JPS63249931A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS63249931A JPS63249931A JP8502487A JP8502487A JPS63249931A JP S63249931 A JPS63249931 A JP S63249931A JP 8502487 A JP8502487 A JP 8502487A JP 8502487 A JP8502487 A JP 8502487A JP S63249931 A JPS63249931 A JP S63249931A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関する。
記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
回転磁気ヘッドによるヘリカル走査方式による音声1画
像の記録、再生を行々う技術は、磁気記録の中でも、記
録密度が高くなってきている。そのため、今後更に短波
長化するには、新しい構成の磁気記録媒体が必要で、高
分子フィルム等の非磁性基板上に、Go −Orのスパ
ッタリング法で得られた垂直磁化膜や、Go−Ni−0
の斜め蒸着膜2Aノ を配した蒸着テープが有望視されている〔例えば、外国
論文誌、アイイーイーイー トランザクションズ オン
マグネティクス (IEEETRANSACTION
S ON MAC,NETIC8)vol、 MA
G−21、NFL−3、P、P、1217〜1220(
1985) )。
像の記録、再生を行々う技術は、磁気記録の中でも、記
録密度が高くなってきている。そのため、今後更に短波
長化するには、新しい構成の磁気記録媒体が必要で、高
分子フィルム等の非磁性基板上に、Go −Orのスパ
ッタリング法で得られた垂直磁化膜や、Go−Ni−0
の斜め蒸着膜2Aノ を配した蒸着テープが有望視されている〔例えば、外国
論文誌、アイイーイーイー トランザクションズ オン
マグネティクス (IEEETRANSACTION
S ON MAC,NETIC8)vol、 MA
G−21、NFL−3、P、P、1217〜1220(
1985) )。
第2図は蒸着テープの一例の拡大断面図で、第2図で、
1はポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フ
ィルムで必要に応じて凹凸を付与するだめの下塗り層を
配したものも用いられる。
1はポリエチレンテレフタレートフィルム等の高分子フ
ィルムで必要に応じて凹凸を付与するだめの下塗り層を
配したものも用いられる。
2は電子ビーム蒸着法、高周波スパッタリング法等で形
成される0、05μmから0.3μm程度の強磁性金属
薄膜からなる磁気記録層で、3は保護潤滑層でアモルフ
ァスカーボン膜と、フッ素オイルの積層等、数多くの提
案がなされているものから適宜選択して用いることがで
きる。4はバックコート層で、走行性を助けるためにフ
ィラー、潤滑剤等を含む樹脂からなる塗布層である〔特
公昭56−23208号、特開昭58−41418号。
成される0、05μmから0.3μm程度の強磁性金属
薄膜からなる磁気記録層で、3は保護潤滑層でアモルフ
ァスカーボン膜と、フッ素オイルの積層等、数多くの提
案がなされているものから適宜選択して用いることがで
きる。4はバックコート層で、走行性を助けるためにフ
ィラー、潤滑剤等を含む樹脂からなる塗布層である〔特
公昭56−23208号、特開昭58−41418号。
特開昭61−151835号、特開昭61−3 ・−
187122号等の公報〕
又、磁気テープは体積記録密度が大きくできることも特
徴であり、長時間記録の手段として、テープの薄型化の
動向も重要であり、その点からみても蒸着テープは、薄
型化に有利で開発が進められているのが現状である。
徴であり、長時間記録の手段として、テープの薄型化の
動向も重要であり、その点からみても蒸着テープは、薄
型化に有利で開発が進められているのが現状である。
確かに磁気記録層が従来の塗布型磁性層に比べて殉ぐら
いに薄くなるのと、磁気記録層のヤング率が10倍以上
大きいので、全厚を薄くできると考えられるが、広範囲
