JPH02101622A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH02101622A JPH02101622A JP25512588A JP25512588A JPH02101622A JP H02101622 A JPH02101622 A JP H02101622A JP 25512588 A JP25512588 A JP 25512588A JP 25512588 A JP25512588 A JP 25512588A JP H02101622 A JPH02101622 A JP H02101622A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関する。
記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
回転磁気ヘッドによるヘリカル走査方式による音声、画
像の記録、再生を行なう技術は、磁気記録の中でも、記
録密度が高くなってきている。そのため、今後更に短波
長化するには、新しい構成の磁気記録媒体が必要で、高
分子フィルム等の非磁性基板上に、Go −Crのスパ
ッタリング法で得られた垂直磁化膜や、Go −Ni−
0の斜め蒸着膜を配した蒸着テープが有望視されている
〔例えば、外国論文誌、IEICICTRANSACT
lONS ONMAGNICTIC3Vol、MAG−
21、No−3,P、P。
像の記録、再生を行なう技術は、磁気記録の中でも、記
録密度が高くなってきている。そのため、今後更に短波
長化するには、新しい構成の磁気記録媒体が必要で、高
分子フィルム等の非磁性基板上に、Go −Crのスパ
ッタリング法で得られた垂直磁化膜や、Go −Ni−
0の斜め蒸着膜を配した蒸着テープが有望視されている
〔例えば、外国論文誌、IEICICTRANSACT
lONS ONMAGNICTIC3Vol、MAG−
21、No−3,P、P。
1217〜1220(1985)参照〕。
第2図は蒸着テープの一例の拡大断面図で、第2図で1
はポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィ
ルムで必要に応じて凹凸を付与するための下塗り層を配
したものも用いられる。2は電子ビーム蒸着法、高周波
スパッタリング法等で形成される0、06μmから0.
3μm程度の強磁性金属薄膜からなる磁気記録層で、3
は保護潤滑層でアモルファスカーボン膜と、フッ素オイ
ルの積層等、数多くの提案がなされているものから適宜
選択して用いることができる。4はバックコート層で、
走行性を助けるためにフィラー、潤滑剤等を含む樹脂か
らなる塗布層である〔特公昭56−23,208号公報
、特開昭58−41418号公報、特開昭61−151
835号公報、特開昭61−187122号公報等参照
〕。
はポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フィ
ルムで必要に応じて凹凸を付与するための下塗り層を配
したものも用いられる。2は電子ビーム蒸着法、高周波
スパッタリング法等で形成される0、06μmから0.
3μm程度の強磁性金属薄膜からなる磁気記録層で、3
は保護潤滑層でアモルファスカーボン膜と、フッ素オイ
ルの積層等、数多くの提案がなされているものから適宜
選択して用いることができる。4はバックコート層で、
走行性を助けるためにフィラー、潤滑剤等を含む樹脂か
らなる塗布層である〔特公昭56−23,208号公報
、特開昭58−41418号公報、特開昭61−151
835号公報、特開昭61−187122号公報等参照
〕。
又、磁気テープは体積記録密度が大きくできることも特
徴であり、長時間記録の手段として、テープの薄型化の
動向も重要であり、その点からみても蒸着テープは、薄
型化に有利で開発が進められているのが現状である。
徴であり、長時間記録の手段として、テープの薄型化の
動向も重要であり、その点からみても蒸着テープは、薄
型化に有利で開発が進められているのが現状である。
確かに磁気記録層が従来の塗布型磁性層に比べて鵠ぐら
いに薄くなるのと、磁気記録層のヤング率が10倍以上
大きいので、全厚を薄くできると考えられるが、広範囲
の温度範囲での実用化を1指した時、バイメタル構造と
なっている不利な面が目立ってくるので、両面に蒸着層
を配したテープ構成も提案されている〔特開昭61−1
10343号公報等参照〕。
いに薄くなるのと、磁気記録層のヤング率が10倍以上
大きいので、全厚を薄くできると考えられるが、広範囲
の温度範囲での実用化を1指した時、バイメタル構造と
なっている不利な面が目立ってくるので、両面に蒸着層
を配したテープ構成も提案されている〔特開昭61−1
10343号公報等参照〕。
第3図は、両面蒸着型の磁気テープの拡大断面図の一例
で、第3図で、6は高分子フィルムで両面にミミズ状の
凹凸を配したポリエチレンテレフタレートフィルム等が
