JPH0580804B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0580804B2 JPH0580804B2 JP57198568A JP19856882A JPH0580804B2 JP H0580804 B2 JPH0580804 B2 JP H0580804B2 JP 57198568 A JP57198568 A JP 57198568A JP 19856882 A JP19856882 A JP 19856882A JP H0580804 B2 JPH0580804 B2 JP H0580804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- metal
- coated
- atomic percent
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置お
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は、γ−Fe2O3、CrO2、Fe、Fe−Co
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基本上に塗布・乾燥・焼成して製造
するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさの
レベルで不連続である。 しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要
請により、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい
磁気記憶媒体の研究開発が盛んに行なわれてい
る。この連続薄膜媒体は主にメツキ、真空蒸着、
スパツタ、イオンプレーテイング等の手法により
作られる金属薄膜からなるものと、真空蒸着、ス
パツタ、イオンプレーテイング等の手法により作
られるFe3O4又はγ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜
からなるものが知られている。金属薄膜からなる
磁気記録媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は高
温・高湿下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、
十分耐食性のある金属薄膜媒体はまだ知られてい
ない。 本発明の目的は上述の現況に鑑み優れた磁気特
性を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒
体を有する磁気記憶体を提供するものである。 すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非
磁性金属層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、
該非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層上に１〜
17原子パーセントのクロムと15〜35原子パーセン
トの白金と残部がコバルトからなる合金、または
１〜８原子パーセントのタンタルと15〜35原子パ
ーセントの白金の残部がコバルトからなる合金の
金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被
覆されて構成されている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第１図において磁気記憶体の金属円盤１とし
てアルミ合金が軽くて加工性が良く安価なことか
ら最も良く用いられるが、場合によつてはチタン
合金が用いられることもある。基盤表面は機械加
工により小さなうねり（円周方向で50μm以下、
半径方向で100μm以下）を有する面に仕上げられ
ている。 次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニ
ツケルー燐合金又は酸化アルミがめつきにより被
覆され、この下地体２の表面は機械的研磨により
最大表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕上げされる。
次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体
３としてクロムと白金とコバルトからなる合金又
はタンタルと白金とコバルトからなる合金の金属
薄膜媒体が高周波スパツタ法により被覆される。
次に上記金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表され
る保護膜４が高周波スパツタ法により被覆され
る。 金属薄膜媒体は抗磁力（Hc）500〜1200oe（エ
ルステツド）、飽和磁束密度（Bs）10000G（ガウ
ス）以下、角形比（Br／Bs）0.7〜0.9保磁力角形
比（S*）0.7〜0.9の範囲の磁気記録媒体として優
れたヒステリシス特性を示す。ここで角形比Ｓは
残留磁束密度Brを飽和磁束密度Bsで割つた値で
ある。上記特性は金属薄膜媒体中の白金およびク
ロムまたはタンタルの量に大きく依存する。 第２又は３図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcお
よび角形比の金属薄膜媒体中のクロムまたはタン
タルの原子パーセントによる変化を示したもので
クロムは１〜17at％タンタルは１〜8at％の範囲
で高記録密度可能な磁気記憶媒体として使用出来
る。 第４図は水中に浸漬したときの腐食による飽和
磁束密度の変化率（初期の飽和磁束密度に対する
比）を表したものである。Ptを15原子％以上含
む記憶媒体（本発明の実施例）は全く変化がなく
磁気記憶媒体として使用できるが、Ptが９原子
％のもの（比較例２）や含まないもの（比較例
１）では急激に腐食が大きくなり磁気記憶媒体と
して使用できない。 またPtが35原子％までは抗磁力および飽和磁
束密度は大きく変化しないが、37％以上では磁気
特性の劣化により磁気記憶媒体としての使用は困
難である。従つてPtの最適な領域は15〜35原子
％である。 以上の様に白金を含み、さらにクロムまたはタ
ンタルをそれぞれ17原子パーセント以下及び８原
子パーセント以下含むコバルト合金からなる金属
薄膜は磁気記録媒体として優れていることが分
る。 金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質
であることが望ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホ
ウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポ
リ珪酸が望ましい。 ポリ珪酸とは、珪素の酸化物であり、次式のよ
うな反応によりテトラヒドロキシシラン（Si
（OH）4）の200〜300℃での熱分解により形成す
る。 Si（OH）4→SiO2＋2H2Ｏ さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜40
の飽和又は不飽和炭化水素又はふつ素化炭化水
素、ＧはCOOH、OH、NH2、COOR′、Si（OR′）
3、CONH2などの官能基）からなる潤滑剤あるい
はフツ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフ
ロロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布すること
も出来る。 次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。 実施例 １ 合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向で50μm以下およ
び半径方向で10μm以下）を有する面に仕上げら
れたデイスク状アルミニウム合金盤上に比磁性合
金２としてニツケルー燐合金を約50μmの厚さに
めつきし、このニツケルー燐めつき膜を最大表面
粗さ0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げし
