JPH0354719A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH0354719A JPH0354719A JP19097189A JP19097189A JPH0354719A JP H0354719 A JPH0354719 A JP H0354719A JP 19097189 A JP19097189 A JP 19097189A JP 19097189 A JP19097189 A JP 19097189A JP H0354719 A JPH0354719 A JP H0354719A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
。
。
従来の技術
高密度磁気記録の要求から近年、強磁性金属薄膜を磁気
記録層として用いることが検討され、磁気ディスクとし
てはメッキ法によるCo−Ni−P薄膜媒体、スバッタ
法によるCo−Ni−Cr薄膜媒体が一部実用化され、
最近ではCo−Ni−0斜め蒸着膜がビデオ用途に実用
化され今後の高密度化に一層期待が強まってきている[
日本応用磁気学会誌Vol.13,磁3,493頁(1
989)コ。
記録層として用いることが検討され、磁気ディスクとし
てはメッキ法によるCo−Ni−P薄膜媒体、スバッタ
法によるCo−Ni−Cr薄膜媒体が一部実用化され、
最近ではCo−Ni−0斜め蒸着膜がビデオ用途に実用
化され今後の高密度化に一層期待が強まってきている[
日本応用磁気学会誌Vol.13,磁3,493頁(1
989)コ。
一方、原理的に高密度記録に有利と考えられるCOCr
垂直磁化膜も出力からC/Nとより実用化を意識した見
方での検討も開始され、光記録を越える密度での実用化
を目ざした解析も進んできている[同誌、499頁]。
垂直磁化膜も出力からC/Nとより実用化を意識した見
方での検討も開始され、光記録を越える密度での実用化
を目ざした解析も進んできている[同誌、499頁]。
発明が解決しようとする課題
しかしながら現状では、優れたC/Nを得るには、飽和
磁束密度を高くできないため、広帯域での利用が今後期
待される状況下では、不十分で改善が望まれている。本
発明は上記した事情に鑑みなされたもので、広帯域C/
Nと耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するものである
。
磁束密度を高くできないため、広帯域での利用が今後期
待される状況下では、不十分で改善が望まれている。本
発明は上記した事情に鑑みなされたもので、広帯域C/
Nと耐久性に優れた磁気記録媒体を提供するものである
。
RHを解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
磁化容易軸の方向が膜面に対し45度以上70度以下の
傾斜を有し、かつ2層の各層の容易軸がほぼ垂直軸に対
して対称であるようにしたものである。
磁化容易軸の方向が膜面に対し45度以上70度以下の
傾斜を有し、かつ2層の各層の容易軸がほぼ垂直軸に対
して対称であるようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構或により、強磁性金
属薄膜の稠密性が増し、機械的に強化され耐久性が向上
すると共に、ヘッド磁界で磁化し易くかつ磁性ノイズが
層間分離が増した効果で改善され短波長、高密度域での
C/Nと共に長波長での、改善もはかることができるの
で広帯域C/Nが改善される。
属薄膜の稠密性が増し、機械的に強化され耐久性が向上
すると共に、ヘッド磁界で磁化し易くかつ磁性ノイズが
層間分離が増した効果で改善され短波長、高密度域での
C/Nと共に長波長での、改善もはかることができるの
で広帯域C/Nが改善される。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の実施例について詳しく
説明する。
説明する。
[実施例1]
第1図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図である。第
1図で1は、ポリエチレンテレフタレート,ポリエチレ
ンナフタレート,ボリフエニレンサルファイド ポリエ
ーテルエーテルケトン,ポリアミドイミド等の高分子フ
ィルムで、2はTiO2,Z r O2, C r20
3, F e:+o<. S i 02,ボリアミド,
ポリウレタン等の微粒子を配した微粒子塗布層で、3.
4は強磁性金属薄膜で各層は柱状構造から威りかつ夫々
の磁化容易軸(M+,M2)が膜面に対して軸gを基準
にθ1,θ2が45度以上70度以下の傾斜をもちかつ
、膜面に垂直な軸に関し対称な関係となるようにしたも
のである。強磁性金属薄膜はCo−Cr,Co−Ti,
Co−W,Co−Mo,Co−Ta,Co−0,Co−
Cr−Nb,Co−Ni一〇等で同じ材質又は2種から
構成する。かかる強磁性金属薄膜を得るには、円筒キャ
ンに沿わせて微粒子塗布層を配した高分子フィルムを移
動させながら第1層目を限定した入射角範囲内で蒸着し
た後、第2層目を磁化容易軸方向が第1層と対称になる
よう蒸着すればよい。
1図で1は、ポリエチレンテレフタレート,ポリエチレ
ンナフタレート,ボリフエニレンサルファイド ポリエ
ーテルエーテルケトン,ポリアミドイミド等の高分子フ
ィルムで、2はTiO2,Z r O2, C r20
3, F e:+o<. S i 02,ボリアミド,
ポリウレタン等の微粒子を配した微粒子塗布層で、3.