用いられる。6は垂直磁化膜、斜め蒸着層等の強磁性金
属薄膜から成る磁気記録層で、7は両面アクセス型とす
る場合は、強磁性金属薄膜から構成し、片面アクセスの
場合は、SiO、5in2.ムβ、、03. MgF
2等の非磁性薄膜で、反応性蒸着、高周波スパッタリン
グ等の方法で形成されるもので8は保護潤滑膜である。
で、第3図で、6は高分子フィルムで両面にミミズ状の
凹凸を配したポリエチレンテレフタレートフィルム等が
用いられる。6は垂直磁化膜、斜め蒸着層等の強磁性金
属薄膜から成る磁気記録層で、7は両面アクセス型とす
る場合は、強磁性金属薄膜から構成し、片面アクセスの
場合は、SiO、5in2.ムβ、、03. MgF
2等の非磁性薄膜で、反応性蒸着、高周波スパッタリン
グ等の方法で形成されるもので8は保護潤滑膜である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記した構成では、全厚が10μ以下で、
高密度記録再生用途に応用した場合、耐久性が不十分で
特に高画質化の進んだ最近の録画技術の要求からすると
ジッターによる画質劣化が課題であり、改善が望まれて
いた。
高密度記録再生用途に応用した場合、耐久性が不十分で
特に高画質化の進んだ最近の録画技術の要求からすると
ジッターによる画質劣化が課題であり、改善が望まれて
いた。
本発明は、上記した事情に鑑みなされたもので、くり返
し使用でも走行性の安定化が図られジッターによる画質
劣化のない薄型の磁気テープを提供するものである。
し使用でも走行性の安定化が図られジッターによる画質
劣化のない薄型の磁気テープを提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
高分子フィ゛ルムの一方に強磁性金属薄膜とダイヤモン
ド状炭素膜、潤滑層を積層し、もう一方にグラファイト
膜を配するようにしたものである。
高分子フィ゛ルムの一方に強磁性金属薄膜とダイヤモン
ド状炭素膜、潤滑層を積層し、もう一方にグラファイト
膜を配するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、裏面の走
行性が安定しかつ、潤滑剤が両面にほぼ均等に転写で平
衡状態が保たれるようになるので走行性が安定に保たれ
ることになる。特に高速走行、ヘッドとの摺動で、強磁
性金属薄膜側の潤滑剤層は減少するが、絶えず反対側か
ら補給されるので耐久性が確保できるようになる。
行性が安定しかつ、潤滑剤が両面にほぼ均等に転写で平
衡状態が保たれるようになるので走行性が安定に保たれ
ることになる。特に高速走行、ヘッドとの摺動で、強磁
性金属薄膜側の潤滑剤層は減少するが、絶えず反対側か
ら補給されるので耐久性が確保できるようになる。
実施例
以下図面を参照しながら本発明の一実施例について説明
する。第1図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図で、第1図で9は厚み9μ以下のポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
エーテルサルフオン、ポリアミド、ポリイミド等の高分
子フィルムで、10.11は水溶性高分子から成るミミ
ズ状の下塗り層か、Sin、、 、 TiO2,CaC
O3゜ZnO、ポリエチレン球等の微粒子を配した下塗
り層で、12は(jo 、 Go−Or、 Go−0
、Go −Ni 、 Co−Fe 、 Go−Ta
、 Go−Mo、 Co −W。
する。第1図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大
断面図で、第1図で9は厚み9μ以下のポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテ
ルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリ
エーテルサルフオン、ポリアミド、ポリイミド等の高分
子フィルムで、10.11は水溶性高分子から成るミミ
ズ状の下塗り層か、Sin、、 、 TiO2,CaC
O3゜ZnO、ポリエチレン球等の微粒子を配した下塗
り層で、12は(jo 、 Go−Or、 Go−0
、Go −Ni 、 Co−Fe 、 Go−Ta
、 Go−Mo、 Co −W。
Go−Nd 、 Go −0r−Nb 、 Co−Ni
−0等の強磁性金属薄膜で厚みは500人から3000
人の範囲が好ましく、多層構成としてもよく、電子ビー
ム蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法
等により形成することができる。13はダイヤモンド状
の炭素薄膜で、スパッタリング法、イオンビームデポジ
ション法、等公知の方法〔エレクトロニク・セラミクス
1987年9月号。
−0等の強磁性金属薄膜で厚みは500人から3000
人の範囲が好ましく、多層構成としてもよく、電子ビー
