JPH10228621A - 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 - Google Patents

磁気記録媒体及び磁気ディスク装置

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JPH10228621A
JPH10228621A JP9031912A JP3191297A JPH10228621A JP H10228621 A JPH10228621 A JP H10228621A JP 9031912 A JP9031912 A JP 9031912A JP 3191297 A JP3191297 A JP 3191297A JP H10228621 A JPH10228621 A JP H10228621A
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film
recording medium
recording
head
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Kenji Sato
賢治 佐藤
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 非磁性基板と、その基板上に順次形成され
た、非磁性材料からなる下地膜及び磁性材料からなる記
録膜とを含む磁気記録媒体に関し、高い再生出力に結び
つく高保磁力を有しかつノイズの低い面内磁気記録媒体
を提供することを目的とする。 【解決手段】 下地膜を主たる成分としてのクロムと従
たる成分としてのモリブデンから構成し、磁性記録膜
を、５６〜７８ａｔ％のコバルト、１４〜２２ａｔ％の
クロム、４〜２０ａｔ％の白金、そして０．５〜４ａｔ
％のタンタル及び（又は）ニオブから構成し、そして前
記記録膜のｔＢｒ（記録膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒ
の積）が４０〜２００Ｇ・μm であるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、高い保磁力により高密度記
録を可能とするとともに、再生出力を維持したまま媒体
ノイズを低減させることによりＳ／Ｎ比を向上させた磁
気記録媒体に関する。本発明はまた、上記したような磁
気記録媒体を使用した、情報の記録及び再生を行うため
の磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュー
タの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対し
て高密度化の要求が高まっている。具体的には、かかる
磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻線
型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強
さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した
磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲ（ｍａｇｎｅｔ
ｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッドを使用することが提案さ
れている。ＭＲヘッドは、磁性体の電気抵抗が外部磁界
により変化する磁気抵抗効果を記録媒体上の信号の再生
に応用したもので、従来のインダクティブ薄膜磁気ヘッ
ドに較べて数倍も大きな再生出力幅が得られること、イ
ングクタンスが小さいこと、大きなＳ／Ｎ比が期待でき
ること、などを特徴としている。また、このＭＲヘッド
とともに、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（ａｎ
ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖ
ｅ）ヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（ｇｉ
ａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、
そしてその実用タイプであるスピンバルブＧＭＲヘッド
の使用も提案されている。
【０００３】さらに、高密度記録の要求を満たすため
に、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録
媒体においても、上記したＭＲヘッド、ＡＭＲヘッドあ
るいはＧＭＲヘッド（スピンバルブヘッドを含む）に対
応可能な特性の向上が求められている。磁気記録媒体で
は、特に、ｔＢｒ（磁気記録膜の膜厚ｔと残留磁化密度
Ｂｒの積）が低く、低ノイズであり、そして保磁力Ｈｃ
が高いことが求められている。このような要求を満足さ
せるため、例えば特開平１−２５６０１７号公報では、
非磁性基板上にクロム層（膜厚１００nm）を形成して下
地膜となし、このクロム層の上にＣｏＣｒＴａ系の低ノ
イズ、ＣｏＣｒＰｔ系の高保磁力を兼ね具えたＣｏＣｒ
ＴａＰｔ系の四元合金よりなる磁性層（膜厚６０nm）を
形成したことを特徴とする磁気記録媒体が開示されてい
る。また、米国特許第５，００４，６５２号明細書（特
開平４−２２８１０５号公報）では、非磁性基板上にク
ロム層（膜厚＝約３０〜３００nm）及びＣｏＣｒＰｔＴ
ａの四元系合金よりなる磁性層（膜厚＝約２０〜１００
nm）を順次スパッタにより形成したことを特徴とする磁
気記録媒体が開示されている。さらに、特開平５−７２
０１６号公報では、基板上に磁性金属薄膜をスパッタリ
ングによって成膜する磁気記録媒体の製造法が開示され
ている。しかし、これらの公開された特許公報では、磁
気記録媒体の保磁力を高めるのに有効な手段が教示され
ているけれども、本発明で同時に達成しようとしている
ノイズの低下については、全く考慮されていない。
【０００４】高保磁力及び低ノイズの両特性を同時に満
足させる磁気記録媒体は、特開平７−５０００８号公報
において教示されている。すなわち、この公報に教示さ
れている磁気記録媒体は、非磁性基体層上に、クロム又
はクロム合金からなる非磁性金属下地層（膜厚１００〜
３０００Å）を介して、６０〜８０ａｔ％のＣｏ、５〜
２０ａｔ％のＣｒ、１〜２０ａｔ％のＰｔ、そして０．
５〜６ａｔ％の、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｔｉ及びＴａのうち
