JPS61260415A - 磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の概要 Ｃ従来の技術 Ｄ　発明が解決しようとする問題点 Ｅ　問題点を解決するための手段 Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｇ−■　実施例１、 Ｇ−■　実施例２゜ Ｇ−■　実施例３゜ Ｇ−■　実施例４゜ Ｇ−■　実施例５゜ Ｇ−■　比較例１゜ Ｇ−■　比較例２゜ Ｇ−■　測定結果 Ｈ発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、磁気ディスク装置の如き磁気的記憶装置の記
憶媒体として用いられる磁気ディスクに関し、詳細には
耐久性等を向上するための保護膜の改良に関する。

Ｂ　発明の概要 本発明は、硬質基板上に金Ｉ７Ｘ磁性薄膜を磁性層とし
て形成してなる磁気ディスクにおいて、金属磁性Ｆｊｉ
ｌＧ！上にカーボン保護膜と防錆剤層の２層構造からな
る保護膜を設け、薄膜強度の改善を図るとともに、同時
に耐蝕性の改善も図り、磁気特性の経時変化を抑制しよ
うとするものである。

Ｃ従来の技術 例えばコンピュータ等の記憶媒体としては、ランダムア
クセスが可能な円板状の磁気ディスクが広く用いられて
おり、なかでも、応答性に優れること、記憶容量が大き
いこと、保存性が良好で信頼性が高いこと等から、基板
にＡ１合金板やガラス板、プラスチック板等の硬質材料
を用いた磁気ディスク、いわゆるハードディスクが固定
ディスク、あるいは外部ディスクとして使用されるよう
になっている。

上記ハードディスクは、例えばＡ１合金基板上に記録再
生に関与する磁性層を形成したものであって、高速で回
転して同心円状の多数のトラックに情報の記録再生を行
うものである。

ところで、上述のハードディスクに対して記録再生を行
う場合には、操作開始時に磁気ヘッドと磁性層面とを接
触状態で装着した後、上記ハードディスクに所定の回転
を与えることによりヘッドと磁性層面との間に微小な空
気層を形成し、この状態で記録再生を行うＣ８Ｓ方式（
コンタクト・スタート・ストップ方式）によるのが一般
的である。

このようなＣ３Ｓ方式では、磁気ヘッドは、操作開始時
や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態にあり、ヘッ
ドと磁気ディスクの間に生じる摩擦力は、これら磁気ヘ
ッドや磁気ディスクを摩耗させる原因となる。あるいは
、磁気ヘッドに塵埃や磁性層の剥離物の付着があると、
ヘンドクラッシェ（磁気ヘッドの落下）が発生し易くな
り、またヘッドの跳躍等により記録再生中に突発的に磁
気ヘッドが磁気ディスクに接触する等、磁気ディスクに
大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気ディスクや
磁気ヘッドを破損する原因ともなっている。

特に、磁性層がＣｏ−Ｎｉ等の合金を真空蒸着やスパッ
タリング等の真空ｙＩＷＡ形成技術により薄膜化する方
法や、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ等の合金を無電解メッキ等の湿式
法により薄膜化する方法等によって形成される連続薄膜
である場合には、この傾向が顕著である。

さらに、上述の方法で形成される連Ｍｍ膜は、耐蝕性に
劣るので、高湿度中で腐食を生じ易いという欠点を存し
、この種の磁気ディスクの実用化の妨げとなっている。

Ｄ　発明が解決しようとする問題点 このような磁気ディスクと磁気ヘッドの接触摺動から発
生する耐久性の劣化はノイズの発生を招くので好ましい
ものではなく、さらに耐蝕性の不足は錆の発生や磁気特
性の経時変化をもたらす。

そこで従来、上述の磁気ディスクの表面に保護膜を形成
し、この磁気ディスクの耐久性を向上することが検討さ
れているが、耐久性、走行性、耐衝撃性、耐蝕性等の種
々の要求を同時に満足するものは得られていない。

かかる状況から、本発明は、機械的強度に優れ良好な走
行性を付与し得るとともに良好な防錆効果を発揮する保
護膜を提供し、耐久性に（ｌれ磁気特性の経時変化の少
ない磁気ディスクを提供することを目的とする。

