JPH02282916A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH02282916A JPH02282916A JP10492389A JP10492389A JPH02282916A JP H02282916 A JPH02282916 A JP H02282916A JP 10492389 A JP10492389 A JP 10492389A JP 10492389 A JP10492389 A JP 10492389A JP H02282916 A JPH02282916 A JP H02282916A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
記録、再生機器の小型化、高性能化の為に記録密度向上
の努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄
膜を磁気記録層として実用化することが待望されるに至
っている〔アイイーイーイトランザクシヲンズ オン
マグネティクス(IEEE TRANSACTIONS
ON MAGNETIC9)Vol、 MAG−21
、);;−3,P、P、 1217〜1220(198
5)〕00強磁性金属薄は材料としての組合わせは多数
考えられるが、現実的な可能性が示されているものは少
く、Co−Cr等の垂直磁化膜〔特公昭58−91号公
報、特開昭61−120331号公報〕やCo−Ni、
Co−Ni−0等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭
41−19389号公報。
の努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄
膜を磁気記録層として実用化することが待望されるに至
っている〔アイイーイーイトランザクシヲンズ オン
マグネティクス(IEEE TRANSACTIONS
ON MAGNETIC9)Vol、 MAG−21
、);;−3,P、P、 1217〜1220(198
5)〕00強磁性金属薄は材料としての組合わせは多数
考えられるが、現実的な可能性が示されているものは少
く、Co−Cr等の垂直磁化膜〔特公昭58−91号公
報、特開昭61−120331号公報〕やCo−Ni、
Co−Ni−0等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭
41−19389号公報。
特開昭53−42010号公報〕等で、実用化の目的で
最近ではもっばら、保護潤滑層の開発が検討の中心とな
っている。現状ではポリエチレンテレフタレートフィル
ム等の高分子フィルム上に直接あるいは微粒子などの下
塗りを行った後、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法
で強磁性金属薄膜を配し、その面に直接溶剤に脂肪酸や
パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を溶かした溶液を
塗布乾燥する法〔特開昭57−179948号公報。
最近ではもっばら、保護潤滑層の開発が検討の中心とな
っている。現状ではポリエチレンテレフタレートフィル
ム等の高分子フィルム上に直接あるいは微粒子などの下
塗りを行った後、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法
で強磁性金属薄膜を配し、その面に直接溶剤に脂肪酸や
パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を溶かした溶液を
塗布乾燥する法〔特開昭57−179948号公報。
特開昭61−178718号公報〕や、酸化模を介して
潤滑剤を配する〔特開昭8 j −161830号公報
〕ことや、炭素膜とフロ1コカーボン系の組み合わせ〔
特開昭61−142525号公報〕等が提案され、磁気
ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一部実用
化され、炭素質についても検討が進み硬度を高めること
の有用性〔米国特許第4717622号明細書〕も知ら
れるに至っている。
潤滑剤を配する〔特開昭8 j −161830号公報
〕ことや、炭素膜とフロ1コカーボン系の組み合わせ〔
特開昭61−142525号公報〕等が提案され、磁気
ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一部実用
化され、炭素質についても検討が進み硬度を高めること
の有用性〔米国特許第4717622号明細書〕も知ら
れるに至っている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら炭素膜と潤滑剤との組み合わせによる最適
化のみでは、ヘッド、テープの相対速度が大きくなって
くると耐久性が十分でない場合があり改善が望まれてい
た。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、相対
速度が大きくなっても十分な耐久性を確保できる磁気記
録媒体を提供するものである。
化のみでは、ヘッド、テープの相対速度が大きくなって
くると耐久性が十分でない場合があり改善が望まれてい
た。本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、相対
速度が大きくなっても十分な耐久性を確保できる磁気記
録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜上に炭素膜を配し、かつ薄膜を構成する
柱状粒子間に配した金属に潤滑剤の一部が反応被着して
いるようにしたものである。
強磁性金属薄膜上に炭素膜を配し、かつ薄膜を構成する
柱状粒子間に配した金属に潤滑剤の一部が反応被着して
いるようにしたものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成によシ、高速でヘ
ッドと摺動摩擦を受けても、反応部が直接機械的に破壊
されることがない為、十分な潤滑性能を維持することが
できることになる。
ッドと摺動摩擦を受けても、反応部が直接機械的に破壊
されることがない為、十分な潤滑性能を維持することが
できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
〔実施例−1〕
第1図は本発明の第1の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。第1図で1は、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルエーテルケトン。
面図である。第1図で1は、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルエーテルケトン。
ポリイミド等の高分子フィルムに微粒子塗布層や、山脈
状の凹凸や、微粒子と山脈状の凹凸を組み合わせた下塗
シ層を配したものや、・・−ドディスクであれば、Al
l−Mq合金にメツキ層を配したもの等から成る基板で
、2はCo−Ni 、Co−Cr 、Co −T a
、 Co −Mo 、 Co −T i 、 Co−3
m 、 Co −0、Co−W。
状の凹凸や、微粒子と山脈状の凹凸を組み合わせた下塗
シ層を配したものや、・・−ドディスクであれば、Al
l−Mq合金にメツキ層を配したもの等から成る基板で
、2はCo−Ni 、Co−Cr 、Co −T a
、 Co −Mo 、 Co −T i 、 Co−3
m 、 Co −0、Co−W。
Co−Ni−0,Co−Cr−Nb等の強磁性金属薄膜
を構成する柱状微粒子で3は炭素膜で、グラファイトか
らダイヤモンドまでのどの状態をとるかは適宜選択すれ
ばよい。炭素膜は柱状微粒子のすき開音十分埋めつくし
てしまわないように膜厚としては高々200人1でか好
ましい。4は金属部で、すき間に散在するようにしたも
のであるが、Zr。
を構成する柱状微粒子で3は炭素膜で、グラファイトか
らダイヤモンドまでのどの状態をとるかは適宜選択すれ
ばよい。炭素膜は柱状微粒子のすき開音十分埋めつくし
てしまわないように膜厚としては高々200人1でか好
ましい。4は金属部で、すき間に散在するようにしたも
のであるが、Zr。
Ta、Ti 等をスパッタリング法で配し、柱状粒子の
先端部は機械的な研磨で除去することで構成することが
できる。6は潤滑剤で少くとも金属部と反応被着する脂
肪酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロ
アルキルスルホン酸等の反応基をもったものを含んだ構
成とする必要があるが、他の潤滑剤については特に限定
はなく、極圧潤滑剤と呼ばれるものや、防錆剤と称する
