JPH0642425B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPH0642425B2 JPH0642425B2 JP57225170A JP22517082A JPH0642425B2 JP H0642425 B2 JPH0642425 B2 JP H0642425B2 JP 57225170 A JP57225170 A JP 57225170A JP 22517082 A JP22517082 A JP 22517082A JP H0642425 B2 JPH0642425 B2 JP H0642425B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- medium
- magnetic memory
- alloy
- thin film
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/722—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing an anticorrosive material
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
γ−Fe2O3,CrO2,Fe,Fe-Co等の磁性体粒子を有機樹脂か
らなる結合剤中に混合分散して、基体上に塗布・乾燥・
焼成して製造するため、磁気記憶体は磁性体粒子の大き
さのレベルで不連続である。
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、
γ−Fe2O3,CrO2,Fe,Fe-Co等の磁性体粒子を有機樹脂か
らなる結合剤中に混合分散して、基体上に塗布・乾燥・
焼成して製造するため、磁気記憶体は磁性体粒子の大き
さのレベルで不連続である。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請によ
り、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体
の研究開発が盛んに行なわれている。この連続薄膜媒体
は主にメッキ，真空蒸着，スパッタ，イオンブレーティ
ング等の手法により作られる金属薄膜からなるものと、
真空蒸着，スパッタ，イオンブレーティング等の手法に
より作られるFe3O4又はγ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属酸化物薄膜は残留磁束
密度が小さいため大きな再生出力が得られず高記録密度
の面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記録媒
体（以下金属薄膜媒体と称する）は残留磁束密度が金属
酸化物薄膜に比べ大きく有望であるが、高温・高湿下の
様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある金
属薄膜媒体はまだ知られていない。またＢ−Ｈカーブに
おける角形性が良いことは磁化遷移領域が小さく高記録
密度に適する。
り、連続薄膜媒体からなる保磁力の大きい磁気記憶媒体
の研究開発が盛んに行なわれている。この連続薄膜媒体
は主にメッキ，真空蒸着，スパッタ，イオンブレーティ
ング等の手法により作られる金属薄膜からなるものと、
真空蒸着，スパッタ，イオンブレーティング等の手法に
より作られるFe3O4又はγ−Fe2O3等の金属酸化物薄膜か
らなるものが知られている。金属酸化物薄膜は残留磁束
密度が小さいため大きな再生出力が得られず高記録密度
の面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記録媒
体（以下金属薄膜媒体と称する）は残留磁束密度が金属
酸化物薄膜に比べ大きく有望であるが、高温・高湿下の
様な劣悪な雰囲気では腐食し易く、十分耐食性のある金
属薄膜媒体はまだ知られていない。またＢ−Ｈカーブに
おける角形性が良いことは磁化遷移領域が小さく高記録
密度に適する。
本発明の目的は上述の現況に鑑み、γ−Fe2O3より大き
な残留磁束密度と保磁力と優れた角形性を有しかつ耐食
性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気記憶体を
提供するものである。
な残留磁束密度と保磁力と優れた角形性を有しかつ耐食
性がきわめて優れた金属薄膜媒体を有する磁気記憶体を
提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は鏡面研磨された非磁性合
金層又は非磁性金属酸化物層が被覆された合金円板上に
１〜25原子パーセントのゲルマニウムおよび５〜35原子
パーセントの白金と残部がコバルトからなる合金の金属
薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。
金層又は非磁性金属酸化物層が被覆された合金円板上に
１〜25原子パーセントのゲルマニウムおよび５〜35原子
パーセントの白金と残部がコバルトからなる合金の金属
薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。第１
図において磁気記憶体の合金円板としてアルミ合金が軽
くて加工性が良く安価なことから最も良く用いられる
が、場合によってはチタン合金が用いられることもあ
る。基板表面は機械加工により小さなうねり（円周方向
で50μm以下、半径方向で100μm以下）を有する面に仕
上げられている。
図において磁気記憶体の合金円板としてアルミ合金が軽
くて加工性が良く安価なことから最も良く用いられる
が、場合によってはチタン合金が用いられることもあ
る。基板表面は機械加工により小さなうねり（円周方向
で50μm以下、半径方向で100μm以下）を有する面に仕
上げられている。
次にこの基板１の上に非磁性合金層２としてニッケル−
燐合金がめっきにより被覆され、この下地体２の表面は
機械的研磨により最大表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕上
げされる。次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性
媒体３として１〜25原子パーセントのゲルマニウムおよ
び５〜35原子パーセントの白金および残部がコバルトか
らなる合金の金属薄膜媒体が高周波スパッタ法により被
覆される。非磁性層２として、上記ニッケル−燐合金の
非磁性合金の他に、酸化アルミニウムの非磁性酸化物を
用いることができる。
燐合金がめっきにより被覆され、この下地体２の表面は
機械的研磨により最大表面粗さ0.03μm以下に鏡面仕上
げされる。次に上記下地体２の鏡面研磨面上に金属磁性
媒体３として１〜25原子パーセントのゲルマニウムおよ
び５〜35原子パーセントの白金および残部がコバルトか
らなる合金の金属薄膜媒体が高周波スパッタ法により被
覆される。非磁性層２として、上記ニッケル−燐合金の
非磁性合金の他に、酸化アルミニウムの非磁性酸化物を
用いることができる。
次に上記金属薄膜媒体３の上にSiO2に代表される保護膜
４が高周波スパッタ法により被覆される。
４が高周波スパッタ法により被覆される。
金属薄膜媒体は抗磁力（Hc）５００〜１２００oe保護膜
４としてSiO2やSiNの他にオスミウム、ルテニウム、イ
リジウム、マンガン、タングステンを用いることができ
る。またチタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物や
窒化物、炭化物を用いることができる。またはホウ素や
炭素やそれらの合金を用いることができる。これらはス
パッタで形成できる。さらに、保護膜にポリ硅酸を用い
ることもできる。この場合は、テトラヒドロキシシラン
のイソプロピルアルコールの溶液を塗布して300℃で１
時間焼成することにより形成できる。
４としてSiO2やSiNの他にオスミウム、ルテニウム、イ
リジウム、マンガン、タングステンを用いることができ
る。またチタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物や
窒化物、炭化物を用いることができる。またはホウ素や
炭素やそれらの合金を用いることができる。これらはス
パッタで形成できる。さらに、保護膜にポリ硅酸を用い
ることもできる。この場合は、テトラヒドロキシシラン
のイソプロピルアルコールの溶液を塗布して300℃で１
時間焼成することにより形成できる。
（エルステッド），飽和磁束密度（Bs）12000Ｇ（ガウ
ス）以下，角形比（Ｓ＝Br/Bs）0.7〜0.95，保磁力角形
比（Ｓ＊）0.7〜0.95の範囲の磁気記録媒体として優れ
たヒステリシス特性を示す。上記特性は金属薄膜媒体中
の白金およびゲルマニウムの量に大きく依存する。第２
図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角形比Ｓと保磁力
角形比Ｓ＊の金属薄膜媒体中のゲルマニウムの原子パー
セントによる変化を示したもので、ゲルマニウムが１〜
２５at％の範囲で高記録密度可能な磁気記憶媒体として
使用出来る。
ス）以下，角形比（Ｓ＝Br/Bs）0.7〜0.95，保磁力角形
比（Ｓ＊）0.7〜0.95の範囲の磁気記録媒体として優れ
たヒステリシス特性を示す。上記特性は金属薄膜媒体中
の白金およびゲルマニウムの量に大きく依存する。第２
図は残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角形比Ｓと保磁力
角形比Ｓ＊の金属薄膜媒体中のゲルマニウムの原子パー
セントによる変化を示したもので、ゲルマニウムが１〜
２５at％の範囲で高記録密度可能な磁気記憶媒体として
使用出来る。
第３図は磁気記憶体を２５℃の水中に浸漬した時の飽和
磁束密度Bsの変化率（Bs/Bo,Boは浸漬前の飽和磁束密
度）の時間変化を示したものであり、値が1.0に近い程
耐食性が良い。
磁束密度Bsの変化率（Bs/Bo,Boは浸漬前の飽和磁束密
度）の時間変化を示したものであり、値が1.0に近い程
耐食性が良い。
実施例１ 前述の基板１上にニッケル−燐合金の非磁性合金層２を
めっきにより形成し、このニッケル−燐めっき膜の上に
金属磁性媒体３として高周波スパッタ法によりアルゴン
圧４×10-2toor，パワー密度１Ｗ／cm2にて膜厚500Åの
ゲルマニウムを４原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さらにこの金属
磁性媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚に高周波スパッタ
法により被覆して磁気ディスクを作った。抗磁力Hc，残
留磁束密度Br，角形性Ｓ，保磁力角形比Ｓ＊はそれぞれ
1200oe，6500Ｇ，0.95,0.95であった。
めっきにより形成し、このニッケル−燐めっき膜の上に
金属磁性媒体３として高周波スパッタ法によりアルゴン
圧４×10-2toor，パワー密度１Ｗ／cm2にて膜厚500Åの
ゲルマニウムを４原子パーセント、白金を20原子パーセ
ント含むコバルト合金薄膜を被覆した。さらにこの金属
磁性媒体３の上にSiO2を200Åの膜厚に高周波スパッタ
法により被覆して磁気ディスクを作った。抗磁力Hc，残
留磁束密度Br，角形性Ｓ，保磁力角形比Ｓ＊はそれぞれ
1200oe，6500Ｇ，0.95,0.95であった。
実施例２ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてゲルマニウ
ムを８原子パーセント，白金を２０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚500Åにて被覆して磁気ディス
クを作った。
ムを８原子パーセント，白金を２０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚500Åにて被覆して磁気ディス