4は強磁性金属薄膜で各層は柱状構造から威りかつ夫々
の磁化容易軸(M+,M2)が膜面に対して軸gを基準
にθ1,θ2が45度以上70度以下の傾斜をもちかつ
、膜面に垂直な軸に関し対称な関係となるようにしたも
のである。強磁性金属薄膜はCo−Cr,Co−Ti,
Co−W,Co−Mo,Co−Ta,Co−0,Co−
Cr−Nb,Co−Ni一〇等で同じ材質又は2種から
構成する。かかる強磁性金属薄膜を得るには、円筒キャ
ンに沿わせて微粒子塗布層を配した高分子フィルムを移
動させながら第1層目を限定した入射角範囲内で蒸着し
た後、第2層目を磁化容易軸方向が第1層と対称になる
よう蒸着すればよい。
5は保護潤滑層で、プラズマ重合層,Sin2膜、炭素
膜,脂肪酸,バーフルオ口ポリエーテルバーフルオロカ
ルボン酸等をスベーシング損失と耐久性の要求度合いと
の兼ね合いで組み合わせればよい。
膜,脂肪酸,バーフルオ口ポリエーテルバーフルオロカ
ルボン酸等をスベーシング損失と耐久性の要求度合いと
の兼ね合いで組み合わせればよい。
45度から70度の範囲に最適範囲があることの理由は
、リングヘッド磁界による記録での記録損失が小さい範
囲であるのと45度以下では耐久性が斜め蒸着を90度
から行った膜に近くなることを相乗したものである。
、リングヘッド磁界による記録での記録損失が小さい範
囲であるのと45度以下では耐久性が斜め蒸着を90度
から行った膜に近くなることを相乗したものである。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み10μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径100Aの(:r203微粒子を20ケ/(μm
) 2配し、その上に入射角を変えて、電子ビーム蒸
着し、2層構或の強磁性金属薄膜を配しその上にパープ
ルオロボリエーテルとして市販されているモンテジソン
社製のフオンブリンZ−25を1.5(■/耐)塗布1
− 8ミリ幅の磁気テープにした。
に直径100Aの(:r203微粒子を20ケ/(μm
) 2配し、その上に入射角を変えて、電子ビーム蒸
着し、2層構或の強磁性金属薄膜を配しその上にパープ
ルオロボリエーテルとして市販されているモンテジソン
社製のフオンブリンZ−25を1.5(■/耐)塗布1
− 8ミリ幅の磁気テープにした。
一方比較例はスパッタリング法でCo−Cr(Co :
77wt%)をターゲットとし、Ar+H2=0.0
07 (Torr)Ar :H2=3 : 1.1 3
.5 6 (MHz) 1.9 (kw)で垂直磁化膜
を0.2μm形威したものと、直径1mの円筒キャンに
沿わせて、5 X 1 0−” (T.o r r)の
酸素中でCo−N i (Co : 80wt%)を
最小入射角38度で0.2μm蒸着したものとを準備し
、他の条件は実施例と同じとし比較した。
77wt%)をターゲットとし、Ar+H2=0.0
07 (Torr)Ar :H2=3 : 1.1 3
.5 6 (MHz) 1.9 (kw)で垂直磁化膜
を0.2μm形威したものと、直径1mの円筒キャンに
沿わせて、5 X 1 0−” (T.o r r)の
酸素中でCo−N i (Co : 80wt%)を
最小入射角38度で0.2μm蒸着したものとを準備し
、他の条件は実施例と同じとし比較した。
夫々のテープを8ミリビデオを改造して、最短波長0.