の１種からなる合金組成の磁性層を形成したことを特徴
としている。この発明に従うと、１６１０〜１７５０Ｏ
ｅの高い保磁力（実施例１〜７）とともに、低ノイズも
達成することができる。また、特開平７−５０００９号
公報では、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる単層磁性膜の下地
層として、Ｃｒ９５〜６０ａｔ％とＭｏ、Ｗのうちの１
種以上５〜４０ａｔ％とからなる合金組成を有する薄膜
媒体を使用したことを特徴とする磁気記録媒体が開示さ
れている。この磁気記録媒体でも、高い保磁力ととも
に、低ノイズも達成することができる。具体的には、下
地層として２８ａｔ％のＭｏを含有するＣｒ層を使用す
ることにより、Ｃｒ単独からなる下地層に較べて１０％
ほどノイズの低減を図ることができる。しかしながら、
これらの公報に教示されている技術は、依然として、解
決されなければならない課題を有している。例えば、特
開平７−５０００８号公報に記載の磁気記録媒体では、
実施例に具体的に示されるように、比較例に比較して高
い保磁力（Ｈｃ≧１５００Ｏｅ）を与えることができる
というものの、高々１６１０〜１７５０Ｏｅの範囲であ
る。少なくともＨｃ≧２０００Ｏｅを与えるような磁気
記録媒体を提供することが望ましい。また、ｔＢｒにつ
いてみると、同じく実施例に示されるように３２０〜３
４０Ｇ・μm の範囲を与える技術であるので、今後にお
いてさらに高レベルが要求されることが予想される高密
度化には不十分である。最高でも２００Ｇ・μm のｔＢ
ｒを与えるような磁気記録媒体を提供することが望まし
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、高い再生出力に結びつく高い保磁力を有し、しかも
ノイズの低下ももたらすことのできる磁気記録媒体、そ
して低ノイズを維持したまま再生出力を向上させること
によりＳ／Ｎ比を向上させることのできる磁気記録媒体
を提供することにある。
【０００６】本発明の第２の目的は、上記したような本
発明による磁気記録媒体を使用した磁気ディスク装置を
提供することにある。本発明のその他の目的は、以下の
詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、その１つの面
において、非磁性基板と、その基板上に順次形成され
た、非磁性材料からなる下地膜及び磁性材料からなる記
録膜とを含む磁気記録媒体において、前記下地膜が主た
る成分としてのクロムと従たる成分としてのモリブデン
から構成されており、前記記録膜が、下記の成分： コバルト ５６〜７８ａｔ％ クロム １４〜２２ａｔ％ 白金 ４〜２０ａｔ％ タンタル及び（又は）ニオブ ０．５〜４ａｔ％ から構成されており、保磁力Ｈｃ＞２０００Ｏｅであ
り、そして前記記録膜のｔＢｒ（記録膜の膜厚ｔと残留
磁化密度Ｂｒの積）が４０〜２００Ｇ・μm であること
を特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【０００８】本発明は、そのもう１つの面において、磁
気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド
部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備えた磁
気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が本発明に
よる磁気記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁
気抵抗効果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気
ディスク装置を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明による磁気記録媒体は、上
記したように、非磁性基板と、その基板上に順次形成さ
れた、非磁性材料からなる下地膜及び磁性材料からなる
記録膜とを含むものであって、その典型的な構成は、図
１に断面で示す通りである。すなわち、本発明の磁気記
録媒体は、図示されるように、非磁性支持体１と、この
支持体の上に順次形成された、非磁性金属材料であるコ
バルトとモリブデンからなる下地膜２及び上記したよう
に特定の磁性金属材料からなる磁性記録膜３とを含むよ
うにして構成することができる。なお、図中、磁性記録
膜３の上方には、本発明において必要に応じて存在させ
ることのできる保護膜４が形成されている。
【００１０】本発明の磁気記録媒体において、非磁性支
持体上に形成されるべき非磁性の下地膜は、クロムを主
成分として含有するものであって、従たる成分としての
モリブデンが添加されている。下地膜は、好ましくは、
１５〜６０nmの膜厚を有している。また、非磁性下地層
の上に形成されるべき磁性記録膜は、コバルト、クロ
ム、白金、タンタル及びニオブの五元系合金から構成さ
れるものであって、その合金の組成比は、次の通りであ
る： コバルト ５６〜７８ａｔ％、 クロム １４〜２２ａｔ％、 白金 ４〜２０ａｔ％及び タンタル及び（又は）ニオブ ０．５〜４ａｔ％。 また、この磁性記録膜において、保磁力はＨｃ＞２００
０Ｏｅであり、そしてｔＢｒ（記録膜の膜厚ｔと残留磁
化密度Ｂｒの積）は４０〜２００Ｇ・μm の範囲であ
る。タンタル及びニオブは、上記したように、少なくと
も４ａｔ％の量で含まれ、また、その際、タンタル及び
ニオブがそれぞれ同量で含まれるのが好ましい。
【００１１】下地膜及び磁性記録膜は、この技術分野に
おいて一般的に用いられてるいろいろな成膜法を使用し
て形成することができるというものの、それぞれ、−７
０〜−４００ＶのＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法
により成膜することが好ましい。また、本発明の好まし
い１態様において、非磁性支持体をＮｉＰメッキのアル
ミニウムディスクから構成するとともに、記録膜を、ス
パッタ法で、２２０〜３２０℃の成膜温度で形成するこ
とができる。
【００１２】以上に要約して説明した本発明は、本発明
者が従来の技術の問題点を鋭意検討した結果として導か
れたものである。本発明者は、従来のＴａ及びＮｂを含
むＣｏＣｒＰｔ系の磁性層の材料組成、特に先に参照し
て説明した特開平７−５０００８号公報に記載されてい
るＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ系磁性層の材料組成を検討し
