JP2644994B2 - ディスク状磁気記録媒体 - Google Patents
ディスク状磁気記録媒体Info
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- JP2644994B2 JP2644994B2 JP61068675A JP6867586A JP2644994B2 JP 2644994 B2 JP2644994 B2 JP 2644994B2 JP 61068675 A JP61068675 A JP 61068675A JP 6867586 A JP6867586 A JP 6867586A JP 2644994 B2 JP2644994 B2 JP 2644994B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録媒体に関するものである。
（従来の技術） 現在実用化されている磁気記録媒体は不連続媒体を有
するものが主流である。この不連続媒体の磁気記録層は
Fe,Fe−Co,Fe2O3,CrO2等の磁性体粒子を有機樹脂から成
るバインダーに混合分散して基板上に塗布、乾燥、焼成
したものである。しかし、近年の記録媒体の高密度化に
伴つて磁性体が媒体中で連続している連続薄膜媒体、即
ち、保磁力の大きくなるような磁気記録層の薄膜化が進
んでおり、従来の塗布型から、メッキ型、あるいはスパ
ッタリング型へと成膜方式が推移しつつある。
するものが主流である。この不連続媒体の磁気記録層は
Fe,Fe−Co,Fe2O3,CrO2等の磁性体粒子を有機樹脂から成
るバインダーに混合分散して基板上に塗布、乾燥、焼成
したものである。しかし、近年の記録媒体の高密度化に
伴つて磁性体が媒体中で連続している連続薄膜媒体、即
ち、保磁力の大きくなるような磁気記録層の薄膜化が進
んでおり、従来の塗布型から、メッキ型、あるいはスパ
ッタリング型へと成膜方式が推移しつつある。
そのような状況の下で、磁気記録媒体に対してなされ
る要求は磁気記録層は薄く、しかも十分な再生出力が得
られることである。このような媒体としては、コバルト
系合金を磁気記録層とするものが一般的である。この種
の磁気記録媒体は通常第７図のように、非磁性の基体
（１）上に平滑層（２）を形成した上に更にCrを主とし
た配向層としての下地層（３）を形成し、その上に磁気
記録層（４）が形成され、最表面に保護、潤滑層（５）
を設けた構造を有している。
る要求は磁気記録層は薄く、しかも十分な再生出力が得
られることである。このような媒体としては、コバルト
系合金を磁気記録層とするものが一般的である。この種
の磁気記録媒体は通常第７図のように、非磁性の基体
（１）上に平滑層（２）を形成した上に更にCrを主とし
た配向層としての下地層（３）を形成し、その上に磁気
記録層（４）が形成され、最表面に保護、潤滑層（５）
を設けた構造を有している。
（発明が解決しようとする問題点） Co−Ni系合金を磁気記録層とする場合、十分な再生出
力を得るために磁気記録層の厚みは500Å乃至1000Åで
十分である。しかし、Co−Ni系合金のみでは耐食性に劣
り、それを補うために磁気記録層上に更にSiO2,Cr等の
耐食性に優れた非磁性層を数百Å近く設けることが知ら
れている（米国特許明細書第3,520,664号）。しかし再
生出力を考えた場合、一般に磁気ヘッドのデイスク（磁
気記録媒体）からの浮上量が2000Å前後でなければなら
ないと言われている。このため、数百Å近い非磁性層の
厚みは、磁気ヘッドから磁気記録層までの距離がこの分
遠ざかる結果、スペーシングロスによる再生出力低下に
つながっていた。
力を得るために磁気記録層の厚みは500Å乃至1000Åで
十分である。しかし、Co−Ni系合金のみでは耐食性に劣
り、それを補うために磁気記録層上に更にSiO2,Cr等の
耐食性に優れた非磁性層を数百Å近く設けることが知ら
れている（米国特許明細書第3,520,664号）。しかし再
生出力を考えた場合、一般に磁気ヘッドのデイスク（磁
気記録媒体）からの浮上量が2000Å前後でなければなら
ないと言われている。このため、数百Å近い非磁性層の
厚みは、磁気ヘッドから磁気記録層までの距離がこの分
遠ざかる結果、スペーシングロスによる再生出力低下に
つながっていた。
一方Co−Cr系合金を磁気記録層とする場合、耐食性に
関しては優れているものの、材料固有の問題として飽和
磁化量が小さいために、十分な再生出力を得るために磁
気記録層厚みを1000Å乃至2000Åとらなければならな
い。
関しては優れているものの、材料固有の問題として飽和
磁化量が小さいために、十分な再生出力を得るために磁
気記録層厚みを1000Å乃至2000Åとらなければならな
い。
今後の高密度化への流れを考慮すると、Co−Ni系合金
は耐食性の点で、またCo−Cn系合金は薄膜化に限度があ
る点で、大きな妨げとなっており新しい磁気記録層の開
発が望まれていた。
は耐食性の点で、またCo−Cn系合金は薄膜化に限度があ
る点で、大きな妨げとなっており新しい磁気記録層の開
発が望まれていた。
本発明は、以上の問題点に鑑みなされたもので、耐食
性に優れなおかつ再生出力を損なうことのない磁気記録
層を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
性に優れなおかつ再生出力を損なうことのない磁気記録
層を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用） 本発明は、スパッタリング法によって磁気記録層が形
成される磁気記録媒体に係り、ディスク状の非磁性支持
体と、非磁性支持体上に配置されたクロムを主体とする
下地層と、下地層上にスパッタリング法によって堆積さ
れた800Å以下の薄膜であるコバルトを主成分とする第
１の磁気記録層と、第１の磁気記録層上にスパッタリン
グ法によって堆積されたコバルト及びクロムを主成分と
する第２の磁気記録層とからなるものである。
成される磁気記録媒体に係り、ディスク状の非磁性支持
体と、非磁性支持体上に配置されたクロムを主体とする
下地層と、下地層上にスパッタリング法によって堆積さ
れた800Å以下の薄膜であるコバルトを主成分とする第
１の磁気記録層と、第１の磁気記録層上にスパッタリン
グ法によって堆積されたコバルト及びクロムを主成分と
する第２の磁気記録層とからなるものである。
第１の磁気記録層は、膜厚が大きくなるのを抑え、な
おかつ良好な再生出力を得る。第２の磁気記録層は、第