た。 次にこのニツケルー燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３として高周波スパツタ法によりアルゴン圧
４×10-2torr、パワー密度1W／cm2にて膜厚500Å
クロムを６原子パーセント、白金を15原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さらにこ
の金属磁性媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚に高
周波スパツタ法により被覆して磁気デイスクを作
つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比Ｓ、
保磁力角形比S*はそれぞれ600oe、7000G、0.80、
0.80であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３とし
てタンタルを８原子パーセントおよび白金を20原
子パーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Å
で被覆して磁気デイスクを作つた。HcBr、Ｓ、
およびS*Ｈそれぞれ550oe、6000G、0.75、0.75で
あつた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３とし
てクロムを12原子パーセント白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被覆し
て磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、および
S*はそれぞれ700oe、3000G、0.75、0.75であつ
た。 実施例 ４ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ンタルを４原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被覆
して磁気デイスクを作つた。 Hc、Br、Ｓ、S*はそれぞれ850oe、7000G、
0.85、0.85であつた。 実施例 ５ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてク
ロムを４原子パーセント、白金を35原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて被覆し
て磁気デイスクを作つた。 Hc、Br、Ｓ、S*はそれぞれ700oe、7000G、
0.80、0.80であつた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×10-2
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧８×10-3
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ８ 実施例２と同様にして但しアルゴン圧４×10-2
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ９ 実施例２と同様にして但しアルゴン圧８×10-3
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 10 実施例１と同様にして但し非磁性合金層として
アルミニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非
磁性金属酸化物層として酸化アルミを被覆しこの
酸化アルミを最大表面粗さ0.02μmまで鏡面研磨
仕上げして、磁気デイスクを作つた。 実施例 11 実施例１と同様にして但し保護膜として次の物
質をそれぞれスパツタ法により800Åの厚さに被
覆してそれぞれ磁気デイスクを作つた。
よび磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体
に関する。 現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体
を有するものが主流である。この不連続媒体の磁
気記憶媒体は、γ−Fe2O3、CrO2、Fe、Fe−Co
等の磁性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混
合分散して、基本上に塗布・乾燥・焼成して製造
するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさの
レベルで不連続である。 しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要
請により、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい
磁気記憶媒体の研究開発が盛んに行なわれてい
る。この連続薄膜媒体は主にメツキ、真空蒸着、
スパツタ、イオンプレーテイング等の手法により
作られる金属薄膜からなるものと、真空蒸着、ス
パツタ、イオンプレーテイング等の手法により作
られるFe3O4又はγ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜
からなるものが知られている。金属薄膜からなる
磁気記録媒体（以下金属薄膜媒体と称する）は高
温・高湿下の様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、
十分耐食性のある金属薄膜媒体はまだ知られてい
ない。 本発明の目的は上述の現況に鑑み優れた磁気特
性を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒
体を有する磁気記憶体を提供するものである。 すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非
磁性金属層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、
該非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層上に１〜
17原子パーセントのクロムと15〜35原子パーセン
トの白金と残部がコバルトからなる合金、または
１〜８原子パーセントのタンタルと15〜35原子パ
ーセントの白金の残部がコバルトからなる合金の
金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被
覆されて構成されている。 次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図であ
る。第１図において磁気記憶体の金属円盤１とし
てアルミ合金が軽くて加工性が良く安価なことか
ら最も良く用いられるが、場合によつてはチタン
合金が用いられることもある。基盤表面は機械加
工により小さなうねり（円周方向で50μm以下、
半径方向で100μm以下）を有する面に仕上げられ
ている。 次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニ
ツケルー燐合金又は酸化アルミがめつきにより被
覆され、この下地体２の表面は機械的研磨により
最大表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕上げされる。
次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体
３としてクロムと白金とコバルトからなる合金又
はタンタルと白金とコバルトからなる合金の金属
薄膜媒体が高周波スパツタ法により被覆される。
次に上記金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表され
る保護膜４が高周波スパツタ法により被覆され
る。 金属薄膜媒体は抗磁力（Hc）500〜1200oe（エ
ルステツド）、飽和磁束密度（Bs）10000G（ガウ
ス）以下、角形比（Br／Bs）0.7〜0.9保磁力角形
比（S*）0.7〜0.9の範囲の磁気記録媒体として優
れたヒステリシス特性を示す。ここで角形比Ｓは
残留磁束密度Brを飽和磁束密度Bsで割つた値で
