JPH0319125A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0319125A JPH0319125A JP15528489A JP15528489A JPH0319125A JP H0319125 A JPH0319125 A JP H0319125A JP 15528489 A JP15528489 A JP 15528489A JP 15528489 A JP15528489 A JP 15528489A JP H0319125 A JPH0319125 A JP H0319125A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気テープ等に使用して有効な磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録技術の発展はめざましく、記録密度の向
上、とｂわけ装置の小型化，高性能化．多機能化に於け
る進歩は著しく、この傾向は今後も続くことが予測され
、重要な要素である磁気メディアは薄膜磁気記録層．垂
直磁化薄膜の採用に向って改良が進められている。
上、とｂわけ装置の小型化，高性能化．多機能化に於け
る進歩は著しく、この傾向は今後も続くことが予測され
、重要な要素である磁気メディアは薄膜磁気記録層．垂
直磁化薄膜の採用に向って改良が進められている。
垂直磁化薄膜はＣｏ−Ｏｒスパッタ膜に代表され、Ｎｉ
−Ｆ●とＧｏ−Ｃｒのいわゆる積層２層媒体と単磁極ヘ
ッドの組み合わせでは、ｅａｏＫＦＲＰＬの記録再生が
報告され〔アイイーイーイー トランザクションズ オ
ン マグネティクス（ ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ）ｖｏｊ’．ＭＡＧ−
２３．＆５ ，Ｐ．２０７２（１９８７））るに至って
いる一方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ単層膜とリングヘッドの既
存のインターフェース技術によっての高密度化も確認さ
れ〔特開昭６１−７７１ ２８号公報〕実用化への期待
が高まってきている。
−Ｆ●とＧｏ−Ｃｒのいわゆる積層２層媒体と単磁極ヘ
ッドの組み合わせでは、ｅａｏＫＦＲＰＬの記録再生が
報告され〔アイイーイーイー トランザクションズ オ
ン マグネティクス（ ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ）ｖｏｊ’．ＭＡＧ−
２３．＆５ ，Ｐ．２０７２（１９８７））るに至って
いる一方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ単層膜とリングヘッドの既
存のインターフェース技術によっての高密度化も確認さ
れ〔特開昭６１−７７１ ２８号公報〕実用化への期待
が高まってきている。
実用化にあたって今日重要なテーマは耐久性に優れ、記
録性能の良好な磁気ディスク．磁気テープ等の磁気記録
媒体を再現よく高速で製造する技術の確立であるといえ
る。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術〔アイイー
イーイー トランザクシ曹冫ズ オン マグネテイクス
（ ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧ
ＮＥＴＩＣＳ）▼ｏｌ．ＭＡＧ−２ ３ ．Ａ５ ，Ｐ
．２４４９（１９８７））は基板を２００ｔ’以上の高
温に保持したう、チタン下地〔同誌 ＭＡＧ−２０，Ｐ
．６８７（１９８４））やゲルマニウム下地〔同誌 Ｍ
ＡＧ−２１，Ｐ．１ ４２６ （ １ ９８５ ））を
配することで、製膜速度は小さいが特性の良好なスパッ
タリング法〔同誌ＶＯｌ．ＭＡＧ−２３，Ｐ．２４４３
（１９８７））で得ることの出来る膜特性に近づけるべ
く検討が続けられている。
録性能の良好な磁気ディスク．磁気テープ等の磁気記録
媒体を再現よく高速で製造する技術の確立であるといえ
る。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術〔アイイー
