JPH01176312A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01176312A JPH01176312A JP33453887A JP33453887A JPH01176312A JP H01176312 A JPH01176312 A JP H01176312A JP 33453887 A JP33453887 A JP 33453887A JP 33453887 A JP33453887 A JP 33453887A JP H01176312 A JPH01176312 A JP H01176312A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録再生に適する強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
従来、磁気記録層として広く実用に供されているものは
、γ−Fe20. 、 Go をドープしたγ−Fe
20. 、 CrO□或いは鉄等の強磁性金属又は合金
微小粉末磁性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、
エポキシ樹脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子
フィルム等の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層であ
る。しかしかかる塗布型磁性層の飽和磁束密度は上限に
近すいてきており、厚みも均一に薄くできないことから
、短波長記録再生でのC/Nに限界がみえてきたため、
この限界突破のため、強磁性金属薄膜全磁気記録層とす
る磁気記録媒体の実用化に期待が強まってきている[ア
イイーイーイー トランザクションズ オンマグネティ
クス(IKEE TRANSACTIONS ON
MAGNETICS)、Vo、5.MAG−21,NO
,3,P、P。
、γ−Fe20. 、 Go をドープしたγ−Fe
20. 、 CrO□或いは鉄等の強磁性金属又は合金
微小粉末磁性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、
エポキシ樹脂等の有機バインダ中に分散させて、高分子
フィルム等の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層であ
る。しかしかかる塗布型磁性層の飽和磁束密度は上限に
近すいてきており、厚みも均一に薄くできないことから
、短波長記録再生でのC/Nに限界がみえてきたため、
この限界突破のため、強磁性金属薄膜全磁気記録層とす
る磁気記録媒体の実用化に期待が強まってきている[ア
イイーイーイー トランザクションズ オンマグネティ
クス(IKEE TRANSACTIONS ON
MAGNETICS)、Vo、5.MAG−21,NO
,3,P、P。
1217〜1220(1985)参照]。とりわけ、膜
面に垂直な方向に磁化する、いわゆる垂直磁化膜は原理
的にも短波長域での損失が小さいことがらCo−0r膜
全中心に活発に改良が進められている。一方、短波長域
での損失はスペーシング損失が支配的であジ、耐久性を
改良するために、5in2. Tie 、 SiC、k
120. 、 Au 、 Rh 、 Pd 等の保護
層を配するし特開昭50−104602号公報。
面に垂直な方向に磁化する、いわゆる垂直磁化膜は原理
的にも短波長域での損失が小さいことがらCo−0r膜
全中心に活発に改良が進められている。一方、短波長域
での損失はスペーシング損失が支配的であジ、耐久性を
改良するために、5in2. Tie 、 SiC、k
120. 、 Au 、 Rh 、 Pd 等の保護
層を配するし特開昭50−104602号公報。
特開昭58−130437号公報、特開昭53−405
05号公報、特開昭67−17653T号公報等参照]
ことで出力低下がおこることから、Go−CrにGe
、 Ti等を添加する等材料面からの改良と、製法面か
らの改良[例えば、特開昭62−208413号公報、
同62−214521号公報等参照]でのC/N改善が
続けられている。
05号公報、特開昭67−17653T号公報等参照]
ことで出力低下がおこることから、Go−CrにGe
、 Ti等を添加する等材料面からの改良と、製法面か
らの改良[例えば、特開昭62−208413号公報、
同62−214521号公報等参照]でのC/N改善が
続けられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、耐熱性高分子フィルムを用い十分脱ガス
処理し、Go−Cr 、 Go−Cr −Nb 、 G
o −Cr−Ti 、 Go−Cr−Ge等の垂直磁化
膜をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成して
も、保護膜を20000人配すると、ビット長が0.3
μmをきると、C/Nが一不足してくるといった問題が
あり改善が望まれていた。
処理し、Go−Cr 、 Go−Cr −Nb 、 G
o −Cr−Ti 、 Go−Cr−Ge等の垂直磁化
膜をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成して