ム蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法
等により形成することができる。13はダイヤモンド状
の炭素薄膜で、スパッタリング法、イオンビームデポジ
ション法、等公知の方法〔エレクトロニク・セラミクス
1987年9月号。
46−55頁参照〕で形成した6Q人から200人の薄
膜で、ダイヤモンド薄膜であってもよいが、工業的には
成膜速度が小さいことからダイヤモンド状硬質炭素膜が
適当である。14はカーボンをターケラトにしてスパッ
タリング法で形成したグラファイト薄膜で、1000人
から3000人の範囲が好ましい。
膜で、ダイヤモンド薄膜であってもよいが、工業的には
成膜速度が小さいことからダイヤモンド状硬質炭素膜が
適当である。14はカーボンをターケラトにしてスパッ
タリング法で形成したグラファイト薄膜で、1000人
から3000人の範囲が好ましい。
15は潤滑剤で16ムと15Bに分割され両面に配され
、製造後も、テープ状で利用されることにより転写によ
り平衡状態が保たれているので、脂肪e、脂肪酸エステ
ル、パーフルオロカルボン酸、パーフルオロポリエーテ
ル、等を溶液塗布法、真空蒸着法等で配したものが用い
られる。
、製造後も、テープ状で利用されることにより転写によ
り平衡状態が保たれているので、脂肪e、脂肪酸エステ
ル、パーフルオロカルボン酸、パーフルオロポリエーテ
ル、等を溶液塗布法、真空蒸着法等で配したものが用い
られる。
以下、更に具体的に本発明の一実施例について比較例と
の対比で詳しく説明する。
の対比で詳しく説明する。
実施例−1
厚み8.8μmのポリエチレンテレフタレートフィルム
の一方の面に直径90人のEu2O5微粒子を16−ケ
/(lim)2の密度の下塗り層、もう一方の面に直径
400人の人β205微粒子を3ケ/(4,111)2
配し、Eu2O3微粒子を配した面に直径1mの円筒キ
ャンに沿わせて、最小入射角48度、酸素分圧5x1o
(Torr)でGo −Ni (Go : 80w
t%)を電子ビーム蒸着し、qo−Ni−0膜1400
人を形成し、その上にグラファイトをターゲットにして
Ar −4−H2= O,o 9 (Torr) ム
riH2=1: 2 、13.56 (MB2 ) 9
00 (W)でスパッタリング法によりダイヤモンド状
硬質炭素膜を10o人配し、もう一方の面にCH4ガス
を放電分解し、グラファイト薄膜を1660人配し、ダ
イヤモンド状硬質炭素薄膜側に真空蒸着法でパーフルオ
ロステアリン酸を160人配し、8ミリ幅のテープに加
工した。尚テープは8ミリカセツトに120m巻き込み
、so’C,1Wz−ジンクを行った。
の一方の面に直径90人のEu2O5微粒子を16−ケ
/(lim)2の密度の下塗り層、もう一方の面に直径
400人の人β205微粒子を3ケ/(4,111)2
配し、Eu2O3微粒子を配した面に直径1mの円筒キ
ャンに沿わせて、最小入射角48度、酸素分圧5x1o
(Torr)でGo −Ni (Go : 80w
t%)を電子ビーム蒸着し、qo−Ni−0膜1400
人を形成し、その上にグラファイトをターゲットにして
Ar −4−H2= O,o 9 (Torr) ム
riH2=1: 2 、13.56 (MB2 ) 9
00 (W)でスパッタリング法によりダイヤモンド状
硬質炭素膜を10o人配し、もう一方の面にCH4ガス
を放電分解し、グラファイト薄膜を1660人配し、ダ
イヤモンド状硬質炭素薄膜側に真空蒸着法でパーフルオ
ロステアリン酸を160人配し、8ミリ幅のテープに加
工した。尚テープは8ミリカセツトに120m巻き込み
、so’C,1Wz−ジンクを行った。
実施例−2
実施例−1と同じフィルムに微粒子を配し、lCu2O
3微粒子側に、高周波スパッタリング法により、直径6
ocfnの円筒キャンに沿わせて、C。
3微粒子側に、高周波スパッタリング法により、直径6
ocfnの円筒キャンに沿わせて、C。
−0r(Co: sowt%)垂直磁化膜を14oO人
配し、その上に実施例−1と同様にダイヤモンド状硬質
炭素膜を1oo人配し、もう一方の面にグラファイト薄
膜を1460人配し、潤滑剤としてパーフルオロアラキ
ン酸を180人配し、8ミリ幅のテープにし、実施例−
1と同じ条件でカセットに巻き込みエージングを行った
。
配し、その上に実施例−1と同様にダイヤモンド状硬質
炭素膜を1oo人配し、もう一方の面にグラファイト薄
膜を1460人配し、潤滑剤としてパーフルオロアラキ
ン酸を180人配し、8ミリ幅のテープにし、実施例−
1と同じ条件でカセットに巻き込みエージングを行った
。
比較例−1
実施例−1でGo−Ni−0薄膜を配したのと反対側の
フィルム面にカーボン微粒子とCaCO3を重量比で2
:1、ポリエステル樹脂に対し重量で1:1のバックコ
ートを配した以外は同じ条件で8ミリカセツトテープを
準備した。
フィルム面にカーボン微粒子とCaCO3を重量比で2