クを作った。
Hc,Br，Ｓ，Ｓ＊はそれぞれ1300oe,5300Ｇ，0.85,0.85
であった。
であった。
実施例３ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてゲルマニウ
ムを１５原子パーセント，白金を２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚2000Åにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
ムを１５原子パーセント，白金を２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚2000Åにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
Hc,Br，Ｓ，Ｓ＊はそれぞれ1350oe,3000Ｇ，0.93,0.93
であった。
であった。
実施例４ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてゲルマニウ
ムを２５原子パーセント、白金を２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚3000Åにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
ムを２５原子パーセント、白金を２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を膜厚3000Åにて被覆して磁気ディ
スクを作った。
Hc,Br，Ｓ，Ｓ＊はそれぞれ900oe,1000Ｇ，0.96,0.95で
あった。
あった。
実施例５ 実施例１と同様に但し金属磁性媒体３としてゲルマニウ
ムを１原子パーセント，白金を２０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被覆して磁気ディス
クを作った。
ムを１原子パーセント，白金を２０原子パーセント含む
コバルト合金薄膜を膜厚300Åにて被覆して磁気ディス
クを作った。
Hc,Br，Ｓ，Ｓ＊はそれぞれ1160oe,9800Ｇ，0.90,0.90
であった。
であった。
実施例６ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×10-2torr，パ
ワー密度６Ｗ／cm2にて磁気ディスクを作った。
ワー密度６Ｗ／cm2にて磁気ディスクを作った。
Hc,Br，Ｓ，Ｓ＊はそれぞれ1000oe,9000Ｇ，0.95,0.95
であった。
であった。
実施例７ 実施例１と同様にして但しアルゴン圧４×10-2torr，パ
ワー密度１５Ｗ／cm2にて磁気ディスクを作った。
ワー密度１５Ｗ／cm2にて磁気ディスクを作った。
Hc,Br，Ｓ，Ｓ＊はそれぞれ800oe,9000Ｇ，0.95,0.95で
あった。
あった。
比較例１ 実施例１と同様にして但しニッケル−燐めっき膜の上に
膜厚１μｍのクロムを介して金属磁性媒体３としてコバ
ルトを膜厚500Åで被覆して磁気ディスクを作った。抗
磁力Hc，残留磁束密度Br，角形比Ｓ，保磁力角形比Ｓ＊
はそれぞれ600oe,13600Ｇ，0.8,0.8であった。
膜厚１μｍのクロムを介して金属磁性媒体３としてコバ
ルトを膜厚500Åで被覆して磁気ディスクを作った。抗
磁力Hc，残留磁束密度Br，角形比Ｓ，保磁力角形比Ｓ＊
はそれぞれ600oe,13600Ｇ，0.8,0.8であった。
比較例２ 実施例１と同様にして白金を１０at％残りがコドルトか
らなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被覆して磁気デ
ィスクを作った。
らなるコバルト合金薄膜を膜厚500Åで被覆して磁気デ
ィスクを作った。
抗磁力Hc，残留磁束密度Br，角形比Ｓ，保磁力角形比Ｓ
＊はそれぞれ600oe,11000Ｇ，0.8,0.8であった。
＊はそれぞれ600oe,11000Ｇ，0.8,0.8であった。
以上実施例１〜７および比較例１，２で示した磁気ディ
スクを用いて電磁変換特性およびヘッドとの摩耗試験お
よび環境試験および水浸漬腐食試験を行なった結果、次
の特性を得た。
スクを用いて電磁変換特性およびヘッドとの摩耗試験お
よび環境試験および水浸漬腐食試験を行なった結果、次
の特性を得た。
電磁変換特性については実施例１〜７のディスクについ
て40,000〜80,000FRPIの記録密度が得られたが、比較例
１，２のディスクでは20,000FRPIの記録密度しか得られ
なかった。
て40,000〜80,000FRPIの記録密度が得られたが、比較例
１，２のディスクでは20,000FRPIの記録密度しか得られ
なかった。
ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタクトスタートスト
ップテストを行なったところディスク表面に傷は全く見
られなかった。又、温度８０℃，相対湿度90％で６ケ月
放置する環境試験を行なったところ実施例１〜７および
比較例２についてはエラーの増加数は全て０であった
が、比較例１のディスクはエラーが100倍に増加した。
ップテストを行なったところディスク表面に傷は全く見
られなかった。又、温度８０℃，相対湿度90％で６ケ月
放置する環境試験を行なったところ実施例１〜７および
比較例２についてはエラーの増加数は全て０であった
が、比較例１のディスクはエラーが100倍に増加した。
最後に実施例１〜７および比較例１，２のディスクを切
断して15mm×15mmの切片を作り、１ケ月間25℃の水中に
浸漬して飽和磁束密度Bsの変化を調べたところ、第３図
の様な結果が得られた。すなわち実施例１〜７は１ケ月
の水中浸漬後もBsの変化は全くなかったが比較例１は50
％、比較例２は25％Bsが減少した。
断して15mm×15mmの切片を作り、１ケ月間25℃の水中に
浸漬して飽和磁束密度Bsの変化を調べたところ、第３図