１の磁気記録層の耐食性を向上させるとともに、磁性を
持つことにより膜厚増加によるスペーシングロスを改善
する。
おかつ良好な再生出力を得る。第２の磁気記録層は、第
１の磁気記録層の耐食性を向上させるとともに、磁性を
持つことにより膜厚増加によるスペーシングロスを改善
する。
第１の磁気記録層は、Niを10乃至30at％含有する厚さ
400Å乃至800Åの範囲内のCo−Niを主成分とする層であ
る。
400Å乃至800Åの範囲内のCo−Niを主成分とする層であ
る。
あるいは、第１の磁気記録層は、Coと、Pt、Ｙ、La、
Ce、Pr、Sm、Nd、及びPmの内から選ばれた少なくとも１
つの元素Ｘを主成分とする。これらCo以外の元素Ｘは５
乃至40at％含有され、厚さ400Å乃至800Åの範囲内のCo
−Ｘを主成分とする層である。
Ce、Pr、Sm、Nd、及びPmの内から選ばれた少なくとも１
つの元素Ｘを主成分とする。これらCo以外の元素Ｘは５
乃至40at％含有され、厚さ400Å乃至800Åの範囲内のCo
−Ｘを主成分とする層である。
あるいは、第１の磁気記録層は、Co及びNiに、更に、
Fe、Ｐ、Ｗ、Pt、及びCrの内から選ばれた少なくとも１
つの元素Ｘを添加してなる。Niを10乃至30at％、添加元
素Ｘを30at％以下含有した厚さ400Å乃至800Åの範囲内
のCo−Ni−Ｘを主成分とする層である。添加元素Ｘは、
Co−Ni系の電磁変換特性向上のために添加され、Co−Ni
のみの磁気記録層と同じ厚みの磁気記録層を形成した場
合、飽和磁化、あるいは保磁力において優れている。添
加元素ＸをFeとした場合、Co−Niのみの場合に比較し、
飽和磁化及び角型比に優れる。添加元素ＸをPt、Ｗ、Ｐ
とした場合、保磁力、角型比に優れる。添加元素ＸをCr
とした場合、保磁力を増強せしめるとともに、耐食性を
向上させる。
Fe、Ｐ、Ｗ、Pt、及びCrの内から選ばれた少なくとも１
つの元素Ｘを添加してなる。Niを10乃至30at％、添加元
素Ｘを30at％以下含有した厚さ400Å乃至800Åの範囲内
のCo−Ni−Ｘを主成分とする層である。添加元素Ｘは、
Co−Ni系の電磁変換特性向上のために添加され、Co−Ni
のみの磁気記録層と同じ厚みの磁気記録層を形成した場
合、飽和磁化、あるいは保磁力において優れている。添
加元素ＸをFeとした場合、Co−Niのみの場合に比較し、
飽和磁化及び角型比に優れる。添加元素ＸをPt、Ｗ、Ｐ
とした場合、保磁力、角型比に優れる。添加元素ＸをCr
とした場合、保磁力を増強せしめるとともに、耐食性を
向上させる。
第２の磁気記録層は、Crを10乃至30at％含有する厚さ
300Å以上のCo−Crを主成分とする層である。第２の磁
気記録層は、耐食性を有する限り、薄い方が良い。
300Å以上のCo−Crを主成分とする層である。第２の磁
気記録層は、耐食性を有する限り、薄い方が良い。
第１の磁気記録層がCo及びNiを主成分とし、また第２
の磁気記録層がCo及びCrを主成分とする場合、第１の磁
気記録層の厚さを400乃至800Å、第２の磁気記録層の厚
さを300乃至500Åとすることにより、極めて安定した高
密度記録媒体から得られる。
の磁気記録層がCo及びCrを主成分とする場合、第１の磁
気記録層の厚さを400乃至800Å、第２の磁気記録層の厚
さを300乃至500Åとすることにより、極めて安定した高
密度記録媒体から得られる。
発明者等は、Niを10乃至30at％含有したCo及びNiを主
とする第１の磁気記録層上に、Crを10乃至30at％含有し
たCo及びCrを主とする第２の磁気記録層を有する磁気記
録媒体において、良好な再生出力と優れた耐食性を示す
第１及び第２の磁気記録層の膜厚を種々検討した。
とする第１の磁気記録層上に、Crを10乃至30at％含有し
たCo及びCrを主とする第２の磁気記録層を有する磁気記
録媒体において、良好な再生出力と優れた耐食性を示す
第１及び第２の磁気記録層の膜厚を種々検討した。
まず、耐食性を調べる為に、Co−Crより成る第２の磁
気記録層の厚味を100Å乃至1000Åまで変化させて、加
速試験を行なった。試験は温度85℃、湿度85％の恒温槽
の中に媒体を放置し、欠陥の増加により腐食の比較を行
った。結果を第２図に示す。Co−Crの厚味が300Åより
薄いと著しい腐食の増大が生じた。このときCo−Niより
成る第１の磁気記録槽の厚味を100Å乃至1000Åまで変
化させたが腐食状況はこの厚味によらず第２の磁気記録
槽のみに依存した。また、実際の媒体では最表面に100
Å乃至300Åのカーボン潤滑層を形成するが、この有無
にも依存しなった。
気記録層の厚味を100Å乃至1000Åまで変化させて、加
速試験を行なった。試験は温度85℃、湿度85％の恒温槽
の中に媒体を放置し、欠陥の増加により腐食の比較を行
った。結果を第２図に示す。Co−Crの厚味が300Åより
薄いと著しい腐食の増大が生じた。このときCo−Niより
成る第１の磁気記録槽の厚味を100Å乃至1000Åまで変
化させたが腐食状況はこの厚味によらず第２の磁気記録
槽のみに依存した。また、実際の媒体では最表面に100
Å乃至300Åのカーボン潤滑層を形成するが、この有無
にも依存しなった。
次に信号出力、S/N値から各層の厚味を検討した。第
１の磁気記録層（Co−Ni）の厚味に対する信号出力は第
３図の曲線（18）のようになる。S/Nの低下しない範囲
で信号出力、さらに膜厚を選ぶと、500Å乃至1000Åの
範囲が良好となる。ここで第２の磁気記録層（Co−Cr）
を積層すると、第２の磁気記録層自信が信号に寄与する
ので最適範囲は第３図の曲線（20）（Co−Crが300Åの
とき）のように薄い方へシフトする。しかしながら第２
の磁気記録層が500Åをこえると磁気記録層全体の厚味
が増加し、記録密度特性が急速に低下する。
１の磁気記録層（Co−Ni）の厚味に対する信号出力は第
３図の曲線（18）のようになる。S/Nの低下しない範囲
で信号出力、さらに膜厚を選ぶと、500Å乃至1000Åの
範囲が良好となる。ここで第２の磁気記録層（Co−Cr）
を積層すると、第２の磁気記録層自信が信号に寄与する
ので最適範囲は第３図の曲線（20）（Co−Crが300Åの
とき）のように薄い方へシフトする。しかしながら第２
の磁気記録層が500Åをこえると磁気記録層全体の厚味
が増加し、記録密度特性が急速に低下する。
以上の検討結果から、第１の磁気記録層を400Å乃至8
