JPH0518180B2 - - Google Patents
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- JPH0518180B2 JPH0518180B2 JP23262684A JP23262684A JPH0518180B2 JP H0518180 B2 JPH0518180 B2 JP H0518180B2 JP 23262684 A JP23262684 A JP 23262684A JP 23262684 A JP23262684 A JP 23262684A JP H0518180 B2 JPH0518180 B2 JP H0518180B2
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- -1 InO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020634 Co Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020646 Co-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020709 Co—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020521 Co—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に利用される金属薄
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。 従来例の構成とその問題点 回転磁気ヘツドによるヘリカル走査方式による
音声、画像の記録再生を行う技術は磁気記録の中
でも最も高密度記録化が進んでいる。しかし現状
のCoをドープしたγ−Fe2O3微粒子を結合剤で固
定した、いわゆる塗布型磁気記録媒体とフエライ
トヘツドの組み合わせでは、記録密度の向上は限
界にきている。従つて更に記録密度を高めていく
には新しい磁気記録媒体と磁気ヘツドの組み合わ
せが必要で、いずれも合金系の材料の開発が進め
られている。 現状で実用水準にあるのは、電子ビーム蒸着法
を基礎にした巻取り蒸着技術である。但し、現在
は、ポリエステルフイルムの一方の面にのみ、磁
気記録層を形成したものが実用化されているだけ
で、両面に磁気記録層を配したものは着想の段階
で止つているのが実状である。 磁気記録層を両面に配した構成は、容易に類推
できるように、記録容量を２倍にできる利点の他
に、蒸着法により形成された薄膜の内部応力によ
る、媒体の変形、いわゆるカツピングが原理的に
防止できるものと期待されているが、実際にかか
る構成の媒体を長尺に於て実現することは出来て
いない。 勿論、両面共に磁気記録層でなくても、一方を
カツピングの解消目的のみに別材料で構成しても
いい訳であるが、厚み制御、材質の制御等公知の
パラメータ制御では、長手に均一にかかる構成で
カツピングの無い媒体を得るには改良が必要であ
る。 発明の目的 本発明は上記した事情に鑑みなされたものであ
つて、長尺の媒体をカツピングなしに安定に得る
ことのできる製造方法を提供するものである。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、高分子フ
イルムの一方の面に曲率半径Ｒの状態で磁気記録
層を蒸着し、もう一方の面に1/5Ｒ以下の曲率状
態で薄膜を蒸着形成することを特徴とし、カツピ
ングのない長尺の媒体を制御して製造できるもの
である。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。 第１図は、磁気記録媒体の製造方法を実施する
ための装置の一例である。 第１図で１は第１円筒状キヤン（直径2R）、２
は第２円筒状キヤン（直径、2/5Ｒ以下）、３は高
分子基板４は巻出し軸５は巻取り軸、６は第１蒸
発源、７は第２蒸発源、８は第１マスク、９は第
１スリツト、１０は第２マスク、１１は第２スリ
ツト、１２，１３，１４は真空排気系、１５は真
空槽、１６は第１真空室、１７は第２真空室、１
８は第３真空室、１９はフリーローラである。 第２図は本発明の製造方法により得られる磁気
記録媒体の拡大断面図である。第２図に於て、２
０は高分子基板、２１は磁気記録層、２２は保護
層、２３は裏打ち蒸着層、２４は保護層である。 第２図のような磁気記録媒体を得るには、第１
図に示されたような装置により本発明の製造方法
を実施すればよい。 第１蒸発源による蒸着は、磁気記録層の形成に
限定されるのであるが、第２蒸発源による蒸着は
磁気記録層の形成であつてもよいし、他の薄膜層
の形成のいずれでもよい。 高分子基板３は、巻出し軸４から巻取り軸５へ
移動する間に、先ず、第１蒸発源により磁気記録
層を形成する。ここでは斜方蒸着又は垂直蒸着の