た。その結果、この公報の実施例に具体的に示される磁
性層の組成、Ｃｏ75.8Ｃｒ12.5Ｐｔ7.7 Ｔａ2 Ｎｂ
2 （Ｃｒ下地層上）では高保磁力及び低ノイズの両特性
を同時に満足させることができるけれども、磁気特性及
び電磁変換特性において改良の余地があること、しか
し、かかる五元系合金からなる磁性層において、本発明
に従い下地層をＣｒＭｏ合金としかつ磁性層の材料組成
中のＣｒ量を増大した場合、それらの特性をより改良し
得るということを見い出した。また、磁気記録媒体と組
み合わせて用いられる磁気ヘッドに関して、特開平７−
５０００８号公報の実施例で用いられている磁気ヘッド
は、インダクティブヘッド（ＭＩＧヘッド）であるの
で、実施例において具体的に示されているｔＢｒ：３３
０Ｇ・μm 及びＨｃ：１７２０Ｏｅ程度の特性しか与え
ることができず、１Ｇｂ／ｉｎ 2 以上の高密度記録には
不十分であるということも見い出した。さらに、成膜温
度は２３０℃であり、低めであること、そして成膜時に
おけるＤＣバイアスの適用は提案されていないことにも
留意した。
【００１３】これとは対照的に、本発明の磁気記録媒体
の磁性記録膜は、その材料組成や成膜方法、成膜条件等
を変更することにより、磁気特性を制御することができ
る。実際に、本発明に従うと、記録媒体の特性の目安と
なる媒体Ｓ／Ｎ比を３０ｄＢ以上とすることができ、ま
た、成膜にマグネトロンスパッタ法を用いた場合、成膜
温度を２１５℃以上、そして適用するＤＣバイアスを−
８０〜−４００Ｖとすることにより、ヘッド走行方向の
媒体磁気特性をＨｃ：２５００Ｏｅ，Ｓ：０．８，
Ｓ* ：０．８とすることができる。
【００１４】また、本発明の磁気記録媒体の非磁性下地
膜は、ＣｒＭｏ合金から構成されるものである。下地膜
のＣｒに対してＭｏを添加することによって、その下地
膜の格子間間隔を広げることができる。記録膜の組成、
特に白金（Ｐｔ）量によって広がる記録膜の格子間隔に
その格子間隔が近くなるように下地膜の組成を変更する
ことにより、ＣｏＣｒ記録膜のＣ軸の面内への優先配向
を促すことができることがＸ線パターンから確認できる
〔Ｃｏ（１１０）の回折ピークが大きくなっている〕。
この結果、保磁力Ｈｃも向上することがわかる。さら
に、本発明者の知見によれば、下地膜の膜厚を１５〜６
０nmとすることにより、Ｓ／Ｎ比を効果的に高めること
ができる。
【００１５】本発明の磁気記録媒体では、したがって、
Ｓ／Ｎ比及び記録密度を同時に高めることができる。こ
れは、ＣｏＣｒＰｔ三元系合金に対してＴａ及びＮｂの
両方を添加し、さらに層構成や成膜プロセスを最適化し
たことにより、ノイズが低減させられたことが大きく影
響している。さらに詳しく説明すると、本発明の磁気記
録媒体において、その基体として用いられる非磁性支持
体は、この技術分野において常用のいろいろな支持体材
料から構成することができる。適当な支持体材料は、以
下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、
例えば、ＮｉＰメッキのアルミニウム（アルミニウム合
金を含む）ディスク、ガラス又は強化ガラスディスク、
表面酸化膜（例えばシリコン酸化膜）を有するシリコン
ディスク、ＳｉＣディスク、カーボンディスク、プラス
チックディスク、セラミックディスクなどを包含する。
【００１６】非磁性支持体上の下地膜は、この技術分野
において常用のクロム／モリブデン合金から構成するこ
とができる。この下地膜は、好ましくは、例えばマグネ
トロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜
条件により形成することができる。適当な成膜条件とし
て、例えば、約１００〜３００℃の成膜温度、約１〜１
０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約−７０〜−４０
０Ｖのバイアス電圧を挙げることができる。また、必要
に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸
着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。か
かる下地膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲
で変更することができるというものの、好ましくは１５
〜６０nmである。
【００１７】非磁性支持体上に上記下地膜を介して形成
される磁性記録膜は、上記したように、ＣｏＣｒＰｔＴ
ａＮｂの五元系合金から構成されるものである。かかる
磁性記録膜は、好ましくは、スパッタ法により、特定の
成膜条件下で有利に形成することができる。スパッタ法
としては、上記した下地膜の成膜と同様、例えばマグネ
トロンスパッタ法などを使用することができる。適当な
成膜条件として、例えば、約１００〜３５０℃の成膜温
度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約−
７０〜−４００Ｖのバイアス電圧を挙げることができ
る。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成
膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用
してもよい。
【００１８】磁性記録膜は、通常、単一の膜から構成す
ることができ、しかし、必要に応じて、２層もしくはそ
れ以上の互いに分断された記録膜からなる多層構造膜で
あってもよい。すなわち、磁性記録膜は、必要に応じ
て、多層構造の形をとることができ、その際、それぞれ
の記録膜は、その中間に介在せしめられた非磁性中間膜
を介して分断可能である。適当な非磁性中間膜として
は、例えば、ＣｒＭｏ層などを挙げることができる。
【００１９】また、本発明者の知見によれば、本発明の
実施において、選ばれた支持体ごとに、それに最適な成
膜条件を選択することができる。例えば、非磁性支持体
がＮｉＰメッキのアルミニウムディスクである場合、磁
性記録膜を、スパッタ法で、２２０〜３２０℃の成膜温
度でコバルト、クロム、白金、タンタル及びニオブから
有利に形成することができる。
【００２０】さらに、本発明の磁気記録媒体は、必要に
応じて、その最上層として、そして、通常、上記した磁
性記録膜の上方に、この技術分野において屡々採用され
ているように、保護膜をさらに有していてもよい。適当
な保護膜としては、例えば、カーボンの単独もしくばそ
の化合物からなる層、例えばＣ層、ＷＣ層、ＳｉＣ層、