Ｅ　問題点を解決するための手段 本発明者等は、上述のような目的を達成せんものと鋭意
研究の結果、金属磁性薄膜上にカーボン保護膜を形成し
、さらにその上に防錆剤層を形成することにより磁性層
の耐久性及び耐蝕性を相乗的に高めることができること
を見出し本発明を完成するに至ったものであり、基板上
に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁性薄膜上にカーボ
ン保護膜及び防錆剤よりなる層を順次形成したことを特
徴とするものである。

すなわち、本発明の磁気ディスクにおいては、金属磁性
薄膜の保護膜をカーボン保！ｌ膜と防錆剤層の２層構造
とし、これらの相乗効果により耐久性や耐蝕性、耐衝撃
性、走行性等を向上する。

上記カーボン保護膜は、潤滑性や耐蝕性等に優れたもの
であり、通常、真空蒸着やスパッタリング等の手法によ
り形成される０例えば、真空蒸着による場合には、圧力
５　Ｘ　Ｉ　Ｏ”’Ｔｏｒｒ以下の真空度、基板温度５
０〜２５０℃の条件であればよく、加熱方法としては電
子ビーム加熱法、抵抗加熱法。

誘導加熱法やアーク放電法等の手法が用いられる。

ここで、基板温度が高すぎると、例えば基板面上に下地
膜として形成されるＮ１−Ｐメッキ層が結晶化する等の
不具合が生ずる虞れがある。また、スパッタリングによ
る場合には、Ａｒ等の不活性ガスを導入し、圧力Ｉ　Ｘ
　Ｉ　Ｏ−”−Ｉ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’Ｔｏｒｒの真空度、
基板温度５０〜２５０℃の条件で、ターゲットとしてカ
ーボン板（厚さ１〜４ｆｉ程度）を用い、ＲＦ電力１〜
ｌ０ＫＷあるいはＤＣ電力５００ｗ＝ｌＯＫｗを印加す
ればよい、このカーボン保護膜の膜厚は、１００〜８０
０人の範囲内であることが好ましい。

一方、上記カーボン保！ＩＮ！！上には、防錆剤を溶剤
で希釈して薄く塗布したり、防錆剤を大気中。

不活性ガス中、真空中等で気化せしめてその蒸気を表面
に当てるなどの手法により、防錆剤層が形成される。

ここで、上記防錆剤としては、一般の金属に使用されて
いる防錆剤が使用でき、例えば、アルキルアミン、アル
キルアミンの脂肪酸塩等の塩基性窒素化合物、アルキル
ホスフェート、アルキルチオホスフェート、アルキルハ
イドロジエン・リン酸エステルおよび亜リン酸エステル
等のリン化合物、石油スルホネート、マホガニー酸スル
ホネート、ジノニルナフタレンスルホネート等のスルホ
ン酸塩、ソルビタンモノオレエート、を機酸のメチルエ
ステル等の特定のエステル類、石油酸・アビエチン酸の
金属石鹸、α−メルカプトステアリン酸等の特定のカル
ボン酸誘導体類、ジシクロヘキシルアンモニウムナイト
ライト、ジイソプロピルアンモニウムナイトライト、シ
クロヘキシルアミンカルバメート等のいわゆる気化性防
錆剤等が挙げられる。

あるいは、二価フェノール類、ジアリルケトン類、アル
キルフェノール類、ナフトール類、キノン類、ニトロソ
化合物、オキシム化合物、等も使用可能である。

上記二価フェノール類としては、ハイドロキノン、レゾ
ルシン、カテコール等の純フェノール類、およびそれら
のアルキルアミノ、ニトロ、ニトロソ、ハロゲノ置換体
が挙げられ、具体的には２−メチルハイドロキノン、４
−メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、
４−メチルピロカテコール、２．５−ジメチルハイドロ
キノン、　４．６−シメチルレゾルシノール、２．６−
シメチルレゾルシノール、２−イソプロピル−５−メチ
ルハイドロキノン、　　２−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロ
キノン、　２．５−ジーｔｅｒ　Ｌ−ブチルハイドロキ
ノン、４−Ｌｅｒｔ−ブチルカテコール、２−アミルゾ
ルシノール、２−ニトロレゾルシノール、２．５−ジク
ロロヒドロキノン等が挙げられる。

