JPH0566646B2 - - Google Patents
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- JPH0566646B2 JPH0566646B2 JP58015664A JP1566483A JPH0566646B2 JP H0566646 B2 JPH0566646 B2 JP H0566646B2 JP 58015664 A JP58015664 A JP 58015664A JP 1566483 A JP1566483 A JP 1566483A JP H0566646 B2 JPH0566646 B2 JP H0566646B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/716—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by two or more magnetic layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気デイス
ク等の磁気記憶体にかかる。
ク等の磁気記憶体にかかる。
磁気記憶装置における記録密度の向上は斯界の
変わらぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気
記憶体の薄層化が不可欠である。
変わらぬ趨勢であり、これを実現する為には磁気
記憶体の薄層化が不可欠である。
従来、磁気デイスクとしては酸化鉄微粒子とバ
インダーの混合を基板上に塗布したいわゆるコー
テイング媒体が広く用いられてきた。記録密度の
増加にともないコーテイング媒体の薄層化がなさ
れているが、この厚さを数千Å゜以下にし、しか
も均一な記録再生特性を実現することはきわめて
困難である。
インダーの混合を基板上に塗布したいわゆるコー
テイング媒体が広く用いられてきた。記録密度の
増加にともないコーテイング媒体の薄層化がなさ
れているが、この厚さを数千Å゜以下にし、しか
も均一な記録再生特性を実現することはきわめて
困難である。
そこでコーテイング媒体に代る高性能磁気記録
体として、薄層化が容易な連続薄膜媒体が注目さ
れている。
体として、薄層化が容易な連続薄膜媒体が注目さ
れている。
連続薄膜媒体としてメツキ法により作製された
Co−Ni−Ｐメツキ磁気デイスクが開発されてい
る。
Co−Ni−Ｐメツキ磁気デイスクが開発されてい
る。
このように磁気デイスク装置の記録密度は年々
向上し、現在装置として線密度についてはおよそ
14000FRPI、トラツク密度は1100TPI（トラツク
ピツチ23.5μｍ）のものが最高である。従来、デ
イスクの記録トラツクの情報を検出するヘツドの
サーボ方式は、データを記録するデイスクとは別
に、サーボ信号を記録したデイスクを用いるサー
ボ面サーボ方式が一般的であるが、サーボ面サー
ボ方式ではデイスク間の温度差による熱膨張によ
り磁気ヘツドのトラツク位置決め精度が上げられ
ないためにトラツク密度に限界が生じてきてい
る。
向上し、現在装置として線密度についてはおよそ
14000FRPI、トラツク密度は1100TPI（トラツク
ピツチ23.5μｍ）のものが最高である。従来、デ
イスクの記録トラツクの情報を検出するヘツドの
サーボ方式は、データを記録するデイスクとは別
に、サーボ信号を記録したデイスクを用いるサー
ボ面サーボ方式が一般的であるが、サーボ面サー
ボ方式ではデイスク間の温度差による熱膨張によ
り磁気ヘツドのトラツク位置決め精度が上げられ
ないためにトラツク密度に限界が生じてきてい
る。
近年サーボ面サーボ方式と異なつて、γ−Fe2
O3粒子を用いたコーテイングデイスクにおいて
２層の磁性層を使用し、下層にサーボ情報を記録
し、上層にデータ情報を記録したデータ面サーボ
方式（ベリードサーボ方式）の実験結果が報告さ
れている。しかしながらγ−Fe2O3コーテイング
デイスクにおいて磁性膜厚を薄くすることが困難
なために（0.5μｍが限界と言われる）記録密度を
大幅に増加させることはむずかしく、さらに高密
度時の対信号雑音比（SNR）が小さいという欠
点を有する。
O3粒子を用いたコーテイングデイスクにおいて
２層の磁性層を使用し、下層にサーボ情報を記録
し、上層にデータ情報を記録したデータ面サーボ
方式（ベリードサーボ方式）の実験結果が報告さ
れている。しかしながらγ−Fe2O3コーテイング
デイスクにおいて磁性膜厚を薄くすることが困難
なために（0.5μｍが限界と言われる）記録密度を
大幅に増加させることはむずかしく、さらに高密
度時の対信号雑音比（SNR）が小さいという欠
点を有する。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して高
密度記録が可能で、かつSNRの良好なデータ面
サーボ方式を実現できる磁気２重層磁気記憶体を
提供することにある。本発明の磁気記憶体は、非
磁性基板の上に、SiO2膜と白金を含むコバルト