00Å、第２の磁気記録層を300Å乃至500Åとすると極め
て安定した高密度記録媒体が作成されることが見出され
た。
00Å、第２の磁気記録層を300Å乃至500Åとすると極め
て安定した高密度記録媒体が作成されることが見出され
た。
また、第１の磁気記録層に酸素を５乃至15％の範囲で
添加すると、磁気特性、とりわけHc（保磁力）が向上し
たり、高密度な記録媒体の作成が可能であることが見出
された。
添加すると、磁気特性、とりわけHc（保磁力）が向上し
たり、高密度な記録媒体の作成が可能であることが見出
された。
尚、Co−Cr磁気記録層の下地として低抗磁力材料層、
例えばパーマロイ層を形成したものが、特開昭54−5180
4号公報に記載されている。しかし、これはCo−Crを垂
直磁化媒体に用いたもので、下地の低抗磁力材料層は、
垂直記録用磁気ヘッドの補助磁極からの磁束を主磁極に
集中させるように働くものである。従って、下地の低抗
磁力材料層は磁気記録層として作用するものではなく、
本発明とは明確に異なるものである。
例えばパーマロイ層を形成したものが、特開昭54−5180
4号公報に記載されている。しかし、これはCo−Crを垂
直磁化媒体に用いたもので、下地の低抗磁力材料層は、
垂直記録用磁気ヘッドの補助磁極からの磁束を主磁極に
集中させるように働くものである。従って、下地の低抗
磁力材料層は磁気記録層として作用するものではなく、
本発明とは明確に異なるものである。
（実施例１） 第１図は本発明の磁気記録媒体の部分断面図である。
第１図において、非磁性基体（11）として3.5インチ
のアルミニウム合金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ
鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層（12）を形成
した。これに二極式高周波スパッタリング装置により磁
気記録層、保護層・潤滑層等を形成した。成膜方法、並
びに成膜条件は以下の通りである。膜厚及び磁気特性を
均一にするために基板装着台は自公転可能で、台を6rpm
で回転させた。成膜は初期到達真空度8.0×10-7Torr
で、導入Arガス圧を4.0×10-2Torrとし、スパッタリン
グパワー300W、室温下に於いて行なった。まず、磁気記
録層の結晶性を良くするための下地層（13）としてCrを
3000Å形成した。その上に、第１の磁気記録層（15）と
して、Co−Niを約700Å、次に第２の磁気記録層（16）
としてCo−Crを同じく約700Å形成し、二層より成る磁
気記録層（14）を構成した。また、最表層に300Å乃至5
00Åのカーボン膜からなる保護・潤滑層（17）を設け
た。通常、スパッタリング法によるCo−Crの形成は、低
ガス圧力で行われ、また特開昭59−177726号公報等で知
られているように120℃以上の温度下で行われていた
が、ここではあえて３×10-2Torr以上の４×10-2Torrの
高ガス圧下で、しかも120℃よりも低い温度である室温
下において行っている。これにより、多層の磁気記録層
をスパッタリング法により旨く堆積している。
のアルミニウム合金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ
鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層（12）を形成
した。これに二極式高周波スパッタリング装置により磁
気記録層、保護層・潤滑層等を形成した。成膜方法、並
びに成膜条件は以下の通りである。膜厚及び磁気特性を
均一にするために基板装着台は自公転可能で、台を6rpm
で回転させた。成膜は初期到達真空度8.0×10-7Torr
で、導入Arガス圧を4.0×10-2Torrとし、スパッタリン
グパワー300W、室温下に於いて行なった。まず、磁気記
録層の結晶性を良くするための下地層（13）としてCrを
3000Å形成した。その上に、第１の磁気記録層（15）と
して、Co−Niを約700Å、次に第２の磁気記録層（16）
としてCo−Crを同じく約700Å形成し、二層より成る磁
気記録層（14）を構成した。また、最表層に300Å乃至5
00Åのカーボン膜からなる保護・潤滑層（17）を設け
た。通常、スパッタリング法によるCo−Crの形成は、低
ガス圧力で行われ、また特開昭59−177726号公報等で知
られているように120℃以上の温度下で行われていた
が、ここではあえて３×10-2Torr以上の４×10-2Torrの
高ガス圧下で、しかも120℃よりも低い温度である室温
下において行っている。これにより、多層の磁気記録層
をスパッタリング法により旨く堆積している。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定した
ところ、面内保磁力700エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試
験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性につ
いては20kbpi乃至40kbpiの高密度記録が可能であった。
磁気ヘッドとの摩耗試験では通常行なわれている２万回
のコンタクト・スタート・ストップテストを行ない、デ
ィスク表面に傷のつかないことを確認した。
ところ、面内保磁力700エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試
験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性につ
いては20kbpi乃至40kbpiの高密度記録が可能であった。
磁気ヘッドとの摩耗試験では通常行なわれている２万回
のコンタクト・スタート・ストップテストを行ない、デ
ィスク表面に傷のつかないことを確認した。
また、耐環境性についても、温度80℃、相対湿度80％
で700時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
で700時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
（実施例２） 実施例１と同様に、アルミニウム合金非磁性基体（1
1）を用い、この表面を陽極酸化により、アルミナ（Al2
O3）の非金属層からなる非磁性平滑層（12）を形成し、
後は先の実施例と同様に非磁性金属下地層（13）、第１
