JPH01118215A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01118215A JPH01118215A JP27613187A JP27613187A JPH01118215A JP H01118215 A JPH01118215 A JP H01118215A JP 27613187 A JP27613187 A JP 27613187A JP 27613187 A JP27613187 A JP 27613187A JP H01118215 A JPH01118215 A JP H01118215A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
従来より高密度記録の実現のために、連続磁性薄膜を磁
気記録媒体に用いる研究開発が進められている。これら
の記録媒体は、高分子フィルム上に、Ｆｅ 、 Ｃｏ
、 Ｎｉ等の合金或いはそれらの部分酸化膜２部分窒化
膜等をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成し
、保護膜を配して製造している。
気記録媒体に用いる研究開発が進められている。これら
の記録媒体は、高分子フィルム上に、Ｆｅ 、 Ｃｏ
、 Ｎｉ等の合金或いはそれらの部分酸化膜２部分窒化
膜等をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成し
、保護膜を配して製造している。
磁性膜は、基本的に必要な磁気特性を満たす材料に限ら
れるが、これらの材料のすべてが磁気ヘッドとの摺動に
於ける耐久性を必ずしも満足できるものではない。それ
ゆえに保護膜が重視され、５ｉｎ２．ム１２０５． Ｓ
ｉＣ、ＴｉＣなどの硬質材料から成る保護層を形成した
シ（特開昭５０−１０４６０２号公報、特開昭５８−１
３０４３７号公報）、あるいはムｕ 、 Ｐｔ 、 Ｒ
ｈ 、 Ｐｄ 、ムｊ等の金属膜を保護層として形成す
る方法（特開昭５３−４０５０５号公報、特開昭６７−
１７６５３７号公報）等が提案されている。
れるが、これらの材料のすべてが磁気ヘッドとの摺動に
於ける耐久性を必ずしも満足できるものではない。それ
ゆえに保護膜が重視され、５ｉｎ２．ム１２０５． Ｓ
ｉＣ、ＴｉＣなどの硬質材料から成る保護層を形成した
シ（特開昭５０−１０４６０２号公報、特開昭５８−１
３０４３７号公報）、あるいはムｕ 、 Ｐｔ 、 Ｒ
ｈ 、 Ｐｄ 、ムｊ等の金属膜を保護層として形成す
る方法（特開昭５３−４０５０５号公報、特開昭６７−
１７６５３７号公報）等が提案されている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、硬質炭素薄膜等の保護膜を含め硬い保護
膜と潤滑剤層の積層は、短波長でのスペーシング損失を
ある程度犠牲にした上で、通常環境での耐久性は十分確
保している。しかしながら、腐食性のガスに長時間露呈
された後は、ドロップアウトが増加したシ、出力低下が
起り、改善が望まれていた。
膜と潤滑剤層の積層は、短波長でのスペーシング損失を
ある程度犠牲にした上で、通常環境での耐久性は十分確
保している。しかしながら、腐食性のガスに長時間露呈
された後は、ドロップアウトが増加したシ、出力低下が
起り、改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、保存特性
の改良された磁気記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
の改良された磁気記録媒体を提供することを目的とする
ものである。
問題点を解決するだめの手段
上記した問題点を解決するため本発明の磁気記録媒体は
、柱状微粒子の上部表面にＭｏ又はＷの偏析層がある微
粒子より構成された磁気記録層を有するものである。
、柱状微粒子の上部表面にＭｏ又はＷの偏析層がある微
粒子より構成された磁気記録層を有するものである。
作用
上記構成により、腐食性のガスにより表面層が変化して
形成される腐食生成物がＭ−８，Ｗ−Ｓ。
形成される腐食生成物がＭ−８，Ｗ−Ｓ。
Ｍ −Ｃ１、Ｗ −ＣＩｌ系の潤滑効果のあるものであ
ることから、磁気ヘッド表面に滞留してスペーシングを
生じ、出力低下をひき起こしたり、ドロップアウトにな
ることがなくなるのである。
ることから、磁気ヘッド表面に滞留してスペーシングを
生じ、出力低下をひき起こしたり、ドロップアウトにな
ることがなくなるのである。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例の磁気記