上記ジアリルケトン類としては、ベンゾフェノンおよび
その誘導体が挙げられ、具体的にはベンゾフェノン、４
−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、
３．４−ジメチルベンゾフェノン、４，４°−ジメチル
ベンゾフェノン、３，４°−ジメチルベンゾフェノン、
４−エチルベンゾフェノン等のアルキル置換体、４−ヒ
ドロキシベンゾフェノン、　４．４’−ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、　２，３゜４−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、　２．
２’、５．６°−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２
，３°、４．４’、６−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン等のヒドロキシベンゾフェノン類、４−アミノベンゾ
フェノン、４，４°−ジアミノベンゾフェノン等のアミ
ノベンゾフェノン類、４−メドキシー２−ヒドロキシベ
ンゾフェノン、２゜２゛−ジヒドロキシ−４，４゛−ジ
メトキシベンゾフェノン、２．６−シヒドロキシー４−
メトキシベンゾフェノン等の２種以上の置換基を有する
ベンゾフェノン類が挙げられる。

上記アルキルフェノール類としては、−価フエノールの
アルキル置換体である０−クレゾール。

ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェノー
ル、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２
．３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノー
ル、２．６−ジメチルフェノール、３，４−ジメチルフ
ェノール、３．５−ジメチルフェノール、２゜４．６−
トリメチルフエノール、　２，４．５−　）リメチルフ
ェノール、５−イソプロピル−２−メチルフェノール、
２−イソプロピル−５−メチルフェノール。

ｐ−ｊｅｒｋ−ブチルフェノール、２．６−ジーＬｅｒ
　ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、　４．４’−メチレン
ビス−２゜６−シーｔａｒｔ−ブチルフェノール、２．
６−シメチルー４−ｔａｒｔ−ブチルフェノール、’１
−ｔｅｒｔ−アミルー４−メチルフェノール、２−メチ
ル−４，６−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチルフェノール、　２
，４．６−　）シーｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙
げられる。

上記ナフトール類としては、α−ナフトール。

β−ナフトール、ｌ、２−ナフタレンジオール、　２．
３−ナフタレンジオール、　１，４．５−ナフタレント
リオール、　１．２，５．８−ナフタレンテトラオール
等の純ナフトール類およびニトロ、ニトロ゛八ツミノ、
ハロゲノ置換ナフトール類、例えばｌ−クロロ−２−ナ
フトール、２．４−ジクロロ−１−ナフトール、ｌ−二
トロー２−ナフトール、ｌ、６−シニトロー２−ナフト
ール５　ｌ−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロン
−１−ナフトール、１−アミノ−２−ナフトール等が挙
げられる。

上記キノン類としては、ｐ−ベンゾキノン、〇−ベンゾ
キノン、１．２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
、２．６−ナフトキノン、チンドラキノン、９゜１０−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−ｐ−ベンゾキノン、　２．３−ジ
メチル−ｐ−ベンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフ
トキノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノン
類、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラ
ヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、５−ヒドロキシ−１，
４−ナフトキノン、　２．３−ジヒドロキシ−１，４−
ナフトキノン、５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフト
キノン、２−ヒドロキシアントラキノン、ｌ、２−ジヒ
ドロキシアントラキノン、１゜２．３−トリヒドロキシ
アントラキノン、　１，２．４−トリヒドロキシアント
ラキノン、　１．２．５−　）ジヒドロキシアントラキ
ノン、　１，２．６−　）ジヒドロキシアントラキノン
、　１，２．７−　）ジヒドロキシアントラキノン等の
ヒドロキシキノン類、２−アミノアントラキノン、１．
２−ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類、ｌ−
ニトロアントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノ
ン等のニトロキノンＩＩ、２．６−ジクロロ−ｐ−ベン
ゾキノン、テトラクロロ−ｐ　−ベンゾキノン、テトラ
ブロモ−ｐ−ベンゾキノン等のハロゲンキノン１！、　
２．５−ジクロロ−３，６−シヒドロキシーｐ−ベンツ
゛キノン、１−メチル−２−ヒドロキシ−１，４−ナフ
トキノン等の２種以上の置換基を有するキノン類、等が
挙げられる。

上記ニトロソ化合物としては、ニトロソフェノール系お
よびニトロソナフトール系有機化合物等の水酸基とニト
ロソ基の両方を有する有機化合物が挙げられ、具体的に
はｌ・−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１
−ナフトール、ｌ−ニトロソ−２−ナフトール−３，６
−ジスルホン酸ナトリウム塩にトロソＲ塩）、４−ニト
ロソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−
２−エトキシ−１−フェノール、４−ニトロソカルバク
ロール、６−ニトロソ−〇−クレゾール、４−ニトロソ
−ｍ−クレゾール、Ｏ−ニトロソフェノール、２−ニト
ロソレゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、２−ニトロ
ソレゾルシンモノメチルエーテル、Ｎ−ニトロソフェニ
ルヒドロキシルアミンアンモニウム塩（クペロン）、ｐ
−ニトロソフェノール、２−ニトロソ−１−ナフトール
−４−スルホン酸、５−ニトロソ−８−キノリツール等
が挙げられる。