及び第２の磁気記録層（15）、（16）及び保護・潤滑層
（17）を形成した。この実施例においても実施例１と同
様の効果を得た。
1）を用い、この表面を陽極酸化により、アルミナ（Al2
O3）の非金属層からなる非磁性平滑層（12）を形成し、
後は先の実施例と同様に非磁性金属下地層（13）、第１
及び第２の磁気記録層（15）、（16）及び保護・潤滑層
（17）を形成した。この実施例においても実施例１と同
様の効果を得た。
（実施例３） 非磁性基体（11）として3.5インチのアルミニウム合
金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ鍍金及び鏡面研磨
がなされた非磁性平滑層（12）を形成した。下地層（1
3）としてCrを3000Å形成し、その上に第１の磁気記録
層（15）としてSm 16at％含有するCo−Smを約700Å、次
に第２の磁気記録層（16）としてCo−Crを同じく約500
Å形成し、二層より成る磁気記録層（14）を構成した。
また、最表面に300Å乃至500Åのカーボン膜からなる保
護・潤滑層（17）を設けた。
金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ鍍金及び鏡面研磨
がなされた非磁性平滑層（12）を形成した。下地層（1
3）としてCrを3000Å形成し、その上に第１の磁気記録
層（15）としてSm 16at％含有するCo−Smを約700Å、次
に第２の磁気記録層（16）としてCo−Crを同じく約500
Å形成し、二層より成る磁気記録層（14）を構成した。
また、最表面に300Å乃至500Åのカーボン膜からなる保
護・潤滑層（17）を設けた。
この磁気記録媒体の磁気特性を測定したところ、面内
保磁力800エルステッドを得、また飽和磁化量、その他
の磁気特性に関しても優れた結果を得た。更に、電磁変
換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行な
った結果、次の特性を得た。電磁変換特性について20kb
pi乃至40kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘッド
との摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・スト
ップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかないこと
を確認した。
保磁力800エルステッドを得、また飽和磁化量、その他
の磁気特性に関しても優れた結果を得た。更に、電磁変
換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行な
った結果、次の特性を得た。電磁変換特性について20kb
pi乃至40kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘッド
との摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・スト
ップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかないこと
を確認した。
また、耐環境性についても、温度80℃、相対湿度80％
で700時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
で700時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
（実施例４） 第１の磁気記録層（15）として、Ce 20at％含有するC
o−Ceを約600Å形成した。その他の条件は実施例３と同
じとした。このようにして形成した媒体の磁気特性は、
保磁力750エルステッドを得、電磁変換特性は、低域出
力1.0mV、線記録密度（D50）26kbpiを得た。また耐食性
も実施例３と同様の結果を得た。
o−Ceを約600Å形成した。その他の条件は実施例３と同
じとした。このようにして形成した媒体の磁気特性は、
保磁力750エルステッドを得、電磁変換特性は、低域出
力1.0mV、線記録密度（D50）26kbpiを得た。また耐食性
も実施例３と同様の結果を得た。
（実施例５） 非磁性基体（11）として3.5インチのアルミニウム合
金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ鍍金及び鏡面研磨
がなされた非磁性平滑層（12）を形成した。次に、磁気
記録層の結晶性を良くするための下地層（13）としてCr
を3000Å形成した。その上に、第１の磁気記録層（15）
として、Ni 17at％、Fe 8at％他をCoとする組成でCo−N
i−Feを約700Å、次に第２の磁気記録層（16）としてCo
−Crを同じく約500Å形成し、二層より成る磁気記録層
（14）を構成した。また、最表面に300Å乃至500Åのカ
ーボン膜からなる保護・潤滑層（17）を設けた。
金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ鍍金及び鏡面研磨
がなされた非磁性平滑層（12）を形成した。次に、磁気
記録層の結晶性を良くするための下地層（13）としてCr
を3000Å形成した。その上に、第１の磁気記録層（15）
として、Ni 17at％、Fe 8at％他をCoとする組成でCo−N
i−Feを約700Å、次に第２の磁気記録層（16）としてCo
−Crを同じく約500Å形成し、二層より成る磁気記録層
（14）を構成した。また、最表面に300Å乃至500Åのカ
ーボン膜からなる保護・潤滑層（17）を設けた。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定した
ところ、面内保磁力700エルステッドを得、また飽和磁
化はCo−Ni系に比較し約15％増加した。更に、電磁変換
特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。電磁変換特性については20kb
pi乃至40kbpiの高密度記録が可能であった。また、飽和
磁化の増加に伴って出力の増大が認められた。磁気ヘッ
ドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・ス
トップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかないこ
とを確認した。
ところ、面内保磁力700エルステッドを得、また飽和磁
化はCo−Ni系に比較し約15％増加した。更に、電磁変換
特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。電磁変換特性については20kb
pi乃至40kbpiの高密度記録が可能であった。また、飽和
磁化の増加に伴って出力の増大が認められた。磁気ヘッ
ドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・ス
トップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかないこ
とを確認した。
また、耐環境性についても、温度80℃、相対湿度80％
で700時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
で700時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
（実施例６） 第１の磁気記録層（15）として、Ni 15at％、Pt5％、
他をCoとする組成のCo−Ni−Ptを約700Å形成した。そ
の他の条件は実施例５と同じとした。このようにして形
成した媒体の磁気特性は、保磁力750エルステッドを
得、電磁変換特性は、低域出力1.0mVでCo−Ni系と同程
度、線記録密度（D50）26kbpiでCoNi系の22kbpiを上回
った。
他をCoとする組成のCo−Ni−Ptを約700Å形成した。そ
の他の条件は実施例５と同じとした。このようにして形
成した媒体の磁気特性は、保磁力750エルステッドを
得、電磁変換特性は、低域出力1.0mVでCo−Ni系と同程
度、線記録密度（D50）26kbpiでCoNi系の22kbpiを上回
った。
（実施例７） 第１の磁気記録層（15）として、Ni25at％、Cr7％、
他をCoとする組成のCo−Ni−Crを約700Å形成した。他
の条件は、実施例５と同じとしたこのようにして作成し
た媒体の特性は保磁力720エルステッド、低域出力0.95m
V、D5024Kbpiであり、Co−Ni系媒体を凌ぐものであっ
た。
他をCoとする組成のCo−Ni−Crを約700Å形成した。他
の条件は、実施例５と同じとしたこのようにして作成し
た媒体の特性は保磁力720エルステッド、低域出力0.95m
V、D5024Kbpiであり、Co−Ni系媒体を凌ぐものであっ
た。
（実施例８） 第１図において、非磁性基体（11）として3.5インチ
のアルミニウム合金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ
鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層（12）を形成
した。これにまず、磁気記録層の結晶性を良くするため
の下地層（13）としてCrを2000Å形成した。その上に、
第１の磁気記録層（15）としてCo−Niを500Å、次に第
２の磁気記録層（16）としてCo−Crを400Å形成し、二
層より成る磁気記録層（14）を構成した。また、最表層
に200Åのカーボン膜からなる保護・潤滑層（17）を設
けた。
のアルミニウム合金製デイスクを使用し、表面にNi−Ｐ
鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層（12）を形成
した。これにまず、磁気記録層の結晶性を良くするため
の下地層（13）としてCrを2000Å形成した。その上に、
第１の磁気記録層（15）としてCo−Niを500Å、次に第
２の磁気記録層（16）としてCo−Crを400Å形成し、二
層より成る磁気記録層（14）を構成した。また、最表層
に200Åのカーボン膜からなる保護・潤滑層（17）を設
けた。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定した
ところ、面内保磁力800エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行った結果、次の特性を得た。電磁変換特性に
ついては30kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘッ
ドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・ス
トップテストを行い、デイスク表面の傷のつかないこと
を確認した。
ところ、面内保磁力800エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行った結果、次の特性を得た。電磁変換特性に
ついては30kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘッ
ドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・ス
トップテストを行い、デイスク表面の傷のつかないこと
を確認した。
また、耐環境性についても、温度85℃、相対湿度85％
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められ
ず、欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認
された。
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められ
ず、欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認
された。
（実施例９） アルミニウム合金非磁性基体（11）を用い、この表面
を陽極酸化により、アルミナ（Al2O3）の非金属層の非
磁性平滑層（12）を形成し、後は実施例８と同様に非磁
性金属下地層（13）、第１及び第２の磁気記録層（1
5）、（16）及び保護・潤滑層（17）を形成した。ただ
し、第１の磁気記録層（15）には導入Arガス中に30％の
酸素を混入し、酸素を10％含んだCo−Ni−Ｏ膜を堆積さ
せた。
を陽極酸化により、アルミナ（Al2O3）の非金属層の非
磁性平滑層（12）を形成し、後は実施例８と同様に非磁
性金属下地層（13）、第１及び第２の磁気記録層（1
5）、（16）及び保護・潤滑層（17）を形成した。ただ
し、第１の磁気記録層（15）には導入Arガス中に30％の