ある。上記特性は金属薄膜媒体中の白金およびク
ロムまたはタンタルの量に大きく依存する。 第２又は３図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcお
よび角形比の金属薄膜媒体中のクロムまたはタン
タルの原子パーセントによる変化を示したもので
クロムは１〜17at％タンタルは１〜8at％の範囲
で高記録密度可能な磁気記憶媒体として使用出来
る。 第４図は水中に浸漬したときの腐食による飽和
磁束密度の変化率（初期の飽和磁束密度に対する
比）を表したものである。Ptを15原子％以上含
む記憶媒体（本発明の実施例）は全く変化がなく
磁気記憶媒体として使用できるが、Ptが９原子
％のもの（比較例２）や含まないもの（比較例
１）では急激に腐食が大きくなり磁気記憶媒体と
して使用できない。 またPtが35原子％までは抗磁力および飽和磁
束密度は大きく変化しないが、37％以上では磁気
特性の劣化により磁気記憶媒体としての使用は困
難である。従つてPtの最適な領域は15〜35原子
％である。 以上の様に白金を含み、さらにクロムまたはタ
ンタルをそれぞれ17原子パーセント以下及び８原
子パーセント以下含むコバルト合金からなる金属
薄膜は磁気記録媒体として優れていることが分
る。 金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質
であることが望ましく、オスミウム、ルテニウ
ム、イリジウム、マンガン、タングステン等の金
属あるいはケイ素、チタン、タンタルまたはハフ
ニウムの酸化物、窒化物または炭化物あるいはホ
ウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポ
リ珪酸が望ましい。 ポリ珪酸とは、珪素の酸化物であり、次式のよ
うな反応によりテトラヒドロキシシラン（Si
（OH）4）の200〜300℃での熱分解により形成す
る。 Si（OH）4→SiO2＋2H2Ｏ さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数10〜40
の飽和又は不飽和炭化水素又はふつ素化炭化水
素、ＧはCOOH、OH、NH2、COOR′、Si（OR′）
3、CONH2などの官能基）からなる潤滑剤あるい
はフツ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフ
ロロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布すること
も出来る。 次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。 実施例 １ 合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向で50μm以下およ
び半径方向で10μm以下）を有する面に仕上げら
れたデイスク状アルミニウム合金盤上に比磁性合
金２としてニツケルー燐合金を約50μmの厚さに
めつきし、このニツケルー燐めつき膜を最大表面
粗さ0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研磨仕上げし
た。 次にこのニツケルー燐めつき膜の上に金属磁性
媒体３として高周波スパツタ法によりアルゴン圧
４×10-2torr、パワー密度1W／cm2にて膜厚500Å
クロムを６原子パーセント、白金を15原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さらにこ
の金属磁性媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚に高
周波スパツタ法により被覆して磁気デイスクを作
つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比Ｓ、
保磁力角形比S*はそれぞれ600oe、7000G、0.80、
0.80であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３とし
てタンタルを８原子パーセントおよび白金を20原
子パーセント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Å
で被覆して磁気デイスクを作つた。HcBr、Ｓ、
およびS*Ｈそれぞれ550oe、6000G、0.75、0.75で
あつた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３とし
てクロムを12原子パーセント白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被覆し
て磁気デイスクを作つた。Hc、Br、Ｓ、および
S*はそれぞれ700oe、3000G、0.75、0.75であつ
た。 実施例 ４ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタ
ンタルを４原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被覆
して磁気デイスクを作つた。 Hc、Br、Ｓ、S*はそれぞれ850oe、7000G、
0.85、0.85であつた。 実施例 ５ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてク
ロムを４原子パーセント、白金を35原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を膜厚500Åにて被覆し
て磁気デイスクを作つた。 Hc、Br、Ｓ、S*はそれぞれ700oe、7000G、
0.80、0.80であつた。 実施例 ６ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×10-2
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ７ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧８×10-3
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ８ 実施例２と同様にして但しアルゴン圧４×10-2
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 ９ 実施例２と同様にして但しアルゴン圧８×10-3
torr、パワー密度15W／cm2にて磁気デイスクを作
つた。 実施例 10 実施例１と同様にして但し非磁性合金層として
アルミニウム合金円盤１表面を陽極酸化により非
磁性金属酸化物層として酸化アルミを被覆しこの
酸化アルミを最大表面粗さ0.02μmまで鏡面研磨
仕上げして、磁気デイスクを作つた。 実施例 11 実施例１と同様にして但し保護膜として次の物
質をそれぞれスパツタ法により800Åの厚さに被
覆してそれぞれ磁気デイスクを作つた。
【表】
【表】
保護膜にポリ珪酸を用いる場合は前述の実施例
と同様に金属磁性媒体までを形成し、その上にテ
トラヒドロキシシランのイソプロピルアルコール
の溶液を塗布して300℃で１時間焼成することに
より、800Åの厚さのポリ珪酸の保護膜を形成し
た。 比較例 １ 実施例１と同様にして但しニツケルー燐めつき
膜の上に膜厚1μmのクロムを介して金属磁性媒体
３としてコバルトを膜厚500Åで被覆して磁気デ
イスクを作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、
角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ600oe、
13600G、0.8、0.8であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様にして白金を9at％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被
覆して磁気デイスクを作つた。 抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比Ｓ、保磁
力角形比S*はそれぞれ600oe、11000G、0.85、
