JPS59213030A - 磁気記録媒体及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録媒体およびその製法、特に磁性薄膜の
表面にダイヤモンド状カーボン膜を被ａさせた高密度磁
気記録用に好適な磁性薄膜型磁気記録媒体およびその製
法に関するものである。

近年磁気記録の分野においては記録・再生装置が小型化
され、さらにその記録媒体としては高密度に記録するこ
とが可能な媒体の出現が要望されている。このような情
勢に応じて従来のγ−Ｆ’ｎ！０３　　の塗布型媒体に
代る磁性薄膜媒体、具体的には基体表面にＣｏ−Ｎｉ、
　Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎ１−ｐを真空蒸着法、イオンシレ
ーティング法、メッキ法等により、γ−１・１２０３　
　やＣｏ−Ｃｒをスノぞツタリノグ法により被覆した垂
直磁化媒体等が提案されている。また、これらの高密度
磁気記録媒体を用いて記録し、これを再生するものとし
て（１）直接磁気ヘッドと接触する磁気テープやフロッ
ピィディスク、（２）磁気ヘッドが媒体面から浮上させ
て用いる磁気ディスクや磁気ドラムがある。なお（２）
の磁気ヘッドを浮上させる方法は磁気ヘッドと磁気記録
媒体とを接触状態で一ヒツトした後、磁気記録媒体を回
転させると磁気ヘッドと磁気６１録媒体の間に空気層が
生じて浮上するという原理によるいわゆるコンタクト・
スタート・ストノゾ方式（以下ＣＳＳ方式という）によ
るものである。

これらの磁気記録媒体および磁気記録方式においても磁
気記録媒体と磁気ヘッドとはなんらかの形で摺動させる
ものであり、この磁気ヘッドと磁気記録媒体との摺動に
より磁気記録媒体が損傷するのを防止するために磁気記
録媒体の表面に保護膜もしくは潤滑膜を設けなければな
らない。特に金属薄膜媒体の場合は耐摩耗性以外に腐蝕
を防止しなければならないことから耐蝕性を向上させる
ため保護膜等が必要である、７ また、磁気ヘッドと磁気記録媒体間の間隙が太きいと出
力が減少する、いわゆるスベーシノグロス現象を生じる
ので、これらの保護膜捷たは潤滑膜の物性として必要な
条件としては強靭でピンホールがなく薄膜であることで
ある。

保護膜を磁気記録媒体の表面に形成させる方法としては
いろいろ提案されでいる。例えば金属磁性体の表面層の
みを金属酸化膜に変える方法、金属磁性体の表面に比較
的硬度の高いＲｈ、Ｃｒ等をメッキして笠属膜を形成す
る方法金属磁性体の表面にＳｉ、、７Ｗ等の酸化物、炭
化物、窒化物をスパッタリング、イオングレーティング
等のＰ’ＶＤ法により形成する方ｒ去、Ｓｉ、ｎ等Ｏア
ルコキ７外ブナを塗布後熱分）昨してこれらの酸化物の
薄膜を形成する方法、金属磁性体の表面に有機高分子薄
膜を形成する方法、炭素薄膜を磁気記録媒体の表面に形
成する方法等がある。

また、潤滑膜を形成させる方法としては摩擦係数が比較
的小さい物質である高級脂肪酸、シリコンオイルおよび
フッ素オイル等の薄膜を形成する方法がある。

これら保護膜および潤滑膜は前記磁性薄膜媒体の表面に
それぞれ単独で用いたり、徒たは保護膜の上に更に潤滑
膜を設ける方法がある。し、か踵これらの保護膜はいず
れも磁気−、ソ）゛の摺動に対する耐摩耗性が十分でな
く、保護膜と「４滑膜との併用が一般的に行なわれてい
るのが夾状である。しかし潤滑膜は磁気６録媒体又Ｖま
保護膜との親和力が十分でないために磁シ、ヘッドとの
摺動下で十分な４久性をもたらすことは困難であり、ま
だＣＳＳ方式の場合は磁気ヘッドが磁気記録媒体面に吸
着しやすいという欠点がある。

本発明は従来の欠点を解決することを目的とするもので
あってダイヤモンド構造を４１する微結晶体を主体とし
残部がアモルファス体とからなる薄膜を磁気薄膜媒体上
に被覆することｌこより自己潤滑性、耐摩耗性および耐
蝕性にすぐれた磁気記録媒体およびその製法を提供しよ
うとするものである。