ものを含んでもよい。又製造条件として、反応被着する
ものを真空蒸着してから溶液塗布する等適宜工夫できる
。
先端部は機械的な研磨で除去することで構成することが
できる。6は潤滑剤で少くとも金属部と反応被着する脂
肪酸、パーフルオロアルキルカルボン酸、パーフルオロ
アルキルスルホン酸等の反応基をもったものを含んだ構
成とする必要があるが、他の潤滑剤については特に限定
はなく、極圧潤滑剤と呼ばれるものや、防錆剤と称する
ものを含んでもよい。又製造条件として、反応被着する
ものを真空蒸着してから溶液塗布する等適宜工夫できる
。
以下、具体的な実施例について比較例との対比で説明す
る。
る。
7116μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に高さ120人の山脈状の凹凸を配し、Ar+H2=0
.2(Torr )、Ar :H2= 4 : 1.1
3.5e(lk)。
に高さ120人の山脈状の凹凸を配し、Ar+H2=0
.2(Torr )、Ar :H2= 4 : 1.1
3.5e(lk)。
1(KW)でCo−Cr (Co : 80 wt%)
をスパッタリングして、1soO人のCo−Cr垂直磁
化膜を形成した。Co−Cr柱状微粒子は平均250人
である。
をスパッタリングして、1soO人のCo−Cr垂直磁
化膜を形成した。Co−Cr柱状微粒子は平均250人
である。
Co−Crの上にグラファイトをターゲットにして、A
r 十H2=0.04 (T o r r ) 、 A
r :H2=5 =1 + 13−66 (M )
。
r 十H2=0.04 (T o r r ) 、 A
r :H2=5 =1 + 13−66 (M )
。
o、y (KW)でスパッタリング法でダイヤモンド状
硬質炭素膜を配し、その上更に高周波スパッタリング法
で均−膜厚換算80八番種の金属を配し、研磨紙で柱状
微粒子の先端部分の金属は除去し、洗浄処理後、潤滑剤
を配し、5インチの磁気テープとした。比較例は、ダイ
ヤモンド状硬質炭素膜上に潤滑剤を配したものと、研磨
紙で柱状微粒子の先端の金属を除去せず潤滑剤を配した
もので構成した。いずれも0.5μmのバックコート層
を配し、走行性改善、帯電防止対策を施したもので特性
比較した。
硬質炭素膜を配し、その上更に高周波スパッタリング法
で均−膜厚換算80八番種の金属を配し、研磨紙で柱状
微粒子の先端部分の金属は除去し、洗浄処理後、潤滑剤
を配し、5インチの磁気テープとした。比較例は、ダイ
ヤモンド状硬質炭素膜上に潤滑剤を配したものと、研磨
紙で柱状微粒子の先端の金属を除去せず潤滑剤を配した
もので構成した。いずれも0.5μmのバックコート層
を配し、走行性改善、帯電防止対策を施したもので特性
比較した。
評価機材は、放送用のM117オーマツ)VTR(松下
電器製AU−660)を改造し、相対速度、6(m/5
ee) 、 9 (m/5ee)、 12 (m/5e
c)とし、いずれも記録波長に10.45μmで、トラ
ンク幅は8μへ使用ヘッドはギャップ長0.22μm
の積層合金型ヘッドである。磁気記録媒体の条件と、夫
々の相対速度下で、10”C80%RHでのスチル特性
を比較した結果を第1表にまとめて示した。
電器製AU−660)を改造し、相対速度、6(m/5
ee) 、 9 (m/5ee)、 12 (m/5e
c)とし、いずれも記録波長に10.45μmで、トラ
ンク幅は8μへ使用ヘッドはギャップ長0.22μm
の積層合金型ヘッドである。磁気記録媒体の条件と、夫
々の相対速度下で、10”C80%RHでのスチル特性
を比較した結果を第1表にまとめて示した。
第1表より明らかなように本発明によれば、相対速度が
大きくなっても十分なメチル特性を示すことがわかる。
大きくなっても十分なメチル特性を示すことがわかる。
本発明品はスチル特性で耐久信頼性を代表させて示した
が、くり返し使用での出力低下も1〜1.6(dB)以
内で、ドロップアウト増加もなく、走行ジッターも問題
のないものでその実用信頼性は好ましいレベルにあると
いえる。
が、くり返し使用での出力低下も1〜1.6(dB)以
内で、ドロップアウト増加もなく、走行ジッターも問題
のないものでその実用信頼性は好ましいレベルにあると
いえる。
〔実施例−2〕
課題を解決するための別の手段は、強磁性金属薄1模上
に炭素膜を配した上に潤滑剤を配したものにあって、炭
素膜の表層部がハイドロカーボン的であるようにしたも
