JP2540479B2 - 磁気記憶体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置および磁
気ドラム装置等)に用いられる磁気記憶体に関する。
気ドラム装置等)に用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有す
るものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は
γ−Fe2O3,CrO2,Fe,Fe−Co等の磁性体粒子を有機樹脂か
らなる結合剤中に混合分散して、基体上に塗布・乾燥・
焼成して製造するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大
きさのレベルで不連続である。しかし、近年磁気記憶媒
体の高記録密度化の要請により、連続薄膜媒体からなる
磁気記憶媒体の研究開発が盛んに行なわれている。この
連続薄膜媒体の1つにメッキ、真空蒸着、スパッタ、イ
オンプレーティング等の手法により作られる金属磁性薄
膜媒体が知られている。しかし、金属磁性薄膜媒体は下
地の種類によって磁気特性あるいは出力の均一性が左右
されるという欠点を有していた。
るものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は
γ−Fe2O3,CrO2,Fe,Fe−Co等の磁性体粒子を有機樹脂か
らなる結合剤中に混合分散して、基体上に塗布・乾燥・
焼成して製造するため、磁気記憶媒体は磁性体粒子の大
きさのレベルで不連続である。しかし、近年磁気記憶媒
体の高記録密度化の要請により、連続薄膜媒体からなる
磁気記憶媒体の研究開発が盛んに行なわれている。この
連続薄膜媒体の1つにメッキ、真空蒸着、スパッタ、イ
オンプレーティング等の手法により作られる金属磁性薄
膜媒体が知られている。しかし、金属磁性薄膜媒体は下
地の種類によって磁気特性あるいは出力の均一性が左右
されるという欠点を有していた。
本発明の目的は金属磁性薄膜媒体に優れた磁気特性と
出力の均一性を与える金属磁性薄膜媒体の下地を有する
磁気記憶体を提供するものである。
出力の均一性を与える金属磁性薄膜媒体の下地を有する
磁気記憶体を提供するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属基盤上に非磁性金
属層又は非磁性金属酸化層が被覆され、非磁性金属層又
は非磁性金属酸化物層上にポリ珪素からなる非磁性塗布
膜を介してコバルト及び白金を含む金属磁性薄膜媒体が
被覆され、金属磁性薄膜媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。
属層又は非磁性金属酸化層が被覆され、非磁性金属層又
は非磁性金属酸化物層上にポリ珪素からなる非磁性塗布
膜を介してコバルト及び白金を含む金属磁性薄膜媒体が
被覆され、金属磁性薄膜媒体上に保護膜が被覆されて構
成されている。
次に図面を参照して本発明の磁気記憶体の一実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図にお
いて磁気記憶体の金属基盤1としてアルミ合金が軽くて
加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場
合によってはチタン合金が用いられることもある。金属
基盤1の表面は機械加工により小さなうねり(円周方向
で50μm以下、半径方向で100μm以下)を有する面に
仕上げられている。
いて磁気記憶体の金属基盤1としてアルミ合金が軽くて
加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが、場
合によってはチタン合金が用いられることもある。金属
基盤1の表面は機械加工により小さなうねり(円周方向
で50μm以下、半径方向で100μm以下)を有する面に
仕上げられている。
次にこの金属基盤1の上に非磁性金属層2としてニッ
ケル−隣合金がめっきにより被覆され、非磁性金属層2
の表面は機械的研磨により最大表面粗さ0.03μm以下に
鏡面仕上げされる。
ケル−隣合金がめっきにより被覆され、非磁性金属層2
の表面は機械的研磨により最大表面粗さ0.03μm以下に
鏡面仕上げされる。
次に上記非磁性金属層2の上にテトラヒドロキシシラ
ンのアルコール溶液をスピン塗布してポリ珪酸からなる
非磁性塗布膜3が被覆される。
ンのアルコール溶液をスピン塗布してポリ珪酸からなる
非磁性塗布膜3が被覆される。
非磁性塗布膜3の上に金属磁性薄膜媒体4としてCo−
Pt,Co−Ni−Pt,Co−W−Pt,Co−V−Pt,Co−Cr−Pt,Co
−Re−Pt,Co−Si−Pt,Co−Ge−Pt,Co−Mo−Pt,Co−Ta−
Pt,Co−Ti−Pt,Co−Zr−PtあるいはCo−Hf−Ptなどのコ
バルトおよび白金を含む金属磁性薄膜媒体4がスパッタ
リング、メッキ、真空蒸着又はイオンプレーティング法
により被覆される。非磁性塗布膜3の上に被覆された金
属磁性薄膜媒体4は保磁力(Hc)500〜1700oe(エルス
テッド)、飽和磁束密度(Bs)15000〜3000G(ガウ
ス)、角形比0.8〜0.97の範囲の優れたヒステリシス特
性を示す。さらに非磁性塗布膜3は表面粗さを小さくす
る効果が有り、例えば200Åの表面粗さを有する非磁性
金属層2の上に塗布された非磁性塗布膜3の表面粗さは
50Å以下になり、非磁性塗布膜3上に被覆される金属磁
性薄膜媒体4の均一特性にS/Nを向上させる効果をもた
らす。
Pt,Co−Ni−Pt,Co−W−Pt,Co−V−Pt,Co−Cr−Pt,Co
−Re−Pt,Co−Si−Pt,Co−Ge−Pt,Co−Mo−Pt,Co−Ta−
Pt,Co−Ti−Pt,Co−Zr−PtあるいはCo−Hf−Ptなどのコ
バルトおよび白金を含む金属磁性薄膜媒体4がスパッタ
リング、メッキ、真空蒸着又はイオンプレーティング法
により被覆される。非磁性塗布膜3の上に被覆された金
属磁性薄膜媒体4は保磁力(Hc)500〜1700oe(エルス
テッド)、飽和磁束密度(Bs)15000〜3000G(ガウ