の温度範囲での実用化を自相した時、バイメタル構造と
なっている不利な面が目立ってくるので、両面に蒸着層
を配したテープ構成も提案されている〔特開昭61−1
10343号公報〕。
いに薄くなるのと、磁気記録層のヤング率が10倍以上
大きいので、全厚を薄くできると考えられるが、広範囲
の温度範囲での実用化を自相した時、バイメタル構造と
なっている不利な面が目立ってくるので、両面に蒸着層
を配したテープ構成も提案されている〔特開昭61−1
10343号公報〕。
第3図は、両面蒸着型の磁気テープの拡大断面図の一例
で、第3図で、5は高分子フィルムで両面にミミズ状の
凹凸を配したポリエチレンテレフタレートフィルム等が
用いられる。6は垂直磁化膜、斜め蒸着膜等の強磁性金
属薄膜から成る磁気記録層で、7は両面アクセス型とす
る場合は、強磁性金属薄膜から構成し、片面アクセスの
場合は、SiO、5in2.177203. MgF2
等の非磁性薄膜で、反応性蒸着、高周波スパッタリング
等の方法で形成されるもので、8は保護潤滑膜である。
で、第3図で、5は高分子フィルムで両面にミミズ状の
凹凸を配したポリエチレンテレフタレートフィルム等が
用いられる。6は垂直磁化膜、斜め蒸着膜等の強磁性金
属薄膜から成る磁気記録層で、7は両面アクセス型とす
る場合は、強磁性金属薄膜から構成し、片面アクセスの
場合は、SiO、5in2.177203. MgF2
等の非磁性薄膜で、反応性蒸着、高周波スパッタリング
等の方法で形成されるもので、8は保護潤滑膜である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、両面蒸着型の磁気テープは、カール状態
の温度依存性が小さくなるのは確かであるが、短波長記
録を回転磁気ヘッドを用いて行う時、良好なエンベロー
プが得にくいのと、保存特性をみた時カール変化は小さ
いものの、エラー率が場所により大きいところができ、
信頼性が著しく低下す′る′といった問題があり、改善
が望1れていた。本発明は上記した事情に鑑みなされた
もので、テープ全厚を小さクシ、高記録密度化対応によ
り体積記録密度を高めた磁気記録媒体を提供するもので
ある。
の温度依存性が小さくなるのは確かであるが、短波長記
録を回転磁気ヘッドを用いて行う時、良好なエンベロー
プが得にくいのと、保存特性をみた時カール変化は小さ
いものの、エラー率が場所により大きいところができ、
信頼性が著しく低下す′る′といった問題があり、改善
が望1れていた。本発明は上記した事情に鑑みなされた
もので、テープ全厚を小さクシ、高記録密度化対応によ
り体積記録密度を高めた磁気記録媒体を提供するもので
ある。
問題点を解決するだめの手段
上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は高分子フィルムの一方に部分酸化強磁性金属薄膜から
成る磁気記録層を配し、他の面は5へ 部分酸化非磁性薄膜で被覆されているようにしたもので
ある。
は高分子フィルムの一方に部分酸化強磁性金属薄膜から
成る磁気記録層を配し、他の面は5へ 部分酸化非磁性薄膜で被覆されているようにしたもので
ある。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、全厚が
薄くなっても、部分酸化膜の剛性による補強効果が大き
く、回転磁気ヘッドでの高密度磁気記録の時に重要な要
素のひとつである、端部の位置規制に対しての不安定性
がなくなり、狭トラツク化が可能となり、且つ、エンベ
ロープも良好に々ると共に、保存特性面でも、異種金属
の接触と米の間で構成される電池作用での腐食進行によ
る、エラー率の増大が部分的に誘起されるといった不具
合が、電位的に均一化されるため防止でき、信頼性も向
上することになる。
薄くなっても、部分酸化膜の剛性による補強効果が大き
く、回転磁気ヘッドでの高密度磁気記録の時に重要な要
素のひとつである、端部の位置規制に対しての不安定性
がなくなり、狭トラツク化が可能となり、且つ、エンベ
ロープも良好に々ると共に、保存特性面でも、異種金属
の接触と米の間で構成される電池作用での腐食進行によ
る、エラー率の増大が部分的に誘起されるといった不具