のである。本発明の磁気記録媒体は上記した構成により
、炭素膜の表層部が活性でかつ有機的な性質をもつこと
になシ、その上の潤滑剤が有機材料であることから親和
力が犬きくなシ、潤滑性の維持が良好となシ、炭素膜の
強磁性金属薄膜に対する保護効果が持続し耐久性を改善
できることになる。
に炭素膜を配した上に潤滑剤を配したものにあって、炭
素膜の表層部がハイドロカーボン的であるようにしたも
のである。本発明の磁気記録媒体は上記した構成により
、炭素膜の表層部が活性でかつ有機的な性質をもつこと
になシ、その上の潤滑剤が有機材料であることから親和
力が犬きくなシ、潤滑性の維持が良好となシ、炭素膜の
強磁性金属薄膜に対する保護効果が持続し耐久性を改善
できることになる。
第2図は本発明の第2の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。第2図で、6はCo−系合金、Fe系合金
等の強磁性金属薄膜で、電子ビーム蒸着法、ヌバッタリ
ング法等で形成したもので磁化容易軸の方向に限定を受
けるものではない。7は炭素膜でグラファイトからダイ
ヤモンドまでの範囲で構成される50人から200人の
薄膜で表層部8はハイドロカーボン的層と定義する層で
構成したものである。この層はプラズマ重合と同じ手法
で構成されるものであってよいが、いわゆる重合模では
なく、CとHから主として成り、活性で、表層を厚みと
して、明確に同定するのは困難であるが、目安として均
一厚み換算をすれば2〜6人程度でよい。それ以上ある
と、かえって、ヘッド面への汚染を誘発する不具合がで
るからである。
面図である。第2図で、6はCo−系合金、Fe系合金
等の強磁性金属薄膜で、電子ビーム蒸着法、ヌバッタリ
ング法等で形成したもので磁化容易軸の方向に限定を受
けるものではない。7は炭素膜でグラファイトからダイ
ヤモンドまでの範囲で構成される50人から200人の
薄膜で表層部8はハイドロカーボン的層と定義する層で
構成したものである。この層はプラズマ重合と同じ手法
で構成されるものであってよいが、いわゆる重合模では
なく、CとHから主として成り、活性で、表層を厚みと
して、明確に同定するのは困難であるが、目安として均
一厚み換算をすれば2〜6人程度でよい。それ以上ある
と、かえって、ヘッド面への汚染を誘発する不具合がで
るからである。
5は潤滑剤、1は基板でこれについては実施例1でのべ
たものと同じ範ちゅうのものを適用すればよい。
たものと同じ範ちゅうのものを適用すればよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み10μmの芳香族ポリアミドフィルム上に、直径1
60人のポリイミド粒子を5〜7ケ/(μm)2配した
フィルムを用い、直径1mの円筒キャンに沿わせて、最
小入射角66度、酸素分圧5X10(Torr)でCo
−Ni (Co : 72 wt% )を電子ビーム蒸
着し、0.13 ltmのCo −N i−0膜を配し
、その上に直径5Qcrnの円筒キャンにノズルを隣接
して配し、ノズルAは、13. ses (M)、0.
6〜1.2(KW)を誘導磁界として加え、かつ直流電
圧をO,S〜1(KV)印加できる電極で加速できる構
成とし、メタンガヌを放電分解し、硬度の高い炭素膜を
配しその直後にノズ/l/Bで、20 (kHz)、0
.1−0.2(KW)でハイドロカーボン層を配し、次
の空間に導いて直径50cmの円筒キャンに沿わせて、
潤滑剤■を真空蒸着しC0,3Cmv讐)〕、大気中に
取り出して溶液塗布法で潤滑剤■C0,5<mg/扉)
〕を配し、06/1mのバックコート層を配しイインチ
のテープとした。比較例は、炭素膜をノズルへのみで配
したものと、プラズマ重合模をノズルBを用いて積層し
たものを用いた。実施例−1と同じ改造VTRを用い、
記録波長0.4μmトラック幅1゜74mで、相対速度
10 (m/sc< ) 20 (m/sec )の2
水準の高速下での耐久性を比較した結果をテープの条件
と共に第2表にまとめて示した。
60人のポリイミド粒子を5〜7ケ/(μm)2配した
フィルムを用い、直径1mの円筒キャンに沿わせて、最
小入射角66度、酸素分圧5X10(Torr)でCo
−Ni (Co : 72 wt% )を電子ビーム蒸
着し、0.13 ltmのCo −N i−0膜を配し
、その上に直径5Qcrnの円筒キャンにノズルを隣接
して配し、ノズルAは、13. ses (M)、0.