0.85であつた。 以上実施例１〜11および比較例１，２で示した
磁気デイスクを用いて電磁変換特性およびヘツド
との摩耗試験および環境試験および水浸漬腐食試
験を行なつた結果、次の特性を得た。 電磁変換特性については実施例１〜11のデイス
クについて40000〜80000FRPIの記録密度が得ら
れたが、比較例１，２のデイスクでは20000FRPI
の記録密度しか得られなかつた。ヘツドとの摩耗
試験は２万回のコンタクトスタートストツプテス
トを行なつたところデイスク表面に傷は全く見ら
れなかつた。又、温度80℃、相対湿度90％で６ケ
月放置する環境試験を行なつたところ実施例１〜
11および比較例２についてはエラーの増加数は全
てゼロであつたが、比較例１のデイスクはエラー
が100倍に増加した。 最後に実施例１〜11および比較例１，２のデイ
スクを切断して15mm×15mmの切片を作り、１ケ月
間25℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Bsの変化
を調べたところ、第４図の様な結果が得られた。 第４図は磁気記憶体を25℃の水中に浸漬した時
の飽和磁束密度Bsの変化率（Bs／Bo、Boは浸
漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示したもので
あり、値が1.0に近い程耐食性が良い。 すなわち実施例１〜11は１ケ月の水中浸漬後も
Bsの変化は全くなかつたが比較例１は50％、比
較例２は25％Bsが減少した。 以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐
食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特
性を有していることが分つた。
と同様に金属磁性媒体までを形成し、その上にテ
トラヒドロキシシランのイソプロピルアルコール
の溶液を塗布して300℃で１時間焼成することに
より、800Åの厚さのポリ珪酸の保護膜を形成し
た。 比較例 １ 実施例１と同様にして但しニツケルー燐めつき
膜の上に膜厚1μmのクロムを介して金属磁性媒体
３としてコバルトを膜厚500Åで被覆して磁気デ
イスクを作つた。抗磁力Hc、残留磁束密度Br、
角形比Ｓ、保磁力角形比S*はそれぞれ600oe、
13600G、0.8、0.8であつた。 比較例 ２ 実施例１と同様にして白金を9at％残りがコバ
ルトからなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被
覆して磁気デイスクを作つた。 抗磁力Hc、残留磁束密度Br、角形比Ｓ、保磁
力角形比S*はそれぞれ600oe、11000G、0.85、
0.85であつた。 以上実施例１〜11および比較例１，２で示した
磁気デイスクを用いて電磁変換特性およびヘツド
との摩耗試験および環境試験および水浸漬腐食試
験を行なつた結果、次の特性を得た。 電磁変換特性については実施例１〜11のデイス
クについて40000〜80000FRPIの記録密度が得ら
れたが、比較例１，２のデイスクでは20000FRPI
の記録密度しか得られなかつた。ヘツドとの摩耗
試験は２万回のコンタクトスタートストツプテス
トを行なつたところデイスク表面に傷は全く見ら
れなかつた。又、温度80℃、相対湿度90％で６ケ
月放置する環境試験を行なつたところ実施例１〜
11および比較例２についてはエラーの増加数は全
てゼロであつたが、比較例１のデイスクはエラー
が100倍に増加した。 最後に実施例１〜11および比較例１，２のデイ
スクを切断して15mm×15mmの切片を作り、１ケ月
間25℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Bsの変化
を調べたところ、第４図の様な結果が得られた。 第４図は磁気記憶体を25℃の水中に浸漬した時
の飽和磁束密度Bsの変化率（Bs／Bo、Boは浸
漬前の飽和磁束密度）の時間変化を示したもので
あり、値が1.0に近い程耐食性が良い。 すなわち実施例１〜11は１ケ月の水中浸漬後も
Bsの変化は全くなかつたが比較例１は50％、比
較例２は25％Bsが減少した。 以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐
食性（耐環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特
性を有していることが分つた。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分
断面図。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は金属
薄膜媒体、４は保護膜である。第２図は本磁気記
憶体に用いられる金属薄膜媒体における残留磁束
密度、抗磁力及び角形比の金属薄膜媒体中のクロ
ムの原子パーセントによる変化を示した特性図で
あり、第３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄
膜体における残留磁束密度、抗磁力及び角形比の
金属薄膜媒体中のタンタルの原子パーセントによ
る変化を示した特性図である。第４図は本磁気記
憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸漬時間によ
る飽和磁束密度の変化率を示した特性図。
断面図。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は金属
薄膜媒体、４は保護膜である。第２図は本磁気記
憶体に用いられる金属薄膜媒体における残留磁束
密度、抗磁力及び角形比の金属薄膜媒体中のクロ
ムの原子パーセントによる変化を示した特性図で
あり、第３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄
膜体における残留磁束密度、抗磁力及び角形比の
金属薄膜媒体中のタンタルの原子パーセントによ
る変化を示した特性図である。第４図は本磁気記
憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸漬時間によ
る飽和磁束密度の変化率を示した特性図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属円盤上に非磁性金属層又は非磁性金属酸
化物層が被覆され、該非磁性金属層又は非磁性金
属酸化物層上に１〜17原子パーセントのクロムと
15〜35原子パーセントの白金と残部がコバルトか
らなる合金、または１〜８原子パーセントのタン
タルと15〜35原子パーセントの白金と残部がコバ
ルトからなる合金の金属薄膜媒体が被覆され、該
金属薄膜媒体上に保護膜が被覆されて構成された
ことを特徴とする磁気記憶体。 ２ 非磁性金属がニツケル−燐である特許請求の
範囲第１項記載の磁気記憶体。 ３ 非磁性金属酸化物層が酸化アルミニウムであ
る特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ４ 保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウ
ム、マンガン、タングステンである特許請求の範
囲第１項記載の磁気記憶体。 ５ 保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたはハ
フニウムの酸化物、窒化物または炭化物である特
許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ６ 保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の
合金である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶
体。 ７ 保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１