ス)、角形比0.8〜0.97の範囲の優れたヒステリシス特
性を示す。さらに非磁性塗布膜3は表面粗さを小さくす
る効果が有り、例えば200Åの表面粗さを有する非磁性
金属層2の上に塗布された非磁性塗布膜3の表面粗さは
50Å以下になり、非磁性塗布膜3上に被覆される金属磁
性薄膜媒体4の均一特性にS/Nを向上させる効果をもた
らす。
金属磁性薄膜媒体4の上に被覆される保護膜は硬質で
あることが好ましく、オスミウム、ルテニウム、イリジ
ウム、マンガン、タングステン等の金属あるいはケイ
素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、窒化
物または炭化物あるいはホウ素、炭素あるいはホウ素と
炭素の合金あるいダイアモンド状カーボンあるいはポリ
珪酸が望ましい。さらに保護膜5の上にR−G(RはC
数10〜40の飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水
素、GはCOOH,OH,NH2,COOR′,Si(OR′)3,CONH2などの
官能基)からなる潤滑剤あるいはふっ素化アルキルポリ
エーテル、ポリテトラフロロエチレンテロマー等の潤滑
剤を塗布することも出来る。
あることが好ましく、オスミウム、ルテニウム、イリジ
ウム、マンガン、タングステン等の金属あるいはケイ
素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、窒化
物または炭化物あるいはホウ素、炭素あるいはホウ素と
炭素の合金あるいダイアモンド状カーボンあるいはポリ
珪酸が望ましい。さらに保護膜5の上にR−G(RはC
数10〜40の飽和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水
素、GはCOOH,OH,NH2,COOR′,Si(OR′)3,CONH2などの
官能基)からなる潤滑剤あるいはふっ素化アルキルポリ
エーテル、ポリテトラフロロエチレンテロマー等の潤滑
剤を塗布することも出来る。
次にいくつかの実施例をあげて本発明を説明する。
実施例1. 金属基盤1として旋盤加工および熱矯正によって十分
小さなうねり(円周方向で50μm以下および半径方向で
10μm以下)を有する面に仕上げられたディスク状アル
ミニウム合金盤上に非磁性金属層2としてニッケル−隣
合金を約50μmの厚さにめっきし、このニッケル−隣め
っき膜を最大表面粗さ0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研
磨仕上げした。
小さなうねり(円周方向で50μm以下および半径方向で
10μm以下)を有する面に仕上げられたディスク状アル
ミニウム合金盤上に非磁性金属層2としてニッケル−隣
合金を約50μmの厚さにめっきし、このニッケル−隣め
っき膜を最大表面粗さ0.02μm、厚さ30μmまで鏡面研
磨仕上げした。
次に、このニッケル−燐めっき膜上にテトラヒドロキ
シシランの2.5重量%のnブチルアルコール溶液をスピ
ン塗布し、ポリ珪酸の0.1μm厚の非磁性塗布膜3を被
覆する。さらに非磁性塗布膜3の上に金属磁性薄膜媒体
4としてCo0.8Pt0.2薄膜をスパッタリングにより膜厚50
0Åで被覆し、金属磁性薄膜媒体4上に保護膜5としてS
iO2を200Åの膜厚でスパッタリングにより被覆して磁気
ディスクを作った。
シシランの2.5重量%のnブチルアルコール溶液をスピ
ン塗布し、ポリ珪酸の0.1μm厚の非磁性塗布膜3を被
覆する。さらに非磁性塗布膜3の上に金属磁性薄膜媒体
4としてCo0.8Pt0.2薄膜をスパッタリングにより膜厚50
0Åで被覆し、金属磁性薄膜媒体4上に保護膜5としてS
iO2を200Åの膜厚でスパッタリングにより被覆して磁気
ディスクを作った。
実施例2. 実施例1と同様にして但し非磁性金属酸化物層2とし
てアルマイトを被覆して磁気ディスクを作った。
てアルマイトを被覆して磁気ディスクを作った。
実施例3. 実施例1と同様にして但し金属磁性薄膜媒体4として
Co−Ni−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Co−Ni−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例4. 実施例1と同様にして但し金属磁性薄膜媒体4として
Co−Si−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Co−Si−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例5. 実施例1と同様にして但し金属磁性薄膜媒体4として
Co−Ge−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Co−Ge−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例6. 実施例1と同様にして但し金属磁性薄膜媒体4として
Co−Mo−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Co−Mo−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例7. 実施例1と同様にして但し金属磁性薄膜媒体4として
Co−V−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Co−V−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例8. 実施例1と同様にして但し金属磁性薄膜媒体4として
Co−Cr−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
Co−Cr−Ptを用いて磁気ディスクを作った。
実施例9. 実施例1と同様にして但し保護膜5としてテトラヒド
ロキシシラン2.4重量%インプロピルアルコール溶液を
スピン塗布して被覆したポリ珪酸を用いて磁気ディスク
を作った。