合が、電位的に均一化されるため防止でき、信頼性も向
上することになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。第1図は本発明の磁気記録媒体の断面図である。
する。第1図は本発明の磁気記録媒体の断面図である。
第1図で、9は厚みが3μから10μのポリエチレンテ
レフタレート、ポリフェニレンサルファ6 へ−。
レフタレート、ポリフェニレンサルファ6 へ−。
イド、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフ
ォン等の高分子フィルム、10.11は下塗り層で、S
iO、kl OBaC0CaSO4゜2 23’
3瞥 TlO2,Fe3O4等の無機微粒子、ポリエーテルサ
ルフォン、ホリエチレン、ポリエステル、メチルメタア
クリレート等の有機微粒子を、水溶性高分子、ポリエス
テル、エポキシ等の樹脂中に分散固定したもので、形状
は粒状、ミミズ状1両者の複合等から適宜選択され、粗
さも、一般に1oの方が11より小さくなるよう設計さ
れる。12はGo 、 Go−Ni 、 Go−Fe
、 Fe−Ag 、 Go−Cr 、 Go−Hf 。
ォン等の高分子フィルム、10.11は下塗り層で、S
iO、kl OBaC0CaSO4゜2 23’
3瞥 TlO2,Fe3O4等の無機微粒子、ポリエーテルサ
ルフォン、ホリエチレン、ポリエステル、メチルメタア
クリレート等の有機微粒子を、水溶性高分子、ポリエス
テル、エポキシ等の樹脂中に分散固定したもので、形状
は粒状、ミミズ状1両者の複合等から適宜選択され、粗
さも、一般に1oの方が11より小さくなるよう設計さ
れる。12はGo 、 Go−Ni 、 Go−Fe
、 Fe−Ag 、 Go−Cr 、 Go−Hf 。
Go−Mo 、 Go−Nb 、 Go −Os 、
Go −P 、 Go−Ru 。
Go −P 、 Go−Ru 。
Go−8i 、 Go−Ti 、 Go−Ta 、 G
o −V 、 Go −W 、Go−Zr。
o −V 、 Go −W 、Go−Zr。
Go−Ni−Cr 、 Go−Ni−P等の部分酸化さ
れた強磁性金属薄膜で酸素を導入しながらの電子ビーム
蒸着法、スパッタリング法等で形成される。
れた強磁性金属薄膜で酸素を導入しながらの電子ビーム
蒸着法、スパッタリング法等で形成される。
13は部分酸化非磁性薄膜で、Or 、 Ti 、 S
i 。
i 。
Ta、A7!、V、W等を酸素中で電子ビーム蒸着する
か、スパッタリング蒸着するかにより形成される。
か、スパッタリング蒸着するかにより形成される。
14、i5は所定のテープ幅に加工した後、パン7ヘ
ケーキ状態で、Or 、 Ti 、 Si 、 Mo
、 Ta 、 kl 、 V 。
、 Ta 、 kl 、 V 。
W、Ga等を酸素を導入しながら高周波マグネトロンス
パッタ等で形成した非磁性の部分酸化膜である。16.
17は、潤滑剤で、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エス
テル、脂肪族アルコール、弗素化合物等の湿式塗膜形成
法か、真空蒸着法等で付与されるもので、必要であれば
、プラズマ重合膜や、MO82スパッタ膜や、ダイアモ
ンド状硬質炭素膜等と積層化してもよい。
パッタ等で形成した非磁性の部分酸化膜である。16.
17は、潤滑剤で、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エス
テル、脂肪族アルコール、弗素化合物等の湿式塗膜形成
法か、真空蒸着法等で付与されるもので、必要であれば
、プラズマ重合膜や、MO82スパッタ膜や、ダイアモ
ンド状硬質炭素膜等と積層化してもよい。
以下、更に具体的に比較例との対比で実施例について説
明する。
明する。
厚み6.3μmのポリエチレンナフタレートフィルムの
一方の面にブタジェンゴムを主体とした、最大粗さ36
0人のミミズ状の下塗り層を配したフィルムを用い、ミ
ミズ状下塗り層のない側に直径100人の8102微粒
子を20ケ/μm2.ポリエステル樹脂で固定した下塗
り層を配し、この面に、直径1mの円筒キャンに沿わせ
てフィルムを巻取りながら、最小入射角45度で、5.
