JPS59177725A - 磁気記憶体 - Google Patents

磁気記憶体

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JPS59177725A
JPS59177725A JP58051834A JP5183483A JPS59177725A JP S59177725 A JPS59177725 A JP S59177725A JP 58051834 A JP58051834 A JP 58051834A JP 5183483 A JP5183483 A JP 5183483A JP S59177725 A JPS59177725 A JP S59177725A
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JP
Japan
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magnetic
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coated
film
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JP58051834A
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Masahiro Yanagisawa
雅広 柳沢
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NEC Corp
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent

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  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置Ｖ）に用いられる磁気記憶体に関する。
現在実用化されている磁気記憶体は不連続媒体を有する
ものが主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体はｒ
−ＦｅｔＯ，、ＣｒＯ４、Ｆｅ　、Ｆｅ−Ｃｏ　等の磁
性体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、
基体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気記憶
媒体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である。し
かし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要請によシ、
連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研死開発が盛んに
行なわれている。この連続薄膜媒体の１つにメッキ、真
空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法によ
シ作られる金属磁性媒体が知られている。しかし、該金
属磁性媒体は下地の種類によって磁気特性あるいは出力
の均一性が左右されるという欠点を有していた。
本発明の目的は金属磁性媒体に優れた磁気特性と出力の
均一性を与える該媒体の下地を有する磁気記憶体を提供
するものである。
すなわち本発明の磁気記憶体は金属基盤上に非磁性金属
層又は非磁性金属酸化物層が被覆され、該非磁性金属層
又は非磁性金属酸化物層上に塗布膜を介してコバルト及
び白金を含む金属薄膜媒体が被覆され、該媒体上に保設
膜が被覆されて構成されている。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
Ｗ図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。遣水図
において磁気記憶体の金属基盤１としてアルミ合金が軽
くて加工性が良く安価なことから最も良く用いられるが
、場合によってはチタン合金が用いられることもある。
基盤表面は機械加工によシ小さなうねシ（円周方向で５
０μｍ以下、半径方向で１００μｍ以下）を有する面に
仕上げられている。
次にこの基盤１の上に非磁性金属層２としてニッケルー
燐合金がめつきによシ被覆され、該金属層２の表面は機
械的研磨によシ最犬表面粗さ０．０３ｐｍ以下に誂向仕
上げされる。
次に上記金属層２の上にテトラヒドロキシシランのアル
コール溶液あるいはポリイミド又はポリアミドイミドＯ
ｎメチルピロリドン溶液あるいはラダー型ポリシロキサ
ンのメチルセロンルプ溶液をスピン塗布してポリ珪酸あ
るいはポリイミド又はポリアミドイミドあるいはラダー
型ポリシロキサンからなる塗布膜３が被覆される。
該塗布膜３の上に金属磁性媒体４としてＣｏ−Ｐ　ｔ　
、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｐ　ｔ　、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ　ｔ　、Ｃｏ
　−Ｖ−Ｐ　ｔ　、Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｒｅ
−Ｐｔ、Ｃｏ−３ｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｐｔ、Ｃｏ　
−Ｍｏ−Ｐｔ　、Ｃｏ−Ｔａ−Ｐｔ　、Ｃｏ−Ｔｉ−Ｐ
ｔ　、Ｃｏ−Ｚｒ−ＰｔあルイハＣｏ−Ｈｆ　−Ｐ　ｔ
　　などのコバルトおよび白金を含む金属磁性媒体４が
スパッタリング、メッキ。
真空蒸着又はイオングレーティング法により被覆される
。塗布膜３の上に被覆された上記媒体４は保磁力（Ｈｃ
）５００〜１７００ｏｅ　（エルステッド）。
飽和磁束密度（Ｂｓ）１５０００〜３０００Ｇ（ガウス
）。
角形比０８〜０．９７の範囲の侵れたヒステリシス特性
を示す。さらに塗布膜３は表面粗さを小さくする効果が
有り、例えば２００Ａの表面粗さを有する非磁性金属層
２の上に塗布された塗布ノ莫３の表面粗さは５０Ｘ以下
になシ、該塗布膜３上に被覆される媒体４の均−性特に
生Ｎを向上させる効果をもたらす。
金属磁性媒体４の上に被覆される保腹膜は硬質であるこ
とが好ましく、オスミウム、ルテニウム。
イリジウム、マンガン、タングステン等の金属あるいは
ケイ素、チタン、タンタルまたはハフニウムの酸化物、
窒化物または炭化物あるいはホウ素。
炭素あるいはホ！７素と炭素の合金あるいはダイアモン
ド状カーボンあるいはポリ珪酸が望捷しい。
さらに保護膜４の上にＲ−Ｇ（ＲはＣ数１０〜４０の飽
和又は不飽和炭化水素又はふっ素化炭化水素５ＧはＣ０
ＯＨ、ＯＲ、ＮＨ，、Ｃ０ＯＲ’　、　Ｓ　ｉ　（０１
尤′）３゜Ｃ０ＮＨ，などの官能基）からなる潤滑剤わ
るいはふっ素化アルキルポリエーテル、ポリテトラフロ
ロエチレンテロマー等の潤滑剤を塗布することも出来る
。
次にいくつかの実施例をあげて本発明を説明する。
実施例１゜ 金属基盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねシ（円周方向で５０μｍ以下および半径方向で
１０μｍ以下）を有する面に仕上げられたディスク状ア
ルミニウム合金盤上に非磁性合金２としてニッケルー燐
合金を約５０μｍの厚さにめっきし、このニッケルー燐
めっき腺を最大表面粗さ００２μｍ、厚さ３０μｍまで
鏡面研磨仕上げした。
次に、このニッケルー燐めっきノ模２上にテトラヒドロ
キシシランの２．５重量スのｎブチルアルコール溶液を
スピン塗布し、ポリ珪酸の０１μｍ厚の塗布膜３を被覆
する。さらに該塗布膜３の上に金属薄膜媒体４としてｃ
ｏ、、１ｌＰｔａｓ薄膜がスパッタリングによシ膜厚５
００Ａで被覆され該媒体上に保護膜５としてＳ　ｔｏ、
が２００Ｘの膜厚でスパッタリングによる被覆して磁気
ディスクを作った。
実施例２ 実施例１と同様にして、但し塗布膜３としてポリイミド
のｎメチルピロリドン２．０重量ズ溶液をスピン塗布に
より被覆して磁気ディスクを作った。
実施例３゜ 実施例１と同様にして但し塗布膜３としてポリアミドイ
ミドＯｎメチルピロリドン２．０重量メ溶液をスピン塗
布によシ被覆して磁気ディスクを作った。
実施例４、 実施例１と同様にして但し塗布膜３としてラダー型ポリ
シロキサンの１．５重量メメチルセロンルブ溶液をスピ
ン塗布によシ被覆して磁気ディスクを作った。
実施例５゜ 実施例１と同様にして但し非磁性金属酸化物層２として
アルマイトを被覆して磁気ディスクを作った。
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ　　を用いて磁気ディスクを作った。
実施例７゜ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４としてＣｏ−
８ｔ−Ｐｔ　　を用いて磁気ディスクを作った。
実施例８゜ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４としてＣｏ　
−Ｇ　ｅ　−Ｐ　ｔ　　を用いて磁気ディスクを作った
。
実施例９ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４としてＣｏ　
−Ｍｏ　−Ｐ　ｔ　　を用いて磁気ディスクを作った。
実施例１０゜ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４としてＣｏ−
Ｖ−Ｐ’ｔを用いて磁気ディスクを作った。
実施例１１ 実施例１と同様にして但し金属磁性媒体４としてＣｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ　　を用いて磁気ディスクを作った。
実施例１２゜ 実施例１と同様にして但し保護膜５としてテトラヒドロ
キシシラン２．４１址スインプロピルアルコール溶液を
スピン塗布して被覆したポリ珪酸を用いて磁気ディスク
を作った。
実施例１３゜ 実施例１と同様にして但し保護膜５としてタングステン
をスパッタリングによシ被榎して磁気ナイスクを作った
。
以上実施例１〜１３で示した磁気ディスクを用いて電磁
変換特性およびヘッドとの摩耗試験および環境試験を行
なった結果、次の特性を得た。
電磁変換特性については実施例１〜１３のディスクにつ
いて４Ｑ０００〜８０，０ＯＯＦＲＰＩの記録密度が得
られた。
ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタクトスタートスト
ップテストを行なったところ、ディスク表面に傷は全く
見られなかった。又、温度８０℃。
相対湿度９０ズで６ｔ月放置する環境試験を行なったと
ころ、実施例１〜１３についてはエラーの増加数は全て
Ｏであった。また、塗布膜を介さないで直接非磁性金満
層上に金属族媒体を被覆した場合に比ベル衣は５ａ改善
された。
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐食性（耐
環境性）及び耐摩耗性及び高記録密度特性を有している
ことが判った。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図である
。 図中、１は金属基盤、２は非磁性合金層、３は塗布膜、
４はコバルト及び白金を含む金属薄膜媒体、５は保護膜
である。 代理人ヂ―−シ：７１１　　ワ　　碧

