JPH06124832A

JPH06124832A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH06124832A
Application number: JP29774792A
Authority: JP
Inventors: Jiro Yoshinari; 次郎吉成; Takanori Kobuke; 隆敬古武家
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1992-10-09
Filing date: 1992-10-09
Publication date: 1994-05-06

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度記録が可能で、しかも安価な面内磁気
記録媒体を提供する。【構成】Ｐｄを５〜４０原子％およびＯを１０〜３０
原子％含有し、残部が実質的にＣｏである連続薄膜型の
磁性層を非磁性基体上に有する磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層の面内に磁化容
易軸を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、磁気ディスクやビデオテープ
などには、磁性粉を樹脂バインダ中に分散した塗布型磁
性層が用いられている。しかし、記録密度を高めるため
に、蒸着法やスパッタ法などの気相成膜法による連続薄
膜型の磁性層が実用化されはじめている。

【０００３】連続薄膜型の磁性層においてもさらに記録
密度を向上させるために、磁化容易軸が磁性層に垂直な
方向に存在する垂直磁気記録媒体が提案されている。し
かし、垂直磁気記録媒体では、磁性層の下側にパーマロ
イ膜等の軟磁性薄膜を形成することが必要であり、コス
ト高となる。また、垂直磁気記録媒体に対して使用され
る単磁極ヘッドは耐久性に不安があり、実用化が困難で
ある。従って、耐久性の高いリング型磁気ヘッドと組み
合わせて安定した性能が発揮できる面内磁気記録媒体に
おいて、記録密度の向上をはかることが望まれる。

【０００４】連続薄膜型の磁性層としては、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏなどがある。しかし、Ｃｏ−Ｎｉ−
ＣｒおよびＣｏ−Ｃｒ−Ｔａは、面内磁化とするために
はＣｒ下地膜や、加熱、バイアス成膜が必要であり、低
コスト化が困難である。Ｃｏ−Ｎｉ−ＯおよびＣｏ−Ｏ
は斜方成膜が必要であり、磁気異方性は成膜方向に発現
するため、磁性層面内における磁気特性が十分とは言え
ず、また、再生波形の非対称性が大きくなる。Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒは、面内磁化とするためには下地膜が必要であ
り、また、Ｐｔが高価なため低コスト化が難しい。

【０００５】また、特開昭６３−２１７５２０号公報に
は、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｄ磁性層が開示されている。この磁
性層にはＣｒ等の下地膜が必須であり、また、同公報に
は磁化容易軸の方向については開示がない。特開平１−
１９１３１８号公報には、Ｃｏ−Ｐｄ磁性層が開示され
ているが、これは垂直磁化膜である。また、特開平３−
２３８６１７号公報には、Ｃｏ−Ｐｄ−Ｃｒ磁性層が開
示されている。しかし、この磁性層にもＣｒ等の非磁性
金属下地膜が必要であり、また、同公報には磁化容易軸
の方向については開示がない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高密度記録
が可能で、しかも安価な面内磁気記録媒体を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）の本発明により達成される。（１）Ｐｄを５〜４０原子％およびＯを１０〜３０原子
％含有し、残部が実質的にＣｏである連続薄膜型の磁性
層を非磁性基体上に有することを特徴とする磁気記録媒
体。（２）磁性層に、Ｃｏの一部に替えてＮｉが含有されて
おり、Ｎｉの置換量がＣｏの３０％以下である上記
（１）の磁気記録媒体。（３）磁性層に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、ＴａおよびＷ
の少なくとも１種が合計で１０原子％以下含有されてい
る上記（１）または（２）の磁気記録媒体。（４）磁性層面内において、角形比が０．７以上、保磁
力角形比が０．７以上である上記（１）ないし（３）の
いずれかの磁気記録媒体。（５）Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＶから選択される少なくと
も１種の元素を含有する非磁性金属の下地膜の上に磁性
層が形成されている上記（１）ないし（４）のいずれか
の磁気記録媒体。

【０００８】

【作用および効果】本発明では、上記組成の磁性層を用
いるので、磁化容易軸を磁性層面内に存在させるための
下地膜を必要としない。このため、本発明の磁気記録媒
体は低コストで製造可能である。しかも、磁性層面内に
おける磁気特性が上記のように高いので、電磁変換特性
に優れる。

【０００９】また、本発明において上記した下地膜を設
ければ、磁気特性はさらに向上する。

【００１０】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１１】本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体上に
磁性層を有する。この磁性層は、Ｃｏ、ＰｄおよびＯを
含有する。

