JP2010519417A - 帯材状の基板を真空処理するための処理装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、帯材状の基板の表側の少なくとも一部の領域を、第１のプロセスチャンバ内及び第２のプロセスチャンバ内で真空処理、特に真空コーティングするための処理装置であって、前記第１のプロセスチャンバが第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有し、前記第２のプロセスチャンバが第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有している形式のものに関する。本発明によれば、前記第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとの間にトランスファチャンバが配置されており、該トランスファチャンバが、前記２つのプロセスチャンバに接続されていて、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能であって、処理しようとする基板のための、取り出し可能な繰り出し部を備えた繰り出し装置と、取り出し可能な巻取り部を備えた巻取り装置と、前記繰り出し部及び／又は巻取り部を供給可能及び取り出し可能にするためのアウターロックとを有している。この場合、前記処理しようとする基板はその裏側が、第１及び第２のプロセスローラに対面していて、該基板が、前記巻取り装置から第１のプロセスローラにガイドされ、第１のプロセスローラから第２のプロセスローラにガイドされ、また第２のプロセスローラから前記トランスファチャンバを通って前記巻取り装置にガイドされるようになっている。本発明は、このような処理装置を駆動するための方法に関する。

Description

本発明は、帯材状の基板の表側を、第１のプロセスチャンバ内及び第２のプロセスチャンバ内で真空処理、特に真空コーティングするための処理装置であって、前記第１のプロセスチャンバが第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有し、前記第２のプロセスチャンバが第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有している形式のものに関する。

帯材状の基板とは、例えばコーティングのためのプロセス源にさらされる金属帯材、フィルム、プラスチックシート等である。プロセス源としては、スパッタ源特にマグネトロンスパッタ源、蒸着源、プラズマ・物理蒸着又は化学蒸着メッキ源（ＰＶＤ又はＣＶＤ源）が使用される。さらにまた、この源は、コーティングしようとする基板の前処理、洗浄、乾燥、表面活性化及び／又は重合化のために用いられる。プロセス源を備えた２つのプロセスチャンバを使用することによって、このような形式の装置の処理能力を、１つのプロセスチャンバだけを有する装置と比較して高めることができる。

また、ドイツ連邦共和国特許第１０１５７１８６号明細書によれば、帯材状の材料にプロセスチャンバ内でコーティングを施すための真空コーティング装置が公知である。この真空コーティング装置においては、第１の排気可能なリール室内に、コーティングしようとする帯材状の材料の繰り出し部を備えた繰り出し装置が配置されていて、第２の排気可能なリール室内に、コーティングしようとする材料の取り出し可能な巻取部を備えた巻取装置が配置されている。コーティングしようとする帯材状の材料は、帯材状の基板のための複数の変向ローラを備えたガイド装置を有する２つのプロセスチャンバを通過する。

特開昭６３−２０６４７０号公報によれば、２つの処理室と２つのプロセスローラとを備えた、帯鋼真空蒸着めっき装置が公知である。この帯鋼真空蒸着めっき装置においては、２つのプロセスローラ（巻付けロール）が、帯鋼の両側を相次いでコーティングするように、配置されている。

また、特開昭６３−０２０４６４号公報によれば、処理室の外側に配置された巻取ローラ（アンコイラー）及び繰り出しローラ（コイラー）を備えた帯鋼の片面側を蒸着するための装置が公知である。巻取装置及び繰り出し装置は、ロックゲートを介して前記処理室に接続されている。

ドイツ連邦共和国特許公開第１０２００５０４２７６２号明細書によれば、真空室内部が仕切り壁によってローラ室とコーティング室とに分離されている帯材コーティング装置が公知である。巻取ローラ及び繰り出しローラは、同様に真空室内に配置されている。