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）金属基盤上に艶面研磨された非磁性金属層又は非
    磁性金属酸化物層が被覆され、さらにこの上に塗布膜を
    介してコバルト及び白金を含む金属薄膜媒体が被覆され
    、該媒体上に保護膜が被覆されてなる構造を有すること
    を特徴とする磁気記憶体。
  2. （２）非磁性金属層がニッケルー燐合金である特許請求
    の範囲第１項記載の磁気記憶体。
  3. （３）非磁性金属酸化物層が酸化アルミニウムである特
    許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。
  4. （４）　　コバルト及び白金を含む金属薄膜媒体がＣｏ
    −Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ　、Ｃｏ−Ｗ−Ｐｔ、Ｃｏ−
    Ｖ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ　−Ｐｔ　、Ｃｏ−Ｒｅ−Ｐｔ　
    、Ｃｏ−８ｔ−Ｐｔ　、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｐｔ　、Ｃｏ　−
    Ｍｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｔｉ−Ｐｔ、Ｃ
    ｏ−Ｚｒ−ＰｔあるいはＣｏ　−Ｈｆ　−Ｐ　ｔ　のう
    ちのいづれかである特許請求の範囲第１項記載の磁気記
    憶体。
  5. （５）＊布膜がポリ珪酸である特許請求の範囲第１項記
    載の磁気記憶体。
  6. （６）塗布膜がポリイミド、ラダー型ポリシロキサン又
    はポリアミドイミド又はそれらの組合せである特許請求
    の範囲第１項記載の磁気記憶体。
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