上記オキシム化合物としては、ベンジルオキシム、グリ
オキシム、ベンズアルドキシム、ベンズアミドオキシム
、α−ベンゾインオキシム、７セトフエノンキシム、ベ
ンゾフェノンキシム、ジメチルグリオキシム、サリチル
アルドキシム、等が挙げられる。

以上のもののほか、エチレンジアミン四酢酸。

エチレンビス四酢酸、２−ベンゾチアゾールチオール５
ベンゾトリアゾール等もを効である。

本発明が通用される磁気ディスクは、ディスク基板上に
磁性層として強磁性金属の連続膜を設けたものであるが
、このディスク基板の素材としては、アルミニウム合金
、チタン合金等の軽合金、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂等
の熱可塑性樹脂、アルミナガラス等のセラミックス、単
結晶シリコン等が使用可能である。

ここで、上記ディスク基板として比較的軟らかい材質の
ものを使用する場合には、表面を硬くする非磁性金属下
地層を形成しておくことが好ましい、上記非磁性金属下
地層の材質としては、Ｎ１−Ｐ合金、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｚｎ
、ステンレス等が好ましい、これらをメッキ、スパッタ
リング。蒸着等の手法により基板表面に４〜２０μｍ程
度の膜厚で被着する０例えば、Ａ　１−Ｍｇ合金基板の
表面にＮ１−Ｐメッキを施すと、その硬度は４００程度
になり、この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優れ
たものとなる。

また、上記磁性層は、メッキやスパッタリング。

真空蒸着等の手法により連続膜として形成される。

例えばＣｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ等をメンキすることに
より金属磁性薄膜が磁性層として形成される。

あるいは、真空薄着法やイオンブレーティング法、スパ
ッタリング法等の真空ＩＮ形成技術によってもよい。

上記真空蒸着法は、１０−’〜１０−＠Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金ＩＩ
（強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般
に高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材
料を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは
、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着
を行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１０−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦ　　グロー放電を起こして、放電
中ディスク上記強磁性金属材料を庫発させるというもの
である。

上記スパッタリング法は、１０−”〜ｌ　Ｏ−’Ｔｏｒ
ｒのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流２Ｊｉ、３橿スパ、り法や、高周波スパッ
タ法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロン
スパッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には％　ＣｒやＷ。

■等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｏ、Ｓｉ、ＴＩ等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、抗磁力が高く、かつ磁気異方性の配向かなく市内等方
性に優れた磁性層を形成することができ、例えば磁気デ
ィスクとする場合には好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｓ、
Ｇｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ０−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−８合
金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃ０−（：、ｒ合金あ
るいはこれらにＣｒ、ＡＲ等の金属が含有されたもの等
が挙げられる。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合金を使用した場合に
は、垂直磁化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

Ｆ　作用 このように、磁性層表面にカーボン保！ＩＭと防錆剤層
の２層構造からなる保護膜を形成することにより、これ
ら２層の保護層が相乗的に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性
、耐蝕性、走行性等に優れた効果が発揮される。

Ｇ　実施例 Ｇ−■　実施例１゜ 先ず、第１図に示すように、非磁性金属下地層として厚
さ１５μｍのＮ１−Ｐメッキ層（２）　を形成したＡｌ
−Ｍｇ合金基板（１）（厚さ約１．５ｍｍ。

外径９５鰭、内径２５報）を用意し、このメッキＮ（２
）上に８１をスパッタリング法により被着し、膜厚２０
０人の低融点金属下地膜（３）を形成した。

次いで、この下地膜（３）上にＣｏをスパッタリング法
により被着し、膜厚１０００人の金属磁性薄膜（４）を
形成し、その表面に対して酸素イオンボンバード処理を
施した。

さらに、スパッタリング法によりこの金属磁性３膜（４
）上に膜厚１００人程度のカーボン保護膜（５）を形成
した。

その後、カーボン保護Ｉｌｌ　（５）上に、防錆剤とし
て２−メチルハイドロキノンをを機溶媒に溶解せしめた
溶液を塗布し乾燥し、防錆剤層（６）を形成してサンプ
ルディスクを作製した。なお、この防錆剤Ｎ（６）の厚
みは、約１００人とした。

