JPS6234325A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6234325A JPS6234325A JP17467085A JP17467085A JPS6234325A JP S6234325 A JPS6234325 A JP S6234325A JP 17467085 A JP17467085 A JP 17467085A JP 17467085 A JP17467085 A JP 17467085A JP S6234325 A JPS6234325 A JP S6234325A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気テープ、磁気ディスクなどの磁気記録媒体
に関する。さらに詳しくは、潤滑性、耐摩耗性などに優
れた磁気記録媒体に関する。
に関する。さらに詳しくは、潤滑性、耐摩耗性などに優
れた磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
従来の磁気記録媒体の多くは、有機バインダー中に磁性
体粉を分散させた塗液を非磁性支持体上に塗布、乾燥し
て磁性層が形成され、製造されている。
体粉を分散させた塗液を非磁性支持体上に塗布、乾燥し
て磁性層が形成され、製造されている。
近年、記録すべき情報量の増加に伴い、バインダーを使
用しないでスパッター法、イオンブレーティング法など
により磁性層を形成する磁気記録媒体が提案されており
、とくに垂直磁化膜を用いた磁気記録媒体が記録容屯が
大きいという点から注目されている。
用しないでスパッター法、イオンブレーティング法など
により磁性層を形成する磁気記録媒体が提案されており
、とくに垂直磁化膜を用いた磁気記録媒体が記録容屯が
大きいという点から注目されている。
前記のごとき磁気記録媒体に用いる磁性層としては、た
とえば！ｆ！直磁直脱化膜あいにはＣｏ−Ｃｒのスパッ
ター法による膜があげられるが、このような磁性層を設
けた磁気記録媒体は、機械的強度が充分でなく、磁気ヘ
ッド、ガイドローラー、ライナーなどとの摩擦により傷
つぎやすく、］ｑ膿係数が大きく、走行性も充分でなく
、さらに耐候特性も充分でないなどの欠点を有している
。
とえば！ｆ！直磁直脱化膜あいにはＣｏ−Ｃｒのスパッ
ター法による膜があげられるが、このような磁性層を設
けた磁気記録媒体は、機械的強度が充分でなく、磁気ヘ
ッド、ガイドローラー、ライナーなどとの摩擦により傷
つぎやすく、］ｑ膿係数が大きく、走行性も充分でなく
、さらに耐候特性も充分でないなどの欠点を有している
。
これらの欠点を改善するため、プラズマ重合法により含
フツ素ポリマ一層やＮｏなどの金属含有含フツ素ポリマ
一層を保護層として設ける方法も提案されている。
フツ素ポリマ一層やＮｏなどの金属含有含フツ素ポリマ
一層を保護層として設ける方法も提案されている。
［発明が解決しようとする問題点）
スパッター法やイオンブレーティング法などにより磁性
層を形成した磁気記録媒体の前記のごとき欠点を解消す
るために、保護層としてプラズマ重合法によりポリマ一
層を形成してもなお耐摩耗性が充分でなく、その上、磁
性特性が低下するという新たな欠点が生じる。
層を形成した磁気記録媒体の前記のごとき欠点を解消す
るために、保護層としてプラズマ重合法によりポリマ一
層を形成してもなお耐摩耗性が充分でなく、その上、磁
性特性が低下するという新たな欠点が生じる。
本発明は、スパッター法やイオンブレーティング法など
により磁性層を形成した磁気記録媒体の欠点を、新たな
欠点を生せしめることなく解決することを目的とするも
のである。
により磁性層を形成した磁気記録媒体の欠点を、新たな
欠点を生せしめることなく解決することを目的とするも
のである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、スパッター法やイオンブレーティング法など
により形成した磁性層上に、プラズマＣＶＤ法により非
晶質シリコン（ａ−３ｉ）層、ａ−３ｉＣｍまたはダイ
ヤモンド状（硬質）カーボン躾などを形成すると、プラ