合金の第１の磁性薄膜とを単位層とし、該単位層
が多重に積層され、前記多重に積層された単位層
の上に非磁性層を介して第２の磁性薄膜が被覆さ
れ、該第２の磁性薄膜上に保護膜が被覆されてい
ることを特徴とする。
密度記録が可能で、かつSNRの良好なデータ面
サーボ方式を実現できる磁気２重層磁気記憶体を
提供することにある。本発明の磁気記憶体は、非
磁性基板の上に、SiO2膜と白金を含むコバルト
合金の第１の磁性薄膜とを単位層とし、該単位層
が多重に積層され、前記多重に積層された単位層
の上に非磁性層を介して第２の磁性薄膜が被覆さ
れ、該第２の磁性薄膜上に保護膜が被覆されてい
ることを特徴とする。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例を示す
部分断面図である。
部分断面図である。
第１図において非磁性基体１はガラス、アルマ
イト被覆アルミニウム合金、またはニツケル・リ
ン合金被覆アルミニウム合金を表面研磨した基体
である。この上に、SiO2の非磁性層２−１と白
金を含むコバルト合金の第１の磁性薄膜３−１と
を単位層とし、ｎ回くり返されて、多重積層膜２
−１，３−１……２−ｎ，３−ｎが形成されてい
る。さらにその上に非磁性層４を介して第２の磁
性薄膜５が形成され、その上に保護膜６が形成さ
れている。
イト被覆アルミニウム合金、またはニツケル・リ
ン合金被覆アルミニウム合金を表面研磨した基体
である。この上に、SiO2の非磁性層２−１と白
金を含むコバルト合金の第１の磁性薄膜３−１と
を単位層とし、ｎ回くり返されて、多重積層膜２
−１，３−１……２−ｎ，３−ｎが形成されてい
る。さらにその上に非磁性層４を介して第２の磁
性薄膜５が形成され、その上に保護膜６が形成さ
れている。
非磁性層４は厚さは0.2〜0.8μｍが好ましい。
また第２の磁性薄膜５は面内記録用磁性媒体材料
すなわちCo，Fe，Ni，CoNiP，CoNi，CNiW，
RCo（ＲはSc，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，
Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，
Luなどの希土類金属）又はCoPt，CoCuなどを
使用することが出来る。第１の磁性薄膜３−１…
…３−ｎにサーボ信号をまた第２の磁性薄膜５に
データ信号が記録される。第１の磁性薄膜３−１
……３−ｎは第２の磁性薄膜５にデータ信号が記
録される際ヘツド磁界の影響がない様に1000〜
4000oeまでの保磁力が好ましく、これにより高
トラツク密度時のサーボ信号のSNR及びデータ
信号のSNRが向上するのでSNRの良好なデータ
面サーボ方式を可能にすることが出来る。
また第２の磁性薄膜５は面内記録用磁性媒体材料
すなわちCo，Fe，Ni，CoNiP，CoNi，CNiW，
RCo（ＲはSc，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，
Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，
Luなどの希土類金属）又はCoPt，CoCuなどを
使用することが出来る。第１の磁性薄膜３−１…
…３−ｎにサーボ信号をまた第２の磁性薄膜５に
データ信号が記録される。第１の磁性薄膜３−１
……３−ｎは第２の磁性薄膜５にデータ信号が記
録される際ヘツド磁界の影響がない様に1000〜
4000oeまでの保磁力が好ましく、これにより高
トラツク密度時のサーボ信号のSNR及びデータ
信号のSNRが向上するのでSNRの良好なデータ
面サーボ方式を可能にすることが出来る。
保護膜５はIr，Ru，Os，Ｗ，Mnなどの金属あ
るいはＢ，Si，Ge，Ｃなどの半導体あるいはそ
れらの酸化物、窒化物、炭化物あるいはCo，Ni，
Ti，Ta，Zr，Hf，Alなどの酸化物、窒化物ある
いは炭化物を使用することが出来る。
るいはＢ，Si，Ge，Ｃなどの半導体あるいはそ
れらの酸化物、窒化物、炭化物あるいはCo，Ni，
Ti，Ta，Zr，Hf，Alなどの酸化物、窒化物ある
いは炭化物を使用することが出来る。
次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。
実施例 １
非磁性基体１として、旋盤加工および熱矯正に
よつて十分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下
および半径方向で10μｍ以下）をもつた面に仕上
げられたデイスク状アルミニウム合金盤上にニツ
ケル−燐合金を約50μｍの厚さにめつきし、この
ニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ0.02μｍ、
厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げして非磁性基体１
を作つた。第１図の該非磁性基体１の上に、