Ｇ−■　実施例２゜ 防錆剤として２−メチルハイドロキノンの代わりに４−
メチルベンゾフェノンを用い、先の実施例１と同様の方
法によりサンプルディスクを作製した。

Ｇ−■　実施例３゜ 防錆剤として２−メチルハイドロキノンの代わりにｐ　
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを用い、先の実施例１と
同様の方法によりサンプルディスクを作製した。

Ｇ−■　実施例４゜ 防錆剤として２−メチルハイドロキノンの代わりに２．
３−ナフタレンジオールを用い、先の実施例１と同様の
方法によりサンプルディスクを作製した。

Ｇ−■　実施例５゜ 防錆剤として２−メチルハイドロキノンの代わりに２−
ヒドロキシアントラキノンを用い、先の実施例１と同様
の方法によりサンプルディスクを作製した。

Ｃ−■　比較例１゜ 非磁性金属下地層として厚さ１５μｍのＮｉ　−Ｐメッ
キ層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板（厚さ約１．５ｍ、
外径９５閣、内ｐｋ２５鶴）を用意し、このメッキ層上
に８１をスパッタリング法により被着し、膜厚２００人
の低融点金属下地膜を形成した。

次いで、この下地膜上にＣｏをスパッタリング法により
被着し、膜厚１０００人の金属磁性Ｔｉｌ’ＦｆＡを形
成し、その表面に対して酸素イオンボンバード処理を施
した。

さらに、スパッタリング法によりこの金属磁性薄膜上に
膜厚１００人程度のカーボン保護膜を形成し、サンプル
ディスクとした。

Ｇ−■　比較例２゜ 非磁性金属下地層として厚さ１５μｍのＮ１−Ｐメッキ
層を形成したＡｌ−Ｍｇ合金基板（厚さ約１．５Ｍ、外
径９５龍、内径２５龍）を用意し、このメッキ層上に８
１をスパッタリング法により被着し、膜厚２００人の低
融点金属下地膜を形成した。

次いで、この下地膜上にＣｏをスパッタリング法により
被着し、膜厚１０００人の金属磁性薄膜を形成した後、
さらにその表面に対して酸素イオンボンバード処理を施
しサンプルディスクとした。

Ｇ−■　測定結果 上述の各実施例および比較例で得られたサンプルディス
クについて、６０℃、９０％ＲＨの環境下、９６時間の
加速腐食試験をおこなった。この試験の後、単位面積当
りの孔食数を光学Ｕ徽鏡で測定した。また、磁気特性の
劣化を残留磁化（Ｍ「）の劣化率から評価した。すなわ
ち、初期の残留磁化をＭｒ（０）、９６時間後の残留磁
化をＭ　ｒ　（９６Ｈ）としたときに、劣化率は次式 より求めた。

さらに、一般に知られているコンタクト・スタート・ス
トップ（Ｃ３Ｓ）試験により、Ｃ８Ｓ特性を測定した。

結果を次表に示す。

表 この第１表に示す通り、本発明の各実施例にあっては、
防錆剤層の無い比較例と比べて耐蝕性が大幅に向上した
ことがわかる。また、カーボン保護膜のみを形成した比
較例１と比べると、防錆剤層の相乗効果によりＣ８Ｓ特
性がさらに向上し、耐久性がより一層改善されたことが
わかる。

以上、本発明の具体的な実施例について説明したが、本
発明がこの実施例に限定されるものでないことは言うま
でもない。

Ｈ発明の効果 以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
金属磁性薄膜上にカーボン保護膜を形成するとともに、
このカーボン保護膜上に防錆剤層を形成し、カーボン保
護膜と防錆剤層の２層から成る保護膜を形成しているの
で、耐久性、耐蝕性。

走行性、耐衝撃性が大幅に改善され、機械的強度に優れ
、錆の発生やノイズが少なく、磁気特性の経時変化の少
ない磁気ディスクが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気ディスクの一例を示す要
部拡大断面図である。 ｌ・・・Ａ１合金基板 ４・・・金属磁性薄膜 ５・・・カーボン保ｔＩ膜 ６・・・防錆剤層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁性薄膜上に
   カーボン保護膜及び防錆剤よりなる層を順次形成したこ
   とを特徴とする磁気ディスク。