イーイー トランザクシ曹冫ズ オン マグネテイクス
（ ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧ
ＮＥＴＩＣＳ）▼ｏｌ．ＭＡＧ−２ ３ ．Ａ５ ，Ｐ
．２４４９（１９８７））は基板を２００ｔ’以上の高
温に保持したう、チタン下地〔同誌 ＭＡＧ−２０，Ｐ
．６８７（１９８４））やゲルマニウム下地〔同誌 Ｍ
ＡＧ−２１，Ｐ．１ ４２６ （ １ ９８５ ））を
配することで、製膜速度は小さいが特性の良好なスパッ
タリング法〔同誌ＶＯｌ．ＭＡＧ−２３，Ｐ．２４４３
（１９８７））で得ることの出来る膜特性に近づけるべ
く検討が続けられている。
発明が解決しようとする課題
しかしながらチタン．Ｇ●等の下地層を配したものは、
耐久性が不十分なことから、オーパコート層．潤滑剤〔
特開昭６１ −１ ２６６２７号公報．特開昭６１ −
１ ３１ ２２４号公報．特開昭６１−１ ３１ ２３
１号公報〕を配した構或で、スベーシング損失が大きく
なシ、磁性層を酸化することで耐久性改善は図れるが〔
特開昭６３−２２８４１２号公報コこの方法でもスペー
シング損失が問題となり、耐久性があってＣ／Ｎの良い
垂直磁気記録媒体を得ることは重要な課題である。本発
明は上記した事情に鑑みなされたもので、保護膜の膜厚
を薄＜ ＬＣ／Ｎを改良し、かつ耐久性を確保した磁気
記録媒体を提供するものである。
耐久性が不十分なことから、オーパコート層．潤滑剤〔
特開昭６１ −１ ２６６２７号公報．特開昭６１ −
１ ３１ ２２４号公報．特開昭６１−１ ３１ ２３
１号公報〕を配した構或で、スベーシング損失が大きく
なシ、磁性層を酸化することで耐久性改善は図れるが〔
特開昭６３−２２８４１２号公報コこの方法でもスペー
シング損失が問題となり、耐久性があってＣ／Ｎの良い
垂直磁気記録媒体を得ることは重要な課題である。本発
明は上記した事情に鑑みなされたもので、保護膜の膜厚
を薄＜ ＬＣ／Ｎを改良し、かつ耐久性を確保した磁気
記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜上に配した保護膜が出発物質が金属含有
炭化水素化合物であるプラズマ重合膜であるよう構威し
たものである。
強磁性金属薄膜上に配した保護膜が出発物質が金属含有
炭化水素化合物であるプラズマ重合膜であるよう構威し
たものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、プラズマ
重合膜の硬さを増し、保護効果が大きくできることで耐
久性が向上することになる。
重合膜の硬さを増し、保護効果が大きくできることで耐
久性が向上することになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
〔実施例１〕
図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で、図で１はポ
リエチレンテレフタレート，ポリフエニレンサルファイ
ド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリアミドイミド．
ポリイミド等の高分子フイノレムで２は微粒子塗布層や
ミミズ状の塗布層で、強磁性金属薄膜に微細な突起や凹
凸を設けて、磁気記録再生系での摺動時の摩擦低減の働
きをするものであるが、場合によってはこの層を設けな
くてもよい。３はＧｏ ， Ｇｏ−Ｎｉ ， Ｃｏ−Ｏ
ｒ ， Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｒｕ ， Ｃｏ −Ｒｕ ，
Ｇｏ−Ｔａ ， Ｃｏ−Ｔｉ ， Ｃｏ −Ｗ ．
Ｃｏ −Ｍｏ ， Ｃｏ −０ ． Ｃｏ−Ｎｉ −０
， Ｃｏ−Ｏｒ −Ｎｂ等の強磁性金属薄膜で、電子
ビーム蒸着法．イオンビームデポジシッン法．スパッタ
リング法等で構戒するもので、必要であれば、Ｔｉ，Ｇ
ｏ，Ｓｉ，Ｃｒ等の下地層やＮｉ−Ｆ●等の軟磁性層を
介して配してもよい。４は金属含有炭化水素系化合物を
出発物質としたプラズマ重合膜で、例えば、Ｐ ｂ （
Ｃ２Ｈ． ）４． Ａｌ （ＣＨ２−ＣＨ− （ＣＨ３
）２） ．Ｃｒ（Ｃ９Ｈ１２）２．（ＣＨ３）４Ｓｎ等