別の処理装置は、国際公開第２００５／１１６２８９号明細書により公知である。この処理装置においては、装置全体若しくはその排気された処理路を換気する必要なしに、繰り出し及び巻取リールを交換することができる。このために、巻取ステーション及び処理ステーションが、互いに相対的に可動な、種々異なるベース内に又はベース上に配置されている。処理ステーションのベースは、運転中に巻取ステーションも包囲する装置ハウジングの定置の部分である。巻取ステーションは、そのベース全体を包囲し、かつ処理モジュールに向かって開放し、装置ハウジングに対して可能なフレーム内に配置されていて、弁によって本来の処理ステーションに対してシール可能である。巻取ステーションに、外部から、運転中に気密に閉鎖可能な、装置ハウジングの特別な開口を介してアクセス（接近）可能である。

公知の方法においては、帯材状の基板は、処理ステーションと巻き取りステーションとの間で、基板の表側に接触する変向ローラによってガイドされるようになっている。

透明な酸化亜鉛・ウインド層（Zinkoxyd-Fensterschicht）を備えた銅・インジウム・セレナイト（ＣＩＳ：Kupfer-Indiom-Selenit）をベースとした、薄膜太陽電池を製造するために、ＰＶＤプロセス又はＣＶＤプロセスによって帯材状の基板の片側にコーティングが施される。片側をコーティングする場合、帯材状の基板は、前側をコーティングする際には、裏側だけが接触され得る。その他のプロセスにおいても、基板の前側の接触を最小限にするか又は完全に避ける必要がある。従って、基板の前側に接触する一般的な帯材変向ローラなしで、処理装置を作動させる必要がある。

本発明の課題は、冒頭に述べた形式の、帯材状の基板を処理するための処理装置、並びに真空処理特に真空コーティングするための方法を改良して、基板をガイドする際に、基板の表側に接触する必要がないようにすることである。

この課題は本発明によれば独立請求項に記載した特徴によって解決された。

本発明によれば、帯材状の基板の表側の少なくとも一部の領域を、第１のプロセスチャンバ内及び第２のプロセスチャンバ内で真空処理、特に真空コーティングするための処理装置であって、前記第１のプロセスチャンバが第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有し、前記第２のプロセスチャンバが第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有している形式のものにおいて、
前記第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとの間にトランスファチャンバが配置されており、該トランスファチャンバが、前記２つのプロセスチャンバに接続されていて、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能であって、処理しようとする基板のための、取り出し可能な繰り出し部を備えた繰り出し装置と、取り出し可能な巻取り部を備えた巻取り装置と、前記繰り出し部及び／又は巻取り部を供給可能及び取り出し可能にするためのアウターロックとを有しており、
この場合、前記処理しようとする基板はその裏側が、前記第１及び第２のプロセスローラに対面していて、該基板が、前記巻取り装置から第１のプロセスローラにガイドされ、第１のプロセスローラから第２のプロセスローラにガイドされ、また第２のプロセスローラから、前記トランスファチャンバを通って前記巻取り装置にガイドされるようになっている。

コーティングしようとする前側の領域は、有利には、帯材状の基板の縁部に対して平行で、しかも基板の幅全体に亘っても延在する条片（ストリップ）状の領域である。

トランスファチャンバを、第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとの間に配置し、コーティングしようとする基板を繰り出し装置から第１のプロセスローラへガイドし、第２のプロセスローラから第２のプロセスローラへガイドし、また第２のプロセスローラから前記トランスファチャンバを通って巻取装置へガイドすることによって、所定の領域、有利には帯材状の基板の前側のコーティングしようとする領域に接触する変向ローラを省くことができる。帯材状の基板の当該領域が、別の装置構成部分によって接触されることも避けることができる。

ガイド装置、特に処理しようとする基板のためのローラ及び変向ローラが、繰り出し装置と第１のプロセスローラとの間、第１のプロセスローラと第２のプロセスローラとの間、及び／又は第２のプロセスローラと巻取装置との間で、基板の裏側にだけ接触するか、又はこれに対応して基板の前側が少なくとも所定の領域内で無接触にガイドされるようになっていれば、有利である。