選択により、磁化容易軸の異なる磁気記録層を得
ることができる。 材料としては、Co−Ni、Co−Cr、Co−Ti、
Co−Mo、Co−Ｖ、Co−Ｗ、Co−Mg、Co−Zn、
Co−Ｐ、Co−Sn等及び、それらの部分酸化物、
部分窒化物等が用いられる。 ここでは磁気記録層は、高分子基板に近い側が
圧縮、蒸着終了側が引張り応力を受ける状態で形
成され、薄膜形成後薄膜を内側にしてカールした
状態になる。 次に、高分子基板の反対側に、裏打ち蒸着層を
形成するのであるが、これは、第１蒸発源と同様
に磁気記録層の形成にするか、SiO、TiO2、
SnO2、InO3、In2O3−Sb2O3、MgO、MoO、
CoO、CO3O4等の酸化膜、TiN、AlN等の窒化
膜、Au、Ag、Zr等の金属にするかは適宜選べば
よい。 ここで、第１円筒状キヤン１の曲率をＲとした
時第２円筒キヤン２を1/5Ｒ以下の曲率で構成し、
磁気記録層に対し、磁気記録層形成時と反対の応
力をかけることで、裏打ち蒸着層形成時、磁気記
録層の内部応力を補償できるため、長尺の媒体で
カツピングの無い状態を実現できるようになる。 1/5Ｒ以下にすることの意義は、裏打ち蒸着層
形成時に受ける熱が裏打ち蒸着層の材料薄膜厚み
等により異なるためで、2/5Ｒから1/5Ｒの間は不
安定領域となるが、1/5Ｒ以下であれば磁気記録
層形成時に受けた圧力を完全に消せるからであ
る。 勿論、1/5Ｒでの応力分は、最終残るが、これ
は、エージング等の通常の手段で除けるし、材料
の選択で裏打ち蒸着層自身の内部応力を小さくで
きる材料を選ぶこともできるので、長尺の磁気記
録媒体のカツピングの均一性の確保は実用上十分
なものとすることができるのである。 本発明の製造方法は、真空蒸着に限らず、スパ
ツタリング法、イオンプレーテイング法でもよ
く、高分子基板として、ポリエステルにとどまら
ずポリアミド、ポリプロピレン、ポリイミド等を
用いて十分効果のあるものであるし、スリツトし
てテープ状にて用いる時だけでなく、円盤状に加
工して磁気デイスクとして用いても、平坦性が良
好なことは利点となることは勿論である。 以下さらに具体的な一実施例について説明す
る。 （実施例） 高分子基板として厚み14μｍのポリエチレンテ
レフタレート3500ｍを準備した。 磁気記録層はCo−Cr垂直磁化膜で、第１円筒
状キヤンの表面温度は85℃一定とした。垂直磁化
膜はCr22wt％で、Co−Cr膜厚0.16（μｍ）、垂直
抗磁力710（Oe）である。裏打ち蒸着膜は、キヤ
ン表面温度62℃で形成した。８mm幅にスリツトし
たテープのカツピング状態を調べて、最大値と最
小値を調べた。カツピング量は第３図のような時
の高さｈ〔μｍ〕をもつて定義した。磁気記録媒
体２５の変位ｈがは磁気記録層側からみて凸、
は凹面になつた時である。 エージングの条件は、裏打ち蒸着層を内側にし
て巻き上げた状態（巻芯の径は155cm一定）で47
℃12時間である。 条件とカツピングの測定結果を次表にまとめて
示した。
膜型の磁気記録媒体の製造方法に関する。 従来例の構成とその問題点 回転磁気ヘツドによるヘリカル走査方式による
音声、画像の記録再生を行う技術は磁気記録の中
でも最も高密度記録化が進んでいる。しかし現状
のCoをドープしたγ−Fe2O3微粒子を結合剤で固
定した、いわゆる塗布型磁気記録媒体とフエライ
トヘツドの組み合わせでは、記録密度の向上は限
界にきている。従つて更に記録密度を高めていく
には新しい磁気記録媒体と磁気ヘツドの組み合わ
せが必要で、いずれも合金系の材料の開発が進め
られている。 現状で実用水準にあるのは、電子ビーム蒸着法
を基礎にした巻取り蒸着技術である。但し、現在
は、ポリエステルフイルムの一方の面にのみ、磁
気記録層を形成したものが実用化されているだけ
で、両面に磁気記録層を配したものは着想の段階
で止つているのが実状である。 磁気記録層を両面に配した構成は、容易に類推
できるように、記録容量を２倍にできる利点の他
に、蒸着法により形成された薄膜の内部応力によ
る、媒体の変形、いわゆるカツピングが原理的に
防止できるものと期待されているが、実際にかか
る構成の媒体を長尺に於て実現することは出来て
いない。 勿論、両面共に磁気記録層でなくても、一方を
カツピングの解消目的のみに別材料で構成しても
いい訳であるが、厚み制御、材質の制御等公知の
パラメータ制御では、長手に均一にかかる構成で
カツピングの無い媒体を得るには改良が必要であ
る。 発明の目的 本発明は上記した事情に鑑みなされたものであ
つて、長尺の媒体をカツピングなしに安定に得る
ことのできる製造方法を提供するものである。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、高分子フ
イルムの一方の面に曲率半径Ｒの状態で磁気記録
層を蒸着し、もう一方の面に1/5Ｒ以下の曲率状
態で薄膜を蒸着形成することを特徴とし、カツピ