ズマ重合法によるポリマ一層のばあいと比較して磁性特
性の低下がはるかに少なく、形成した膜の付着力が大き
く、ひっかき試験に対しても良好で′ＦＪ４１ｔＪ耗性
に優れたものになることが見出されたことによりなされ
たものであり、非磁性支持体上に設けられた磁性層の保
冷層として、非晶質シリコン層、シリコンを含む非晶質
層、シリコンを含む多結晶質層、非晶質カーボン膜およ
びダイヤモンド状カーボン膜よりなる群からえらばれた
少なくとも１ｆｌの保護層が設けられてなる磁気記録媒
体に関する。
により形成した磁性層上に、プラズマＣＶＤ法により非
晶質シリコン（ａ−３ｉ）層、ａ−３ｉＣｍまたはダイ
ヤモンド状（硬質）カーボン躾などを形成すると、プラ
ズマ重合法によるポリマ一層のばあいと比較して磁性特
性の低下がはるかに少なく、形成した膜の付着力が大き
く、ひっかき試験に対しても良好で′ＦＪ４１ｔＪ耗性
に優れたものになることが見出されたことによりなされ
たものであり、非磁性支持体上に設けられた磁性層の保
冷層として、非晶質シリコン層、シリコンを含む非晶質
層、シリコンを含む多結晶質層、非晶質カーボン膜およ
びダイヤモンド状カーボン膜よりなる群からえらばれた
少なくとも１ｆｌの保護層が設けられてなる磁気記録媒
体に関する。
［実施例］
本発明に用いる非磁性支持体にはとくに限定はなく、通
常磁気記録媒体の支持体として用いられる支持体であれ
ば使用しうる。このような非（ｎ性支持体の具体例とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、エンジニアリング
プラスチックスとして用いられる万古族ポリエステルな
どのポリエステル類１、ポリイミド類などから形成され
た厚さ２０００人〜１ｍｍ程度のフィルムまたはシート
状物などがあげられる。
常磁気記録媒体の支持体として用いられる支持体であれ
ば使用しうる。このような非（ｎ性支持体の具体例とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、エンジニアリング
プラスチックスとして用いられる万古族ポリエステルな
どのポリエステル類１、ポリイミド類などから形成され
た厚さ２０００人〜１ｍｍ程度のフィルムまたはシート
状物などがあげられる。
本発明においては前記非磁性支持体に、たとえば通常の
スパッター法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、
メッキ法などの方法により、Ｃｏ−Ｃｒ ５Ｃｏ−Ｐ、
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｃｏ１Ｃｏ−Ｎｉなどからなる
膜厚５００人〜５−程度の磁性層が形成され、さらに該
磁性層のＦに保護層が設けられている。
スパッター法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、
メッキ法などの方法により、Ｃｏ−Ｃｒ ５Ｃｏ−Ｐ、
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｃｏ１Ｃｏ−Ｎｉなどからなる
膜厚５００人〜５−程度の磁性層が形成され、さらに該
磁性層のＦに保護層が設けられている。
前記保護層は、非晶質シリコン層、シリコンを含む非晶
質層、シリコンを含む多結晶質層、非晶質カーボン膜ま
たはダイヤモンド状カーボン膜のいずれかの層あるいは
これらの唐を複数組合わせた膚からなり、その厚さとし
ては１０〜３０００人が好ましく、１０〜５００人がさ
らに好ましい。
質層、シリコンを含む多結晶質層、非晶質カーボン膜ま
たはダイヤモンド状カーボン膜のいずれかの層あるいは
これらの唐を複数組合わせた膚からなり、その厚さとし
ては１０〜３０００人が好ましく、１０〜５００人がさ
らに好ましい。
前記厚さが１０人未満になると、薄すぎて保護層として
の効果が充分でなくなる傾向が生じ、３０００Ａをこえ
ると、磁性層と磁気ヘッドとの間隔が大きくなり、スペ
ース損失が大きくなり、再生出力が低下する傾向が生じ
る。またそのビッカース硬度は５００以上が好ましく、