本発明の枠内に、例えば正確に規定された条件下で、装置の構成部材が帯材状の基板の前側に接触する実施例が含まれていてもよいことは自明である。

特に有利には、第１及び第２のプロセスチャンバは、前記繰り出し部及び／又は巻取部がトランスファチャンバ内に供給可能及び前記トランスファチャンバから取り出し可能であるように、トランスファチャンバに連結されている。従って、トランスファチャンバ内への供給及びトランスファチャンバからの取り出しは、装置全体を換気することなしに実施することができる。トランスファチャンバが、第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとを接続する中間チャンバと、該中間チャンバに対して壁部によって分離されたロックチャンバとを有しており、この場合、前記中間チャンバが、処理しようとする基板のための通路を形成していて、該通路内で、処理しようとする基板が第１のプロセスチャンバから第２のプロセスチャンバまで移動するようになっていれば、有利である。前記ロックチャンバは、第１の帯形弁を介して前記第１のプロセスチャンバに連結され、第２の帯形弁を介して前記第２のプロセスチャンバに連結されている。帯形弁（Bandventil）は、装置の運転中に基板を無接触で通過させることができる圧着弁（Quetschventil）として構成されていてよい。適当な帯形弁は、例えば国際公開第９９／５０４７２号パンフレットにより公知である。さらに、中間チャンバは、第１及び／又は第２の帯形弁を介して第１及び／又は第２のプロセスチャンバに連結されていてもより。これによって、場合によっては設けられているアクセス開口を介して、中間チャンバ又はその他の構造部内に場合によっては設けられている基板のガイド装置に、プロセスチャンバ内の真空を破壊することなしに、保守作業又は調整作業のためにアクセス（接近）することができる。

第１及び／又は第２のプロセスローラが冷却可能かつ／または加熱可能、つまり冷却ローラ及び／又は加熱ローラとして構成されていれば、帯材状の基板をコーティング中に所定の温度範囲に維持し、それによってプロセス品質及びプロセス安全性が保証されるか、又は高められる。

単数又は複数のプロセスチャンバ内に複数のプロセス源が配置されていれば、基板を効果的に処理するために有利である。複数のプロセス源は、通過する帯材状の基板の前側に、プロセス源の数に伴って成長するプロセス領域を形成する。プロセス源のプロセス領域が、プロセスローラの、基板によって巻き掛けられている領域内にあれば、確実なプロセスガイドのために有利である。何故ならば、このようにすれば、基板はプロセス源が作用している間、プロセスローラによって支持されるからである。基板がプロセスローラに、プロセス源のプロセス領域内で少なくとも１８０°に亘って巻き掛けられていれば、装置の高い効果が得られる。別の実施例によれば、プロセスローラに対する基板の巻き掛け角度は、１８０°以上であってもよい。巻き掛け角度の大きさは、第１若しくは第２のプロセスローラに対する巻取及び繰り出し装置の相対的な位置決めによって規定又は調節される。

有利には、この処理装置は、基板を真空コーティングするために使用され、この場合、プロセス源として、スパッタ源、マグネトロンスパッタ源、蒸着源、プラズマ・ＰＶＤ源又はプラズマ・ＣＶＤ源、又は処理しようとする基板の前処理、洗浄、乾燥、表面活性化及び／又は重合化のための源が考えられる。前記源がスパッタ源であれば、このスパッタ源は、平面ターゲット又は円筒形ターゲットを有している。さらに、第１のプロセスチャンバが平面ターゲットを備えたプロセス源を有し、第２のプロセスチャンバが円筒形ターゲットを備えた第２のプロセス源を有している。これとは逆に、第２のプロセスチャンバが平面ターゲットを備えたプロセス源を有し、第１のプロセスチャンバが円筒形ターゲットを備えた第２のプロセス源を有していてもよい。このような構成は、ＣＩＧＳ太陽電池を製造するために特に効果的である。平面ターゲットは、有利な形式で、ドーピングされていないＺｉｎｋ（ｉ−ＺｎＯ）によってコーティングするために使用され、これに対して、円筒形ターゲットは、ドーピングされたＺｎＯ層を製造するために使用される。別の構成の平面ターゲット及び円筒形ターゲットを別の処理プロセスのために使用することも考えられる。

本発明の別の実施態様によれば、第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有する第１のプロセスチャンバ内、及び第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有する第２のプロセスチャンバ内で、帯材状の基板の少なくとも表側の領域を真空処理、特に真空コーティングするための方法において、処理しようとする基板を、繰り出し装置から前記第１のプロセスローラへガイドし、該第１のプロセスローラから前記第２のプロセスローラへガイドし、該第２のプロセスローラから巻取り装置へガイドし、この際に、前記帯材状の基板の裏側が前記第１及び第２のプロセスローラに対面するようにした。また前記繰り出し装置及び前記巻取り装置を、前記第１のプロセスチャンバと前記第２のプロセスチャンバとの間に配置し、かつこれらのプロセスチャンバに連結されたトランスファチャンバ内に配置し、該トランスファチャンバを、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能とした。本発明による装置は、処理しようとする帯材状の基板を、巻取装置と繰り出し装置との間でガイドする際に、帯材状の基板の、処理しようとする表側が変向ローラと接触することがない、という利点を有している。

本発明による処理装置の概略図である。

以下に本発明の有利な実施例を図面を用いて詳しく説明する。図面では、請求項の要約とは無関係に、本発明のその他の実施例及び利点が記載されている。

図１は、帯材状の基板１０を真空処理するための本発明による処理装置の、２つのプロセスローラの回転軸線に対して垂直な断面図を示す。

この処理装置は、プロセスローラ２１を備えた第１のプロセスチャンバ２０と、プロセスローラ３１を備えた第２のプロセスチャンバ３０と、前記第１のプロセスチャンバ２０と第２のプロセス装置３０との間に配置されたトランスファチャンバ４０とを有している。さらに、処理プロセスをコントロールするための図示していない制御装置が設けられている。

プロセスローラ２１及び３１は、図示していないローラチェアに配置されている。これらのローラチェアは、例えばその軸位置の調整が可能であって、互いにほぼ平行に配置された回転軸線を有している。トランスファチャンバ４０は、プロセスチャンバ２０及び３０に連結されている。プロセスチャンバ２０，３０とトランスファチャンバ４０とは、図示していない真空ポンプによって排気可能である。トランスファチャンバ４０には、帯材の貯蔵部を形成する繰り出し部のための繰り出し装置５０と、巻取部を備えた巻取装置６０とが配置されている。有利な形式で、巻取部と繰り出し部とは、互いに平行に、かつプロセスローラの軸線に対して平行に配置されている。

帯材状の基板１０として、金属テープ、磁気テープ、フィルム、プラスチックシート等が設けられている。この帯材状の基板１０はその一方側が、処理例えばコーティングのためにプロセス源２２，３２にさらされる。

プロセスチャンバ２０内には、少なくとも１つ、有利には複数のプロセス源２２が配置されている。同様に、プロセスチャンバ３０には、少なくとも１つ有利には複数のプロセス源３２が配置されている。有利な形式で、これらのプロセス源２２，３２は、マグネトロンスパッタ源である。しかしながら、別のスパッタ源、蒸着プラズマＰＶＤ又はＣＶＤ源を使用することも考えられる。さらにまた、プロセス源は、処理しようとする基板の前処理、洗浄、乾燥、表面活性化及び／又は重合化のための源であってもよい。有利な形式で、１つの源が、各プロセスローラの回転軸線に対して平行にそれぞれ所定の長さに亘って延在している。さらにプロセス源２２及び／又は３２は、図１に示されているように、基板１０のためのできるだけ大きい処理ゾーンを形成するために、それぞれのプロセスローラ２１又は３１を円環状に取り囲んで配置されている。

本発明によれば、プロセスチャンバ２０及び３０内でプロセス源２２及び／又は３２によって処理される（有利にはコーティングされる）、基板１０の側が、帯材状の基板１０の表側とされる。表側１２は有利には（必ずしもそうではないが）、巻取及び／又は繰り出し時に半径方向で外方に向けられている。基板１０の、前記表側１２とは反対側が、裏側１３とされている。

トランスファチャンバ４０は、中間チャンバ４１とロックチャンバ４２とを有しており、これらのチャンバは壁部４５によって分離されている。中間チャンバ４１は、処理しようとする基板のための通路を形成しており、この通路内で基板は第１のプロセスチャンバ２０から第２のプロセスチャンバ３０に移動する。中間チャンバ４１は、帯形弁４６，４７によってプロセスチャンバ２０若しくは３０から圧力遮断されている。帯形弁４６及び４７は任意であり、本発明の別の実施態様によれば、帯形弁の一方又は両方が省かれている。

ロックチャンバ４２は、トランスファチャンバ４０内における繰り出し部又は巻取り部に供給可能（einladbar）又は取り出し可能（ausladbar）であるように、帯形弁４２を介して第１のプロセスチャンバ２０に接続され、帯形弁６２を介して第２のプロセスチャンバ３０に接続されており、この場合、少なくとも一方のプロセスチャンバ２０又は３０内に真空が維持されるか又は調節された圧力が維持される。中間チャンバ４１をロックチャンバ４２に対して分離する壁部４５は、プロセスチャンバ２０の領域並びにプロセスチャンバ３０の領域に隣接しているか又はこれらの領域内に延在している。ロックチャンバ４２は、帯形弁５２及び６２の閉鎖時にプロセスチャンバ２０及び３０に対して真空圧力的に分離されているので、プロセスチャンバ２０又はプロセスチャンバ３０を排気する必要なしに、繰り出し装置５０及び巻取り装置６０にアウターロック４４を介してアクセス（接近）可能である。

本発明の別の実施態様によれば、トランスファチャンバ４０は一体的に構成されている。

プロセスローラ２１及び／又はプロセスローラ３０は、公知であるように、それぞれ加熱ローラ及び／又は冷却ローラとして構成されている。帯形弁４６，４７，５２，６２は開放状態で、帯材状の基板を無接触で搬送できるために十分に大きい内法幅を有している。また帯形弁４６，４７，５２，６２は、閉じた状態で、それぞれプロセスチャンバをトランスファチャンバから圧力的に分離することができる。さらにまた、帯形弁の閉じた状態で帯材状の基板１０は、それぞれ帯形弁によって保持される。これは、帯材状の基板１０を部分長さで切り離し、場合によっては、基板を定置に保持された端部に接着又は溶接によってさらに蓄えておくために、有利である。

繰り出し装置５０はガイド装置５１を有しており、このガイド装置５１に、帯材状の基板１０の裏側１３が対面しているので、基板１０の前側１２がガイド装置５１に接触することはない。さらに、巻取り装置６０はガイド装置を有しており、このガイド装置は同様に前側１２に接触しないようになっている。さらに、中間チャンバ４１の領域内にガイド装置４３が設けられており、このガイド装置４３は帯材状の基板の前側１２に接触しないので、基板１０の前側１３に接触することなしに、基板１３をガイドすることができる。

この装置の運転時に、帯材状の基板１０はその裏側１３が、プロセスローラ２１及びプロセスローラ２２に対面している。処理しようとする帯材状の基板は、繰り出し装置からプロセスローラ２１へガイドされ、このプロセスローラ２１に巻き掛けられて、このプロセスローラ２１によって変向されてプロセスローラ３１に向かってガイドされる。プロセスローラ２１とプロセスローラ３１との間で、帯材状の基板がトランスファチャンバ４０を通ってガイドされる。図１には、基板１０が、比較的小さい横断面を有する中間チャンバ４１を有するトンネルを通って搬送される。

基板１０はプロセスローラ３１を巻き付けて、変向され、帯形弁６２を介して巻取り装置６０にガイドされる。本発明の処理装置における基板１０の処理と、繰り出し装置５０及び巻取り装置６０との間の搬送中、基板の前側１２を接触させる必要はない。すべての変向部及びガイド部は、帯材状の基板の裏側１３に作用するようになっているので、前側１２の損傷又は汚染は減少されるか、又は完全に阻止される。

帯材状の基板は、裏側１３が中間ベルト上に配置されている。場合によっては、基板１０は、処理装置における処理の前に、中間ベルトから引き取られ、処理後に再び中間ベルトに被着することができる。２つ又はそれ以上の互いに上下に配置された層より成る帯材状の基板を、本発明による装置で又は本発明による方法に従って処理することも考えられる。

１０ 帯材状の基板、 １２ 帯材状の基板の表側、 １３ 帯材状の基板の裏側、 ２０ プロセスチャンバ１， ２１ プロセスローラ１、 ２２ プロセス源、 ３０ プロセスチャンバ２、 ３１ プロセスローラ、 ３２ プロセス源、 ４０ トランスファチャンバ、 ４１ 中間チャンバ、 ４２ ロックチャンバ、 ４３ ガイド装置、 ４４ アウターロック、 ４５ 壁部、 ４６，４７ 帯形弁、 ５０ 繰り出し装置、 ５１ ガイド装置、 ５２ 帯形弁、 ６０ 巻取装置、 ６１ ガイド装置、 ６２ 帯形弁

Claims (17)

1. 帯材状の基板の表側の少なくとも一部の領域を、第１のプロセスチャンバ内及び第２のプロセスチャンバ内で真空処理、殊に真空コーティングするための処理装置であって、前記第１のプロセスチャンバが第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有し、前記第２のプロセスチャンバが第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有している形式のものにおいて、
   前記第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとの間にトランスファチャンバが配置されており、該トランスファチャンバが、前記２つのプロセスチャンバに接続されていて、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能であって、処理しようとする基板のための、取り出し可能な繰り出し部を備えた繰り出し装置と、取り出し可能な巻取り部を備えた巻取り装置と、前記繰り出し部及び／又は巻取り部を供給可能及び取り出し可能にするためのアウターロックとを有しており、
   前記処理しようとする基板は該基板の裏側が、前記第１及び第２のプロセスローラに対面していて、該基板が、前記巻取り装置から第１のプロセスローラにガイドされ、第１のプロセスローラから第２のプロセスローラにガイドされ、また第２のプロセスローラから、前記トランスファチャンバを通って前記巻取り装置にガイドされるようになっていることを特徴とする、帯材状の基板を真空処理するための処理装置。
2. 前記繰り出し部及び／又は巻取り部が前記トランスファチャンバ内に供給可能及び前記トランスファチャンバから取り出し可能であり、この場合、前記プロセスチャンバの少なくとも１つにおいて真空が維持されるように、前記第１及び第２のプロセスチャンバは前記トランスファチャンバに接続されている、請求項１記載の処理装置。
3. 前記トランスファチャンバが、前記第１のプロセスチャンバと第２のプロセスチャンバとを接続する中間チャンバと、該中間チャンバに対して壁部によって分離されたロックチャンバとを有しており、前記中間チャンバが、処理しようとする基板のための通路を形成していて、該通路内で、処理しようとする基板が第１のプロセスチャンバから第２のプロセスチャンバまで移動し、前記ロックチャンバが、第１の帯形弁を介して前記第１のプロセスチャンバに連結され、第２の帯形弁を介して前記第２のプロセスチャンバに連結されている、請求項２記載の処理装置。
4. 前記中間チャンバが、第１の帯形弁を介して第１のプロセスチャンバに連結され、かつ／または第２の帯形弁を介して第２のプロセスチャンバに連結されている、請求項３記載の処理装置。
5. 前記第１及び／又は第２のプロセスローラが冷却可能かつ／または加熱可能である、請求項１から４までのいずれか１項記載の処理装置。
6. 前記第１のプロセスチャンバ内に複数のプロセス源が配置されており、かつ／または処理しようとする基板が、前記プロセス源のプロセス領域内で、前記プロセスローラに少なくとも１８０゜に亘って巻き掛けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の処理装置。
7. 第２のプロセスチャンバ内に複数のプロセス源が配置されていて、かつ／または処理しようとする基板が、プロセス源のプロセス領域内で、前記プロセスローラに少なくとも１８０゜に亘って巻き掛けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の処理装置。
8. 前記中間チャンバ内に、処理しようとする基板のための少なくとも１つのガイド装置が配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の処理装置。
9. 前記繰り出し装置が少なくとも１つのガイド装置を有していて、かつ／または前記巻取り装置が処理しようとする基板のための少なくとも１つのガイド装置を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載の処理装置。
10. 少なくとも１つの前記プロセス源として、スパッタ源、マグネトロンスパッタ源、蒸着源、プラズマ源、ＰＶＤ源又はＣＶＤ源、又は処理しようとする基板の前処理、洗浄、乾燥、表面活性化及び／又は重合化のための源が設けられている、請求項１から９までのいずれか１項記載の処理装置。
11. 前記スパッタ源又はマグネトロンスパッタ源が平面ターゲットを有している、請求項１０記載の処理装置。
12. スパッタ源又はマグネトロンスパッタ源が、円筒形ターゲットを有している、請求項１０又は１１記載の処理装置。
13. 第１及び／又は第２のプロセスチャンバが、平面ターゲットを備えた少なくとも１つのマグネトロンスパッタ源と、円筒形ターゲットを備えた少なくとも１つのマグネトロンスパッタ源とを備えている、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の処理装置。
14. 処理しようとする基板は、少なくとも所定の運転状態の間、単数又は複数のガイド装置が、前記基板の前側の所定の領域に接触しないようになっており、かつ／または単数又は複数のガイド装置が、基板の裏側にだけ対面している、請求項１から１３までのいずれか１項記載の処理装置。
15. 処理しようとする基板のための前記ガイド装置が、前記巻取り装置と第１のプロセスローラとの間、前記第１のプロセスローラと第２のプロセスローラとの間、及び／又は前記第２のプロセスローラと巻取り装置との間で、基板の裏側だけに接触するか、又は基板の前側の少なくとも所定の領域だけに接触するようになっている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の処理装置。
16. 第１のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有する第１のプロセスチャンバ内、及び第２のプロセスローラと少なくとも１つのプロセス源とを有する第２のプロセスチャンバ内で、帯材状の基板の少なくとも表側の領域を真空処理、殊に真空コーティングするための方法において、
    処理しようとする基板を、繰り出し装置から前記第１のプロセスローラへガイドし、該第１のプロセスローラから前記第２のプロセスローラへガイドし、該第２のプロセスローラから巻取り装置へガイドし、この際に、前記帯材状の基板の裏側を前記第１及び第２のプロセスローラに対面するようにし、前記繰り出し装置及び前記巻取り装置を、前記第１のプロセスチャンバと前記第２のプロセスチャンバとの間に配置し、かつこれらのプロセスチャンバに連結されたトランスファチャンバ内に配置し、該トランスファチャンバを、前記２つのプロセスチャンバのうちの少なくとも一方に対して圧力的に分離可能とすることを特徴とする、帯材状の基板を真空処理するための方法。
17. 処理しようとする基板を、前記第１のプロセスチャンバ内、前記第２のプロセスチャンバ内、及び／又は前記トランスファチャンバ内で、少なくとも１つのガイド装置を介してガイドし、処理しようとする基板を、少なくとも所定の運転状態の間、単数又は複数の前記ガイド装置に接触させず、かつ／または単数又は複数のガイド装置に前記基板の裏側を対面させる、請求項１６記載の方法。

Images