【００１２】Ｐｄの含有量は、５〜４０原子％、好まし
くは３０〜４０原子％である。

【００１３】Ｏの含有量は１０〜３０原子％、好ましく
は１５〜２５原子％である。そして、残部が実質的にＣ
ｏである。

【００１４】Ｐｄの含有量が前記範囲未満となると保磁
力および磁性層面内角形比が低下し、前記範囲を超える
と磁化および保磁力が低下する。また、Ｏの含有量が前
記範囲未満となると保磁力および磁性層面内角形比が低
下し、前記範囲を超えると磁化および保磁力が低下す
る。

【００１５】磁性層にはＣｏの一部に替えてＮｉが含ま
れていてもよい。Ｎｉの含有により耐食性が向上する
が、Ｎｉ含有量が多すぎると磁気特性が低下する。この
ため、Ｎｉの置換量はＣｏの３０％以下とすることが好
ましい。

【００１６】磁性層中には、これらの元素の他、各種添
加元素や不可避的不純物が少なくとも１種含まれていて
もよい。このような元素としては、例えば、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗが挙げられ、これらは耐久性向
上や耐酸化性向上などの効果を示す。これらの元素の合
計含有量は１０原子％以下とすることが好ましい。

【００１７】本発明の磁気記録媒体は、磁性層面内にお
いて０．７以上の角形比が得られる面内磁化媒体であ
る。また、磁性層面内において、０．７以上の保磁力角
形比が得られる。保磁力角形比（Ｓ^* ）とは、Ｈc^*／Ｈ
c である。Ｈc^*とは、減磁曲線において、Ｂ軸の切片
（Ｂr ）を通りＨ軸に平行な直線と、Ｈ軸の切片（Ｈc
）における減磁曲線の接線との交点のＨ軸上の座標で
ある。

【００１８】また、磁性層面内における保磁力として、
１０００ Oe 以上の値が得られる。

【００１９】磁性層の厚さは２０〜３００nmとすること
が好ましい。厚さが前記範囲未満であると再生出力が低
下し、Ｓ／Ｎが低下する傾向にある。また、前記範囲を
超えると記録密度が低下する傾向にある。

【００２０】磁性層は、スパッタ法や蒸着法などの気相
成膜法により形成することが好ましく、特にスパッタ法
により形成することが好ましい。スパッタ法には、酸素
を含む雰囲気中で行なう反応性スパッタを用いてもよ
く、あるいは、酸化物を含む複合ターゲットや、酸化物
ターゲットを含む複数のターゲットを用いる方法であっ
てもよい。

【００２１】なお、磁性層は、Ｃｏ−Ｐｄ六方晶の周囲
にＣｏＯが存在する組織構造を有する。

【００２２】磁性層の下側には、密着して非磁性金属の
下地膜が設けられていてもよい。下地膜は、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、ＷおよびＶから選択される少なくとも１種の元素を
含有することが好ましい。このような下地膜を設けるこ
とにより、磁化容易軸の磁性層面内方向への配向度が向
上する。

【００２３】下地膜の厚さは、２０〜３００nmとするこ
とが好ましい。厚さが前記範囲未満であると面内配向性
向上効果が低くなり、前記範囲を超えると下地膜の表面
性が悪化し、磁性層の表面性に悪影響を与える。

【００２４】下地膜は、気相成膜法、特にスパッタ法に
より形成することが好ましい。

【００２５】非磁性基体の構成材質に特に制限はなく、
通常の磁気記録媒体に用いられている非磁性金属、セラ
ミックス、ガラス、樹脂などから適宜選択すればよい。
また、非磁性基体は剛性を有していてもよく、可撓性を
有していてもよい。また、形状や寸法にも特に制限はな
く、ディスク状やテープ状等のいずれであってもよい。
なお、金属基板を使用し、浮上型ヘッドを用いるハード
ディスクに適用する場合には、基板表面の剛性をあげる
ためにＮｉ−Ｐめっき膜などを形成してもよい。

【００２６】磁性層上には、保護層が設けられることが
好ましい。保護層は、磁性層を磁気ヘッドの摺動や接触
から保護し、また、磁性層を環境から保護するために設
けられる。このような保護層は、酸化物、窒化物、硫化
物等の各種誘電体や、カーボンなどから構成すればよ
い。また、磁性層形成の際に、磁性層上部の酸化度を高
くすることにより酸化物層を形成し、この酸化物層を保
護層としてもよい。保護層の厚さは５〜５０nm程度とす
ることが好ましい。厚さが前記範囲未満となると保護効
果が不十分となり、前記範囲を超えるとスペーシングロ
スが大きくなりすぎる。