１０００〜６０００がさらに好ましい。前記硬度が５０
０未満になると保護層に傷がつきやすくなったり、はが
れやすくなったりする傾向が生じる。
の効果が充分でなくなる傾向が生じ、３０００Ａをこえ
ると、磁性層と磁気ヘッドとの間隔が大きくなり、スペ
ース損失が大きくなり、再生出力が低下する傾向が生じ
る。またそのビッカース硬度は５００以上が好ましく、
１０００〜６０００がさらに好ましい。前記硬度が５０
０未満になると保護層に傷がつきやすくなったり、はが
れやすくなったりする傾向が生じる。
前記保護層は磁性層の上に一面に設けられていてもよい
が、磁気記録媒体として均質に作用するかぎり、部分的
に保護層の設けられていない部分あるいは部分的に保ｉ
ｆかへつこんでいる部分があってもよい。部分的に保ご
層の設けられていない部分があるばあいなどの置体例と
しては、１１ｎｌｌ１２当り １〜５０遍φ程度の穴が
１０２〜１０５個、好ましくは１０３〜１０４個程度存
在するようなばあいがあげられ、このように微小な穴が
多数存在すると、磁気ヘッド、ガイドローラーなどとの
接触面積が小さくなり、Ｉ？隙が小ざくなり、耐摩耗性
、走行性などに優れた磁気記録媒体がえられる。
が、磁気記録媒体として均質に作用するかぎり、部分的
に保護層の設けられていない部分あるいは部分的に保ｉ
ｆかへつこんでいる部分があってもよい。部分的に保ご
層の設けられていない部分があるばあいなどの置体例と
しては、１１ｎｌｌ１２当り １〜５０遍φ程度の穴が
１０２〜１０５個、好ましくは１０３〜１０４個程度存
在するようなばあいがあげられ、このように微小な穴が
多数存在すると、磁気ヘッド、ガイドローラーなどとの
接触面積が小さくなり、Ｉ？隙が小ざくなり、耐摩耗性
、走行性などに優れた磁気記録媒体がえられる。
前記非晶質シリコン層の具体例どしては、非晶質シリコ
ンのダングリングボンドが水素、フｙｌＦｉ、塩素なト
チ補填されたａ−３ｉ：Ｈ，ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−８ｉ：
Ｈ：Ｆ、 ａ−３ｉ：Ｈ：Ｃ＃などから形成された層
があげられる。
ンのダングリングボンドが水素、フｙｌＦｉ、塩素なト
チ補填されたａ−３ｉ：Ｈ，ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−８ｉ：
Ｈ：Ｆ、 ａ−３ｉ：Ｈ：Ｃ＃などから形成された層
があげられる。
また前記シリコンを含む非晶質層の具体例としては、た
とえばａ−８ｉＣ：Ｈ、ａ：ｓｉｃ：ＩＩ：Ｆ 、 ａ
−ＳｉＮ：ｌｌ 、 ａ：ｓｉＮ：Ｈ：Ｆ 、 ａ−３
ｉＯ：Ｈ、ａ−３ｉＯ：Ｈ：Ｆ ｆ、；どから形成され
た層があげられる。
とえばａ−８ｉＣ：Ｈ、ａ：ｓｉｃ：ＩＩ：Ｆ 、 ａ
−ＳｉＮ：ｌｌ 、 ａ：ｓｉＮ：Ｈ：Ｆ 、 ａ−３
ｉＯ：Ｈ、ａ−３ｉＯ：Ｈ：Ｆ ｆ、；どから形成され
た層があげられる。
水防ｍ書にいうシリコンを含む多結晶Ｓ、Ｉ Ｆｍとは
、シリコンを含む結晶と非晶質とからなる微結晶層ある
い１．１結晶のみからなる多結晶層で、その具体例とし
ては、たとえばμｃ−３ｉＣ、多結晶ＳｉＣ、μｃ−３
ｉＮ 、多結晶ＳｉＮ 、μｃ−３ｉ０２、多結晶５ｉ
０２などから形′成された層があげられる。
、シリコンを含む結晶と非晶質とからなる微結晶層ある
い１．１結晶のみからなる多結晶層で、その具体例とし
ては、たとえばμｃ−３ｉＣ、多結晶ＳｉＣ、μｃ−３
ｉＮ 、多結晶ＳｉＮ 、μｃ−３ｉ０２、多結晶５ｉ
０２などから形′成された層があげられる。
さらに本発明に用いる非晶質カーボン膜およびダイヤモ
ンド状カーボン膜としとは、たとえばそれぞれａ−Ｃ：
Ｈ、ａ−Ｃ：Ｉｔ：Ｆなど、およびグラフフィト層中に
ダイヤモンド微結晶を含むカーボン躾などがあげられる
。
ンド状カーボン膜としとは、たとえばそれぞれａ−Ｃ：
Ｈ、ａ−Ｃ：Ｉｔ：Ｆなど、およびグラフフィト層中に
ダイヤモンド微結晶を含むカーボン躾などがあげられる
。
本発明に用いる保ｙｊ層が前記のごとくフッ素原子を含
む物質から形成されているばあいには、磁気ヘッド、ガ
イドローラーなどとの摩擦が小さくなり、耐摩耗性、走