酸素を混入し、酸素を10％含んだCo−Ni−Ｏ膜を堆積さ
せた。
この実施例においては、面内保磁力850エルステッド
を得、電磁変換特性は32kbpiと高密度化し、耐久性、耐
食性については先の実施例と同様の効果を得た。
を得、電磁変換特性は32kbpiと高密度化し、耐久性、耐
食性については先の実施例と同様の効果を得た。
（実施例10） 第４図に示すように、非磁性基体（22）として5.25イ
ンチの表面平滑なガラスを使用した。これにマグネトロ
ン式高周波スパッタリング装置により磁気記録層、保護
層・潤滑層等を形成した。成膜方法、並びに成膜条件は
以下の通りである。膜厚及び磁気特性を均一にするため
に基板装着台は自公転可能で、台を10rpmで回転させ
た。成膜は初期到達真空度5.0×10-7Torrで、導入Arガ
ス圧を3.0×10-2Torrとし、スパッタリングパワー1000
W、室温下に於いて行なった。まず、磁気記録層の結晶
性を良くするための下地層（23）としてCrを3500Å形成
した。その上に、第１の磁気記録層（24）として、Ni17
at％、Fe8at％、他をCoとする組成のCo−Ni−Feを約450
Å、次に第２の磁気記録層（25）としてCo−Crを同じく
約300Å形成し、二層より成る磁気記録層（26）を構成
した。また、最表層に200Åのカーボン膜からなる保護
・潤滑層（27）を設けた。
ンチの表面平滑なガラスを使用した。これにマグネトロ
ン式高周波スパッタリング装置により磁気記録層、保護
層・潤滑層等を形成した。成膜方法、並びに成膜条件は
以下の通りである。膜厚及び磁気特性を均一にするため
に基板装着台は自公転可能で、台を10rpmで回転させ
た。成膜は初期到達真空度5.0×10-7Torrで、導入Arガ
ス圧を3.0×10-2Torrとし、スパッタリングパワー1000
W、室温下に於いて行なった。まず、磁気記録層の結晶
性を良くするための下地層（23）としてCrを3500Å形成
した。その上に、第１の磁気記録層（24）として、Ni17
at％、Fe8at％、他をCoとする組成のCo−Ni−Feを約450
Å、次に第２の磁気記録層（25）としてCo−Crを同じく
約300Å形成し、二層より成る磁気記録層（26）を構成
した。また、最表層に200Åのカーボン膜からなる保護
・潤滑層（27）を設けた。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定した
ところ、面内保磁力900エルステッドを得、また飽和磁
化はCo−Ni系に比較し約15％増加した。更に、電磁変換
特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。電磁変換特性については34kb
piの高密度記録が可能であった。また、飽和磁化の増加
に伴って出力の増大が認められた。磁気ヘッドとの摩耗
試験では２万回のコンタクト・スタート・ストップテス
トを行ない、デイスク表面に傷のつかないことを確認し
た。
ところ、面内保磁力900エルステッドを得、また飽和磁
化はCo−Ni系に比較し約15％増加した。更に、電磁変換
特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。電磁変換特性については34kb
piの高密度記録が可能であった。また、飽和磁化の増加
に伴って出力の増大が認められた。磁気ヘッドとの摩耗
試験では２万回のコンタクト・スタート・ストップテス
トを行ない、デイスク表面に傷のつかないことを確認し
た。
また、耐環境性についても、温度85℃、相対湿度85％
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
（実施例11） 第５図において、非磁性基体（31）として3.5インチ
の表面平滑なガラスを使用した。これにマグネトロン式
高周波スパッタリング装置により磁気記録層、保護層・
潤滑層等を形成した。成膜方法、並びに成膜条件は以下
の通りである。膜厚及び磁気特性を均一にするために基
板装着台は自公転可能で、台を6rpmで回転させた。成膜
は初期到達真空度5.0×10-7Torrで、導入Arガス圧を4.0
×10-2Torrとし、スパッタリングパワー1000W、室温下
に於いて行なった。まず、第１の磁気記録層（32）とし
て、Sm16at％含有するCo−Smを700Å、次に第２の磁気
記録層（33）としてCo−Crを同じく300Å形成し、二層
より成る磁気記録層（34）を構成した。また、最表層に
300Åのカーボン膜からなる保護・潤滑層（35）を設け
た。
の表面平滑なガラスを使用した。これにマグネトロン式
高周波スパッタリング装置により磁気記録層、保護層・
潤滑層等を形成した。成膜方法、並びに成膜条件は以下
の通りである。膜厚及び磁気特性を均一にするために基
板装着台は自公転可能で、台を6rpmで回転させた。成膜
は初期到達真空度5.0×10-7Torrで、導入Arガス圧を4.0
×10-2Torrとし、スパッタリングパワー1000W、室温下
に於いて行なった。まず、第１の磁気記録層（32）とし
て、Sm16at％含有するCo−Smを700Å、次に第２の磁気
記録層（33）としてCo−Crを同じく300Å形成し、二層
より成る磁気記録層（34）を構成した。また、最表層に
300Åのカーボン膜からなる保護・潤滑層（35）を設け
た。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定した
ところ、面内保磁力900エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性
については34kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘ
ッドとの摩耗試験で２万回のコンタクト・スタート・ス
トップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかないこ
とを確認した。
ところ、面内保磁力900エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性
については34kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘ
ッドとの摩耗試験で２万回のコンタクト・スタート・ス
トップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかないこ
とを確認した。
また、耐環境性についても、温度85℃、相対湿度85％
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
（実施例12） 第６図に示すように、非磁性基体（41）として5.25イ
ンチのアルミニウム合金製デイスクを使用し、表面にNi
−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層（42）を
形成した。これにマグネトロン式高周波スパッタリング
装置により磁気記録層、保護層・潤滑層等を形成した。
成膜方法、並びに成膜条件は以下の通りである。膜厚及
び磁気特性を均一にするために基板装着台は自公転可能
で、台を10rpmで回転させた。成膜は初期到達真空度5.0
×10-7Torrで、導入Arガス圧を4.0×10-2Torrとし、ス
パッタリングパワー1000W、室温下に於いて行なった。
第１の磁気記録層（42）として、Sm16at％含有するCo−
Smを約700Å、次に第２の磁気記録層（43）としてCo−C
rを同じく約500Å形成し、二層より成る磁気記録層（4
5）を構成した。また、最表層に300Åのカーボン膜から
なる保護・潤滑層（46）を設けた。
ンチのアルミニウム合金製デイスクを使用し、表面にNi
−Ｐ鍍金及び鏡面研磨がなされた非磁性平滑層（42）を
形成した。これにマグネトロン式高周波スパッタリング
装置により磁気記録層、保護層・潤滑層等を形成した。
成膜方法、並びに成膜条件は以下の通りである。膜厚及
び磁気特性を均一にするために基板装着台は自公転可能
で、台を10rpmで回転させた。成膜は初期到達真空度5.0
×10-7Torrで、導入Arガス圧を4.0×10-2Torrとし、ス
パッタリングパワー1000W、室温下に於いて行なった。
第１の磁気記録層（42）として、Sm16at％含有するCo−
Smを約700Å、次に第２の磁気記録層（43）としてCo−C
rを同じく約500Å形成し、二層より成る磁気記録層（4
5）を構成した。また、最表層に300Åのカーボン膜から
なる保護・潤滑層（46）を設けた。
こうして作成した磁気記録媒体の磁気特性を測定した
ところ、面内保磁力950エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性
については36kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘ
ッドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・
ストップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかない
ことを確認した。
ところ、面内保磁力950エルステッドを得、また飽和磁
化量、その他の磁気特性に関しても優れた結果を得た。
更に、電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環
境試験を行なった結果、次の特性を得た。電磁変換特性
については36kbpiの高密度記録が可能であった。磁気ヘ
ッドとの摩耗試験では２万回のコンタクト・スタート・
ストップテストを行ない、デイスク表面に傷のつかない
ことを確認した。
また、耐環境性についても、温度85℃、相対湿度85％
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
で1000時間放置したが、外観上の変化は全然認められず
欠陥箇所の増加も皆無であり、十分な耐食性が確認され
た。
以上のように、本発明によれば作用の異なる２つの磁
気記録層を設けることにより耐食性に優れ、なおかつ高
密度化へ向けての薄膜化可能な磁気記録媒体を提供する
ことができる。
気記録層を設けることにより耐食性に優れ、なおかつ高
密度化へ向けての薄膜化可能な磁気記録媒体を提供する
ことができる。
第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の部分断面
図、第２図は第２の磁気記録層の膜厚と腐食試験による
欠陥の増加数との関係を示す図、第３図は第１の磁気記
録層の膜厚と信号出力との関係を示す図、第４図、第５
図及び第６図はそれぞれ本発明の他の実施例の磁気記録
媒体の部分断面図、第７図は従来技術の磁気記録媒体の
部分断面図である。 （11）……非磁性基体 （12）……非磁性平滑層 （13）……非磁性金属下地層 （14）……磁気記録層 （15）……第１の磁気記録層 （16）……第２の磁気記録層 （17）……保護・平滑層
図、第２図は第２の磁気記録層の膜厚と腐食試験による
欠陥の増加数との関係を示す図、第３図は第１の磁気記
録層の膜厚と信号出力との関係を示す図、第４図、第５
図及び第６図はそれぞれ本発明の他の実施例の磁気記録
媒体の部分断面図、第７図は従来技術の磁気記録媒体の
部分断面図である。 （11）……非磁性基体 （12）……非磁性平滑層 （13）……非磁性金属下地層 （14）……磁気記録層 （15）……第１の磁気記録層 （16）……第２の磁気記録層 （17）……保護・平滑層
フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願昭61−4979 (32)優先日 昭61(1986)１月16日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） 審判番号 平7−6286 (56)参考文献 特開 昭59−119531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−118033（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−77024（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−55532（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−34138（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−111323（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】ディスク状の非磁性支持体と、前記非磁性
支持体上に配置されたクロムを主体とする下地層と、前