が出発物質として挙げられる。５は潤滑剤で、脂肪酸．
脂肪酸エステル．パーフルオロポリエーテル等公知の材
料或いは特別に合或したものを問わず適正量配した層で
ある。尚本発明は磁気ディスク．磁気テープに応じて、
パックコート層を配するなう、両面アクセス可能にする
なりの選択は当然なされるものである。
リエチレンテレフタレート，ポリフエニレンサルファイ
ド，ポリエーテルエーテルケトン，ポリアミドイミド．
ポリイミド等の高分子フイノレムで２は微粒子塗布層や
ミミズ状の塗布層で、強磁性金属薄膜に微細な突起や凹
凸を設けて、磁気記録再生系での摺動時の摩擦低減の働
きをするものであるが、場合によってはこの層を設けな
くてもよい。３はＧｏ ， Ｇｏ−Ｎｉ ， Ｃｏ−Ｏ
ｒ ， Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｒｕ ， Ｃｏ −Ｒｕ ，
Ｇｏ−Ｔａ ， Ｃｏ−Ｔｉ ， Ｃｏ −Ｗ ．
Ｃｏ −Ｍｏ ， Ｃｏ −０ ． Ｃｏ−Ｎｉ −０
， Ｃｏ−Ｏｒ −Ｎｂ等の強磁性金属薄膜で、電子
ビーム蒸着法．イオンビームデポジシッン法．スパッタ
リング法等で構戒するもので、必要であれば、Ｔｉ，Ｇ
ｏ，Ｓｉ，Ｃｒ等の下地層やＮｉ−Ｆ●等の軟磁性層を
介して配してもよい。４は金属含有炭化水素系化合物を
出発物質としたプラズマ重合膜で、例えば、Ｐ ｂ （
Ｃ２Ｈ． ）４． Ａｌ （ＣＨ２−ＣＨ− （ＣＨ３
）２） ．Ｃｒ（Ｃ９Ｈ１２）２．（ＣＨ３）４Ｓｎ等
が出発物質として挙げられる。５は潤滑剤で、脂肪酸．
脂肪酸エステル．パーフルオロポリエーテル等公知の材
料或いは特別に合或したものを問わず適正量配した層で
ある。尚本発明は磁気ディスク．磁気テープに応じて、
パックコート層を配するなう、両面アクセス可能にする
なりの選択は当然なされるものである。
以下更に具体的に本発明の実施例について比較例との対
比で説明する。
比で説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００人のＳＩＯ２微粒子を１０ケ／（μｍ）２
配し、その上に高周波スパッタリング法で、Ｃ ｏ −
Ｃ ｘ （ Ｃｏ ８ ０ ｗｔ％）垂直磁化膜を０．
２μｍ形威しその上に実施例のプラズマ重合膜を配した
ものと、比較例のプラズマ重合膜を高周波条件２ ０
ＫＨｚ 〜１ ３．６６ ＭＨｚ ， ０．４ ＫＷ
〜２．２ＫＷ，モノマーガス圧０．００５ 〜０．４（
Ｔｏｏｒ）で調整し、配設した上に潤滑剤としてモンテ
ジソン←一社Ｍ１ノ７ オン７” リ：ｙ Ｚ − ２
ｓをｏ．９（１ＩＩｇ／ｉ）配し、パックコート層を
０．６μｍ配し８ミリテープに加工した。夫々のテープ
の条件と特性比較の結果を第１表に１とめて示した。特
性評価は改造したハイパンド８ミリビデオデッキでギャ
ップ長０．１ ４７！ｍの積層合金型ヘッドで記録波長
０．３７μｍトラック幅８μｍで、メチル寿命は、出力
が３（ｄＢ）低下する筐での時間で示し、くυ返し走行
で出力低下が１ （ｄＢ）低下するパス回数を環境を変
えて調べた結果をあわせて示した。但しテープ長は１０
５ｍである。
に直径１００人のＳＩＯ２微粒子を１０ケ／（μｍ）２
配し、その上に高周波スパッタリング法で、Ｃ ｏ −
Ｃ ｘ （ Ｃｏ ８ ０ ｗｔ％）垂直磁化膜を０．
２μｍ形威しその上に実施例のプラズマ重合膜を配した
ものと、比較例のプラズマ重合膜を高周波条件２ ０
ＫＨｚ 〜１ ３．６６ ＭＨｚ ， ０．４ ＫＷ
〜２．２ＫＷ，モノマーガス圧０．００５ 〜０．４（
Ｔｏｏｒ）で調整し、配設した上に潤滑剤としてモンテ
ジソン←一社Ｍ１ノ７ オン７” リ：ｙ Ｚ − ２
ｓをｏ．９（１ＩＩｇ／ｉ）配し、パックコート層を
０．６μｍ配し８ミリテープに加工した。夫々のテープ
の条件と特性比較の結果を第１表に１とめて示した。特
性評価は改造したハイパンド８ミリビデオデッキでギャ
ップ長０．１ ４７！ｍの積層合金型ヘッドで記録波長
０．３７μｍトラック幅８μｍで、メチル寿命は、出力
が３（ｄＢ）低下する筐での時間で示し、くυ返し走行
で出力低下が１ （ｄＢ）低下するパス回数を環境を変
えて調べた結果をあわせて示した。但しテープ長は１０
５ｍである。
第
表