行性に優れた磁気記録媒体がえられる。
む物質から形成されているばあいには、磁気ヘッド、ガ
イドローラーなどとの摩擦が小さくなり、耐摩耗性、走
行性に優れた磁気記録媒体がえられる。
つぎに本発明に用いる保［の形成法について説明する。
保護層の形成法にはとくに限定はなく、（ω磁性層の設
けられた非磁性支持体（基板）の存在下、原料ガスを高
周波グロー放゛省により堆積させるＲＦプラズマＣＶＤ
法、 ＋ｂ）前記支持体を電極上に設置し、該電泳に対向電極
の電圧に対して負の電圧を印加し、原料ガスを直流放電
により堆積させるＤＣプラズマＣＶＤ法、 （Ｃ）ざらに（ｂ＋のＯＣに加えて高周波を印加し、Ｄ
Ｃ１ＲＦ混合の放電をおこし、原料ガスを堆積さぜるＲ
ＦとＤＣとの両者混合のプラズマＣＤＶ法、（ｃｈ磁性
層の設けられた非磁性支持体を電極上に設置し、（■と
同様にしてＲＦプラズマＣＶＤ法で原料ガスを堆積させ
る際にＤＣバイアスを印加する方法 などの方法が例示され、３００ °Ｃ以下の基板温度で
行なうのが好ましい。
けられた非磁性支持体（基板）の存在下、原料ガスを高
周波グロー放゛省により堆積させるＲＦプラズマＣＶＤ
法、 ＋ｂ）前記支持体を電極上に設置し、該電泳に対向電極
の電圧に対して負の電圧を印加し、原料ガスを直流放電
により堆積させるＤＣプラズマＣＶＤ法、 （Ｃ）ざらに（ｂ＋のＯＣに加えて高周波を印加し、Ｄ
Ｃ１ＲＦ混合の放電をおこし、原料ガスを堆積さぜるＲ
ＦとＤＣとの両者混合のプラズマＣＤＶ法、（ｃｈ磁性
層の設けられた非磁性支持体を電極上に設置し、（■と
同様にしてＲＦプラズマＣＶＤ法で原料ガスを堆積させ
る際にＤＣバイアスを印加する方法 などの方法が例示され、３００ °Ｃ以下の基板温度で
行なうのが好ましい。
これらの方法の中ではくωの方法よりも山）の方法が、
保Ｉｍに微細な穴を設けることができ、摩擦を低くしう
る、室温でも硬度が大きく耐摩耗性に優れた保ＩＩＩか
えられるなどの点から好ましく、（ｂ）の方法よりも（
Ｃ１の方法が膜厚の均一性が良好で、絶縁性の保護層を
速く、厚く作製しうるなどの点から好ましい。
保Ｉｍに微細な穴を設けることができ、摩擦を低くしう
る、室温でも硬度が大きく耐摩耗性に優れた保ＩＩＩか
えられるなどの点から好ましく、（ｂ）の方法よりも（
Ｃ１の方法が膜厚の均一性が良好で、絶縁性の保護層を
速く、厚く作製しうるなどの点から好ましい。
（Ｊの方法における一般的な条件としては、たとえば１
３．５６ＨＨｚのＲＦを０．００５〜Ｏ，ＳＩＡ／ｃｒ
ｌ、反応室内圧力０．１〜７ Ｔｏｒｒ、基板温度 室
温〜３００℃、原料ガス流ｔ１１０〜２００ＳＣＣＨ程
度の条件があげられる。
３．５６ＨＨｚのＲＦを０．００５〜Ｏ，ＳＩＡ／ｃｒ
ｌ、反応室内圧力０．１〜７ Ｔｏｒｒ、基板温度 室
温〜３００℃、原料ガス流ｔ１１０〜２００ＳＣＣＨ程
度の条件があげられる。
また＋１＋＋の方法における一般的な条件としては、た
とえばＤＣ−１５０Ｖ〜−２ＫＶであるほかはほぼ（ａ
）と同様の条件があげられ、（Ｃｌの方法においては（
ωの方法および＋ｂ＋の方法における条件を併有づる条
件、たとえばＤＣ−１５０Ｖ 〜−２にＶ（ＤＣ電流５
ｏＩｌｌＡ〜２Ａ） トＲＦ Ｏ，００５〜０．５Ｗ／
ｄ、！！混合Ｌ ｔｃ ホカ＋、ｔ（ａ）または＋ｂ＋
の方法と同様の条件が、好ましい条件としてあげられる
。
とえばＤＣ−１５０Ｖ〜−２ＫＶであるほかはほぼ（ａ
）と同様の条件があげられ、（Ｃｌの方法においては（
ωの方法および＋ｂ＋の方法における条件を併有づる条
件、たとえばＤＣ−１５０Ｖ 〜−２にＶ（ＤＣ電流５
ｏＩｌｌＡ〜２Ａ） トＲＦ Ｏ，００５〜０．５Ｗ／
ｄ、！！混合Ｌ ｔｃ ホカ＋、ｔ（ａ）または＋ｂ＋
の方法と同様の条件が、好ましい条件としてあげられる
。
さらに＋ｄ＋の方法においては、（ａ）の方法の条件に
加えてＤＣバイアス電圧を一１５０〜＋１５０Ｖ印加す
るのが一般的な条件である。
加えてＤＣバイアス電圧を一１５０〜＋１５０Ｖ印加す
るのが一般的な条件である。
保護層を形成するために用いる原料ガスとしては、５Ｏ
Ｈ４，５ｉｘＨａ、ＳｉＦ４．５ｉＦ２ｆ（２などのシ