Ｂ4 Ｃ層、水素含有Ｃ層などを挙げることができるでき
る。特に、本発明の実施に当たっては、カーボンからな
る保護膜を有利に使用することができる。このような保
護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ法、蒸着法な
どによって形成することができる。かかる保護膜の膜厚
は、種々のファクタに応じて広い範囲で変更することが
できるというものの、好ましくは、約５〜１５nmであ
る。
【００２１】本発明の磁気記録媒体は、上記したような
必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分
野において常用の追加の層を有していたり、さもなけれ
ば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよ
い。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン
樹脂系の潤滑層が形成されていたり、さもなければ、同
様な処理が施されていてもよい。
【００２２】さらにまた、本発明は、そのもう１つの面
において、上記しかつ以下に詳細に説明する本発明の磁
気記録媒体を使用した磁気ディスク装置にある。本発明
の磁気ディスク装置において、その構造は特に限定され
ないというものの、基本的に、磁気記録媒体において情
報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行
うための再生ヘッド部を備えている装置を包含する。特
に、再生ヘッド部は、以下に説明するように、磁界の強
さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した
磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを備えて
いることが好ましい。
【００２３】本発明の磁気ディスク装置において、好ま
しくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセ
ンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部
と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層さ
れてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。
磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において
公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好
ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
又は巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（スピン
バルブＧＭＲヘッド等を含む）を包含する。再生ヘッド
部の導体層は、いろいろな構成を有することができるけ
れども、好ましくは、 １．導体層の膜厚に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部
分を比較的に薄く形成し、その他の部分を厚く形成した
もの、 ２．導体層の膜厚及び幅員に関して、磁気抵抗効果素子
の近傍部分のそれを比較的に薄くかつ細く形成し、その
他の部分を厚くかつ幅広に形成したもの、 を包含する。導体層の膜厚及び必要に応じて幅員を上記
のように調整することは、いろいろな手法に従って行う
ことができるものの、特に、導体層の多層化によって膜
厚の増加を図ることによりこれを達成することが推奨さ
れる。
【００２４】特に上記したような構成の磁気ディスク装
置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッド（情報の読
み出しのための磁気抵抗効果型の再生ヘッド部と情報の
記録のための誘導型の記録ヘッド部とを複合的に組み合
わせた磁気ヘッド）に比較して、記録ヘッド部の磁極の
湾曲を小さくするとともに導体層の抵抗を下げ、オフト
ラックが小さい範囲であれば、精確にかつ高感度で情報
を読み出すことができる。
【００２５】本発明の磁気ディスク装置は、好ましく
は、その記録ヘッド部及び再生ヘッド部を図２及び図３
に示すような積層構造とすることができる。図２は、本
発明の磁気ディスク装置の原理図で、また、図３は、図
２の線分Ｂ−Ｂにそった断面図である。図２及び図３に
おいて、１１は磁気記録媒体への情報の記録を行う誘導
型の記録ヘッド部、１２は情報の読み出しを行う磁気抵
抗効果型の再生ヘッド部である。記録ヘッド部１１は、
ＮｉＦｅ等からなる下部磁極（上部シールド層）１３
と、一定間隔をもって下部磁極１３と対向したＮｉＦｅ
等からなる上部磁極１４と、これら磁極１３，１４を励
磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体に情報の記
録を行わせるコイル１５等から構成される。
【００２６】再生ヘッド部１２は、好ましくはＡＭＲヘ
ッドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものであり、
その磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁気抵抗効果素
子部１２Ａにセンス電流を供給するための一対の導体層
１６が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられ
ている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁気抵抗効果素
子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成され、他の部分
１６Ｂは厚く形成されている。
【００２７】図２及び図３の構成では、導体層１６の膜
厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａで薄
くなっているため、下部磁極（上部シールド層）１３等
の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に
対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の
記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出