6〜1.2(KW)を誘導磁界として加え、かつ直流電
圧をO,S〜1(KV)印加できる電極で加速できる構
成とし、メタンガヌを放電分解し、硬度の高い炭素膜を
配しその直後にノズ/l/Bで、20 (kHz)、0
.1−0.2(KW)でハイドロカーボン層を配し、次
の空間に導いて直径50cmの円筒キャンに沿わせて、
潤滑剤■を真空蒸着しC0,3Cmv讐)〕、大気中に
取り出して溶液塗布法で潤滑剤■C0,5<mg/扉)
〕を配し、06/1mのバックコート層を配しイインチ
のテープとした。比較例は、炭素膜をノズルへのみで配
したものと、プラズマ重合模をノズルBを用いて積層し
たものを用いた。実施例−1と同じ改造VTRを用い、
記録波長0.4μmトラック幅1゜74mで、相対速度
10 (m/sc< ) 20 (m/sec )の2
水準の高速下での耐久性を比較した結果をテープの条件
と共に第2表にまとめて示した。
第 2
異
筆はフラズマ重合喪を示す。
第2表より明らかなように、本発明によれば、相対速度
が大きくなってもヌチル特性が低下することがなく十分
な耐久性が得られることがわかる。
が大きくなってもヌチル特性が低下することがなく十分
な耐久性が得られることがわかる。
他にもCo−Cr 模、 Co −T i膜等に於ても
同様な効果が得られる。
同様な効果が得られる。
〔実施例−3〕
課題を解決するための別の手段は、強磁性金属薄膜上に
N、P、Sb、B、A7.Ga、Inのいずれかの元素
を0.01〜0.3at%含むダイヤモンド状硬質炭素
模を配したものである。
N、P、Sb、B、A7.Ga、Inのいずれかの元素
を0.01〜0.3at%含むダイヤモンド状硬質炭素
模を配したものである。
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、特に湿度
の低い環境条件で相対速度が大きくなった時に摩擦帯電
によるトラッキングエラーの発生がなくなり高密度記録
をより厳しい条件下で実現できるようになる。第3図は
本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図である。第
3図で9はN。
の低い環境条件で相対速度が大きくなった時に摩擦帯電
によるトラッキングエラーの発生がなくなり高密度記録
をより厳しい条件下で実現できるようになる。第3図は
本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図である。第
3図で9はN。
P、Sb、B、AJ、Ga、In のいずれかを0.
01−0.3at%含むダイヤモンド状硬質炭素嘆で、
膜厚は50Aから250Aで製法はイオンビームデポジ
ション法、CVD法、ヌバッタリング法等により、夫々
N、P、Sb、B、Al、Ga、Inのいずれかが0.
01〜0.3at% 含まれるように制御すればよい。
01−0.3at%含むダイヤモンド状硬質炭素嘆で、
膜厚は50Aから250Aで製法はイオンビームデポジ
ション法、CVD法、ヌバッタリング法等により、夫々
N、P、Sb、B、Al、Ga、Inのいずれかが0.
01〜0.3at% 含まれるように制御すればよい。
0.01 at%以下になると摩擦帯電の吸収効果が弱
くなり0.3at%以上になると、硬さは特に変らない
のにもかかわらず、耐久性が弱まることでこの範囲内で
の制御が望まれる。
くなり0.3at%以上になると、硬さは特に変らない
のにもかかわらず、耐久性が弱まることでこの範囲内で
の制御が望まれる。
他の構成要素は、これまでのべた実施例と同一の番号を
付しであるものについては、同じ群の中よシ選択すれば
よい。
付しであるものについては、同じ群の中よシ選択すれば
よい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み12μmのポリイミドフィルム上にCr2O2微粒
子(直径100人)を15ケ/(μm)2配し、直径1
mの円筒キャン(キャン温度180℃)に沿わせて7X
10 (Torr)で最小入射角67度でCo−Cr
(Cr : 18 wt%)を0.12 μm電子ビ
ーム蒸着し、その上に、グラファイトにAl 、 Ga
、 In等を含むターゲットを用い; Ar+H2=
0.08(Torr)。
子(直径100人)を15ケ/(μm)2配し、直径1
mの円筒キャン(キャン温度180℃)に沿わせて7X
10 (Torr)で最小入射角67度でCo−Cr
(Cr : 18 wt%)を0.12 μm電子ビ
ーム蒸着し、その上に、グラファイトにAl 、 Ga
、 In等を含むターゲットを用い; Ar+H2=
0.08(Torr)。
Ar:H2=6:2で13.56 (M) 、 0.6
−1.3 (KW)でスパッタリングしてAl、Ga等
を含むダイヤモンド状炭素摸を配し、その上にモンテジ
ソン社製の7オンブリンZ−25をO−0−9(’/讐
)塗布し、厚み0.5μmのバックコート層を配し、イ
インチ幅のテープに加工した。
−1.3 (KW)でスパッタリングしてAl、Ga等
を含むダイヤモンド状炭素摸を配し、その上にモンテジ
ソン社製の7オンブリンZ−25をO−0−9(’/讐
)塗布し、厚み0.5μmのバックコート層を配し、イ
インチ幅のテープに加工した。
夫k(Df−)iM !I −VT R(AU−eeo
:松下電器製)を改造し、ギャップ長0.18μm の