も、保護膜を20000人配すると、ビット長が0.3
μmをきると、C/Nが一不足してくるといった問題が
あり改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、短波長域
でC/Hの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
でC/Hの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は、平滑な高分子フィルム上に面積比率で3〜15%の
孔を有するTi 、 Go 、 Crのいずれかの下地
膜を配し、垂直磁化膜を形成してなるものである。
は、平滑な高分子フィルム上に面積比率で3〜15%の
孔を有するTi 、 Go 、 Crのいずれかの下地
膜を配し、垂直磁化膜を形成してなるものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、垂直磁化
膜の結晶配向性が改善された上で、孔部近くに成長した
柱状微粒子により、接触面積が減少し走行耐久性を改善
できるので、スペーシング損失となる保護層の膜厚を薄
くでき、孔部にて付着強度が確保されていることで全体
としての耐久性も確保でき、C/Nと耐久性をバランス
よく改善できるのである。
膜の結晶配向性が改善された上で、孔部近くに成長した
柱状微粒子により、接触面積が減少し走行耐久性を改善
できるので、スペーシング損失となる保護層の膜厚を薄
くでき、孔部にて付着強度が確保されていることで全体
としての耐久性も確保でき、C/Nと耐久性をバランス
よく改善できるのである。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例の磁気記
録媒体について詳しく説明する。
録媒体について詳しく説明する。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。
る。
図中、1は、平均粗さが10人〜3o人、最大粗さも1
00Å以下の極めて平滑な高分子フィルムで、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リイミド等から成るものである。2ば、Ti 、 Ge
、 Crのいずれかの下地膜で、3%から15%の面
積率の孔を有するもので、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法等で300八から500人の範囲の膜を形成後
イオンビームエツチング等で、直径0.4μmから4μ
m程度の孔をあけることで得られるものである。面積比
率で3%以下では保護膜の付着強度が弱まり、15%以
上ではC/N低下がはじまるので、3〜16%の範囲が
好ましい。
00Å以下の極めて平滑な高分子フィルムで、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リイミド等から成るものである。2ば、Ti 、 Ge
、 Crのいずれかの下地膜で、3%から15%の面
積率の孔を有するもので、スパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法等で300八から500人の範囲の膜を形成後
イオンビームエツチング等で、直径0.4μmから4μ
m程度の孔をあけることで得られるものである。面積比
率で3%以下では保護膜の付着強度が弱まり、15%以
上ではC/N低下がはじまるので、3〜16%の範囲が
好ましい。
3はGo−Cr 、 Go −Ti 、 Go −W
、 Co −Mo 、 Go −0、Co −0r−N
b 、 Go −Ni −0、Go −Fe−0等の垂
直磁化膜で、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、電子ビーム蒸着法等で形成する。
、 Co −Mo 、 Go −0、Co −0r−N
b 、 Go −Ni −0、Go −Fe−0等の垂
直磁化膜で、スパッタリング法、イオンブレーティング
法、電子ビーム蒸着法等で形成する。
4は保護潤滑剤層で、プラズマ重合膜、 5in2膜、
硬質炭素薄膜、BN膜等と脂肪酸、脂肪酸アミド、パー
フルオロアルキルスルホン酸等トの組み合わせでスペー
シング損失を考慮し、極力薄く構成しなければならない
。本発明は磁気テープ。
硬質炭素薄膜、BN膜等と脂肪酸、脂肪酸アミド、パー
フルオロアルキルスルホン酸等トの組み合わせでスペー
シング損失を考慮し、極力薄く構成しなければならない
。本発明は磁気テープ。
磁気ディスクいずれの形態にて用いてもよいものである
。
。
以下、更に具体的に本発明の一実施例について、比較例
との対比で詳しく説明する。
との対比で詳しく説明する。
厚み10μmで、平均粗さ20人、最大粗さ70人のポ
リエチレンテレフタレートフィルムを30KeV 、
120μ人/adの電子ビームで2秒間処理してからT
i f高周波スパッタリング法で360人形成した。そ
の後、直径3μmの円形の孔を60に+5’/、100
μ人/cutのArイオンビームでエツチングすること
で形成し、孔の面積が全体の5%となるよう構成した。
リエチレンテレフタレートフィルムを30KeV 、