し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれ
があっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出す
ことができ、オフトラック量が小さいにもかかわらず読
み出しの誤差が生じるという事態を避けることができ
る。
【００２８】一方、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果
素子部１２Ａの近傍以外の部分１６Ｂでは厚く形成され
ているため、導体層１６の抵抗を全体として小さくする
こともでき、その結果、磁気抵抗素子部１２Ａの抵抗変
化を高感度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比が向
上する。又、導体層１６での発熱も避けることができ、
発熱に起因したノイズの発生も防げる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明をその典型的な実施例に関して
詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの実施例に
よって限定されるものではないことを理解されたい。な
お、下記の実施例では、下地膜、磁性記録膜及び保護膜
の形成のため、図４に構成を示すようなＤＣマグネトロ
ンスパッタ装置を使用した。スパッタ装置１０は、図示
されるように、アルゴンガスをスパッタ室に導入するた
めのアルゴン供給口５、排気口６、ディスク基板１を支
承するためのサセプタ７、ターゲット８、そしてマグネ
ット９を装備している。装置のスパッタ室には、１〜１
０Ｔｏｒｒ程度の真空を適用可能である。
【００３０】例１ 磁気記録媒体の製造 良く洗浄された表面にテクスチャ処理が施されているＮ
ｉＰ／Ａｌディスク基板に、ＤＣマグネトロンスパッタ
装置により、ＣｒＭｏ１０（ａｔ％）下地膜、ＣｏＣｒ
１７Ｐｔ５系（ａｔ％）記録膜、Ｃ保護膜を順次積層し
た。この場合、下地膜の成膜前にスパッタ室内を３×１
０-7Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温度を２８０℃に上昇
させ、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を５ｍＴｏ
ｒｒに保持した。下地膜は、０〜−４００Ｖのバイアス
電圧の印加下、異なる膜厚（１０〜６０nm）で成膜し
た。次いで、形成されたＣｒＭｏ下地膜の上に組成を異
にするＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜をｔＢｒ＝１００Ｇ・μ
ｍ（膜厚２７nmに相当）で成膜した。ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｎｂ記録膜の組成は、Ｃｏ７４Ｃｒ１７（ａｔ％）ター
ゲットにＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを配置した複合ターゲ
ットを用いることによって調整した。
【００３１】いろいろな条件を適用して、記録膜の組成
と得られる磁気特性との関係及びその他の関係を評価し
た。それぞれの評価試験において、組成分析にはエルネ
ギー分散型組成分析装置（ＥＤＳ）、磁気測定には振動
試料型磁力計（ＶＳＭ）を使用した。評価試験の詳細及
び得られた結果を以下に説明する。
【００３２】評価試験１ ＣｏＣｒＰｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の残留磁
化Ｂｒ（ガウス）のＣｒ組成依存性 ＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒＰｔ５Ｔａ２Ｎｂ２
（ａｔ％）記録膜をＣｒ含有量をいろいろに変更して形
成した。得られた記録膜のそれぞれについて残留磁化Ｂ
ｒ（ガウス）を測定したところ、図５にプロットするよ
うな結果が得られた。この結果から、残留磁化はＣｒ組
成に対して直線的に変化することがわかる。また、残留
磁化量の目安となるＢｒ＝２０００ガウスを維持するた
めには、Ｃｒ含有量を２０ａｔ％以下に調整する必要の
あることもわかる。
【００３３】評価試験２ ＣｏＣｒＰｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の媒体Ｓ
／Ｎ（ｄＢ）のＣｒ組成依存性 ＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒＰｔ５Ｔａ２Ｎｂ２
（ａｔ％）記録膜をＣｒ含有量をいろいろに変更して形
成した。得られた記録膜のそれぞれについて媒体Ｓ／Ｎ
（ｄＢ）を測定したところ、図６にプロットするような
結果が得られた。この結果から、Ｃｒ組成の増加に伴い
媒体Ｓ／Ｎが増加していることがわかる。また、所要の
媒体Ｓ／Ｎである３０ｄＢをクリアするためには、Ｃｒ
含有量を１４ａｔ％以上に調整する必要のあることもわ
かる。
【００３４】評価試験３ ＣｏＣｒ１７ＰｔＴａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の保磁
力Ｈｃ（Ｏｅ）のＰｔ組成依存性 ＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７ＰｔＴａ２Ｎｂ
２（ａｔ％）記録膜をＰｔ含有量をいろいろに変更して
形成した。得られた記録膜のそれぞれについて保磁力Ｈ
ｃ（Ｏｅ）を測定したところ、図７にプロットするよう
な結果が得られた。この結果から、Ｐｔ含有量が１０ａ
ｔ％の付近で最大の保磁力Ｈｃが得られることがわか
る。また、２０００Ｏｅ以上の保磁力Ｈｃを得るために
は、Ｐｔ含有量を４〜２０ａｔ％の範囲に含める必要の
あることもわかる。
【００３５】評価試験４ ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の保
磁力Ｈｃ（Ｏｅ）のｔＢｒ／膜厚依存性 ＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎ
ｂ２（ａｔ％）記録膜を形成した。得られた記録膜の保
磁力Ｈｃ（Ｏｅ）がｔＢｒ（Ｇ・μｍ）及び従って膜厚
（nm）でいかに変化するかを測定したところ、図８にプ
ロットするような結果が得られた。この結果から、ｔＢ
ｒが１００Ｇ・μｍ付近（膜厚では２５nm付近）で最大
の保磁力Ｈｃが得られ、それよりも増加すると直線的に
減少することがわかる。また、ｔＢｒが４０Ｇ・μｍ以