すなわち、本発明の第１の発明は、炭化水素のイオン化
蒸着［Ｃよるダイヤモンド構造をイアする微結晶体を主
体と１〜残ｉ弗がアモルファス体からなるダイヤモンド
状カーボン膜ヲ磁性薄膜の表面に被覆してなることを特
徴とするものであり、その第２の発明は、磁性薄膜の表
面にスパッタ率の比較的低い物質からなる薄膜を形成す
るか又は形成せずに先端部が互に独立した妹巣状の炭化
水素ガスを備えた多孔ガス供給電極に磁界を加えながら
炭化水素ガスを真空装置内に導入し、これをアーク放電
によりイオン化させダイヤモンド状カーボン膜を被覆す
ることを特徴とするものである。

以下さらに本発明の詳細な説明する。

まず第１発明は基板上にダイヤモンド状カーボン膜を形
成させた磁気記録媒体である。

本発明においてダイヤモンド状カー）げン膜とはダイヤ
モンド構造を有する微結晶体を主体とし、残部がアモル
ファス体からなる膜であって、これは電子線回折による
結晶Ｍ析およびＥＳＣＡによる結合エネルギーの測定に
よって確定することができる。

本発明において電子線回折法による格子の面間隔及びＥ
ＳＣＡ結合エネルギーがダイヤモンドのものと一致する
ものをダイヤモンド構造の微結晶体とし、また電子線回
析のリレグの回折強度が弱いものはアモルファス体を含
むものであるとするものである。ダイヤモンド状カーボ
ン膜の構造は例えば第３図に示す装置を用いて次の条件
で操作することにより明かにすることができる。

基板に直径ｌＯ％のｙｇｏ板を用い、基板温度３００℃
磁束密度４００Ｇａｕｓｓアーク電流１０Ａ基板電圧−
４００ｖとして、膜厚３００Ａのものを作製した。

この蒸着基板のＭｇＯを塩酸で溶解除去し、残った膜片
をメツシュにとって、加速電圧２００ＫＶ　で電子線回
析による結晶解析を行った。

なお、面間隔を定めるためにへ９膜を標準試料とした。

得られた各結晶面の面間隔は第１表のようであってダイ
ヤモンドの面間隔と略一致しており、更に（２００）面
、（２２２）面等の回折が出ていないことなどからこの
蒸着膜はダイヤモンド状カーボン膜であること力玉わか
る。

またＥＳＣＡにより結合エネルギーを測定するとダイヤ
モンドの微結晶を主体とするものから構成されているこ
とが明らかである。

第　　１　　表 （注）　強度の略号Ｓ；強１ｍ；中、Ｗ；弱第２の発明
は製法の発明で・うって、多孔ｆス供給電極とその上に
設けたフィラメント電極との間でアーク放゛区を行なう
際に、先端部が互いに独立した複数の細長い蜂巣状通路
電極から炭化水素ガスを装置内に供給することにより炭
化水素ガス供給口の出口付近の放電電位を一定に保つこ
とが出来るためアーク放電の放電電流を大きくすること
がｉＴＪ能となる。

従って多孔ガス供給電極の出口附近で熱分解されたガス
のイオン化率を高めることが出来る。

また多孔ガス供給電極を囲む電磁コイルから発生する磁
界により電子と熱分解ガスとの衝突回数が増えるために
熱分解ガスのイオン化率を更に高めることが出来る。

ところで磁気記録媒体に用いられる薄膜材料のＮｉ、　
Ｃｏ、　Ｆｎ等は比較的ヌ・七ツタ率が高い物質であり
これら物質からなる磁気記録簿；漠上に直接ダイヤモン
ド状カーがン膜を形成することはｙＩしかしい。これは
イオン化粒子により前記物質のスパッタ蒸気を生じるた
めにダイヤモンド状カーボン膜が生成されＪｌｌｔいも
のと考えられる。

本発明においては磁気記録薄膜上にスパッタ率が比較的
低い物質の薄膜を丁地層と１７で蒸着させｋにその上に
前記の手段（（よりダイヤモンド状カーボン膜を形成さ
せる。