ラン系ガス、Ｃ８↓、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃａ Ｈ６
、Ｃａ）Ｉ＋ｏなどの炭化水素ガス、Ｈ２ガス、ＣＦ４
、Ｃ２ＦＢ、Ｃ６８３Ｆ３などのフッ素含有化合物ガス
などがあげられる。
Ｈ４，５ｉｘＨａ、ＳｉＦ４．５ｉＦ２ｆ（２などのシ
ラン系ガス、Ｃ８↓、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃａ Ｈ６
、Ｃａ）Ｉ＋ｏなどの炭化水素ガス、Ｈ２ガス、ＣＦ４
、Ｃ２ＦＢ、Ｃ６８３Ｆ３などのフッ素含有化合物ガス
などがあげられる。
たとえば保護層として非晶質シリコン層を形成するばあ
いには、ＳｉＨ４、Ｓ ｉ Ｆ４、Ｓｉ２Ｈ６を甲種ま
たは混合して、あるいはこれらとＨ２とを併用して原料
ガスとして用いるのが一般的であり、シリコンを含む非
晶質層を形成するばあい、あるいはシリコンを含む多結
晶′１１層を形成するばあいには、たとえばＳｉＣ：Ｈ
膜を形成するばあいには５ｔＨｓ ＋ ＣＨａ 、５ｉ
Ｈａ ＋ Ｃ２Ｈ４、ＳｉＨ４＋ ＣＦＩ４ ＋ Ｈ２
，５ＩＨ４＋ ＣＨ４＋ ＣＦ４ ＋ ）１２など、Ｓ
ｉＮ：Ｉｔ膜を形成するばあいには５ｉ）１４ ＋ Ｎ
ＨＪ ＋ ８２などを原料ガスどして用いるのが一般的
であり、非晶質カーボン膜あるいはダイヤモンド状カー
ボン膜を形成覆るばあいには、Ｃ）１４ ＋ Ｈ２、Ｃ
Ｆａ ＋ ＣＨ４＋ Ｈ２、Ｃ２Ｈ２＋ Ｈ２、Ｃ２）
１４ ＋ ８２などを原料ガスとして用いるのが一般的
である。
いには、ＳｉＨ４、Ｓ ｉ Ｆ４、Ｓｉ２Ｈ６を甲種ま
たは混合して、あるいはこれらとＨ２とを併用して原料
ガスとして用いるのが一般的であり、シリコンを含む非
晶質層を形成するばあい、あるいはシリコンを含む多結
晶′１１層を形成するばあいには、たとえばＳｉＣ：Ｈ
膜を形成するばあいには５ｔＨｓ ＋ ＣＨａ 、５ｉ
Ｈａ ＋ Ｃ２Ｈ４、ＳｉＨ４＋ ＣＦＩ４ ＋ Ｈ２
，５ＩＨ４＋ ＣＨ４＋ ＣＦ４ ＋ ）１２など、Ｓ
ｉＮ：Ｉｔ膜を形成するばあいには５ｉ）１４ ＋ Ｎ
ＨＪ ＋ ８２などを原料ガスどして用いるのが一般的
であり、非晶質カーボン膜あるいはダイヤモンド状カー
ボン膜を形成覆るばあいには、Ｃ）１４ ＋ Ｈ２、Ｃ
Ｆａ ＋ ＣＨ４＋ Ｈ２、Ｃ２Ｈ２＋ Ｈ２、Ｃ２）
１４ ＋ ８２などを原料ガスとして用いるのが一般的
である。
保護層に微細な穴を設けると、すでに説明したように接
触面積が小さく、ｓ擦が小さく、走行性が良好になり、
磁性特性の低下がほとんどおこらないが、このような穴
は保護層の形成をＤＣプラズマＣＶＤ法またはＲＦおよ
びＤＣ両者混合のプラズマＣＶＤ法により行ない、ＯＣ
を一５５０ｖ〜−１にＶという負の高電圧を印加するこ
とにより形成せしめうる。この微細な穴は５ρの厚さで
も前記方法により形成可能である。さらにこのようにし
てＯＣプラズマを用いて保護層を形成すると硬度の大き
い保Ｗｉ層が形成される。
触面積が小さく、ｓ擦が小さく、走行性が良好になり、
磁性特性の低下がほとんどおこらないが、このような穴
は保護層の形成をＤＣプラズマＣＶＤ法またはＲＦおよ
びＤＣ両者混合のプラズマＣＶＤ法により行ない、ＯＣ
を一５５０ｖ〜−１にＶという負の高電圧を印加するこ
とにより形成せしめうる。この微細な穴は５ρの厚さで
も前記方法により形成可能である。さらにこのようにし
てＯＣプラズマを用いて保護層を形成すると硬度の大き
い保Ｗｉ層が形成される。
なおＣＨＡ ＋ ＣＦ４ ＋ ８２のようにフッ素含有
化合物を含むガスを原料ガスとして用い、ＯＣプラズマ
ＣＶＤ法またはＲＦおよびＤＣ両者混合のプラズマＣＶ
Ｄ法で保護層を形成すると、基板温度が室温のばあいで
も硬度が１０００〜７０００という高い、耐摩耗性に優
れた保畿層かえられる。
化合物を含むガスを原料ガスとして用い、ＯＣプラズマ
ＣＶＤ法またはＲＦおよびＤＣ両者混合のプラズマＣＶ
Ｄ法で保護層を形成すると、基板温度が室温のばあいで
も硬度が１０００〜７０００という高い、耐摩耗性に優
れた保畿層かえられる。
このようにして−形成される本発明に用いる保護層は磁