下では保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下となってしまい、
所要の保磁力を維持できないということもわかる。
【００３６】評価試験５ ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜及び
他の記録膜の媒体Ｓ／Ｎ（ｄＢ）のｔＢｒ／膜厚依存性 ＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎ
ｂ２（ａｔ％）記録膜ならびに比較のための記録膜Ｃｏ
Ｃｒ１７Ｐｔ５Ｔａ４及びＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｎｂ４を
形成した。得られた記録膜のそれぞれについて、媒体Ｓ
／Ｎ（ｄＢ）がｔＢｒ（Ｇ・μｍ）及び従って膜厚（n
m）でいかに変化するかを測定したところ、図９にプロ
ットするような結果が得られた。この結果から、本発明
の記録膜の場合、ｔＢｒが１００Ｇ・μｍ付近（膜厚で
は２５nm付近）で最大の媒体Ｓ／Ｎが得られ、それより
も増加するとほぼ直線的に減少することがわかる。ま
た、所要Ｓ／Ｎである３０ｄＢを満足するためには、ｔ
Ｂｒが２００Ｇ・μｍ以下でなければならないというこ
ともわかる。
【００３７】評価試験６ ＣｏＣｒ１７ＰｔＴａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜及び他
の記録膜の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）の膜厚依存性 ＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎ
ｂ２（ａｔ％）記録膜ならびに比較のための記録膜Ｃｏ
Ｃｒ１７Ｐｔ５Ｔａ４及びＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｎｂ４を
形成した。得られた記録膜のそれぞれの保磁力Ｈｃ（Ｏ
ｅ）が膜厚（nm）でいかに変化するかを測定したとこ
ろ、図１０にプロットするような結果が得られた。この
結果から、本発明の記録膜の場合、ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５
Ｔａ４のＴａの一部をＮｂに置換することによって、Ｓ
／Ｎ特性を低下させることなく、良好なＯ／Ｗ特性が得
られる程度に保磁力Ｈｃをコントロールすることができ
る（２０００〜２５００Ｏｅ）。
【００３８】評価試験７ Ｃｏ７４Ｃｒ１７Ｐｔ５Ｔａx Ｎｂy （x ＋y ＝４）
（ａｔ％）記録膜における孤立波Ｓ／ＮのＴａとＮｂの
添加比率依存性 膜厚２５nmのＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏ７４Ｃｒ１
７Ｐｔ５Ｔａx Ｎｂy（x ＋y ＝４）（ａｔ％）記録膜
をｘ及びｙをいろいろに変更して形成した。得られた記
録膜のそれぞれの孤立波Ｓ／Ｎ（ｄＢ）がＴａとＮｂの
添加比率によっていかに変化するかを測定したところ、
図１１にプロットするような結果が得られた。この結果
から、Ｎｂ置換量が２〜２．５ａｔ％（Ｔａ１．５〜２
ａｔ％）付近で最高の孤立波Ｓ／Ｎが得られることがわ
かる。
【００３９】評価試験８ ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の孤
立波Ｓ／Ｎの下地膜厚依存性 膜厚を異にするＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７
Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜を形成した。得ら
れた記録膜のそれぞれの孤立波Ｓ／Ｎ（ｄＢ）が下地膜
の膜厚の変動に応じていかに変化するかを測定したとこ
ろ、図１２にプロットするような結果が得られた。この
結果から、下地膜厚が約１５〜６０nmの時に満足し得る
孤立波Ｓ／Ｎ（３０ｄＢ以上）が得られ、そして約３０
〜４０nmの時に最高の孤立波Ｓ／Ｎが得られることがわ
かる。
【００４０】評価試験９ ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の孤
立波Ｓ／ＮのＤＣバイアス電圧依存性 膜厚２５nmのＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７Ｐ
ｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜を形成し、その際、
印加するバイアス電圧（−Ｖ）をいろいろに変更した。
得られた記録膜のそれぞれの孤立波Ｓ／Ｎ（ｄＢ）がバ
イアス電圧の変動に応じていかに変化するかを測定した
ところ、図１３にプロットするような結果が得られた。
この結果から、バイアス電圧が−７０〜−４００Ｖの時
に満足し得る孤立波Ｓ／Ｎ（３０ｄＢ以上）が得られ、
そして約−２００Ｖの時に最高の孤立波Ｓ／Ｎが得られ
ることがわかる。
【００４１】評価試験１０ ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜の孤
立波Ｓ／Ｎの成膜温度依存性 膜厚２５nmのＣｒＭｏ１０下地膜の上にＣｏＣｒ１７Ｐ
ｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜を形成し、その際、
成膜温度をいろいろに変更した。得られた記録膜のそれ
ぞれの孤立波Ｓ／Ｎ（ｄＢ）が成膜温度の変動に応じて
いかに変化するかを測定したところ、図１４にプロット
するような結果が得られた。この結果から、成膜温度が
２２０℃以上の時に満足し得る孤立波Ｓ／Ｎ（３０ｄＢ
以上）が得られ、そして成膜温度が高くなればなるほど
Ｓ／Ｎが向上するということがわかる。
【００４２】例２ 磁気ディスク装置の製造 図１５は、本発明の磁気ディスク装置の１実施例を示す
断面図、そして図１６は、図１５に示した磁気ディスク
装置のなかの磁気抵抗効果素子部及び導体層を示す斜視
図である。図示の例において、導体層３１の膜厚は、磁
気抵抗効果素子部３０Ａの近傍部分３１Ａで薄く形成さ
れ（例えば１２００Å以下。薄いほどよい）、他の部分
３１Ｂで厚く形成されている（例えば３０００〜４００
０Åもしくは磁気抵抗効果素子部３０Ａの近傍部分３１
Ａの２〜４倍）。
【００４３】導体層３１の磁気抵抗効果素子部３０Ａの
近傍以外の部分３１Ｂを厚く形成するには、導体層３１
を成膜により多層化することが有効である。本例では、
図１６に示したように、２層で形成した導体層３１を用