ス・ぐツタ率が比較的低い物質としてはＣ２、Ｓｔ、　
Ｔｉ、、　　Ｚｒ　、　Ｎｂ　、　Ｈｆ　、　　Ｔａ　
、　Ｗ、等があるがこれらの物質の内Ｓｃ、　Ｔｔ、　
Ｔａ　　等Ｖｉ真空蒸着法によって筒単に薄膜が形成す
ることができるので％に好ましいものである。

またこれらスノ？ツタ率が比較的低い物質によるＭ膜の
厚みは数１０Ａ程度あればよい。

以下図面によｐ本発明の詳細な説明する。

第１図および第２図は本発明の実施例の磁気記録媒体の
断面図である。第１図および第２図において、その符号
１は磁気記録薄膜を支持する非磁性基体、２は磁性薄Ｉ
１５！媒体、３はダイヤモンド状カーボン族、５は磁気
記録媒体である。

第２図は第１図の非磁性基体の表面にス・母ツタ率が比
較的低い物質からなるド地層４を形成した磁気記録媒体
の断面図である。

非磁性基体２の材料の具体例としては磁気テープおよび
フロッピーディスクの場合はポリエステルもしくはポリ
イミド等の樹脂フィルムであり・・ダートディスクの場
合はアルミニウム合金、チタン合金等の軽合金、ポリス
チレン、ＡＢＳ等の熱可塑性樹脂、アルミナガラス等の
セラミックス等であり、ｌ＼−ドディ７りの場合はこれ
らの基体の上にさらに鏡面研摩されたＮ１−Ｐ　、　Ｃ
ｏ　＆金等の非磁性合金オたはカラス等で被覆したもの
を用いることができる。こ＼ではこれらを総称して非磁
性帖体という。

磁性薄Ｂ（としては真空蒸着法、イオンブレーティング
法、メッキ法等によるＣｏ−Ｎ１゜Ｃｏ−Ｐ　、　　Ｃ
０−Ｎｉ　−Ｐ　　等の金属薄暎、ス／ぐツタリンク法
によるｒＦｋ２０ｇ薄膜、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜等があ
る。

本発明によるダイヤモンド状カーボン膜の生成は比較的
低温で製膜が可能なためプラスチックを基体とした磁気
記録媒体にも適用出来るのが特徴である。

以下図面に従ってさらに本発明の詳細な説明する。

第３図は第２の発明の実施例に用いる装置の断面図であ
る。

図中１０は真空容器、１１はチャン／Ｎ−であり排気糸
１８に接続されて１０　’　　Ｔｏｒｒ程度まで高真空
に引かれる。１２は被后体となる磁気記録媒体である基
板Ｓを固定する基板ホルダーであって陰極を構成してい
る。

１３はグリッドであシ、電極とは別の電圧源に接続され
ている。１４はフィラメントであり、交流電源によって
加熱されそれ自体は零電位に維持されている。１５は金
属製、多孔がヌ供給電極（蜂巣状通路付電極）であって
前記フィラメント１４の直下に位置され且つこれを囲繞
する屯磁コイル１９の軸中心に位箭止しめられて設けら
ｉｔている。

本発明において金属製多孔ガス供給′胤極は、ガ゛ス噴
出方向に独立して平行な細−♂２０が多数蜂の巣状に穿
設されて構成されると共にその材質ｔまタングステン、
タンタルおよびモリブデン等の耐熱性金属である。

次に、上記装置を用いて本発明方法を実施する。局舎に
ついＣ説明すると、先ずチャンバー内を１０″　Ｔｏｒ
ｒ　まで高真空とし、パルプ１７を操作して所定流量の
メタンガスを導入しながら排気系１８を調節して所定の
力゛電圧例えば１０　’　Ｔｏｒｒ　　とする。

一方、電極１５の先端面とフィラメントの間にはアーク
放電が行なわれておシ、電極面から放出されたメタンガ
スは熱分）ｊイされると共にフィラメントからの熱電子
と衝突してガラスのイオン粒子と電子どを生ずる。この
電子（１別の熱分解粒子に剣突する。このような現象を
繰り返すことによってメタンガスｔｄ　ｐＡ分解され分
解物質のプラスイオン粒子と４口。

プラスイオン粒子（１グリツド１３を通ツバし陰極の基
＠ＳＶ？−〕川速されな用らイ萄突ノーる。

蒸着基板ヒにイオン化さ＋１だ粒４　、Ａζ付石すると
同時ｆ付着した膜面でス・ぐツタリングを生じ、比較的
結合工不ルキ°−の小さいＣ−ＨＭ会は膜面からたたき
出されて結合力０強いＣ−Ｃ結合が残る１、このように
して：）ｊ−＋ｌｌ’ン膜が生成していくものと考えら
ｉ″Ｌ７ｓ　、。