録媒体について説明する。図は本発明の一実施例の磁気
記録媒体の拡大断面図である。図において、１はポリエ
チレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
ポリエーテルサルフオン、ポリイミド、ポリエチレンナ
フタレート等の高分子フィルムでＳ工０２． ＣａＯ、
ポリエチレン球等の微粒子を塗布したものも用いること
ができる０２はＧｏ −Ｎｉ 、 Ｇｏ−Ｆｅ 、 Ｃ
ｏ−０ｒ 、 Ｇｏ−Ｔａ 。
録媒体について説明する。図は本発明の一実施例の磁気
記録媒体の拡大断面図である。図において、１はポリエ
チレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、
ポリエーテルサルフオン、ポリイミド、ポリエチレンナ
フタレート等の高分子フィルムでＳ工０２． ＣａＯ、
ポリエチレン球等の微粒子を塗布したものも用いること
ができる０２はＧｏ −Ｎｉ 、 Ｇｏ−Ｆｅ 、 Ｃ
ｏ−０ｒ 、 Ｇｏ−Ｔａ 。
Ｇｏ−人（、Ｇｏ−Ｎｉ−０等の柱状微粒子層２２Ｌ（
７）上層部にタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ
）の偏析層２ｂを有する磁気記録層で、スパッタリング
法、電子ビーム蒸着法等で形成されている。
７）上層部にタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ
）の偏析層２ｂを有する磁気記録層で、スパッタリング
法、電子ビーム蒸着法等で形成されている。
ただし、いわゆるオーバーコートとしてＷ又はＭＯを配
するのではなく、柱状微粒子の一部に含有させる形態で
形成する必要がある。Ｗ又はＭＯは周知のように非磁性
材料であるから、その偏析層の厚みは５ｏ人から１５０
人の範囲が好ましい。
するのではなく、柱状微粒子の一部に含有させる形態で
形成する必要がある。Ｗ又はＭＯは周知のように非磁性
材料であるから、その偏析層の厚みは５ｏ人から１５０
人の範囲が好ましい。
３は硬質炭素膜、ＭｏＳ２膜、 ５ｉｎ２膜、プラズマ
重合膜等の保護膜で、４は脂肪酸、脂肪酸エステル、パ
ーフルオロアルキルスルフォン酸等の潤滑剤層である。
重合膜等の保護膜で、４は脂肪酸、脂肪酸エステル、パ
ーフルオロアルキルスルフォン酸等の潤滑剤層である。
以下更に具体的に本実施例について比較例との対比で説
明する。
明する。
厚み１１μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
ニ直径１００人ノ５１０２微粒子ヲ１ｏ（ｚｌｍ）−２
配した微粒子塗布層を形成して基材フィルムを構成する
。次にこの基材フィルムを、直径６ｏαの円筒キャンに
沿わせて、フィルムの移動方向に、６０ｃＩＩＩのＣｏ
−１ｘ （Ｏｒ ２０．５ ｗｔ％） ２．５ ｃｍ
のＭ。
ニ直径１００人ノ５１０２微粒子ヲ１ｏ（ｚｌｍ）−２
配した微粒子塗布層を形成して基材フィルムを構成する
。次にこの基材フィルムを、直径６ｏαの円筒キャンに
沿わせて、フィルムの移動方向に、６０ｃＩＩＩのＣｏ
−１ｘ （Ｏｒ ２０．５ ｗｔ％） ２．５ ｃｍ
のＭ。
をターゲットとして連続的に配置し、１３．５６（ＭＨ
ｚ）の高周波を用いスパッタリング法によシ、表面にＭ
ｏ層を有するＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を１００ＯＡ形成
した。Ｇｏ −Ｏｒの柱状微粒子は直径が約１００人で
、その上部表面に７０人ＭＯがあるという構成である。
ｚ）の高周波を用いスパッタリング法によシ、表面にＭ
ｏ層を有するＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を１００ＯＡ形成
した。Ｇｏ −Ｏｒの柱状微粒子は直径が約１００人で
、その上部表面に７０人ＭＯがあるという構成である。
尚、比較例は、Ｇｏ −Ｏｒのみで１０００人を垂直磁
化膜として配した。両者共、次にグラファイトをターゲ
ットにしてムｒとＨ２の混合ガスでの放電によるスパッ
タリング法で硬質炭素膜を９０人形成し、更にその上に
パーフルオロステアリン酸を真空蒸着法で６０人潤滑剤
層として配し、８ミリ幅のテープとし、改造した８ミリ
ビデオデツキによシ評価した。なお、このビデオデツキ
の磁気ヘッドはギャップ長０．１６μｍのアモルファス
スパッタ膜とフェライトの複合型のリングヘッドであり
、ビット長ｏ、２４μｍの矩形波を記録し、再生出力と
エラー率を調べた。
化膜として配した。両者共、次にグラファイトをターゲ
ットにしてムｒとＨ２の混合ガスでの放電によるスパッ
タリング法で硬質炭素膜を９０人形成し、更にその上に