いており、まず第１層３１−１（例えば膜厚１２００Å
以下）を形成し、次に、第１層３１−１の３１Ｂ部分に
だけ、第２層３１−２（例えば膜厚１８００〜２２００
Å）を積層形成している。
【００４４】本例での情報の記録／再生動作は、従来の
磁気ディスク装置のそれと全く同様である。即ち、磁気
記録媒体への情報の記録を行う場合は、記録ヘッド部の
コイルに電流を流し、磁極２１，２２に磁束を生じさせ
る。これにより、磁極２１，２２の記録ギャップ部分に
て漏れ磁束が生じ、磁気記録媒体に情報の記録が行われ
る。
【００４５】一方、磁気記録媒体からの情報の読み出し
は、磁気記録媒体から外部磁界が印加された場合と印加
されない場合において磁気抵抗素子部３０Ａの電気抵抗
に相違があることを利用して行う。具体的には、磁気抵
抗素子部３０Ａでの抵抗変化を導体層３５，３６を介し
て検出し、磁気ヘッドが再生信号として出力する。本例
では、導体層３１の膜厚が、磁気抵抗効果素子部３０Ａ
の近傍部分３１Ａで薄くなっているため、下部磁極（上
部シールド層）２１等の湾曲が小さくなっている。この
ため、磁気記録媒体に対向する記録ギャップの形状もあ
まり湾曲せず、情報の記録時における磁気ヘッドのトラ
ック上の位置と読み出し時における磁気ヘッドのトラッ
ク上の位置に多少ずれがあっても、磁気ディスク装置は
正確に情報を読み出すことができ、オフトラック量が小
さいにもかかわらず読み出しの誤差が生じるという事態
を避けることができる。
【００４６】また、導体層３１の膜厚が、磁気抵抗効果
素子部３０Ａの近傍以外の部分３１Ｂでは厚くかつ幅広
に形成されているため、導体層３１の抵抗を全体として
小さくすることもできる。ちなみに、従来１０Ω程度で
あった抵抗を７〜８Ω程度に低下させることは容易であ
る。その結果、磁気抵抗素子部３０Ａの抵抗変化を高感
度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比も向上する。
また、導体層３１での発熱も避けることができ、発熱に
起因したノイズの発生も防げる。
【００４７】なお、上記した例では、磁気抵抗効果素子
部３０Ａの近傍以外の部分３１Ｂでは導体層３１を厚く
かつ幅広に形成したが、厚くするだけでもよい。また、
導体層３１の接続位置はセンス電流を所定の方向に流せ
るものであればよく、図１６の位置に限る必要はない。
上記した磁気ヘッドは、セラミック製ヘッド基板上に薄
膜形成技術を用いて多数形成される。その後、ヘッド基
板をヘッドごとに切り出し所定の形状に加工することに
より、図１７に示す磁気ヘッド付きのスライダが得られ
る。図１７において、スライダ４０の磁気記録媒体に対
向する面には、該磁気記録媒体の回転によって生じる空
気流の方向にそった浮上力発生用レール４１、４２が設
けられている。このレール４１、４２の浮上面の空気流
入側部分には、傾斜面４１ａ、４２ａが形成されてい
る。そして、スライダ４０におけるレール４２の後端面
に、図１５に示した磁気ヘッド４５が形成されている。
【００４８】磁気ディスク装置に関する本例は、図１７
の磁気ヘッド及びスライダを用いて構成される。以下、
磁気ディスク装置に関する本例について説明する。図１
８は図１７の磁気ヘッド付きスライダを用いた磁気ディ
スク装置の平面図（カバーを除いた状態）、図１９は図
１８におけるＡ−Ａ断面図である。これらの図におい
て、５０はベースプレート５１上に設けられたスピンド
ルモータ５２によって回転駆動される磁気記録媒体とし
ての複数枚（本実施例では３枚）の磁気ディスクであ
る。
【００４９】５３はベースプレート５１上に回転可能に
設けられたアクチュエータである。このアクチュエータ
５３の一方の回転端部には、磁気ディスク５０の記録面
方向に延出する複数のヘッドアーム５４が形成されてい
る。このヘッドアーム５４の回転端部には、スプリング
アーム５５が取り付けられ、さらに、このスプリングア
ーム５５のフレクシャー部に前述のスライダ４０が絶縁
膜（図示せず）を介して傾動可能に取り付けられてい
る。一方、アクチュエータ５３の他方の回転端部には、
コイル５７が設けられている。
【００５０】ベースプレート５１上には、マグネット及
びヨークで構成された磁気回路５８が設けられ、この磁
気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置
されている。そして、磁気回路５８とコイル５７とでム
ービングコイル型のリニアモータ（ＶＣＭ：ボイスコイ
ルモータ）が構成されている。そして、これらベースプ
レート５１の上部はカバー５９で覆われている。
【００５１】次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動
を説明する。磁気ディスク５０が停止している時には、
スライダ４０は磁気ディスク５０の退避ゾーンに接触し
停止している。次に、磁気ディスク５０がスピンドルモ
ータ５２によって、高速で回転駆動されると、この磁気
ディスク５０の回転による発生する空気流によって、ス
ライダ４０は微小間隔をもってディスク面から浮上す
る。この状態でコイル５７に電流を流すと、コイル５７
には推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。こ
れにより、ヘッド（スライダ４０）を磁気ディスク５０
の所望のトラック上に移動させ、データのリード／ライ
トを行なうことができる。
【００５２】この磁気ディスク装置では、磁気ヘッドの
導体層として、磁気抵抗効果素子部の近傍部分を薄く形
成し他の部分を厚く形成したものを用いているため、記
録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくすると共に導体層の抵
抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれば正確にか
つ高感度に情報を読み出すことができる。
【００５３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、磁気記録媒体において、再生出力を維持したまま媒
体ノイズを低減させることによりＳ／Ｎ比を高くすると
同時に、高い保磁力により高密度記録を可能にすること
ができる。また、この磁気記録媒体を磁気ヘッドとして
磁気抵抗効果型ヘッドを備えている磁気ディスク装置に
用いることにより、優れて良好な磁気記録を行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気記録媒体の好ましい１例を示
す断面図である。
【図２】本発明による磁気ディスク装置の原理を示す断