本発明において、多孔力゛ス供給１′ｉ２．極の！’ｉ
ｌｌ管径は９．５〜５冑好ましくは１〜３腔がよく、ま
たその直？Ｙ、と長さの比は５甲、旧、好ましい範囲は
１０〜３０であり、比が５以干てｉ−１アーク放電の熱
によって孔が変形し易くなる。

なお電極先端面の形状は曲面でも平面でもよい。

また電極への印加電圧ｔまフィラメントに対しプラス１
０〜６０Ｖであり１０Ｖ未６４では安定なアーク放電が
生ぜず６０Ｖを超えると放電電流が大きくなり電極の温
度が高くなり過ぎる。

電磁コイル１９による磁束密度は磁束密度が高い程炭化
水素ガスのイオン化率は高くなる上得られるカーボン膜
の硬度も高くなるが５００Ｇａｕｓｓ以上になるとイオ
ンが集束してしまうために蒸着基板の広い面積に均一に
膜を形成するのが難かしくなる。好ましい範囲は１００
−５００　Ｇａｕｓｓである。

陰極、従って蒸着基板への印加電圧は高いほどダイヤモ
ンド状カーボン膜の析出速度が犬となシまた析出した膜
の硬度も高くなる。

しかし２０００Ｖ　　こえると蒸着基板上でのスノヤツ
タ率が高くなり膜の形成が出来なくなるので好ましくな
い。好ましい範囲は６００〜１．０＋ＩＯＶである。

イオン化源となる炭化水素はメタン以外にも蒸発可能な
炭化水素であれば使用することができる。その具体例と
してはブタン、ベンゼン等があげられる。

第４図は第２の発明の実施例に用いる装置の断面Ｉ〕゛
４であって、スパッタ率が比較的低い物質のｌ：、＋Ｉ
！１層の形成とそれにン）Ｅ　（：？’イーＶ−で）１
゛伏カー＝！　、−’膜の形成勿同−製置＋’Ｕで行う
ことがでさるようにしたものである。

真空容器１０内にＶま蒸発源３０を具え／ζＦ地層形成
Ｏための蒸着装置、に？上びダイヤモンド状カーボン膜
を形成゛するためＤアーク放電によるイオン化蒸着装置
が設置１ｆｆｉさＪ−Ｌ　”Ｃいる。

この２つの装置は仕切り板３１にＣ仕切られお互いにＡ
Ｔ’ｉの蒸着源で汚采さノ１．ないよつ（′こ７７つて
いる。１ず電子ビーｌ−発生装ｊ４３　ａ　Ｖｃよシ蒸
発りス３２を加熱し単層是仇Ｓ１　　に法定厚みのＦ地
層仝形成し二層基板Ｓとして刀・り直ちに基板台１２に
移送して定ｉｒｔ　ｊ・ｊ定しイオン化蒸着を行なうよ
りにしたものである。

以上詳細に説明した如く本発明の第１の発明の磁気記録
媒体ｔまダイヤ士／ド構造（Ｃも゛り微結晶体を主体と
し残部がｊ′：Ｌニルノア！く体であるダイヤモンド状
カーボン膜を被りしたものであシ、自己潤滑性を４１し
かつその厚みがレリつても十分な耐蝕性およびｌｆ１摩
耗性をもつ高密度磁気記録媒体として好適なものである
。

史に本発明の第２の発明のダイヤモンド状カーボン膜の
製造方法は被着体を加熱しないことおよび膜の析出速度
が速いために耐熱性が比較的小さいプラスチックをベー
スにした磁気記録媒体にも適用出−来るのが特長である
。

プラスチックフィルムをペースにした磁気記録媒体の場
合は真空装置内にフィルム繰出し装置および巻取装置を
入れることにより連続的にダイヤモンド状カーボン膜を
被覆することは当然可能である。

以下実施例をあげてさらに具体的に説明する。なお実施
例ではフィルム状およびディスク状磁気記録媒体を用い
た例により本発明を説明したがこれ以外の円筒状磁気記
録媒体等についても同様に可能であることは言うまでも
ない。