ロキシシラン2.4重量%インプロピルアルコール溶液を
スピン塗布して被覆したポリ珪酸を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例10. 実施例1と同様にして但し保護膜5としてタングステ
ンをスパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作っ
た。
ンをスパッタリングにより被覆して磁気ディスクを作っ
た。
以上実施例1〜10で示した磁気ディスクを用いて電磁
変換特性およびヘッドとの磨耗試験および環境試験を行
なった結果、次の特性を得た。
変換特性およびヘッドとの磨耗試験および環境試験を行
なった結果、次の特性を得た。
電磁変換特性については実施例1〜10のディスクにつ
いて40,000〜80,000FRPI(1インチ当たりの磁化反転
数)の記録密度が得られた。
いて40,000〜80,000FRPI(1インチ当たりの磁化反転
数)の記録密度が得られた。
ヘッドとの磨耗試験は2万回のコンタクトスタートス
トップテストを行なったところ、ディスク表面に傷は全
く見られなかった。又、温度80℃、相対湿度90%で6ヶ
月放置する環境試験を行なったところ、実施例1〜10に
ついてはエラーの増加数は全て0であった。また、ポリ
珪酸3を介さないで直接非磁性金属層2上に金属磁性薄
膜媒体を被覆した場合に比べS/Nは5dB改善された。
トップテストを行なったところ、ディスク表面に傷は全
く見られなかった。又、温度80℃、相対湿度90%で6ヶ
月放置する環境試験を行なったところ、実施例1〜10に
ついてはエラーの増加数は全て0であった。また、ポリ
珪酸3を介さないで直接非磁性金属層2上に金属磁性薄
膜媒体を被覆した場合に比べS/Nは5dB改善された。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性
(耐環境性)及び耐磨耗性及び高記録密度特性を有して
いることが判った。
(耐環境性)及び耐磨耗性及び高記録密度特性を有して
いることが判った。
図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図であ
る。 図中、1は金属基盤、2は非磁性金属層、3はポリ珪
酸、4は金属磁性薄膜媒体、5は保護膜である。
る。 図中、1は金属基盤、2は非磁性金属層、3はポリ珪
酸、4は金属磁性薄膜媒体、5は保護膜である。
Claims (4)
- 【請求項1】金属基盤上に鏡面研磨された非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物層が被覆され、さらに、この上
に、ポリ珪酸からなる非磁性塗布膜を介してコバルト及
び白金を含む金属磁性薄膜媒体が被覆され、前記金属磁
性薄膜媒体上に保護膜が被覆されてなる構造を有するこ
とを特徴とする磁気記憶体。 - 【請求項2】非磁性金属層がニッケル−燐合金である特
許請求の範囲第1項記載の磁気記憶体。 - 【請求項3】非磁性金属酸化物層が酸化アルミニウムで
ある特許請求の範囲第1項記載の磁気記憶体。 - 【請求項4】コバルト及び白金を含む金属磁性薄膜媒体
がCo−Pt、Co−Ni−Pt、Co−W−Pt、Co−V−Pt、Co−
Cr−Pt、Co−Re−Pt、Co−Si−Pt、Co−Ge−Pt、Co−Mo
−Pt、Co−Ta−Pt、Co−Ti−Pt、Co−Zr−PtあるいはCo
−Hf−Ptのうちいずれかである特許請求の範囲第1項記
載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58051834A JP2540479B2 (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58051834A JP2540479B2 (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 磁気記憶体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59177725A JPS59177725A (ja) | 1984-10-08 |
JP2540479B2 true JP2540479B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=12897887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58051834A Expired - Lifetime JP2540479B2 (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2540479B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59198527A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH0614405B2 (ja) * | 1985-05-14 | 1994-02-23 | ソニー株式会社 | 磁気デイスク |
US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501438A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-09 | ||
JPS5694521A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Magnetic disc |
JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP58051834A patent/JP2540479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59177725A (ja) | 1984-10-08 |
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