本発明の磁気記録媒体は、プラズマ重合膜が薄くても十
分耐久性があシ、短波長になって問題となるスベーシン
グ損失を抑制できる優れた効果がある。
分耐久性があシ、短波長になって問題となるスベーシン
グ損失を抑制できる優れた効果がある。
〔実施例２〕
課題を解決する別の手段は、強磁性金属薄膜上に配した
保護膜が出発物質が金属含有炭化水素化合物である硬質
炭素膜で構或したものである。
保護膜が出発物質が金属含有炭化水素化合物である硬質
炭素膜で構或したものである。
本発明の磁気記録媒体は、上記した構戒によう、摩擦に
よう生ずる静電気によシ、空気中に含１れる浮遊ふん塵
の影響を極小に釦さえ、高密度記録に必要な磁気ヘッド
の合金材料との複合化によって起るヘッドの摩耗形状の
不均一化による出力Ｆを最小にできるようになう、かつ
強磁性金属薄膜との密着性も良くなる為に保護膜の厚み
を小さくでき、高出力を維持できる。
よう生ずる静電気によシ、空気中に含１れる浮遊ふん塵
の影響を極小に釦さえ、高密度記録に必要な磁気ヘッド
の合金材料との複合化によって起るヘッドの摩耗形状の
不均一化による出力Ｆを最小にできるようになう、かつ
強磁性金属薄膜との密着性も良くなる為に保護膜の厚み
を小さくでき、高出力を維持できる。
本発明の磁気記録媒体は、実施例１と保護膜構或が異な
る以外は同じ群の中から構或材料を選択゜すればよい。
る以外は同じ群の中から構或材料を選択゜すればよい。
保護膜の形成に用いる材料は実施例１と同じ群から選び
、かつ必要に応じ炭化水素．部分フッ素化炭化水素等と
混合した放電ガスを用い、プラズマ密度を高め、或いは
加速するなシの方法で、硬質炭素膜を得る為に従来よう
用いられている方法．条件範囲よシ適宜選択し、膜厚は
６０人から２００人，ヌープ硬度２２００〜３０００（
ＫＰ／一）の範囲で構戒すればよい。
、かつ必要に応じ炭化水素．部分フッ素化炭化水素等と
混合した放電ガスを用い、プラズマ密度を高め、或いは
加速するなシの方法で、硬質炭素膜を得る為に従来よう
用いられている方法．条件範囲よシ適宜選択し、膜厚は
６０人から２００人，ヌープ硬度２２００〜３０００（
ＫＰ／一）の範囲で構戒すればよい。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に、直径２００人のポリエステル球を１２ケ／（μｍ）
配しその上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、４ Ｘ
１ ０−５（Ｔｏｒｒ）の酸素中で、最小入射角４０
度で、Ｃｏ−Ｎｉ（Ｃｏ８０ｗｔ％ ）を０．２μｍ電
子ビーム蒸着し、その上に保護膜を形成した。保護膜形
戒は精密工学会誌１９８９年２月号．頁３００の第１図
に示した装置と同様の装置で、ＤＣ電圧と放電ガス圧．
種類を調整し、金属を含む硬質炭素膜を配することとし
、比較例も同−装置でＡｒとＣＨ４ガスで硬質炭素膜を
形戒して得た。夫々フオンブリンｚ−２６を０．７（Ｉ
Ｐ／Ｆ７／）配し、０．４μｍのパックコート層を配し
８ミリ幅の磁気テープにし、改造したハイパンド８ミリ
ビデオで、積層合金型ヘッドと、センダストスパッタ膜
を用いたＭＩＧヘッドとで、出力低下と、市販の８ミリ
用ＭＰテープ（厚み１０．８μｍ）との互換性（この測
定はキャリア周波数ｓＭＨｚ で行ったものである）を
比較した。互換性は初期のＭＰテープの出力に対する実
施例，比較例テープをくシ返し走行させた後の再生出力
の変化で示した。尚スチル特性は再生出力が初期出力に
対し３（ｄＢ ）低下するまでの時間で比較した。テー
プの条件と特性比較を第２表にまとめて示した。
に、直径２００人のポリエステル球を１２ケ／（μｍ）
配しその上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせて、４ Ｘ
１ ０−５（Ｔｏｒｒ）の酸素中で、最小入射角４０
度で、Ｃｏ−Ｎｉ（Ｃｏ８０ｗｔ％ ）を０．２μｍ電
子ビーム蒸着し、その上に保護膜を形成した。保護膜形
戒は精密工学会誌１９８９年２月号．頁３００の第１図
に示した装置と同様の装置で、ＤＣ電圧と放電ガス圧．
種類を調整し、金属を含む硬質炭素膜を配することとし
、比較例も同−装置でＡｒとＣＨ４ガスで硬質炭素膜を