実施例１ ポリエステルフィルム」二にコ／ぐルト８０％ニッケル
２０％の組成の磁性薄膜を真空蒸着法により形成した磁
気記録媒体に第３図の装置を用いてダイヤモンド状カー
ボン膜を形成した。

膜形成条件はアーク電流１．ＯＡ、ｌａ束密度４００　
Ｇａｕｇ１１％　　基板印加電圧−１００Ｖに−Ｃ３０
０Ａ厚みのダイヤモンド状力・−＋Ｉ？ン膜を形成した
。

実施例２ 実施例１と同じ磁気記録媒体に第４図の装置を用いてス
・Ｐツタ率の低い下地層を形成し引き続きその上にダイ
ヤモンド状カーボｙ　［４を形成した。スパッタ率の低
い下地層として２０Ａ厚みの８４を形成しアーク電流］
、、　ＯＡ　。

磁束密度４００　Ｇａｕｓｓ　、基板印加電圧−４００
■にて２００Ａ厚みのダイヤモンド状カーボン膜を形成
した。

実施例１および２で得られた磁気記録媒体につき耐蝕性
および耐摩耗性を調ベアｙ。

耐蝕性は、４０℃相対湿度９０　％にて１週開放Ｍ’ｔ
−Ｌ、たものにつき光学顕微鏡にて錆の発生を観察をし
耐摩耗性は磁気ヘッドにて引っかき試験を行い傷の発生
の度合いを観察した結果変化は認められなかった。

比較のためダイヤモンド状カーピン膜ヲ形成しない以外
は実Ｍｌと同様に製造した未処理品は１週間の耐蝕試、
験にて黄色に変化した。

また磁気ヘッドによる引っかき法では未処理品は磁性層
の剥離がみられたのに対し実施例１は痕跡程度の傷が認
められたが、実施例２は全く傷が認められなかった。

以上のように本発明による磁気記録媒体は耐蝕性および
耐摩耗性に優れていることがわかる。またＣｏ−Ｎｉ磁
性体の上に形成するダイヤモンド状カーボン膜は下地層
としてスパツタギが低い、Ｓｔ層を形成しｆｃｓ合酎摩
耐、注がより優れていることがわかる。

実施例３ ポリイミドフィルム上に１μｍ厚みのコバルト−クロム
垂ＩＵ磁気記鎌薄膜を施しだ磁気記録媒体にｍ３図の装
置を用いてダイヤモンド°状カーボン膜を形成した。

アーク電流ＬＯＡ、、臼束猜度４（１（］　Ｇａｕｓｓ
、基板印加電圧−１００ｖ　にて２００人　厚みのダイ
ヤモンド状カーフ１？ン膜を形成した。

実施例４ 実施例３と同じ磁気記録媒体に第４図の装置を用い”こ
スパッタ率の低い下地層を形成し。

引キ続きその上にダイヤモンド状カー　ホ７　ｆ、％を
形成した。

スパッタ率の低いＦ、地層として２０人）承みのδ゛ｔ
を形成しアーク醒流１．ＯＡ、磁束密度４００　Ｇａｕ
ｓｓ、　　基板印加電圧−４ｉ）ＯＶ　ＶＣｌ２００Ａ
　　ｉＶみのダイヤモンド状カーづでン膜ヲ形成した。

実施例３および４で得らｉｚたＩＩＪ気記録媒体につき
耐蝕性および耐摩耗性を調べた７、耐蝕性は４０℃相対
湿度９０幅にて１週間放置し光学顕微鏡にで錆の発生を
Ｈ＋、！、、＋、禁した３、その結果ダイヤモンド状／
Ｊ−・ｊ・ン！ｉｉ７．全形成しない未処理品は全面に
錆が発生したのに対し実施例３および４のものは何ら変
化がみられなかった。

耐摩耗性は、磁気記録媒体を直径１００％に切り抜いた
ものを金属円盤上に載せて３００ｒｐｍで同転させなが
ら１０２荷重の磁気ヘッドを同一トランク上にて摺動さ
せ傷の発生を調べた。

その結果未処理のものは１時間で傷が発生しｌこのに対
し実施例３は１００時間で痕跡程度υ１易が発生、実施
例４は５００時間でも傷の発生がみしれなかった。

実施例１〜４のディスクの状態、再生出力の安定性を第
１表に示す。

第　　　１　　　表 実施例５ 直径ｉｏ＊ＸＯアルミニウム円盤に鏡面研摩された１　
０　ｔｉｒｎ厚みのＮ１−Ｐ　　が被功され更にその上
に０．１μｍ厚みのＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性合金層を被憶し
た磁気記録媒体に第４図の装置を用いてダイヤモンド状
カーボン膜を形成した。

アーク電流１．０Ａ（ａ束密度４００　Ｇａｕｓｓ　％
基板印加′「ｓ圧−４００ｖにて４００人厚みのタ゛イ
ヤモラド状カー日？ン膜を形成した。

実施例６ 実施例５のアルミニウム円盤の代りにプラスチック円盤
を使用した以外は実施例５と同じ方法にてダイヤモンド
状カービン膜を形成した、 実施例７ 直径１００％の鏡面に仕上げられたアルマイト被覆アル
ミニウム円盤にγ−ｈ２０３薄ｇが被覆された磁気記録
媒体を用いて実施例５と同様にしてダイヤモンド状カー
ボン膜を形成した。

比較例１ ダイヤモンド状カービン膜を形成しない実施例５と同じ
磁気記録媒体に以Ｆの方法にて５０〇八厚みの５ｉ０２
被膜を形成した。

テトラエトキシシラン２重量係を含有するブタノール溶
液にγ−アミノゾロピルｌ＝　１７エトキシシラン０．
０５重量係添加した塗布液を回転塗布方法にて磁気記録
媒体上に塗布し乾燥後２００’Ｃ２時間υｌ熱処理した
。

パークロロ７′ルキルエーテル（Ｋ　ｒｙ　ｔ、ｏ　ｘ
１４３ＡＤ　　デュポン社製）０．１重濃度のフレオン
溶液を回転塗布法にて塗布後乾庁した。

実施例５．６．７および比較例１．２の磁気記録媒体に
つき耐蝕性および耐摩耗性を潤べた。耐蝕性は４０℃相
対湿度９０％にて１週間放置し光学顕微鏡にて錆の発生
を観察した。耐摩耗性は磁気記録再生装置にて磁気う゛
イスクの起動・停止の繰り返しによるＣ８Ｓテストを行
いその前後におけるＣ）主出力の変化を調べた。

また磁気記録媒体を静止して磁気ヘッドを磁気記録媒体
上に接触させたまＮ１日間放置した後磁気ヘッドの吸着
力を測定した。吸着力は磁気記録媒体上に吸着した磁気
ヘッドを真上に引き剥す力を測定して求めたつ 上記の結果をまとめて第２表に示した。

耐蝕性は実施例および比較例共問題ないが、Ｃ８Ｓテス
トによる耐摩耗性では本発明によるダイヤモンド状カー
ｓｐン膜が優れておす、シかも比較例のＳＬ　Ｏ２膜の
厚みより薄い膜で十分なｉｌ？ｔ　Ｆｆ耗性をイ１して
いるのが特徴である１、高密反磁気記録には磁気ヘッド
と磁性媒体との間の間隙はより小さいことが要求され従
って本発明によるダイヤモンド状カービン膜は高密度磁
気記録媒体の保誰膜に適するものである。

史に、５”ｉｏ、保匝膜の場合は耐摩耗性を維持するの
に潤滑剤層が必要であるが本発明によるダイヤモンド状
カーフ１？ンｊ漠は拐滑剤層がなくても十分な１ＩＩＩ
Ｉ厚耗性を有している。