面図である。
【図３】図２の磁気ディスク装置の線分Ｂ−Ｂにそった
断面図である。
【図４】本発明による磁気記録媒体の形成に用いられた
ＤＣマグネトロンスパッタ装置の構成を示す略示図であ
る。
【図５】ＣｏＣｒＰｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜
の残留磁化Ｂｒ（ガウス）のＣｒ組成依存性を示すグラ
フである。
【図６】ＣｏＣｒＰｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録膜
の媒体Ｓ／Ｎ（ｄＢ）のＣｒ組成依存性を示すグラフで
ある。
【図７】ＣｏＣｒ１７ＰｔＴａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記録
膜の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）のＰｔ組成依存性を示すグラフ
である。
【図８】ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記
録膜の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）のｔＢｒ／膜厚依存性を示す
グラフである。
【図９】ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記
録膜及び他の記録膜の媒体Ｓ／Ｎ（ｄＢ）のｔＢｒ／膜
厚依存性を示すグラフである。
【図１０】ＣｏＣｒ１７ＰｔＴａ２Ｎｂ２（ａｔ％）記
録膜及び他の記録膜の保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図１１】Ｃｏ７４Ｃｒ１７Ｐｔ５Ｔａx Ｎｂy （x ＋
y ＝４）（ａｔ％）記録膜における孤立波Ｓ／ＮのＴａ
とＮｂの添加比率依存性を示すグラフである。
【図１２】ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）
記録膜の孤立波Ｓ／Ｎの下地膜厚依存性を示すグラフで
ある。
【図１３】ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）
記録膜の孤立波Ｓ／ＮのＤＣバイアス電圧依存性を示す
グラフである。
【図１４】ＣｏＣｒ１７Ｐｔ５Ｔａ２Ｎｂ２（ａｔ％）
記録膜の孤立波Ｓ／Ｎの成膜温度依存性を示すグラフで
ある。
【図１５】本発明の磁気ディスク装置の好ましい１例を
示す断面図である。
【図１６】本発明の磁気ディスク装置の磁気抵抗素子部
と導体層を示す斜視図である。
【図１７】磁気ヘッド付きスライダを説明した斜視図で
ある。
【図１８】図１７に示した磁気ヘッド付きスライダを用
いた磁気ディスク装置の平面図である。
【図１９】図１８に示した磁気ディスク装置の線分Ａ−
Ａにそった断面図である。
【符号の説明】
１…非磁性支持体 ２…非磁性下地膜 ３…磁性記録膜 ４…保護膜 ５…アルゴン供給口 ６…排気口 ７…サセプタ ８…ターゲット ９…マグネット １０…ＤＣマグネトロンスパッタ装置 １１…記録ヘッド部 １２…再生ヘッド部 １３…下部磁極 １４…上部磁極 １５…コイル １６…導体層 ２１…磁極（上部シールド層） ２２…上部磁極 ２４…絶縁層 ２５…ヘッド基板 ２６…絶縁層 ２７…下部シールド層 ２８…絶縁層 ３１…導体層 ３２…絶縁層 ３３…保護層

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非磁性基板と、その基板上に順次形成さ
    れた、非磁性材料からなる下地膜及び磁性材料からなる
    記録膜とを含む磁気記録媒体において、 前記下地膜が主たる成分としてのクロムと従たる成分と
    してのモリブデンから構成されており、 前記記録膜が、下記の成分： コバルト ５６〜７８ａｔ％ クロム １４〜２２ａｔ％ 白金 ４〜２０ａｔ％ タンタル及び（又は）ニオブ ０．５〜４ａｔ％ から構成されており、 保磁力Ｈｃ＞２０００Ｏｅであり、そして前記記録膜の
    ｔＢｒ（記録膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）が４
    ０〜２００Ｇ・μm であることを特徴とする磁気記録媒
    体。
  2. 【請求項２】 前記記録膜中で前記タンタル及びニオブ
    がそれぞれ同量で含まれる、請求項１に記載の磁気記録
    媒体。
  3. 【請求項３】 前記下地膜の膜厚が１５〜６０nmであ
    る、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 前記下地膜及び記録膜が、それぞれ、前
    記基板に対して−７０〜−４００ＶのＤＣ負バイアスの
    印加下にスパッタ法により成膜されたものである、請求
    項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 前記非磁性支持体がＮｉＰメッキのアル
    ミニウムディスクであり、そして前記記録膜が、スパッ
    タ法で、２２０〜３２０℃の成膜温度で形成されたもの
    である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録
    媒体。
  6. 【請求項６】 カーボンからなる保護膜をさらに有して
    いる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒
    体。
  7. 【請求項７】 磁気記録媒体において情報の記録を行う
    ための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘ
    ッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記
    録媒体が請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録
    媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果型
    ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装
    置。
  8. 【請求項８】 前記磁気抵抗効果型ヘッドが、ＡＭＲヘ
    ッド又はＧＭＲヘッドである、請求項７に記載の磁気デ
    ィスク装置。
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