120μ人/adの電子ビームで2秒間処理してからT
i f高周波スパッタリング法で360人形成した。そ
の後、直径3μmの円形の孔を60に+5’/、100
μ人/cutのArイオンビームでエツチングすること
で形成し、孔の面積が全体の5%となるよう構成した。
その上で、高周波スパッタIJ 7グ法によりGo −
Cr (Co : 79.5 wt%)垂直磁化膜を0
.13μm形成した。その上に、メタンガスをグロー放
電分解し、直流加速することで、ダイアモンド状硬質炭
素薄膜を8o人配し、パーフルオロポリエーテルとして
市販されてるモンテフルオス社製”フオンプリンZ−2
6” を溶液塗布法で60人配し、8ミリ幅の磁気テー
プとした。
Cr (Co : 79.5 wt%)垂直磁化膜を0
.13μm形成した。その上に、メタンガスをグロー放
電分解し、直流加速することで、ダイアモンド状硬質炭
素薄膜を8o人配し、パーフルオロポリエーテルとして
市販されてるモンテフルオス社製”フオンプリンZ−2
6” を溶液塗布法で60人配し、8ミリ幅の磁気テー
プとした。
一方、比較例は、Ti膜に孔をあけずにco −cr垂
直磁化膜を形成し、その上にダイアモンド状硬質炭素薄
膜1200人配し、同じくフオンプリンZ−25を8o
人配し、8ミリ幅の磁気テープとして準備した。
直磁化膜を形成し、その上にダイアモンド状硬質炭素薄
膜1200人配し、同じくフオンプリンZ−25を8o
人配し、8ミリ幅の磁気テープとして準備した。
両者を改造した8ミリビデオによシ比較評価した。ギャ
ップ長o、16μmのメタルインギャップ型のアモルフ
ァスヘッドにより、ピット長0.2μmの矩形波信号を
記録し、帯域1o (MHz)のC/Nとブロックエラ
ーレイトを比較した。初期値は、比較例をO(dB)と
すると、実施例は3.9 (dB)C/Nが良好で、エ
ラーレイトは見から鴇と良好であった。スチル状態での
出力変化は、実施例は−0,7dB/h 、比較例は−
0,6dB/hと大差ないが、走行性は比較例が、40
’080%RHでのLP走行で329aJs目でジッ
ターが発生したのに対し、実施例は156パスでも全く
ジッターの発生がなかった。
ップ長o、16μmのメタルインギャップ型のアモルフ
ァスヘッドにより、ピット長0.2μmの矩形波信号を
記録し、帯域1o (MHz)のC/Nとブロックエラ
ーレイトを比較した。初期値は、比較例をO(dB)と
すると、実施例は3.9 (dB)C/Nが良好で、エ
ラーレイトは見から鴇と良好であった。スチル状態での
出力変化は、実施例は−0,7dB/h 、比較例は−
0,6dB/hと大差ないが、走行性は比較例が、40
’080%RHでのLP走行で329aJs目でジッ
ターが発生したのに対し、実施例は156パスでも全く
ジッターの発生がなかった。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、耐久性とC/Nが共に
改善された垂直磁気記録用の磁気記録媒体が得られるす
ぐれた効果がある。
改善された垂直磁気記録用の磁気記録媒体が得られるす
ぐれた効果がある。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・下地膜
、3・・山・垂直磁化膜。
る。 1・・・・・・高分子フィルム、2・・・・・・下地膜
、3・・山・垂直磁化膜。
Claims (1)
- 平滑な高分子フィルム上にTi、Ge、Crのいずれ
かの下地膜を配し、その上に垂直磁化膜を配し、上記下
地膜を面積比率で3〜15%の孔を有するものとしたこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33453887A JPH01176312A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33453887A JPH01176312A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01176312A true JPH01176312A (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=18278527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33453887A Pending JPH01176312A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01176312A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0373419A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33453887A patent/JPH01176312A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0373419A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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