の様な結果が得られた。すなわち実施例１〜７は１ケ月
の水中浸漬後もBsの変化は全くなかったが比較例１は50
％、比較例２は25％Bsが減少した。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性（耐
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことが分った。
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことが分った。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図で
ある。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は金属薄膜媒
体、４は保護膜である。 第２図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体におけ
る残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角形比Ｓ、保磁力角
形比Ｓ＊の金属薄膜媒体中のゲルマニウムの原子パーセ
ントによる変化を示した説明図である。 第３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸
漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した説明図であ
る。
ある。 図中、１は基板、２は非磁性合金層、３は金属薄膜媒
体、４は保護膜である。 第２図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体におけ
る残留磁束密度Br、抗磁力Hcおよび角形比Ｓ、保磁力角
形比Ｓ＊の金属薄膜媒体中のゲルマニウムの原子パーセ
ントによる変化を示した説明図である。 第３図は本磁気記憶体に用いられる金属薄膜媒体の水浸
漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した説明図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−140899（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−149706（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−158036（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に非磁性合金層又は非磁性酸化物層
が被覆され、該非磁性層上に１〜25原子パーセントのゲ
ルマニウムと５〜35原子パーセントの白金と残部がコバ
ルトからなる合金の長手記録型金属薄膜媒体が被覆さ
れ、該媒体上に保護膜が被覆されたことを特徴とする磁
気記憶体。 - 【請求項２】非磁性合金層がニッケル・燐である特許請
求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 - 【請求項３】非磁性酸化物層が酸化アルミニウムである
特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 - 【請求項４】保護膜がオスミウム、ルテニウム、イリジ
ウム、マンガン、またはタングステンである特許請求の
範囲第１項記載の磁気記憶体。 - 【請求項５】保護膜がケイ素、チタン、タンタルまたは
ハフニウムの酸化物、窒化物または炭化物である特許請
求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 - 【請求項６】保護膜がホウ素、炭素またはホウ素と炭素
の合金である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。 - 【請求項７】保護膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第
１項記載の磁気記録体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225170A JPH0642425B2 (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225170A JPH0642425B2 (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116923A JPS59116923A (ja) | 1984-07-06 |
| JPH0642425B2 true JPH0642425B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=16825037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57225170A Expired - Lifetime JPH0642425B2 (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642425B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57158036A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Nec Corp | Magnetic storage body |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57225170A patent/JPH0642425B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59116923A (ja) | 1984-07-06 |
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