SiO2膜２−１を0.02μｍ厚にスパツタリングによ
り形成し、その上に白金20原子パーセント含むコ
バルト合金３−１をアルゴン圧４×10-2torr、電
力密度6W／cm2にて0.06μｍの厚さにスパツタリン
グにより被覆した。このSiO2膜２−１と白金コ
バルト合金磁性膜３−１を単位層として、この単
位層を合計４層、多重積層し、全膜厚を約0.3μｍ
とした。この白金、コバルト合金膜はサーボ用磁
性薄膜である。
よつて十分小さなうねり（円周方向で50μｍ以下
および半径方向で10μｍ以下）をもつた面に仕上
げられたデイスク状アルミニウム合金盤上にニツ
ケル−燐合金を約50μｍの厚さにめつきし、この
ニツケル−燐めつき膜を最大表面粗さ0.02μｍ、
厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上げして非磁性基体１
を作つた。第１図の該非磁性基体１の上に、
SiO2膜２−１を0.02μｍ厚にスパツタリングによ
り形成し、その上に白金20原子パーセント含むコ
バルト合金３−１をアルゴン圧４×10-2torr、電
力密度6W／cm2にて0.06μｍの厚さにスパツタリン
グにより被覆した。このSiO2膜２−１と白金コ
バルト合金磁性膜３−１を単位層として、この単
位層を合計４層、多重積層し、全膜厚を約0.3μｍ
とした。この白金、コバルト合金膜はサーボ用磁
性薄膜である。
さらにその上に非磁性層４としてSiO2を0.2μｍ
被覆し、その上に第２のデータ情報用磁性薄膜５
としてCo−Ni−Pt合金を300Åの厚さでスパツタ
リングにより被覆した。さらに該磁性薄膜５の上
に保護膜６としてSiO2膜をスパツタリングによ
り200Åの膜厚で被覆し、磁気デイスクを作つた。
被覆し、その上に第２のデータ情報用磁性薄膜５
としてCo−Ni−Pt合金を300Åの厚さでスパツタ
リングにより被覆した。さらに該磁性薄膜５の上
に保護膜６としてSiO2膜をスパツタリングによ
り200Åの膜厚で被覆し、磁気デイスクを作つた。
サーボ用磁性薄膜３−１〜３−４の保磁力は
1500Oeであり、データ情報用磁性膜の保磁力は
900Oeであつた。
1500Oeであり、データ情報用磁性膜の保磁力は
900Oeであつた。
実施例 ２
実施例１と同様にして但しサーボ用磁性薄膜３
−１……３−４として白金を10原子パーセント含
むコバルト合金をアルゴン圧４×10-2torr、電力
密度1W／cm2で被覆して磁気デイスクを作つた。
−１……３−４として白金を10原子パーセント含
むコバルト合金をアルゴン圧４×10-2torr、電力
密度1W／cm2で被覆して磁気デイスクを作つた。
実施例 ３
実施例１と同様にして但しサーボ用磁性薄膜３
−１……３−４として白金30原子パーセント含む
コバルト合金をアルゴン圧４×10-2torr、電力密
度10W／cm2で被覆して磁気デイスクを作つた。
−１……３−４として白金30原子パーセント含む
コバルト合金をアルゴン圧４×10-2torr、電力密
度10W／cm2で被覆して磁気デイスクを作つた。
以上実施例１〜３の磁気デイスクのデータ情報
用磁性薄膜５に記録したデータ信号の記録密度は
磁気ヘツドのギヤツプ長0.15〜1.0μｍでD50（孤立
波出力の1/2となる出力の記録密度）が25〜
66KFRPIでSNRの良好な高密度特性が得られた またサーボ用磁性薄膜３−１〜３−４に記録し
たサーボ信号のSNRは高保磁力磁性層の為に良
好でありサーボ信号とサーボ信号を容易に区別す
ることが出来、高トラツク密度（1500〜
3000TPI）の達成が可能となつた。その理由は
SiO2膜２−１〜２−ｎ上に形成されたCoPt膜３
−１〜３−ｎは粒径が細粒化、均一化し、単磁区
構造の増加を促進するので、保磁力を増加させる
からである。この効果は実施例１〜３でも示した
ように白金の広い範囲の組成比で得られる。更に
SiO2膜とCoPt膜の多層化は耐食性の向上やサー
ボ信号のSN比の向上に効果がある。本発明の多
重積層構造のサーボ用磁性薄膜は耐食性が良く、
25℃の水中に１ケ月以上浸漬しても磁気特性の変
化が全くなく腐食に関しきわめて強いことが分つ
た。
用磁性薄膜５に記録したデータ信号の記録密度は
磁気ヘツドのギヤツプ長0.15〜1.0μｍでD50（孤立
波出力の1/2となる出力の記録密度）が25〜
66KFRPIでSNRの良好な高密度特性が得られた またサーボ用磁性薄膜３−１〜３−４に記録し
たサーボ信号のSNRは高保磁力磁性層の為に良
好でありサーボ信号とサーボ信号を容易に区別す
ることが出来、高トラツク密度（1500〜
3000TPI）の達成が可能となつた。その理由は
SiO2膜２−１〜２−ｎ上に形成されたCoPt膜３
−１〜３−ｎは粒径が細粒化、均一化し、単磁区
構造の増加を促進するので、保磁力を増加させる
からである。この効果は実施例１〜３でも示した
ように白金の広い範囲の組成比で得られる。更に
SiO2膜とCoPt膜の多層化は耐食性の向上やサー
ボ信号のSN比の向上に効果がある。本発明の多