4X10−5Torr t7)酸素中でGo−Ni (
Ni : 20wt%)を電子ビーム蒸着し、部分酸化
されたGo−Ni膜を0.1μm形成した。次に反対側
の面に、高周波マグネトロンスパッタ法で、1.6 X
10−’ Torrの酸素中でCrrをスパッタ蒸着
し、Orの部分酸化膜を0.09μm形成した。これま
では、フィルムの幅は5oC7rLで加工したが、それ
を8ミリ幅にスリットし、パンケーキ状態にして、側面
に、夫々、Crを上記した条件で部分酸化膜として0.
08μm配した。
一方の面にブタジェンゴムを主体とした、最大粗さ36
0人のミミズ状の下塗り層を配したフィルムを用い、ミ
ミズ状下塗り層のない側に直径100人の8102微粒
子を20ケ/μm2.ポリエステル樹脂で固定した下塗
り層を配し、この面に、直径1mの円筒キャンに沿わせ
てフィルムを巻取りながら、最小入射角45度で、5.
4X10−5Torr t7)酸素中でGo−Ni (
Ni : 20wt%)を電子ビーム蒸着し、部分酸化
されたGo−Ni膜を0.1μm形成した。次に反対側
の面に、高周波マグネトロンスパッタ法で、1.6 X
10−’ Torrの酸素中でCrrをスパッタ蒸着
し、Orの部分酸化膜を0.09μm形成した。これま
では、フィルムの幅は5oC7rLで加工したが、それ
を8ミリ幅にスリットし、パンケーキ状態にして、側面
に、夫々、Crを上記した条件で部分酸化膜として0.
08μm配した。
比較例は、側面にOrを配さないものを用いた。
実施例と比較例はいずれも、両面に、パーフロロオクタ
ン酸を約40人配して比較した。両者のテープを、8ミ
リビデオ(松下電器製VX−S○1)を改造して、8ミ
リ仕様のPAL方式のLPモードで比較した。
ン酸を約40人配して比較した。両者のテープを、8ミ
リビデオ(松下電器製VX−S○1)を改造して、8ミ
リ仕様のPAL方式のLPモードで比較した。
輝度信号のS/Nを初期をOdBとして比較すると同時
にPGM信号のエラー率を比較した。
にPGM信号のエラー率を比較した。
40℃80%RHでのくり返し記録再生では、100回
目の記録再生では、実施例がS、/Nで+0.8dB、
比較例が−2,4dB、POMエラー9へ− 率は実施例が初期と同じで2〜3X10−5.比較例は
初期の約10倍で3〜4×10−4 であった。
目の記録再生では、実施例がS、/Nで+0.8dB、
比較例が−2,4dB、POMエラー9へ− 率は実施例が初期と同じで2〜3X10−5.比較例は
初期の約10倍で3〜4×10−4 であった。
又、60℃85%RHに3週間保存後のエラー率は、実
施例が1.7〜3.4 X 10−5で、比較例は3×
10−4〜2X10”−2とバラツキが大きくなってい
た。
施例が1.7〜3.4 X 10−5で、比較例は3×
10−4〜2X10”−2とバラツキが大きくなってい
た。
発明の効果
以上のように本発明によれば、テープ全厚を小さくして
体積記録密度の向上を図る時、くり返し使用でも再生S
/N、PGMエラー率の低下もないし、保存後もPGM
エラー率が安定しているといった、信頼性のある高密度
磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
体積記録密度の向上を図る時、くり返し使用でも再生S
/N、PGMエラー率の低下もないし、保存後もPGM
エラー率が安定しているといった、信頼性のある高密度
磁気記録媒体が得られるといったすぐれた効果がある。
第1図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、第2図お
よび第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。 9・・・・・・高分子フィルム、12・・・・・・部分
酸化強磁性金属薄膜、13,14.15・・・・・・部
分酸化非磁性薄膜。
よび第3図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。 9・・・・・・高分子フィルム、12・・・・・・部分
酸化強磁性金属薄膜、13,14.15・・・・・・部
分酸化非磁性薄膜。
Claims (1)
- 高分子フィルムの一方に部分酸化強磁性金属薄膜から成
る磁気記録層を配し、他の面は部分酸化非磁性薄膜で被
覆されていることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8502487A JPS63249931A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8502487A JPS63249931A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63249931A true JPS63249931A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13847155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8502487A Pending JPS63249931A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63249931A (ja) |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP8502487A patent/JPS63249931A/ja active Pending
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