項記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198568A JPS5988806A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198568A JPS5988806A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988806A JPS5988806A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0580804B2 true JPH0580804B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16393339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198568A Granted JPS5988806A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988806A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60261022A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-24 | C Uyemura & Co Ltd | 磁気記録体の製造方法 |
| JPH0670849B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1994-09-07 | 日立金属株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0816974B2 (ja) * | 1986-08-01 | 1996-02-21 | 株式会社日立製作所 | 面内磁気記録媒体 |
| US4789598A (en) * | 1987-01-20 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer |
| JP2561655B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1996-12-11 | 株式会社日立製作所 | 面内磁気記録媒体 |
| JP2749046B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | 面内記録用磁気記録媒体およびそれを用いた面内記録用磁気記録装置 |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
| US4929514A (en) * | 1988-03-22 | 1990-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin film media for high density longitudinal magnetic recording |
| JP2555683B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1996-11-20 | 日本ビクター株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2785276B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1998-08-13 | 三菱化学株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
| US5066552A (en) * | 1989-08-16 | 1991-11-19 | International Business Machines Corporation | Low noise thin film metal alloy magnetic recording disk |
| US5180640A (en) * | 1990-10-01 | 1993-01-19 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium comprising a magnetic alloy layer of cobalt nickel, platinum and chromium formed directly on a nickel alloy amorphous underlayer |
| JPH05274644A (ja) * | 1992-01-29 | 1993-10-22 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH08227515A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 面内記録用磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH10228621A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57198568A patent/JPS5988806A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
| JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5988806A (ja) | 1984-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0580804B2 (ja) | ||
| JPH0572727B2 (ja) | ||
| JPH0474772B2 (ja) | ||
| JPS5961107A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JP2540479B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0556006B2 (ja) | ||
| JPS61199224A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6018817A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPH0580805B2 (ja) | ||
| US4753852A (en) | Magnetic recording medium comprising a magnetic Co-Ni-Cr alloy thin layer | |
| JPH0556007B2 (ja) | ||
| JPH0580803B2 (ja) | ||
| JPH0642425B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS60193124A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS59180829A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS62141628A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6035332A (ja) | 磁気記憶体 | |
| JPS6364623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2792118B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62256217A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62291719A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62149024A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61184725A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0467252B2 (ja) | ||
| JPH0268712A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体 |