性層への付着力が２０〜５０に９／ｃＩ１１と大きく、
保護層の摩擦係数は０．１５〜０．３０と優れたもので
ある。
性層への付着力が２０〜５０に９／ｃＩ１１と大きく、
保護層の摩擦係数は０．１５〜０．３０と優れたもので
ある。
つぎに本発明の磁気記録媒体を実施例にもとづき説明す
る。
る。
実施例１
第１図に示すごとき装置でＲＦ電源を用いず、ＤＣＩＩ
源を用いて保ｉ［を形成した。
源を用いて保ｉ［を形成した。
非磁性支持体である厚さ１ｏ、ｓ、ｍのボリエヂレンテ
レフタレート製のテープ上に磁性層としてＣｏ−Ｎｉを
厚さＯ，１Ｓ、、になるように蒸着法により堆積せしめ
た。
レフタレート製のテープ上に磁性層としてＣｏ−Ｎｉを
厚さＯ，１Ｓ、、になるように蒸着法により堆積せしめ
た。
えられた磁性層を層設したーブ（１）の一部が第１図に
示す上部電極（２１上にくるように設賀し、ヒータ温度
を５０℃に設定し、原料ガスとしてＣＨ４ガス４０ＳＣ
ＣＨを流し、反応Ｔ圧力を０．５〜１．５ＴＯｒｒに設
定し、ＤＣ電圧を−３００〜−５００Ｖ （ＤＣ電流
１００〜１０００＋ｎＡ）印加し、約１０分間放電させ
、５００人の厚さのダイヤモンド状カーボン膜を保護層
として形成した。なお上部電極＋２１の面相（５）は、
第２図に示すように、放電可能なように上部電極（′２
Ｊに接する磁性層を層設したテープ（１）の面積（６）
の２倍以上が必要である。また図中の（３）は高周波チ
ョークコイル、（４）はロールである。
示す上部電極（２１上にくるように設賀し、ヒータ温度
を５０℃に設定し、原料ガスとしてＣＨ４ガス４０ＳＣ
ＣＨを流し、反応Ｔ圧力を０．５〜１．５ＴＯｒｒに設
定し、ＤＣ電圧を−３００〜−５００Ｖ （ＤＣ電流
１００〜１０００＋ｎＡ）印加し、約１０分間放電させ
、５００人の厚さのダイヤモンド状カーボン膜を保護層
として形成した。なお上部電極＋２１の面相（５）は、
第２図に示すように、放電可能なように上部電極（′２
Ｊに接する磁性層を層設したテープ（１）の面積（６）
の２倍以上が必要である。また図中の（３）は高周波チ
ョークコイル、（４）はロールである。
えられた磁気テープの記録波長０．８ρでの再生出力は
、保痕層を設けないものにくらべて±０、４ｄＢであり
、スペース損失は無視できた。該磁気テープをビデオ・
テープ・レコーダーを用いて１００回往復走行させたの
ち、目視および光学顕微１（ｓｏ倍）で観察したところ
、すり傷は見とめられなかった。またｙｌ擦係数は５ｏ
加哨で走査速度１．０ｍ／秒でステンレス球を押しっけ
て２０履の距離を往復運動させて求めた。走査回数０回
での摩擦係数は０．２００．５００回後のｊ１！擦係数
は０．２０６で３ｘ増加した。
、保痕層を設けないものにくらべて±０、４ｄＢであり
、スペース損失は無視できた。該磁気テープをビデオ・
テープ・レコーダーを用いて１００回往復走行させたの
ち、目視および光学顕微１（ｓｏ倍）で観察したところ
、すり傷は見とめられなかった。またｙｌ擦係数は５ｏ
加哨で走査速度１．０ｍ／秒でステンレス球を押しっけ
て２０履の距離を往復運動させて求めた。走査回数０回
での摩擦係数は０．２００．５００回後のｊ１！擦係数
は０．２０６で３ｘ増加した。
前記ダイヤモンド状カーボン膜の硬度はマイクロごッカ
ース法で３５００、磁性層への付着性は５０に９／ａｉ
と良好であった。ただしマイクロごッカース法での硬度
および付着性は同一条件で作製した膜厚３泊の保護層に
て評価した。
ース法で３５００、磁性層への付着性は５０に９／ａｉ
と良好であった。ただしマイクロごッカース法での硬度
および付着性は同一条件で作製した膜厚３泊の保護層に
て評価した。
実施例２
第１図に示すごとき装置を用いて保護層を形成した。
実施例１で用いた磁性層を層設したテープ（１）を実施
例１と同様にセットし、第１図に示すしヒータ温度を５
０℃に設定し、原料ガスとしてＣＨ４ガス２０ＳＣＣＨ
，Ｈ２ガス１００ＳＣＣＨ，ＳｉＨ４ガス０、 ｌ５Ｃ
ＣＨの混合ガスを流し、反応室圧力を１．０ＴＯｒｒニ
設定し、ＯＣ電圧ヲ−５５０〜−７００Ｖ （ＤＣＩ
流１００〜１００１００Ｏ、ＲＦＩＨＥヲ１０〜３０Ｗ
印加し、ＤＣおよびＲＦ両者混合の放電を１５分間行な