3 8 μm,周波数帯域1 8 (MHz) (7
)広帯域C/Nを比較した。用いた磁気ヘッドは、積層
合金型ヘッドでギャップ長は0.18μmである。又酎
久性の比較は、ある一定の環境に保存後の40°80%
RHでのスチル特性で比較した。
3 8 μm,周波数帯域1 8 (MHz) (7
)広帯域C/Nを比較した。用いた磁気ヘッドは、積層
合金型ヘッドでギャップ長は0.18μmである。又酎
久性の比較は、ある一定の環境に保存後の40°80%
RHでのスチル特性で比較した。
スチル寿命は出力低下が3(dB)に達した時間で定義
した。テープ条件と結果を第1表に示した。
した。テープ条件と結果を第1表に示した。
(以 下 余 白)
[実施例2]
課題を解決する別の手段は、Co−0又はCo一Ni−
0垂直蒸着膜がTi又はCrで層間分離され構戊された
磁気記録層から成るものである。
0垂直蒸着膜がTi又はCrで層間分離され構戊された
磁気記録層から成るものである。
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、Ti又
はCrの結晶性にょりCo−0又はCo−Ni−0膜の
結晶性が改善され、磁気特性が向上し、広帯域C/N改
善がはかられ、酎食性.耐久性共に、垂直蒸着膜で充て
ん率が大きくなることと、層間のTi又はCrも耐食性
が良好であることで、トータルとしても耐食性,耐久性
共に良好となる。
はCrの結晶性にょりCo−0又はCo−Ni−0膜の
結晶性が改善され、磁気特性が向上し、広帯域C/N改
善がはかられ、酎食性.耐久性共に、垂直蒸着膜で充て
ん率が大きくなることと、層間のTi又はCrも耐食性
が良好であることで、トータルとしても耐食性,耐久性
共に良好となる。
第2図は、本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。第2図で、1は高分子フィルムで、この場合は
必要に応じて微粒子塗布層を配したものを含んでいる。
である。第2図で、1は高分子フィルムで、この場合は
必要に応じて微粒子塗布層を配したものを含んでいる。
6,8はTi又はCrの薄膜で膜厚はエビタキシー効果
によりCo−OCo−N i−0の磁気特性を改善する
ために300人以上の膜厚が必要であるが、膜厚が大き
くなると、特に8の層は、強磁性金属薄膜第I層7にと
りてはスペーシング損失を大きくする方向に作用するの
で、高々500人までで構成するのが好ましい。6.8
の薄膜を形威する方法はスパッタリング法,イオンブレ
ーティング法,電子ビーム蒸着法等いずれでもよい。7
,9はCo−0又はCo−Ni−0垂直蒸着膜で、磁化
容易軸については限定は特にないが、耐久性,耐食性か
ら入射角は45度以内が望ましい。電子ビーム蒸着法,
スパッタリング法いずれでもよいがマスキングを工夫し
て、入射角45度以内とする必要がある。
によりCo−OCo−N i−0の磁気特性を改善する
ために300人以上の膜厚が必要であるが、膜厚が大き
くなると、特に8の層は、強磁性金属薄膜第I層7にと
りてはスペーシング損失を大きくする方向に作用するの
で、高々500人までで構成するのが好ましい。6.8
の薄膜を形威する方法はスパッタリング法,イオンブレ
ーティング法,電子ビーム蒸着法等いずれでもよい。7
,9はCo−0又はCo−Ni−0垂直蒸着膜で、磁化
容易軸については限定は特にないが、耐久性,耐食性か
ら入射角は45度以内が望ましい。電子ビーム蒸着法,
スパッタリング法いずれでもよいがマスキングを工夫し
て、入射角45度以内とする必要がある。
Co−0,Co−Ni−0膜の飽和磁束密度としては5
0 0 0(G)〜9000(G)、膜厚は500人
から1400人の範囲で構成するのが好ましい。
0 0 0(G)〜9000(G)、膜厚は500人
から1400人の範囲で構成するのが好ましい。
7,9は特にCo−0とCo−Ni−0を組み合わせる
ことを阻むものではないし、3層.4層としてもよいが
、実施の面と効果から2層が好ましく、かつ同じ条件で
の2層でよい。
ことを阻むものではないし、3層.4層としてもよいが
、実施の面と効果から2層が好ましく、かつ同じ条件で
の2層でよい。
本実施例は、テープ状に限らず、ディスク状でもよい。
以下更に具体的に実施例と比較例の対比で説明する。厚
み10μmのポリエチレンナフタレートフィルム上に直
径250人のポリメチルメタアクリレート球を10ケ/
(μm)2塗布し突起高さを100〜120人とし、そ
の上に、Ti又はCr層を、直径50cmの円筒キャン
に沿わせて、キャン温度95度、Ar+H2=0.00
5(To r r)Ar :H2 =4 : 1,
13.56 CMHz)0.6〜1.3 (kw) 、
入射角は30度以内となるようにしてスパッタリング法
で形成し、その上に電子ビーム蒸着法でCo−0又はC
o−Ni−0を形成し、同様にCr又はTiをスパッタ
リング蒸着し、引き続きCo−0又はCo−Ni−0膜
を配し、その上にデュポン社製のKRYTOX143A
Cを1.0[■/if]塗布し、8ミリ幅の磁気テープ
とした。
み10μmのポリエチレンナフタレートフィルム上に直
径250人のポリメチルメタアクリレート球を10ケ/
(μm)2塗布し突起高さを100〜120人とし、そ
の上に、Ti又はCr層を、直径50cmの円筒キャン
に沿わせて、キャン温度95度、Ar+H2=0.00
5(To r r)Ar :H2 =4 : 1,
13.56 CMHz)0.6〜1.3 (kw) 、
入射角は30度以内となるようにしてスパッタリング法
で形成し、その上に電子ビーム蒸着法でCo−0又はC
o−Ni−0を形成し、同様にCr又はTiをスパッタ
リング蒸着し、引き続きCo−0又はCo−Ni−0膜
を配し、その上にデュポン社製のKRYTOX143A
Cを1.0[■/if]塗布し、8ミリ幅の磁気テープ
とした。
比較例は、斜め蒸着法にょりCo−0又はCo一N i
−Q膜を形成したものを用いた。
−Q膜を形成したものを用いた。
夫々を8ミリビデオを改造し、ギャップ長0.2μmの
11合金型アモルファスヘッドにより、1 5 (MH
z) 、最短波長0.35μmでの広帯域C/N,及び
スチル特性を20°75%RHで比較した。尚スチル特
性は、あらかじめ高温高温で長時間放置後、記録し再生
出力が3(dB)低下するまでの時間を測定して評価し
た。構成条件と得られた特性を第2表に示した。
11合金型アモルファスヘッドにより、1 5 (MH