ングのない長尺の媒体を制御して製造できるもの
である。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。 第１図は、磁気記録媒体の製造方法を実施する
ための装置の一例である。 第１図で１は第１円筒状キヤン（直径2R）、２
は第２円筒状キヤン（直径、2/5Ｒ以下）、３は高
分子基板４は巻出し軸５は巻取り軸、６は第１蒸
発源、７は第２蒸発源、８は第１マスク、９は第
１スリツト、１０は第２マスク、１１は第２スリ
ツト、１２，１３，１４は真空排気系、１５は真
空槽、１６は第１真空室、１７は第２真空室、１
８は第３真空室、１９はフリーローラである。 第２図は本発明の製造方法により得られる磁気
記録媒体の拡大断面図である。第２図に於て、２
０は高分子基板、２１は磁気記録層、２２は保護
層、２３は裏打ち蒸着層、２４は保護層である。 第２図のような磁気記録媒体を得るには、第１
図に示されたような装置により本発明の製造方法
を実施すればよい。 第１蒸発源による蒸着は、磁気記録層の形成に
限定されるのであるが、第２蒸発源による蒸着は
磁気記録層の形成であつてもよいし、他の薄膜層
の形成のいずれでもよい。 高分子基板３は、巻出し軸４から巻取り軸５へ
移動する間に、先ず、第１蒸発源により磁気記録
層を形成する。ここでは斜方蒸着又は垂直蒸着の
選択により、磁化容易軸の異なる磁気記録層を得
ることができる。 材料としては、Co−Ni、Co−Cr、Co−Ti、
Co−Mo、Co−Ｖ、Co−Ｗ、Co−Mg、Co−Zn、
Co−Ｐ、Co−Sn等及び、それらの部分酸化物、
部分窒化物等が用いられる。 ここでは磁気記録層は、高分子基板に近い側が
圧縮、蒸着終了側が引張り応力を受ける状態で形
成され、薄膜形成後薄膜を内側にしてカールした
状態になる。 次に、高分子基板の反対側に、裏打ち蒸着層を
形成するのであるが、これは、第１蒸発源と同様
に磁気記録層の形成にするか、SiO、TiO2、
SnO2、InO3、In2O3−Sb2O3、MgO、MoO、
CoO、CO3O4等の酸化膜、TiN、AlN等の窒化
膜、Au、Ag、Zr等の金属にするかは適宜選べば
よい。 ここで、第１円筒状キヤン１の曲率をＲとした
時第２円筒キヤン２を1/5Ｒ以下の曲率で構成し、
磁気記録層に対し、磁気記録層形成時と反対の応
力をかけることで、裏打ち蒸着層形成時、磁気記
録層の内部応力を補償できるため、長尺の媒体で
カツピングの無い状態を実現できるようになる。 1/5Ｒ以下にすることの意義は、裏打ち蒸着層
形成時に受ける熱が裏打ち蒸着層の材料薄膜厚み
等により異なるためで、2/5Ｒから1/5Ｒの間は不
安定領域となるが、1/5Ｒ以下であれば磁気記録
層形成時に受けた圧力を完全に消せるからであ
る。 勿論、1/5Ｒでの応力分は、最終残るが、これ
は、エージング等の通常の手段で除けるし、材料
の選択で裏打ち蒸着層自身の内部応力を小さくで
きる材料を選ぶこともできるので、長尺の磁気記
録媒体のカツピングの均一性の確保は実用上十分
なものとすることができるのである。 本発明の製造方法は、真空蒸着に限らず、スパ
ツタリング法、イオンプレーテイング法でもよ
く、高分子基板として、ポリエステルにとどまら
ずポリアミド、ポリプロピレン、ポリイミド等を
用いて十分効果のあるものであるし、スリツトし
てテープ状にて用いる時だけでなく、円盤状に加
工して磁気デイスクとして用いても、平坦性が良
好なことは利点となることは勿論である。 以下さらに具体的な一実施例について説明す
る。 （実施例） 高分子基板として厚み14μｍのポリエチレンテ
レフタレート3500ｍを準備した。 磁気記録層はCo−Cr垂直磁化膜で、第１円筒
状キヤンの表面温度は85℃一定とした。垂直磁化
膜はCr22wt％で、Co−Cr膜厚0.16（μｍ）、垂直
抗磁力710（Oe）である。裏打ち蒸着膜は、キヤ
ン表面温度62℃で形成した。８mm幅にスリツトし
たテープのカツピング状態を調べて、最大値と最
小値を調べた。カツピング量は第３図のような時
の高さｈ〔μｍ〕をもつて定義した。磁気記録媒
体２５の変位ｈがは磁気記録層側からみて凸、
は凹面になつた時である。 エージングの条件は、裏打ち蒸着層を内側にし
て巻き上げた状態（巻芯の径は155cm一定）で47
℃12時間である。 条件とカツピングの測定結果を次表にまとめて
示した。
【表】
上表より明らかに本発明品は、カツピングの均
一性が格別良好であることがわかる。又、エージ
ングの有無に関係なく良好であることがわかる。
一方、比較例では、エージングの無い場合（３例
とも最大値は750μｍ）より良好であるものの、
長手方向で実用にならない部分が、比率として27
％〜41％あり、歩留りが悪い。 本発明では、さらに長さを6000ｍの長さにして
実施しても、殆んど、最大最小値は変らないこと