重積層構造のサーボ用磁性薄膜は耐食性が良く、
25℃の水中に１ケ月以上浸漬しても磁気特性の変
化が全くなく腐食に関しきわめて強いことが分つ
た。
第１図は本発明の磁気記憶体の断面図である。
１は非磁性基体、２−１……２−ｎはSiO2膜、
３−１……３−ｎは第１の磁性薄膜、４は非磁性
膜、５は第２の磁性薄膜、６は保護膜。
３−１……３−ｎは第１の磁性薄膜、４は非磁性
膜、５は第２の磁性薄膜、６は保護膜。
Claims (1)
- １ 非磁性基板上に、SiO2非磁性層と白金を含
むコバルト合金の第１の磁性薄膜とを単位層と
し、該単位層が多重に積層され、該多重に積層さ
れた単位層の上に非磁性層を介して第２の磁性薄
膜が被覆され、該第２の磁性薄膜上に保護膜が被
覆されていることを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015664A JPS59142744A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015664A JPS59142744A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142744A JPS59142744A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0566646B2 true JPH0566646B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=11895003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015664A Granted JPS59142744A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142744A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051288A (en) * | 1989-03-16 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk comprising alternating layers of a CoNi or CoPt alloy and a non-magnetic spacer layer |
| JPH08221734A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-08-30 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323608A (en) * | 1976-08-17 | 1978-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnet ic recording medium |
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS587806A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-17 | インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン | 磁気薄膜材料 |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015664A patent/JPS59142744A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323608A (en) * | 1976-08-17 | 1978-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnet ic recording medium |
| JPS55113133A (en) * | 1978-12-04 | 1980-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium for thermal transcription |
| JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS587806A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-17 | インタ−ナシヨナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−シヨン | 磁気薄膜材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59142744A (ja) | 1984-08-16 |
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