ｄＬ１滑削層１．を磁気ヘッドの吸着が発生しやすくな
るといり欠点があるが本発明によればこの問題も解決出
来る利点がある。

、１３２表中の保護膜の厚み及び吸着力の測定＆：ｉ次
の方法によった。

（１）　　保Ｑ’Ａ膜の厚み・・水晶振動子のモニタに
よる。

（２）１教着力ｔ」−天」！「による。

【図面の簡単な説明】

ｉＪ、Ｉ　１ｉｉｉ　ｔま本発明の実施例の磁気記録媒
体およびその製造装置を示すもので、 即１　ｆＧ７１　＆び第２図は磁気記録媒体の断面図、
第３図及び第４図はその装置ノ）１す↑面図であ６１、 符号 １・・・非磁性基体 ２・・・磁性薄膜媒体 ３・・・ダイヤモンド状カーボン膜 ４・・・［地層 ５・・・磁気記録媒体 Ｓ・・・基板 Ｓｌ・単層基板 １０・・・真空容器 １１・・・チャンバー １２・・・基板Ｓ １３・・・グリッド １４・・・フィラメント １５・・・多孔ガス供ｆ＠電極 １６・・・ガス導入管 １７・・・バルブ １８・・・真空排気系 １９・・・マグネット ３０・・・蒸発源 ３１・−・遮へい板 ３２・・・水冷ルツボ ３３−・・電子ビーム 特許出願人 電気化学工業株式会社 手続補正書 昭和５８年６月ｌＯ日 特許庁長官若杉　和夫殿 １、事件の表示 昭１ｕ５８年特許願第８６２３４号 ２、発明の名称 磁気記録媒体及びその製法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 〒１００ 住　ＰＫ　　東京都千代田区有楽町１丁目４番１号４、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の橢 ５、補正の内容 ５−１）明ａ書第３頁において第６行［これらのＪを「
いずれの」と訂正、第１７行から第１８行［スに−シン
ブロス現象」を「スペーシングロス」と訂正、第２０行
「ビンポールがなく」を［ビンｆ：ｉ、；ｐｑ’ｒい」
と訂正する。 ５−２）　　明細害第４頁ｒ力法」とｒ金、ｇｉｌ性体
」との間にｒ５」を加入する。 ５−３）　　ｌＴ１１Ｊ１１１ｉ！ｌ第５百第１４行「
磁気薄膜Ｊ　ヲ’　磁性薄Ｍ　Ｊ　トＢＴ　正する。 ５−４）　　明Ｍｌ書第７頁において、第２行ｒＥｓｃ
Ａ結合エネルギー」をｒＥｓｃＡによる結合エネルギー
」と訂正、第４行ｒすしグ」を「リング」と訂正、第１
１行「アーク電流１．ＯＡ」とｉニア　ｊＥ　、第１９
行ｒ各結晶面」を「カーボン膜の格子」と訂正Ｊる。 ５−５）　　明相書画１０百において、第４行ｒｍ気録
媒」を「磁気５ｉ：　ＨＪ　ト訂ｊＦ、第１１２７　”
　ｎｌ膜が形成」をｒ薄膜を形成」と訂正する。 ５−６）　　明相書画１４百「スパッタリング」を「ス
パッタリンろと３Ｊ圧する。 ５−７）　　明細書第１５頁第１４行「６００」を”２
００Ｊと訂正する。 ５−８）　　明細書第１９頁において、第３行から第４
行ｒＨ察した・・・・認められなかった。」をｒ観察し
た。」と訂正、第５行から第６行「比較のためにダイヤ
モンド状カーボン膜・・・・変化した。」を「ダイヤモ
ンド状カーボン膜を形成しない未処理品は１週間の耐蝕
試験にて黄色に変化したが、実施例１及び実施例２のも
のは全く変化がみられなかった。」２訂正する。 ５−９）明細書第２１頁第１３行から第１４行「実施例
１〜４・・−・第１表に示す。」を削除する。 ５−１０）　　明ｍ省第２２頁第１表を削除する。 ５−Ｎ）　　明細書第２４頁において、第３行と第４行
との間に次の文を加入 ｒ比較例２ 比較例１と同様の方法にて、５００人厚みのＳｉＯ□被
膜を形成した磁気ｉｔ！録媒体上に更に以下の方法にて
間泪層を形成した。」、第４行「パークロロアルキルエ
ーテル」をｉパーフロロアルキルエーテル」と訂正、第
１９行’？（上Ｊを「直上」と訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）炭化水素のイオン化蒸着によるダイヤモンド檜造を
   有する微結晶体を主体とし残部がアモルファス体からな
   るダイヤモンド状カーボン膜を磁性ＷＪ、膜の表面に被
   ＶＩ！Ｌ、てなることを特徴とする磁気記録媒体。 ２）磁性薄膜の表面にスパッタ率の比較的低い物質から
   なる薄膜を形成するか又は形成せずに、先嬬部が互に独
   立した蜂巣状の炭化水素ガスを備えた多孔ガス供給電極
   に磁界を加えながら炭化水素ガスを真空装置内に導入し
   、これをアーク放電によシイオン化させダイヤモンド状
   カーボン膜を被覆することを特徴とする磁気記録媒体の
   製法。