形戒して得た。夫々フオンブリンｚ−２６を０．７（Ｉ
Ｐ／Ｆ７／）配し、０．４μｍのパックコート層を配し
８ミリ幅の磁気テープにし、改造したハイパンド８ミリ
ビデオで、積層合金型ヘッドと、センダストスパッタ膜
を用いたＭＩＧヘッドとで、出力低下と、市販の８ミリ
用ＭＰテープ（厚み１０．８μｍ）との互換性（この測
定はキャリア周波数ｓＭＨｚ で行ったものである）を
比較した。互換性は初期のＭＰテープの出力に対する実
施例，比較例テープをくシ返し走行させた後の再生出力
の変化で示した。尚スチル特性は再生出力が初期出力に
対し３（ｄＢ ）低下するまでの時間で比較した。テー
プの条件と特性比較を第２表にまとめて示した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、保護膜厚を薄くして短波
長域での損失を改善しても十分な耐久信頼性をうろこと
ができるといったすぐれた効果がある。
長域での損失を改善しても十分な耐久信頼性をうろこと
ができるといったすぐれた効果がある。
図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図である
。 ３・・・・・・強磁性金属薄膜、４・・・・・・保護膜
（金属含有炭化水素系化合物のプラズマ重合膜）。
。 ３・・・・・・強磁性金属薄膜、４・・・・・・保護膜
（金属含有炭化水素系化合物のプラズマ重合膜）。
Claims (2)
- （１）強磁性金属薄膜上に配した保護膜が出発物質が金
属含有炭化水素化合物であるプラズマ重合膜であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - （２）強磁性金属薄膜上に配した保護膜が出発物質が金
属含有炭化水素化合物である硬質炭素膜であることを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15528489A JPH0319125A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15528489A JPH0319125A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319125A true JPH0319125A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15602538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15528489A Pending JPH0319125A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319125A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029936A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体およびその製法 |
| JPS60237640A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62264425A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15528489A patent/JPH0319125A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029936A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体およびその製法 |
| JPS60237640A (ja) * | 1984-05-10 | 1985-11-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62264425A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
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