【００２７】また、磁性層上、あるいは保護層上などの
媒体表面には、必要に応じて潤滑膜を設けてもよい。潤
滑膜は、有機化合物を含有することが好ましい。用いる
有機化合物に特に制限はなく、液体であっても固体であ
ってもよく、フッ素系有機化合物、脂肪酸、エステル、
アルコール等から適当なものを選択すればよい。潤滑膜
の成膜方法に特に制限はなく、塗布法等を用いればよ
い。潤滑膜の厚さは１〜１０nm程度とすることが好まし
い。厚さが前記範囲未満であると潤滑効果が不十分であ
り、前記範囲を超えるとかえって摩擦を増加させてしま
う。

【００２８】本発明の磁気記録媒体は、面内磁気記録媒
体として、フロッピーディスク、ハードディスク、磁気
テープなどに適用される。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００３０】非磁性基体上に磁性層を形成し、下記表１
に示される磁気記録媒体サンプルを作製した。

【００３１】非磁性基体には、アルミニウム製の剛性基
板表面にＮｉ−Ｐめっき膜を形成し、その表面をポリッ
シングしたものを用いた。

【００３２】磁性層の厚さは１００nmとし、ＲＦマグネ
トロンスパッタにより形成した。スパッタ時の雰囲気は
Ａｒ＋Ｏ₂ （０．５Pa）とし、ターゲットにはＣｏ−Ｐ
ｄ合金を用いた。磁性層の組成は、Ｏ₂ ガス分圧および
ターゲット組成を変更することにより調整した。磁性層
をＸ線回折および電子線回折により分析した結果、前述
した組織構造であることが確認された。

【００３３】次に、磁性層上に、厚さ４０nmのカーボン
保護膜をスパッタ法により形成した。スパッタ時の雰囲
気はＡｒ（１Pa）とした。

【００３４】各サンプルについて、磁性層面内の保磁力
Ｈc 、磁性層面内の角形比Ｓ（Ｂr／Ｂs ）および磁性
層面内の保磁力角形比Ｓ^* （Ｈc^*／Ｈc ）をＶＳＭによ
り求めた。また、磁気ディスクサーティファイアを用
い、記録周波数を変更することにより記録密度を変化さ
せて、Ｄ₅₀を求めた。Ｄ₅₀とは再生出力のＰ−Ｐ（peak
to peak）値が孤立波再生出力Ｐ−Ｐ値の５０％まで減
少したときの記録密度である。これらの結果を表１に示
す。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。

【００３７】また、表１に示される本発明のサンプルN
o. １の磁性層と基板との間に、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたは
Ｖからなる厚さ１００nmの下地膜をスパッタ法により設
けたところ、Ｈc は１５００ Oe から１６００ Oe に、
Ｓは０．８２から０．８８に増加し、下地膜の効果が認
められた。また、本発明サンプルにおいて、Ｃｏの３０
％以下をＮｉに置換した結果、磁気特性はほぼ同等であ
り、６０℃・９０％ＲＨで１週間保存後におけるφm 低
下率の減少が認められた。また、磁性層にＣｒ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｍｏ、ＴａおよびＷの１種または２種以上を合計で
１０原子％以下含有させた場合でも、ほぼ同等の磁気特
性が得られた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｐｄを５〜４０原子％およびＯを１０〜
３０原子％含有し、残部が実質的にＣｏである連続薄膜
型の磁性層を非磁性基体上に有することを特徴とする磁
気記録媒体。
【請求項２】磁性層に、Ｃｏの一部に替えてＮｉが含
有されており、Ｎｉの置換量がＣｏの３０％以下である
請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】磁性層に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ
およびＷの少なくとも１種が合計で１０原子％以下含有
されている請求項１または２の磁気記録媒体。
【請求項４】磁性層面内において、角形比が０．７以
上、保磁力角形比が０．７以上である請求項１ないし３
のいずれかの磁気記録媒体。
【請求項５】Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＶから選択される
少なくとも１種の元素を含有する非磁性金属の下地膜の
上に磁性層が形成されている請求項１ないし４のいずれ
かの磁気記録媒体。