:1、ポリエステル樹脂に対し重量で1:1のバックコ
ートを配した以外は同じ条件で8ミリカセツトテープを
準備した。
比較例−2
実施例−2で、グラファイト薄膜の代りに、Bをターゲ
ットにしてOH4ガスを放電ガスとしてo、1(Tor
r) 、 13.56 (MB2) 800 (W)テ
ノスパノタリングによりBC膜を12oO人配した以外
は同じ条件の8ミリカセツトテープを準備した。
ットにしてOH4ガスを放電ガスとしてo、1(Tor
r) 、 13.56 (MB2) 800 (W)テ
ノスパノタリングによりBC膜を12oO人配した以外
は同じ条件の8ミリカセツトテープを準備した。
上記したテープをノ・イバンド仕様に改造した8ミリビ
デオで記録再生をくり返しジッターのレベルが画像目視
で許容レベルをこえるまでのくり返し走行回数を調べた
結果を表にまとめて示した。
デオで記録再生をくり返しジッターのレベルが画像目視
で許容レベルをこえるまでのくり返し走行回数を調べた
結果を表にまとめて示した。
尚走行モードは全長記録し、巻き戻し、再生チエツクを
行い、次に巻き戻すまで3時間放置し巻き戻し再生する
といったくり返しで比較した。
行い、次に巻き戻すまで3時間放置し巻き戻し再生する
といったくり返しで比較した。
(以下余白)
発明の効果
以」二のように本発明によれば、走行性が良好でかつく
り返し耐久性も良好な高密度記録性能に優り、た薄型の
磁気記録媒体が提供できるといったすぐれた効果がある
。
り返し耐久性も良好な高密度記録性能に優り、た薄型の
磁気記録媒体が提供できるといったすぐれた効果がある
。
第1図は本発明の磁気記録媒体の一実施例の拡大断面図
で、第2図、第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図
である。 9・・・・・・高分子フィルム、10.11・・・・・
・下塗り層、12・・・・・・強磁性金属薄膜、13・
・・・・・ダイヤモンド状炭素膜、14・・・・・・グ
ラファイト膜、16ム。 15B・・・・潤滑剤。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名第
1 π 2 図 図 宿 図 9− 高分子フィルム lθ、 rt−・下盗り層 l?−棟磁性−&漠薄遍 13− タイーYモントオ大沃紮涙 t+−’jラフフィト!I笑 tsp、 tsa−5Ty−”I :/¥’+1/6B
で、第2図、第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図
である。 9・・・・・・高分子フィルム、10.11・・・・・
・下塗り層、12・・・・・・強磁性金属薄膜、13・
・・・・・ダイヤモンド状炭素膜、14・・・・・・グ
ラファイト膜、16ム。 15B・・・・潤滑剤。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名第
1 π 2 図 図 宿 図 9− 高分子フィルム lθ、 rt−・下盗り層 l?−棟磁性−&漠薄遍 13− タイーYモントオ大沃紮涙 t+−’jラフフィト!I笑 tsp、 tsa−5Ty−”I :/¥’+1/6B
Claims (1)
- 高分子フィルムの一方の面に強磁性金属薄膜とダイヤモ
ンド状炭素膜、潤滑層を積層し、もう一方の面にグラフ
ァイト膜を配したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25512588A JP2605380B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25512588A JP2605380B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02101622A true JPH02101622A (ja) | 1990-04-13 |
JP2605380B2 JP2605380B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17274436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25512588A Expired - Fee Related JP2605380B2 (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2605380B2 (ja) |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25512588A patent/JP2605380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2605380B2 (ja) | 1997-04-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |