JPS61110343A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61110343A JPS61110343A JP23262684A JP23262684A JPS61110343A JP S61110343 A JPS61110343 A JP S61110343A JP 23262684 A JP23262684 A JP 23262684A JP 23262684 A JP23262684 A JP 23262684A JP S61110343 A JPS61110343 A JP S61110343A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
- vapor
- recording medium
- curvature
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に利用される金属薄膜型の磁
気記録媒体の製造方法に関する。
気記録媒体の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
回転磁気ヘッドによるヘリカル走査方式による音声９画
像の記録再生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度
記録化が進んでいる。しかし現状のＧｏをドープした１
−Ｆｅ２Ｏ３微粒子を結合剤で固定した、いわゆる塗布
型磁気記録媒体とフェライトヘッドの組み合わせでは、
記録密度の向上は限界にきている。従って更に記録密度
を高めていくには新しい磁気記録媒体と磁気ヘッドの組
み合わせが必要で、いずれも合金系の材料の開発が進め
られている。
像の記録再生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度
記録化が進んでいる。しかし現状のＧｏをドープした１
−Ｆｅ２Ｏ３微粒子を結合剤で固定した、いわゆる塗布
型磁気記録媒体とフェライトヘッドの組み合わせでは、
記録密度の向上は限界にきている。従って更に記録密度
を高めていくには新しい磁気記録媒体と磁気ヘッドの組
み合わせが必要で、いずれも合金系の材料の開発が進め
られている。
現状で実用水準にあるのは、電子ビーム蒸着法を基礎に
した巻取り蒸着技術である。但し、現在は、ポリエステ
ルフィルムの一方の面にのみ磁気記録層を形成したもの
が実用化されているだけで、両面に磁気記録層を配した
ものは着想の段階で止っているのが実状である。
した巻取り蒸着技術である。但し、現在は、ポリエステ
ルフィルムの一方の面にのみ磁気記録層を形成したもの
が実用化されているだけで、両面に磁気記録層を配した
ものは着想の段階で止っているのが実状である。
磁気記録層を両面に配した構成は、容易に類推できるよ
うに、記録容量を２倍にできる利点の他に、蒸着法によ
り形成された薄膜の内部応力による、媒体の変形、いわ
ゆるカッピングが原理的に防止できるものと期待されて
いるが、実際にかかる構成の媒体を長尺に於て実現する
ことは°出来ていない。
うに、記録容量を２倍にできる利点の他に、蒸着法によ
り形成された薄膜の内部応力による、媒体の変形、いわ
ゆるカッピングが原理的に防止できるものと期待されて
いるが、実際にかかる構成の媒体を長尺に於て実現する
ことは°出来ていない。
勿論、両面共に磁気記録層でなくても、一方をカッピン
グの解消目的のみに別材料で構成してもいい訳であるが
、厚み制御、材質の制御等公知のパラメータ制御では、
長手に均一にかかる構成でカッピングの無い媒体を得る
には改良が必要である。
グの解消目的のみに別材料で構成してもいい訳であるが
、厚み制御、材質の制御等公知のパラメータ制御では、
長手に均一にかかる構成でカッピングの無い媒体を得る
には改良が必要である。
発明の目的
本発明は上記した事情に鑑みなされたものであって、長
尺の媒体をカッピングなしに安定に得ることのできる製
造方法を提供するものである。
尺の媒体をカッピングなしに安定に得ることのできる製
造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、高分子フィルムの
一方の面に曲率半径Ｈの状態で磁気記録層を蒸着し、も
う一方の面に１４Ｒ以下の曲率状態で薄膜を蒸着形成す
ることを特徴とし、カッピングのない長尺の媒体を制御
して製造できるものである。
一方の面に曲率半径Ｈの状態で磁気記録層を蒸着し、も
う一方の面に１４Ｒ以下の曲率状態で薄膜を蒸着形成す
ることを特徴とし、カッピングのない長尺の媒体を制御
して製造できるものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は、磁気記録媒体の製造方法を実施するための装
置の一例である。
置の一例である。
第１図で１は第１内筒状キヤン（直径２Ｒ）、２は第２
円筒状キャン（直径、１／５Ｒ以下）、３は高分子基板
４は巻出し軸５は巻取り軸、６は第１蒸発源、７は第２
蒸発源、８は第１マスク、９は第１スリツト、１０は第
２マスク、１１は第２スリツト、１２，１３．１４は真
空排気系、１６は真空槽、１６は第１真空室、１７は第
２真空室、１８は第３真空室、１９はフリーローラであ
る。
円筒状キャン（直径、１／５Ｒ以下）、３は高分子基板
４は巻出し軸５は巻取り軸、６は第１蒸発源、７は第２
蒸発源、８は第１マスク、９は第１スリツト、１０は第
２マスク、１１は第２スリツト、１２，１３．１４は真
空排気系、１６は真空槽、１６は第１真空室、１７は第
２真空室、１８は第３真空室、１９はフリーローラであ
る。
第２図は本発明の製造方法により得られる磁気記録媒体
の拡大断面図である。第２図に於て、２０は高分子基板
、２１は磁気記録層、２２は保護層、２３は裏打ち蒸着
層、２４は保護層である。
の拡大断面図である。第２図に於て、２０は高分子基板
、２１は磁気記録層、２２は保護層、２３は裏打ち蒸着
層、２４は保護層である。
第２図のような磁気記録媒体を得るには、第１図に示さ
れたような装置により本発明の製造方法を実施すればよ
い。
れたような装置により本発明の製造方法を実施すればよ
い。
第１蒸発源による蒸着は、磁気記録層の形成に限定され
るのであるが、第２蒸発源による蒸着は磁気記録層の形
成であってもよいし、他の薄膜層の形成のいずれでもよ
い。
るのであるが、第２蒸発源による蒸着は磁気記録層の形
成であってもよいし、他の薄膜層の形成のいずれでもよ
い。
高分子基板３は、巻出し軸４から巻取り軸６へ移動する
間に、先ず、第１蒸発源により磁気記録層を形成する。
間に、先ず、第１蒸発源により磁気記録層を形成する。
ここでは斜方蒸着又は垂直蒸着の選択により、磁化容易
軸の異なる磁気記録層を得ることができる。
軸の異なる磁気記録層を得ることができる。
材料としては、Ｇｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｇｏ−Ｔｉ。
Ｃｏｏ−Ｍｏ 、 Ｇｏ −Ｖ 、 Ｇｏ −Ｗ 、
Ｇｏ−Ｋｇ 、 Ｇｏ−Ｚｎ 、 Ｇｏ −ｐ、ｃｏ−
５ｎ 等及び、それらの部分酸化物１部分窒化物等が
用いられる。
Ｇｏ−Ｋｇ 、 Ｇｏ−Ｚｎ 、 Ｇｏ −ｐ、ｃｏ−
５ｎ 等及び、それらの部分酸化物１部分窒化物等が
用いられる。
ここでは磁気記録層は、高分子基板に近い側が圧縮、蒸
着終了側が引張り応力を受ける状態で形成され、薄膜形
成後薄膜を内側にしてカールした状態になる。
着終了側が引張り応力を受ける状態で形成され、薄膜形
成後薄膜を内側にしてカールした状態になる。
次Ｋ、高分子基板の反対側Ｋ、裏打ち蒸着層を形成する
のであるが、これは、第１蒸発源と同様に磁気記録層の
形成にするか、ＳｉＯ、ＴｉＯ２，ＳｎＯ□。
のであるが、これは、第１蒸発源と同様に磁気記録層の
形成にするか、ＳｉＯ、ＴｉＯ２，ＳｎＯ□。
！ｎ２０．．Ｚｎ２０．−５ｂ２０３．ＭｇＯ，ＭｏＯ
，Ｇｏｏ、Ｇｏ、０４等の酸化膜、ＴｉＮ、ムｌＨ等の
窒化膜、ムＵ、ムｇ、Ｚｒ等の金属にするかは適宜選べ
ばよい。
，Ｇｏｏ、Ｇｏ、０４等の酸化膜、ＴｉＮ、ムｌＨ等の
窒化膜、ムＵ、ムｇ、Ｚｒ等の金属にするかは適宜選べ
ばよい。
ここで、第１円筒状キャン１の曲率をＲとした時第２円
筒キャン２を１４Ｒ以下の曲率で構成し、磁気記録層に
対し、磁気記録層形成時と反対の応力をかけることで、
裏打ち蒸着層形成時、磁気記録層の内部応力を補償でき
るため、長尺の媒体でカッピングの無い状態を実現でき
るようになる。
筒キャン２を１４Ｒ以下の曲率で構成し、磁気記録層に
対し、磁気記録層形成時と反対の応力をかけることで、
裏打ち蒸着層形成時、磁気記録層の内部応力を補償でき
るため、長尺の媒体でカッピングの無い状態を実現でき
るようになる。
＋４Ｒ以下にすることの意義は、裏打ち蒸着層形成時に
受ける熱が裏打ち蒸着層の材料薄膜厚み等により異なる
ためで、１／５Ｒから％Ｈの間は不安定領域となるが、
１４Ｒ以下であれば磁気記録層形成時に受けた応力を完
全に消せるからである。
受ける熱が裏打ち蒸着層の材料薄膜厚み等により異なる
ためで、１／５Ｒから％Ｈの間は不安定領域となるが、
１４Ｒ以下であれば磁気記録層形成時に受けた応力を完
全に消せるからである。
勿論、見Ｒでの応力分は、最終残るが、これは、エージ
ング等の通常の手段で除けるし、材料の選択で裏打ち蒸
着層自身の内部応力を小さくできる材料を選ぶこともで
きるので、長尺の磁気記録媒体のカッピングの均一性の
確保は実用上十分なものとすることができるのである。
ング等の通常の手段で除けるし、材料の選択で裏打ち蒸
着層自身の内部応力を小さくできる材料を選ぶこともで
きるので、長尺の磁気記録媒体のカッピングの均一性の
確保は実用上十分なものとすることができるのである。
本発明の製造方法は、真空蒸着に限らず、スパッタリ／
グ法、イオンブレーティング法でもよく、高分子基板と
して、ポリエステルにとどまらずポリアミド、ポリプロ
ピレン、ポリイミド等を用いて十分効果のあるものであ
るし、スリットしてテープ状にて用いる時だけでなく、
円盤状に加工して磁気ディスクとして用いても、平坦性
が良好なことけ利点となることは勿論である。
グ法、イオンブレーティング法でもよく、高分子基板と
して、ポリエステルにとどまらずポリアミド、ポリプロ
ピレン、ポリイミド等を用いて十分効果のあるものであ
るし、スリットしてテープ状にて用いる時だけでなく、
円盤状に加工して磁気ディスクとして用いても、平坦性
が良好なことけ利点となることは勿論である。
以下さらに具体的な一実施例について説明する。
（実施例）
高分子基板として厚み１４μｍのポリエチレンテレフタ
レート３５００ｍを準備した。
レート３５００ｍを準備した。
磁気記録層はＧｏ−ｃｒ垂直磁化膜で、第１円筒状キャ
ンの表面温度は８６°Ｃ一定とした。垂直磁化膜はＣｒ
２２ｗｔ％で、Ｇｏ−Ｃｒ膜厚ｏ、１６（μｍ）、垂直
抗磁カフ１０（０６）である。裏打ち蒸着層は、キヤ７
表面温度６２°Ｃで形成した。
ンの表面温度は８６°Ｃ一定とした。垂直磁化膜はＣｒ
２２ｗｔ％で、Ｇｏ−Ｃｒ膜厚ｏ、１６（μｍ）、垂直
抗磁カフ１０（０６）である。裏打ち蒸着層は、キヤ７
表面温度６２°Ｃで形成した。
８ｕ暢にスリットしたテープのカッピング状態を調べて
、最大値と最小値を調べた。カッピング量は第３図のよ
うな時の高さｈ〔μｍ〕をもって定義した。磁気記録媒
体２５の変位りが■は磁気記録層側からみて凸、ｅは凹
面になった時である。
、最大値と最小値を調べた。カッピング量は第３図のよ
うな時の高さｈ〔μｍ〕をもって定義した。磁気記録媒
体２５の変位りが■は磁気記録層側からみて凸、ｅは凹
面になった時である。
エージングの条件は、裏打ち蒸着層を内側にして巻き上
げた状態（巻芯の径は１５［５ｃＩＩｔ一定）で４７°
Ｃ１２時間である。
げた状態（巻芯の径は１５［５ｃＩＩｔ一定）で４７°
Ｃ１２時間である。
条件とカッピングの測定結果を次表にまとめて示した。
上表より明らかに本発明品は、カッピングの均一性が格
別良好であることがわかる。又、エージングの有無に関
係なく良好であることがわかる。
別良好であることがわかる。又、エージングの有無に関
係なく良好であることがわかる。
一方、比較例では、エージングの無い場合（３例とも最
大値は７６０μｍ）より良好であるものの、長手方向で
実用にならない部分が、比率として２７％〜４１％あり
、歩留りが悪い。
大値は７６０μｍ）より良好であるものの、長手方向で
実用にならない部分が、比率として２７％〜４１％あり
、歩留りが悪い。
本発明では、さらに長さを６ｏｏｏｍの長さにして実施
しても、殆んど、最大最小値は変らないことを確認する
と共に、他の材料系でも確認した。
しても、殆んど、最大最小値は変らないことを確認する
と共に、他の材料系でも確認した。
発明の効果
以上のように、本発明の製造方法は、両面蒸着時の円筒
状キャンの曲率の関係を制御することで、磁気記録媒体
のカッピング状態を長尺で均一にすることができるもの
でその実用性は大きい。
状キャンの曲率の関係を制御することで、磁気記録媒体
のカッピング状態を長尺で均一にすることができるもの
でその実用性は大きい。
第１図は本発明の実施に用いた蒸着装置の一例の要部構
成図、第２図は本発明によシ得られる磁気記録媒体の一
例の拡大断面図、第３図は磁気記録媒体のカッピング状
態図である。 １・・・・・・第１円筒状キャン（曲率Ｒ）、２・・・
・・・第２円筒状キャン（曲率０．２Ｒ以下）、３・・
・・・・高分子基板、６・・、・・・・第１蒸発源、７
・・・・・・第２蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
成図、第２図は本発明によシ得られる磁気記録媒体の一
例の拡大断面図、第３図は磁気記録媒体のカッピング状
態図である。 １・・・・・・第１円筒状キャン（曲率Ｒ）、２・・・
・・・第２円筒状キャン（曲率０．２Ｒ以下）、３・・
・・・・高分子基板、６・・、・・・・第１蒸発源、７
・・・・・・第２蒸発源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 高分子フィルムの一方の面に曲率半径Ｒの状態で磁気記
録層を蒸着し、もう一方の面に１／５Ｒ以下の曲率状態