パーフルオロステアリン酸を真空蒸着法で６０人潤滑剤
層として配し、８ミリ幅のテープとし、改造した８ミリ
ビデオデツキによシ評価した。なお、このビデオデツキ
の磁気ヘッドはギャップ長０．１６μｍのアモルファス
スパッタ膜とフェライトの複合型のリングヘッドであり
、ビット長ｏ、２４μｍの矩形波を記録し、再生出力と
エラー率を調べた。
実施例は、比較例を０（ｄＢ）とすると初期は−０，３
（ｄＢ）であったが、５０℃、９０チＲＨで０．９％の
Ｈ２Ｓガスを含む環境に４週間放置した後の再生出力は
、実施例が初期値に対して出力の一番低い所で−０，４
（ｄＢ）で、比較例は出力の一番低い所で初期値に対し
て−θ、ｓ （ｄＢ）でめった。
（ｄＢ）であったが、５０℃、９０チＲＨで０．９％の
Ｈ２Ｓガスを含む環境に４週間放置した後の再生出力は
、実施例が初期値に対して出力の一番低い所で−０，４
（ｄＢ）で、比較例は出力の一番低い所で初期値に対し
て−θ、ｓ （ｄＢ）でめった。
夫々のエラー率は、実施例が２．１ Ｘ １０”−５〜
２．９×１０ で初期も保存後も変化しなかったのに対
し、比較例は初期ｉｄ ２．ＯＸ １０−５〜２．８
Ｘ １０−５テあったが保存後１ｊ２．８ ｘ １０”
〜６．２ ｘ １０−’ト変化が太きかった。本実施
例は初期出力値が若干低目であるが、エラー率を含め保
存後の安定性が良好で、実用上は、高い性能を示すこと
から、実施例の方がトータルで判断して優れたものとい
える。
２．９×１０ で初期も保存後も変化しなかったのに対
し、比較例は初期ｉｄ ２．ＯＸ １０−５〜２．８
Ｘ １０−５テあったが保存後１ｊ２．８ ｘ １０”
〜６．２ ｘ １０−’ト変化が太きかった。本実施
例は初期出力値が若干低目であるが、エラー率を含め保
存後の安定性が良好で、実用上は、高い性能を示すこと
から、実施例の方がトータルで判断して優れたものとい
える。
上記した実施例は、斜め蒸着膜についても同じ効果を示
すものである。
すものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、保存特性の改良された高
密度磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果があ
る。
密度磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果があ
る。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・磁気記
録層、３・・・・・・保護膜、４・・・・・潤滑剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一一高うチフィルム ３−像謂牒 ４−−一ン閏２は「斉づ／看
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・磁気記
録層、３・・・・・・保護膜、４・・・・・潤滑剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
一一高うチフィルム ３−像謂牒 ４−−一ン閏２は「斉づ／看
Claims (1)
- 強磁性柱状微粒子層の上部表面にモリブデン又はタング
ステンの偏析層を含有する磁気記録層を有することを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27613187A JPH01118215A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27613187A JPH01118215A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01118215A true JPH01118215A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17565219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27613187A Pending JPH01118215A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01118215A (ja) |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27613187A patent/JPH01118215A/ja active Pending
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