示し、６００オングストロームの位置は、
後述する保護層と接触している面を示す。
【００２２】この磁気記録層の上に、保護層として炭素
膜をＤＣスパッタ法により３００オングストロームの厚
みに形成し、磁気記録ディスクを製造した。ここで非磁
性下地層を成膜する直前の真空層内の到達真空度を変化
させた時の保磁力の変化を図３に示す。図３によれば保
磁力は到達真空度によらずほぼ一定となる。
膜をＤＣスパッタ法により３００オングストロームの厚
みに形成し、磁気記録ディスクを製造した。ここで非磁
性下地層を成膜する直前の真空層内の到達真空度を変化
させた時の保磁力の変化を図３に示す。図３によれば保
磁力は到達真空度によらずほぼ一定となる。
【００２３】比較例１ 磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金薄膜（但し、Ｃｒの
含有量を１２原子％、Ｐｔの含有量を８原子％とし、残
部がＣｏからなる）の単層で６００オングストロームの
厚さで成膜した以外は実施例１と同時の方法で磁気ディ
スクを製造した。
含有量を１２原子％、Ｐｔの含有量を８原子％とし、残
部がＣｏからなる）の単層で６００オングストロームの
厚さで成膜した以外は実施例１と同時の方法で磁気ディ
スクを製造した。
【００２４】図４に、保磁力の到達真空度依存性を示
す。図４によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるに伴
い低下する傾向にある。
す。図４によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるに伴
い低下する傾向にある。
【００２５】比較例２ 磁気記録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金薄膜（但し、Ｃｒの
含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％とし、残
部がＣｏからなる）の単層で６００オングストロームの
厚さで成膜した以外は実施例１と同様の方法で磁気ディ
スクを製造した。
含有量を１２原子％、Ｔａの含有量を２原子％とし、残
部がＣｏからなる）の単層で６００オングストロームの
厚さで成膜した以外は実施例１と同様の方法で磁気ディ
スクを製造した。
【００２６】図５に、保磁力の到達真空度依存性を示
す。図５によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるのに
伴い著しく低下する傾向にある。
す。図５によれば、保磁力は到達真空度が悪くなるのに
伴い著しく低下する傾向にある。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、磁気記
録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金薄膜で形成し、更
にタンタル及び白金の濃度を変化させることにより、成
膜直前の真空槽内の到達真空度が低くても高保磁力を有
する磁気記録媒体を得ることができるので、生産性を著
しく向上させることができる。
録層をＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金薄膜で形成し、更
にタンタル及び白金の濃度を変化させることにより、成
膜直前の真空槽内の到達真空度が低くても高保磁力を有
する磁気記録媒体を得ることができるので、生産性を著
しく向上させることができる。
【図１】 本発明の磁気記録媒体の構成を模式的に示し
た図である。
た図である。
【図２】 実施例１における磁気記録層中の厚み方向に
対するタンタル及び白金の濃度分布を示した図である。
対するタンタル及び白金の濃度分布を示した図である。
【図３】 実施例１における保磁力と到達真空度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図４】 比較例１における保磁力と到達真空度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図５】 比較例２における保磁力と到達真空度との関
係を示す図である。
係を示す図である。
１ ： 非磁性基板 ２ ： 非磁性下地層 ３ ： 磁気記録層 ３Ａ ： 磁気記録層表面（Ａ） ３Ｂ ： 磁気記録層表面（Ｂ） ４ ： 表面層 ５ ： 保護層 ６ ： 潤滑層
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上に非磁性下地層を介して磁
性金属薄膜からなる磁気記録層及び該磁気記録層を保護
するための保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
磁気記録層が、その両表面を除いてコバルト−クロム−
タンタル−白金系合金薄膜で形成され、非磁性基板側の
表面（Ａ）ではタンタル濃度が０であり、相対する反対
側の表面（Ｂ）では白金濃度が０であり、表面（Ａ）か
ら表面（Ｂ）に向かって白金濃度が減少し、表面（Ｂ）
から表面（Ａ）に向かってタンタル濃度が減少すること
を特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3308194A JP3030994B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3308194A JP3030994B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120669A JPH05120669A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3030994B2 true JP3030994B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=17978054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3308194A Expired - Fee Related JP3030994B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030994B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016179175A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | ドンシク チャ | １２ピースタングラムパズルセット |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3308194A patent/JP3030994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016179175A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | ドンシク チャ | １２ピースタングラムパズルセット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05120669A (ja) | 1993-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |