JPS5988806A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS5988806A JPS5988806A JP57198568A JP19856882A JPS5988806A JP S5988806 A JPS5988806 A JP S5988806A JP 57198568 A JP57198568 A JP 57198568A JP 19856882 A JP19856882 A JP 19856882A JP S5988806 A JPS5988806 A JP S5988806A
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- Japan
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- magnetic
- alloy
- thin film
- metal
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不アｌ！、Ｍ、媒体
を有するものが生餅、である。この不連続媒体のイ１°
Ｒ気記憶媒体は、γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒｏ２． Ｉｉ”
ｅ 、 Ｆｅ −Ｃｏ等の磁性体粒子全有機樹脂からな
る結合剤中に混合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成
して製造するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさ
のレベルで不連続である。
を有するものが生餅、である。この不連続媒体のイ１°
Ｒ気記憶媒体は、γ−Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒｏ２． Ｉｉ”
ｅ 、 Ｆｅ −Ｃｏ等の磁性体粒子全有機樹脂からな
る結合剤中に混合分散して、基体上に塗布・乾燥・焼成
して製造するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大きさ
のレベルで不連続である。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請により
、連続畑膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記１’、ｔ
、Ｉ媒体の仙究開発が盛んに行なわれている。
、連続畑膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記１’、ｔ
、Ｉ媒体の仙究開発が盛んに行なわれている。
この連続沙１膜媒体は王にメッキ、真空蒸着、スパッタ
、イオンブレーティング等の手法により作られる金属薄
）漢からなるものと、真空蒸着、スパッメ、イオンブレ
ーティング等の手法によシ作られるＦｅ３Ｏ４又はγ−
Ｆｅ２Ｏ３等の金属酸化物薄膜からなるものが知られて
いる。金属薄膜からなる磁気記録媒体（以下金属薄膜媒
体と称する）は高温、高湿下の様な劣悪な雰囲気では腐
食し易く、十分耐食件のある金属薄膜媒体はまだ知られ
ていない。
、イオンブレーティング等の手法により作られる金属薄
）漢からなるものと、真空蒸着、スパッメ、イオンブレ
ーティング等の手法によシ作られるＦｅ３Ｏ４又はγ−
Ｆｅ２Ｏ３等の金属酸化物薄膜からなるものが知られて
いる。金属薄膜からなる磁気記録媒体（以下金属薄膜媒
体と称する）は高温、高湿下の様な劣悪な雰囲気では腐
食し易く、十分耐食件のある金属薄膜媒体はまだ知られ
ていない。
本発明の目的は上述の現況に鑑み優れた磁気特性を有し
かつ劇食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気
記憶体全提供するものである。
かつ劇食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気
記憶体全提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属円盤上に非磁性金属
層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、該非磁性＆乱層
又は非磁性金属酸化物層上にクロムと白金とコバルトか
らなる合金又はタンタルと白金とコバルトからなる合金
の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保＠膜が被覆さ
れて構成されている。
層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、該非磁性＆乱層
又は非磁性金属酸化物層上にクロムと白金とコバルトか
らなる合金又はタンタルと白金とコバルトからなる合金
の金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保＠膜が被覆さ
れて構成されている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
第１図において磁気記憶体の金属円盤１としてアルミ合
金が４・ｔ＜て加工性が良く安価なことがら最も良く用
いられるが、場合によってはチタン合金が用いられるこ
ともある。基盤表面は磯樟加工により小さなうね９（円
周方向で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を
有する面に仕−ヒけられている。
金が４・ｔ＜て加工性が良く安価なことがら最も良く用
いられるが、場合によってはチタン合金が用いられるこ
ともある。基盤表面は磯樟加工により小さなうね９（円
周方向で５０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を
有する面に仕−ヒけられている。
次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニッケルー
燐合金又は酸化アルミがめっきにより被覆され、この下
地体２の表面は機械的仙肋により最大表面孔さ０．０３
μｍ以下に競１ｍ＋仕上げされる。
燐合金又は酸化アルミがめっきにより被覆され、この下
地体２の表面は機械的仙肋により最大表面孔さ０．０３
μｍ以下に競１ｍ＋仕上げされる。
次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性媒体３とし
てクロムと白金とコバルトからなる合金又はタンタルと
白金とコバルトからなる合金の金属薄膜媒体が高周波ス
パッタ法によシ被覆される。
てクロムと白金とコバルトからなる合金又はタンタルと
白金とコバルトからなる合金の金属薄膜媒体が高周波ス
パッタ法によシ被覆される。
次に」二記金属薄膜媒体３の」二に５ｉｎ２に代表され
る保護膜４が高周波スパッタ法によ、！ｌ） ｉＡ覆さ
れる。
る保護膜４が高周波スパッタ法によ、！ｌ） ｉＡ覆さ
れる。
金属薄膜媒体は抗磁力（Ｈｅ）５００−１２００ｏｅに
ルステッド）、飽和磁束密度（Ｂａ） １０，０ＯＯＧ
（ガラス）以Ｆ、角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ） ０．７〜０
．９．保磁力角形比（Ｓ”）０．７〜０．９の範囲の磁
気記録媒体として優れたヒステリシス特性を示す。上記
特性は金属薄膜媒体中の白金およびクロムまたはタンタ
ルの量に大きく依存する。
ルステッド）、飽和磁束密度（Ｂａ） １０，０ＯＯＧ
（ガラス）以Ｆ、角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ） ０．７〜０
．９．保磁力角形比（Ｓ”）０．７〜０．９の範囲の磁
気記録媒体として優れたヒステリシス特性を示す。上記
特性は金属薄膜媒体中の白金およびクロムまたはタンタ
ルの量に大きく依存する。
第２又は３図は飽和磁束密度、損、磁力および角形性の
金属′Ａす膜媒体中のクロムまたはタンタルの原子パー
セントによる変化を示したものでクロムは１〜１７ａｔ
係タンタルは１〜Ｓａｔチの範囲で高記録密度可能な磁
気記憶媒体として使用出来る。
金属′Ａす膜媒体中のクロムまたはタンタルの原子パー
セントによる変化を示したものでクロムは１〜１７ａｔ
係タンタルは１〜Ｓａｔチの範囲で高記録密度可能な磁
気記憶媒体として使用出来る。
以上の様に白金を含み、さらにクロムまたはタンタルを
それぞれ１７原子パーセント以下及び８原子パーセント
以下含むコバルト合金からなる金属薄膜は磁気記録媒体
として優れていることが分る。
それぞれ１７原子パーセント以下及び８原子パーセント
以下含むコバルト合金からなる金属薄膜は磁気記録媒体
として優れていることが分る。
金属薄膜媒体３の上に被覆される保護膜は硬質であるこ
とが望ましく、オスミウム、ルテニウム。
とが望ましく、オスミウム、ルテニウム。
イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはノ）ノニウムの酸化物
、窒化物捷たは炭化物あるいはホウ素。
ケイ素、チタン、タンタルまたはノ）ノニウムの酸化物
、窒化物捷たは炭化物あるいはホウ素。
炭素またはホウ素と炭素の合金あるいはポリ１Ｆ酸が望
ましい。
ましい。
さらに保趙膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数１０〜４０の飽
和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素、ＧはＣ０
ＯＨ，ＯＨ，ＮＨ２、Ｃ０ＯＲ’、 ５ｉ（ＯＲ’）ａ
。
和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素、ＧはＣ０
ＯＨ，ＯＨ，ＮＨ２、Ｃ０ＯＲ’、 ５ｉ（ＯＲ’）ａ
。
ＣＯＮＨ２などの官能基）からなる潤滑剤あるいけフッ
素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロロエチレン
テロマー等の潤滑剤全塗布することも出来る。
素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロロエチレン
テロマー等の潤滑剤全塗布することも出来る。
次にいくつかの例全あげて本発明全勝、明する。
実施例１
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分少
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する曲に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金全豹５０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍま
で鋳面研磨仕上げした。
さなうねり（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する曲に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金全豹５０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐
めっき膜を最大表面粗さ０．０２μｍ、厚さ３０μｍま
で鋳面研磨仕上げした。
次にこのニッケルー燐めっき膜の上に金ＪＦＡ 磁性Ｉ
ＡＩ、体３として高周波スパッタ法によりアルゴン圧４
Ｘ ］ ０−２ｔｏｒｒ 、パワー”Ｐｉ’ｊ 度Ｉ
Ｗ／ｒ、ａにて膜厚５ｏｏＸクロム＋Ｃ，Ｗ、子パー
セント、白金全１５原子パーセント含むコバルト合金薄
膜を抜機した。さらにこの金属磁性媒体３の上にＳｊＯ
，全２０ＯＡの膜厚に旨周波スパッタ法により被覆して
磁気ディスクを作った。抗磁力Ｈｅ、残留磁宋密１毅Ｂ
ｒ、角形性Ｓ。
ＡＩ、体３として高周波スパッタ法によりアルゴン圧４
Ｘ ］ ０−２ｔｏｒｒ 、パワー”Ｐｉ’ｊ 度Ｉ
Ｗ／ｒ、ａにて膜厚５ｏｏＸクロム＋Ｃ，Ｗ、子パー
セント、白金全１５原子パーセント含むコバルト合金薄
膜を抜機した。さらにこの金属磁性媒体３の上にＳｊＯ
，全２０ＯＡの膜厚に旨周波スパッタ法により被覆して
磁気ディスクを作った。抗磁力Ｈｅ、残留磁宋密１毅Ｂ
ｒ、角形性Ｓ。
保イみ方角形性はそれぞれ６００ｏｅ、７０００Ｇ。
０．８０ 、０．８０であった。
実施例２
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３としてタンタ
ル全８原子パーセントおよび白金全２０原子パーセント
含むコバルト合金薄膜全膜厚５００Ａで被覆して磁気デ
ィスクを作った。ＨｃＢｒ、Ｓ。
ル全８原子パーセントおよび白金全２０原子パーセント
含むコバルト合金薄膜全膜厚５００Ａで被覆して磁気デ
ィスクを作った。ＨｃＢｒ、Ｓ。
およびＳｌはそれぞれ５５０ｏｅ、６０００Ｇ、０．７
５゜０７５であった。
５゜０７５であった。
実施例３
実施例１と同様にして但し金属磁性媒体３としてクロム
全１２原子パーセント白金を２０原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を膜厚５００Ａで被覆して磁気ディスク
全作った。Ｈｅ、 Ｂｒ、 Ｓ 、およびＳ７゛はそれ
ぞれ７００ｏｅ、３０００Ｇ 、０．７５，０．７５で
あった。
全１２原子パーセント白金を２０原子パーセント含むコ
バルト合金薄膜を膜厚５００Ａで被覆して磁気ディスク
全作った。Ｈｅ、 Ｂｒ、 Ｓ 、およびＳ７゛はそれ
ぞれ７００ｏｅ、３０００Ｇ 、０．７５，０．７５で
あった。
実施例４
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてタンタルを
４原子パーセント、白金を２０原子パーセント含むコバ
ルト合金薄膜全膜厚３００Ａにて被覆して出猟ディスク
を作った。
４原子パーセント、白金を２０原子パーセント含むコバ
ルト合金薄膜全膜厚３００Ａにて被覆して出猟ディスク
を作った。
Ｈｃ 、Ｂ ｒ ＋ Ｓ ｒ Ｓ ”はそれぞれ８５０
ｏｅ、７０００Ｇ。
ｏｅ、７０００Ｇ。
０．８５ 、０．８５であった。
実施例５
実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてクロムを４
原子パーセント、白金を３５原子ノく−セント含むコバ
ルト合金薄膜を膜厚５００Ｘにて被覆して磁気ディスク
を作った。
原子パーセント、白金を３５原子ノく−セント含むコバ
ルト合金薄膜を膜厚５００Ｘにて被覆して磁気ディスク
を作った。
Ｈｃ、Ｂｒ、Ｓ、Ｓ”はそれぞれ７００ｏｅ、７０００
Ｇ 。
Ｇ 。
０．８０ 、０．８０であった。
実施例６
実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×１Ｏ−２ｔｏ
ｒｒ 、パワーＷ１度１５ ｗ／ ｔｒｉにて磁気ディ
スクを作った。
ｒｒ 、パワーＷ１度１５ ｗ／ ｔｒｉにて磁気ディ
スクを作った。
実施例７
実施例１と同様にして但しアルゴン圧ｓ ｘ ｉ ｏ−
３ｔｏｒｒ、 パワー密度１５Ｗ／ｃｔ！にて磁気ディ
スクを作った〇 実施例８ 実施例２と同様にして但しアルゴン圧４ Ｘ １０−２
ｔｏｒｒ＋パワ一賃度１５Ｗ／−にて磁気ディスクを作
った。
３ｔｏｒｒ、 パワー密度１５Ｗ／ｃｔ！にて磁気ディ
スクを作った〇 実施例８ 実施例２と同様にして但しアルゴン圧４ Ｘ １０−２
ｔｏｒｒ＋パワ一賃度１５Ｗ／−にて磁気ディスクを作
った。
実施例９
実施例２と同様にして但しアルゴン圧ｓ ｘ ｉ ｏ＝
ｔｏｒｒ、パワー密度１．５ Ｗ／ ｃｒｌにて磁気デ
ィスク全作った。
ｔｏｒｒ、パワー密度１．５ Ｗ／ ｃｒｌにて磁気デ
ィスク全作った。
実施例１０
実施例１と同様にして但し非磁性合金層としてアルミニ
ウム合金円盤１表面全陽極酸化により非磁性金属酸化物
層として酸化アルミを被覆しこの酸化アルミを最大表面
粗さ００２μｍ４で鋳面前ＩＰ（１仕上げして、磁気デ
ィスクを作った。
ウム合金円盤１表面全陽極酸化により非磁性金属酸化物
層として酸化アルミを被覆しこの酸化アルミを最大表面
粗さ００２μｍ４で鋳面前ＩＰ（１仕上げして、磁気デ
ィスクを作った。
実施例１１
実施例１と同様にして但し保護膜として次の物質をそれ
ぞれスパッタ法により８００Ａの厚さにネル覆してそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。
ぞれスパッタ法により８００Ａの厚さにネル覆してそれ
ぞれ磁気ディスクを作った。
比較例Ｉ
実施例１と同様にして但しニッケルー燐めっき膜の上に
膜厚１μｍのクロムを弁して金属磁性媒体３としてコバ
ルｌ膜厚５００Ａで被覆して磁気ディスクを作った。抗
磁力Ｈａｔ残留磁束密度Ｂｒ＋角形性Ｓ、保磁力角形性
Ｓ１はそれぞれ６０００ｅ。
膜厚１μｍのクロムを弁して金属磁性媒体３としてコバ
ルｌ膜厚５００Ａで被覆して磁気ディスクを作った。抗
磁力Ｈａｔ残留磁束密度Ｂｒ＋角形性Ｓ、保磁力角形性
Ｓ１はそれぞれ６０００ｅ。
１３６００Ｇ 、０．８，０．８であった。
比較例２
実施例１と同様釦して白金を９ａｔ％残シがコバルトか
らなるコバルト合金薄膜全膜厚５００Ａで被覆して磁気
ディスクを作った。
らなるコバルト合金薄膜全膜厚５００Ａで被覆して磁気
ディスクを作った。
抗磁力Ｈｅ、残留磁來智度Ｂｒ、角形性Ｓ、保磁力角形
性Ｓ”はそれぞれ６００ｏｅ、ｌ１００ＯＧ 、０．８
５゜０．８５であった。
性Ｓ”はそれぞれ６００ｏｅ、ｌ１００ＯＧ 、０．８
５゜０．８５であった。
以上実施例１〜１１および比軟例１，２で示した磁気デ
ィスクを用いて電磁変換特性およびヘッドとの摩耗試験
および環境試験および水浸漬腐食試験を行なった結果、
次の特性を得た。
ィスクを用いて電磁変換特性およびヘッドとの摩耗試験
および環境試験および水浸漬腐食試験を行なった結果、
次の特性を得た。
電磁変換特性については実施例１〜１１のディスクにつ
いて４０．０００〜８０，０ＯＯＦＲＰＩの記録密度が
Ｔｆｌられたが、比較例１，２のディスクでは２０．０
ＯＯＦＲＰＩの記録密度しか得られなかった。ヘッドと
の摩耗試験は２万回のコンタクトスタートストップテス
トヲ行なったところディスク表面に傷は全く見られなか
った。又、温度８０℃、相対湿度９０％で６ケ月放置す
る環境試験全行なったところ実施例１〜１１および比較
例２についてはエラーの増加数は全てゼロでβったが、
比較例１のディスクはエラーが１００倍に増加した。
いて４０．０００〜８０，０ＯＯＦＲＰＩの記録密度が
Ｔｆｌられたが、比較例１，２のディスクでは２０．０
ＯＯＦＲＰＩの記録密度しか得られなかった。ヘッドと
の摩耗試験は２万回のコンタクトスタートストップテス
トヲ行なったところディスク表面に傷は全く見られなか
った。又、温度８０℃、相対湿度９０％で６ケ月放置す
る環境試験全行なったところ実施例１〜１１および比較
例２についてはエラーの増加数は全てゼロでβったが、
比較例１のディスクはエラーが１００倍に増加した。
最後に実施例１〜１１および比較例１，２のディスク全
切断して１５＋＋＋ｍＸ１５ｍｍの切片全作シ、１ケ月
間２５℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Ｂｓの変化を調
べたところ、第４図の様な結果が得られた。
切断して１５＋＋＋ｍＸ１５ｍｍの切片全作シ、１ケ月
間２５℃の水中に浸漬して飽和磁束密度Ｂｓの変化を調
べたところ、第４図の様な結果が得られた。
第４図は磁気記憶体を２５℃の水中に浸漬した時の飽和
磁束密度Ｂａの変化率（Ｂｓ／ Ｂｏ、 Ｂｏは浸漬前
の飽和磁束密度）の時間変化を示したものであり、値が
１．０に近い程耐食性が良い。
磁束密度Ｂａの変化率（Ｂｓ／ Ｂｏ、 Ｂｏは浸漬前
の飽和磁束密度）の時間変化を示したものであり、値が
１．０に近い程耐食性が良い。
すなわち実施例１〜１１は１ケ月の水中浸漬後もＢｇの
変化は全くなかったが比較例１は５０％。
変化は全くなかったが比較例１は５０％。
比較例２は２５４Ｂｓが減少した。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた制食性（直
１猿境性）及び附題粍性及び高記録密度特性を有してい
ることが分った。
１猿境性）及び附題粍性及び高記録密度特性を有してい
ることが分った。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図。
図中、■は基板、２は非磁性合金層、３は金属薄膜媒体
、４は保護膜でおる。 第２図および３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜
媒体における飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金
属薄膜媒体中のクロムおよびタンタルの原子パーセント
による変化を示した特性図。 第４図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸
漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性図。 代理人弁理士 内 原 晋 第２図 第３図
、４は保護膜でおる。 第２図および３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜
媒体における飽和磁束密度、抗磁力、および角形性の金
属薄膜媒体中のクロムおよびタンタルの原子パーセント
による変化を示した特性図。 第４図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸
漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した特性図。 代理人弁理士 内 原 晋 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属円盤上に非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層
が被覆され、該非磁性金属層又は非磁性金属酸化物層上
にクロムと白金とコバルトからなる合金又はタンタルと
白金とコバルトからなる合金の合金薄膜媒体が被覆され
、目亥金属薄膜媒体上に保趨膜が被接されて構成された
ことを特徴とする磁気記憶体。 ２、非磁性金属がニッケルー燐である％許請求の範囲第
１珀記載の磁気記憶体。 ３、非磁性酸化物層が酸化アルミである特許請求の範囲
第１項記載の磁気記憶体。 ４、保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジウム、マ
ンガン、タングステンである特許請求の範囲第１項記載
の磁気記憶体。 ５、保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたはノ・フニ
ウムの酸化物、蟹化物または炭化物である特許請求の範
囲第１狙記載の磁気記憶体。 ６、保詐ｊ換がホウ素、炭素またはホウ素と炭素の合金
である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 ７、保穫膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記載
の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198568A JPS5988806A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57198568A JPS5988806A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988806A true JPS5988806A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0580804B2 JPH0580804B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=16393339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198568A Granted JPS5988806A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988806A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253622A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-11-11 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US4724188A (en) * | 1984-06-07 | 1988-02-09 | C. Uyemura and Co. | Magnetic recording medium |
| JPS6339122A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体 |
| JPS63187414A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-08-03 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気記録媒体 |
| JPS63187416A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体 |
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| JPS63302417A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-12-09 | Hitachi Ltd | 面内記録用磁気記録媒体およびそれを用いた面内記録用磁気記録装置 |
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0237517A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体 |
| US4929514A (en) * | 1988-03-22 | 1990-05-29 | Hewlett-Packard Company | Thin film media for high density longitudinal magnetic recording |
| JPH0376018A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-04-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 水平記録用磁気記録ディスクおよび製造方法 |
| US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
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|---|---|
| JPH0580804B2 (ja) | 1993-11-10 |
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