z) 、最短波長0.35μmでの広帯域C/N,及び
スチル特性を20°75%RHで比較した。尚スチル特
性は、あらかじめ高温高温で長時間放置後、記録し再生
出力が3(dB)低下するまでの時間を測定して評価し
た。構成条件と得られた特性を第2表に示した。
第2表より、本発明によれば、C/Nも優れかつ、耐食
性、耐久性に於でも十分満足できるものであることがわ
かる。
性、耐久性に於でも十分満足できるものであることがわ
かる。
(以 下 余 白)
発明の効果
以Lのように本発明によれば、耐久性,酎食性も良好で
かつ広帯域のC/N特性に於でも良好な特性をもつ磁気
記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
かつ広帯域のC/N特性に於でも良好な特性をもつ磁気
記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
第1図,第2図はそれぞれ本発明の実施例の磁気記録媒
体の拡大断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、3、4・・・・・・強
磁性金属薄膜、5・・・・・・保護潤滑層、6.8・・
・・・・T1又はCr膜、7,9・・・・・・Co−0
又はCo−Ni−0垂直蒸着膜。
体の拡大断面図である。 1・・・・・・高分子フィルム、3、4・・・・・・強
磁性金属薄膜、5・・・・・・保護潤滑層、6.8・・
・・・・T1又はCr膜、7,9・・・・・・Co−0
又はCo−Ni−0垂直蒸着膜。
Claims (2)
- (1)磁化容易軸の方向が膜面に対し、45度以上70
度以下の傾斜を有しかつ、2層の各層の磁化容易軸がほ
ぼ垂直軸に対称である強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - (2)Co−O又はCo−Ni−O垂直蒸着膜がTi又
はCrで層間分離されたことを特徴とする磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19097189A JPH0354719A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19097189A JPH0354719A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0354719A true JPH0354719A (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16266721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19097189A Pending JPH0354719A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0354719A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5569523A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a ferromagnetic thin film in which 70% to 90% of the total magnetic particles have residual magnetization vectors within ±10° of the easy axis direction |
US7468214B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-12-23 | Seagate Technology Llc | Tilted magnetic recording media |
US11491424B2 (en) | 2011-03-02 | 2022-11-08 | Nordson Holdings S.a.r.l. & Co. KG | Filter element for filtering a fluid and a filter unit formed therefrom |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP19097189A patent/JPH0354719A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5569523A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a ferromagnetic thin film in which 70% to 90% of the total magnetic particles have residual magnetization vectors within ±10° of the easy axis direction |
US5679166A (en) * | 1994-02-28 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording media, magnetic recording media fabrication method, and fabrication equipment |
US5691008A (en) * | 1994-02-28 | 1997-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording media fabrication method |
US7468214B2 (en) | 2005-07-05 | 2008-12-23 | Seagate Technology Llc | Tilted magnetic recording media |
US11491424B2 (en) | 2011-03-02 | 2022-11-08 | Nordson Holdings S.a.r.l. & Co. KG | Filter element for filtering a fluid and a filter unit formed therefrom |
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