い、約８００人の厚さのダイヤモンド状カーボン膜を保
護層として形成した。
例１と同様にセットし、第１図に示すしヒータ温度を５
０℃に設定し、原料ガスとしてＣＨ４ガス２０ＳＣＣＨ
，Ｈ２ガス１００ＳＣＣＨ，ＳｉＨ４ガス０、 ｌ５Ｃ
ＣＨの混合ガスを流し、反応室圧力を１．０ＴＯｒｒニ
設定し、ＯＣ電圧ヲ−５５０〜−７００Ｖ （ＤＣＩ
流１００〜１００１００Ｏ、ＲＦＩＨＥヲ１０〜３０Ｗ
印加し、ＤＣおよびＲＦ両者混合の放電を１５分間行な
い、約８００人の厚さのダイヤモンド状カーボン膜を保
護層として形成した。
前記ダイヤモンド状カーボン膜は一面に形成された膜で
はなく、１〜５０μｍφの穴が１Ｍ２当り約１０４側存
在する膜であった。なお前記の穴は保護層形成時に負の
高電圧を印加することにより形成されたものである。
はなく、１〜５０μｍφの穴が１Ｍ２当り約１０４側存
在する膜であった。なお前記の穴は保護層形成時に負の
高電圧を印加することにより形成されたものである。
えられた磁気テープを用いて実施例１と同様にして特性
をしらべたところ、マイクロビッカース法での硬度４０
００、保護ｎの磁性層への付着性は良好で、１００回往
復走行後のすり傷は目視および光学顕微鏡（５０倍）で
見とめられなかった。摩擦係数および５００回パス後の
変化はそれぞれＯ，＋ＳＯおよび＋１％で、記録波長０
．８論での再生出力は、保護層を設けないものにくらべ
て±０．４ｄＢであり、スペース損失は無視できるもの
であった。
をしらべたところ、マイクロビッカース法での硬度４０
００、保護ｎの磁性層への付着性は良好で、１００回往
復走行後のすり傷は目視および光学顕微鏡（５０倍）で
見とめられなかった。摩擦係数および５００回パス後の
変化はそれぞれＯ，＋ＳＯおよび＋１％で、記録波長０
．８論での再生出力は、保護層を設けないものにくらべ
て±０．４ｄＢであり、スペース損失は無視できるもの
であった。
［発明の効果］
本発明の磁気記録媒体は特定の保護層をイｉしているた
め、機械的強度が大きく傷つきにくく、走行性がよく、
かつ耐摩耗性も良好で磁性特性の低下も少ないという特
徴を有するものである。
め、機械的強度が大きく傷つきにくく、走行性がよく、
かつ耐摩耗性も良好で磁性特性の低下も少ないという特
徴を有するものである。
第１図は本発明の磁気記録媒体を製造するＩζ置の一例
に関する説明図、第２図はヒ部電極（２１上にテープ（
１）が接している状態に関する説明図である。 （図面の主要符号）
に関する説明図、第２図はヒ部電極（２１上にテープ（
１）が接している状態に関する説明図である。 （図面の主要符号）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性支持体上に設けられた磁性層の保護層として
、非晶質シリコン層、シリコンを含む非晶質層、シリコ
ンを含む多結晶質層、非晶質カーボン膜およびダイヤモ
ンド状カーボン膜よりなる群からえらばれた少なくとも
１種の保護層が設けられてなる磁気記録媒体。 ２ 前記保護層に１ｍｍ＾２当り１〜５０μｍφの穴が
１０＾２〜１０＾５個存在する特許請求の範囲第１項記
載の磁気記録媒体。 ３ 前記保護層がＲＦプラズマＣＶＤ法、外部からＤＣ
バイアスを印加したＲＦプラズマＣＶＤ法、ＤＣプラズ
マＣＶＤ法またはＲＦおよびＤＣ両者混合のプラズマＣ
ＶＤ法により形成されてなる特許請求の範囲第１項記載
の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17467085A JPS6234325A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17467085A JPS6234325A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234325A true JPS6234325A (ja) | 1987-02-14 |
| JPH0323973B2 JPH0323973B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=15982641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17467085A Granted JPS6234325A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234325A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168836A (ja) * | 1986-12-31 | 1988-07-12 | バスフ アクチェンゲゼルシャフト | 円盤状磁気記録担体の製造方法 |
| JPS63268127A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
| JPS63275035A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6476423A (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Nec Corp | Magnetic disk |
| JPH0235620A (ja) * | 1988-04-11 | 1990-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH0253240A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH076340A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Nec Corp | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPH0922526A (ja) * | 1996-07-22 | 1997-01-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 磁気記録媒体の作製方法 |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127232A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59213030A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-12-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体及びその製法 |
| JPS6029936A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体およびその製法 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17467085A patent/JPS6234325A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| JPH076340A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Nec Corp | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US7700164B2 (en) | 1993-07-20 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| JPH0922526A (ja) * | 1996-07-22 | 1997-01-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 磁気記録媒体の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323973B2 (ja) | 1991-04-02 |
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