で薄膜を蒸着形成することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23262684A JPS61110343A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23262684A JPS61110343A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110343A true JPS61110343A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0518180B2 JPH0518180B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16942267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23262684A Granted JPS61110343A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61110343A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| US5350598A (en) * | 1993-03-27 | 1994-09-27 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus and method for selectively coating a substrate in strip form |
| JPH0785466A (ja) * | 1992-09-17 | 1995-03-31 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| JPH07254148A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| WO2002099159A1 (fr) * | 2001-06-04 | 2002-12-12 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Procede et dispositif pour realiser un film |
| JP2010519417A (ja) * | 2007-02-26 | 2010-06-03 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 帯材状の基板を真空処理するための処理装置 |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23262684A patent/JPS61110343A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JPH0785466A (ja) * | 1992-09-17 | 1995-03-31 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| JP2843236B2 (ja) * | 1992-09-17 | 1999-01-06 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| US5350598A (en) * | 1993-03-27 | 1994-09-27 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus and method for selectively coating a substrate in strip form |
| JPH07254148A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置並びに磁気記録媒体 |
| JP2843252B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-01-06 | 花王株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 |
| WO2002099159A1 (fr) * | 2001-06-04 | 2002-12-12 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Procede et dispositif pour realiser un film |
| US6780290B2 (en) | 2001-06-04 | 2004-08-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method and device for forming film |
| JP2010519417A (ja) * | 2007-02-26 | 2010-06-03 | ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 帯材状の基板を真空処理するための処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518180B2 (ja) | 1993-03-11 |
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