積層合金型ヘッドで、相対速度22 (m/see )
でトラック幅8μmで、ビット長0.24μmを記録し
、エラー率を相対比較した。
:松下電器製)を改造し、ギャップ長0.18μm の
積層合金型ヘッドで、相対速度22 (m/see )
でトラック幅8μmで、ビット長0.24μmを記録し
、エラー率を相対比較した。
環境条件は、40’C80%RHと40℃3%RHの2
環境とした。テープのエラー率の変化は、2Q’C70
%RHでの値を初期値として示し、夫々の環境で30バ
ス目と150パス目の値を倍率で示した。
環境とした。テープのエラー率の変化は、2Q’C70
%RHでの値を初期値として示し、夫々の環境で30バ
ス目と150パス目の値を倍率で示した。
テープの構成条件と測定結果を第3表にまとめて示した
。
。
第3表より明らかなように本発明によれば、耐久性もエ
ラー率の安定性もバランスがとれているが、比較例は、
エラー率の安定性のないものや、メチル特性のわるいも
のしか得られない。
ラー率の安定性もバランスがとれているが、比較例は、
エラー率の安定性のないものや、メチル特性のわるいも
のしか得られない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、相対速度の大きい磁気記
録再生系で高密度記録を行っても十分な信頼性を与える
ことの出来る磁気記録媒体が得られるといったすぐれた
効果がある。
録再生系で高密度記録を行っても十分な信頼性を与える
ことの出来る磁気記録媒体が得られるといったすぐれた
効果がある。
第1図、第2図、第3図は夫々本発明の磁気記録媒体の
拡大断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・柱状微粒子、3・
・・・・・炭素膜、4・・・・・・金属部、6・・・・
・・潤滑剤、6・・・・・・強磁性金属薄膜、7・・・
・・・炭素膜、8・・・・・ハイドロカーボン層、9・
・・・ダイヤモンド状炭素膜(AI金含有。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名 −
m− 宝 凰叩 A−WXM、n宝11
拡大断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・柱状微粒子、3・
・・・・・炭素膜、4・・・・・・金属部、6・・・・
・・潤滑剤、6・・・・・・強磁性金属薄膜、7・・・
・・・炭素膜、8・・・・・ハイドロカーボン層、9・
・・・ダイヤモンド状炭素膜(AI金含有。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名 −
m− 宝 凰叩 A−WXM、n宝11
Claims (3)
- (1)強磁性金属薄膜上に炭素膜を配し、柱状粒子間の
金属部に潤滑剤の一部が反応被着するようにしたことを
特徴とする磁気記録媒体。 - (2)強磁性金属薄膜上に炭素膜を配し、炭素膜表層を
ハイドロカーボン的にした上で潤滑剤を配したことを特
徴とする磁気記録媒体。 - (3)強磁性金属薄膜上に配したダイヤモンド状炭素膜
が、格子位置にN、P、Sb、B、Al、Ga、Inの
いずれかを0.01〜0.3at%含有したことを特徴
とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10492389A JPH02282916A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10492389A JPH02282916A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02282916A true JPH02282916A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14393626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10492389A Pending JPH02282916A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02282916A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6713195B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-03-30 | Nve Corporation | Magnetic devices using nanocomposite materials |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10492389A patent/JPH02282916A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6713195B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-03-30 | Nve Corporation | Magnetic devices using nanocomposite materials |
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