記下地層上にスパッタリング法によって堆積された800
Å以下の薄膜であるコバルトを主成分とする第１の磁気
記録層と、前記第１の磁気記録層上に少なくとも３×10
-2Torr以上のガス圧及び120℃よりも低温下でのスパッ
タリング法によって堆積されたコバルト及びクロムを主
成分とする第２の磁気記録層とを含むことを特徴とする
ディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記第１の磁気記録層がコバルト及びニッ
ケルを主成分とすることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記第１の磁気記録層がコバルト及びニッ
ケルに、更に、鉄、リン、タングステン、白金、及びク
ロムの内から選ばれた少なくとも１種の元素を主成分と
して含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
ディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項４】前記第１の磁気記録層が、白金、イットリ
ウム、ランタン、セリウム、プラセオジウム、サマレウ
ム、ネオジウム、プロメチウムの内から選ばれた少なく
とも１種の元素を主成分として含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項５】前記第２の磁気記録層の膜厚が300Å乃至5
00Åの範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第
２項記載のディスク状磁気上記録媒体。 - 【請求項６】前記第１の磁気記録層が酸素を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載のディスク状磁気
記録媒体。 - 【請求項７】前記酸素の含有量が5at％乃至15at％の範
囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
ディスク状磁気記録媒体。 - 【請求項８】少なくとも前記第２の磁気記録層は室温下
でのスパッタリング法により堆積されてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のディスク状磁気記録
媒体。
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-156954 | 1985-07-18 | ||
| JP15695485 | 1985-07-18 | ||
| JP60-287871 | 1985-12-23 | ||
| JP28787185 | 1985-12-23 | ||
| JP60-292035 | 1985-12-26 | ||
| JP29203585 | 1985-12-26 | ||
| JP61-4979 | 1986-01-16 | ||
| JP497986 | 1986-01-16 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1602397A Division JPH09190622A (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 磁気記録媒体 |
| JP6747497A Division JPH1049851A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | ディスク状磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256217A JPS62256217A (ja) | 1987-11-07 |
| JP2644994B2 true JP2644994B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=27454203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61068675A Expired - Lifetime JP2644994B2 (ja) | 1985-07-18 | 1986-03-28 | ディスク状磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644994B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2571081B2 (ja) * | 1987-12-03 | 1997-01-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 光学活性１，２−アルカンジオールの製造方法 |
| JP2571080B2 (ja) * | 1987-12-03 | 1997-01-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 光学活性１，２−アルカンジオールの製造法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860429A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-09 | Ulvac Corp | 磁気記録体とその製造装置 |
| JPS5964734A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Nippon Gakki Seizo Kk | Ｃｏ−Ｎｉ系磁性合金 |
| JPS59119531A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60214426A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS60219626A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61068675A patent/JP2644994B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256217A (ja) | 1987-11-07 |
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