を確認すると共に、他の材料系でも確認した。 発明の効果 以上のように、本発明の製造方法は、両面蒸着
時の円筒状キヤンの曲率の関係を制御すること
で、磁気記録媒体のカツピング状態を長尺で均一
にすることができるものでその実用性は大きい。
一性が格別良好であることがわかる。又、エージ
ングの有無に関係なく良好であることがわかる。
一方、比較例では、エージングの無い場合（３例
とも最大値は750μｍ）より良好であるものの、
長手方向で実用にならない部分が、比率として27
％〜41％あり、歩留りが悪い。 本発明では、さらに長さを6000ｍの長さにして
実施しても、殆んど、最大最小値は変らないこと
を確認すると共に、他の材料系でも確認した。 発明の効果 以上のように、本発明の製造方法は、両面蒸着
時の円筒状キヤンの曲率の関係を制御すること
で、磁気記録媒体のカツピング状態を長尺で均一
にすることができるものでその実用性は大きい。
第１図は本発明の実施に用いた蒸着装置の一例
の要部構成図、第２図は本発明により得られる磁
気記録媒体の一例の拡大断面図、第３図は磁気記
録媒体のカツピング状態図である。 １……第１円筒状キヤン（曲率Ｒ）、２……第
２円筒状キヤン（曲率0.2R以下）、３……高分子
基板、６……第１蒸発源、７……第２蒸発源。
の要部構成図、第２図は本発明により得られる磁
気記録媒体の一例の拡大断面図、第３図は磁気記
録媒体のカツピング状態図である。 １……第１円筒状キヤン（曲率Ｒ）、２……第
２円筒状キヤン（曲率0.2R以下）、３……高分子
基板、６……第１蒸発源、７……第２蒸発源。
Claims (1)
- １ 高分子フイルムの一方の面に曲率半径Ｒの状
態で磁気記録層を蒸着し、もう一方の面に1/5Ｒ
以下の曲率状態で薄膜を蒸着形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23262684A JPS61110343A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23262684A JPS61110343A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110343A JPS61110343A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0518180B2 true JPH0518180B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16942267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23262684A Granted JPS61110343A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110343A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JP2843236B2 (ja) * | 1992-09-17 | 1999-01-06 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| DE4310085A1 (de) * | 1993-03-27 | 1994-09-29 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Mustern auf Substraten |
| JP2843252B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-01-06 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| JP2002363733A (ja) | 2001-06-04 | 2002-12-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜の形成方法 |
| DE102007009615A1 (de) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Leybold Optics Gmbh | Anlage und Verfahren zur Vakuumbehandlung von bandförmigen Substraten |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23262684A patent/JPS61110343A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61110343A (ja) | 1986-05-28 |
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