CN114481098A - 一种具有防护功能的腔室pecvd设备传动装置 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 70
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 65
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
本发明涉及高频PCB集成电路板真空处理技术领域，具体公开了一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，包括真空溅射室、一端与真空溅射室连接的且沿其长方向设置有传输机构的输送通道、与输送通道另外一端连接的真空后处理室、安装在真空溅射室内的输送机构一、安装在真空后处理室内的输送机构二。本发明能够有效的避免元器件从真空溅射室转运到真空后处理室过程中接触氧气，避免其发生氧化。
Description
技术领域
本发明涉及高频PCB集成电路板真空处理技术领域，更具体地讲，涉及一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置。
背景技术
现有技术中的智能化涂覆装备无法有效的防止PCB板从涂敷真空溅射室转运到真空后处理室过程中接触氧气，极易造成PCB板涂覆层氧化，从而影响系统辐射距离和灵敏度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，能够有效的避免元器件从真空溅射室转运到真空后处理室过程中接触氧气，避免其发生氧化。
本发明解决技术问题所采用的解决方案是：
一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，包括真空溅射室、一端与真空溅射室连接的且沿其长方向设置有传输机构的输送通道、与输送通道另外一端连接的真空后处理室、安装在真空溅射室内的输送机构一、安装在真空后处理室内的输送机构二。
使用时，将元器件放置在真空溅射室内进行溅射涂敷；完成后，对于真空溅射室、输送通道、真空后处理室内注入保护气体；
待保护气体注入达到要求后，通过输送机构一将元器件输送至传输机构上，通过传输机构将其向真空后处理室输送，输送机构二承接从传输机构输送来的元器件；真空后处理室对于元器件进行真空处理，真空度达到要求后，进行元器件溅射后处理。
相比现有技术，本发明能够有效的避免元器件从真空溅射室转运到真空后处理室过程中接触氧气，避免其发生氧化。
在一些可能的实施方式中，为了有效的实现元器件的传递；
所述输送机构一和输送机构二结构相同，包括置物输送带、与置物输送带连接且用于控制置物输送带靠近或远离传输机构的输送装置。
在一些可能的实施方式中，为了有效的调整元器件在真空溅射室和真空口处理室内的相对位置；
所述输送装置包括沿输送通道长方向设置且安装在真空后处理室或真空后处理室内的导轨、与导轨滑动配合且用于安装置物输送带的输送组件。
在一些可能的实施方式中，为了有效的实现控制置物输送带靠近或远离传输机构；对于元器件进行有效的转运或承接；
所述输送组件包括与导轨滑动配合且用于安装置物输送带的支撑架、与支撑架传动连接的横移组件。
在一些可能的实施方式中，所述置物输送带的顶面与传输机构的顶面在同一平面上。
在一些可能的实施方式中，所述置物输送带与传输机构的结构相同，均为传送带。
在一些可能的实施方式中，为了有效的实现多个元器件同时溅射涂敷和后溅射处理；
还包括与传输机构、输送机构一、输送机构二传动连接的置物台。
在一些可能的实施方式中，为了有效的避免泄漏，使得真空后处理室、传输通道、真空溅射室不处于真空环境；
所述真空溅射室、输送通道、真空后处理室之间密封连接。
在一些可能的实施方式中，为了加快工作效率，使得在一组元器件在真空溅射室进行溅射涂敷的同时，另外一组元器件能够同时进行溅射后处理；
所述真空溅射室靠近输送通道的一侧设置有仓口一，所述真空溅射室内与仓口一对应设置的仓门一；
所述真空后处理室靠近输送通道的一侧设置有仓口二，所述真空后处理室内与仓口二对应设置的仓门二。
在一些可能的实施方式中，所述真空溅射室和真空后处理室的结构相同，包括箱体和安装在箱体顶部的箱盖；所述箱盖与箱体密封连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明通过输送通道有效的实现真空溅射室和真空后处理室的连接，通过设置在其内部的输送机构一、传输机构、输送机构二的相互配合有效的实现在真空环境内将溅射涂敷后的元器件在不与空气中的氧气接触的情况下实现转运到真空后处理室内进行后溅射处理；
本发明通过设置在真空溅射室内的横移组件有效的实现了将真空溅射室内处理后的元器件输送至输送机构上；通过设置在真空后处理时内的横移组件有效的实现对于从输送通道转运来的元器件进行承接，并使其位于真空后处理室内的指定位置；
本发明通过设置仓门一、仓门二，使得真空溅射室和真空口处理室能够实现不同组元器件的同时处理；
本发明结构简单、实用性强。
附图说明
图1为本发明的连接关系示意图；
图2为本发明的轴侧示意图；
其中：1、真空溅射室；11、输送机构一；12、仓门一；2、输送通道；21、传输机构；3、真空后处理室；31、输送机构二；32、支撑架；33、横移组件；34、仓门二；4、置物台。
具体实施方式
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。
本申请所提及的"第一"、"第二"以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，"一个"或者"一"等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。
在本申请实施中，“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个定位柱是指两个或两个以上的定位柱。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面对本发明进行详细说明。
如图1-图2所示：
一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，包括真空溅射室1、一端与真空溅射室1连接的且沿其长方向设置有传输机构21的输送通道2、与输送通道2另外一端连接的真空后处理室3、安装在真空溅射室1内的输送机构一11、安装在真空后处理室3内的输送机构二31。
使用时，将元器件放置在真空溅射室1内进行溅射涂敷；完成后，对于真空溅射室1、输送通道2、真空后处理室3内注入保护气体；这里描述的保护气体为惰性气体，例如氮气。
待保护气体注入达到要求后，通过输送机构一11将元器件输送至传输机构21上，通过传输机构21将其向真空后处理室3输送，输送机构二31承接从传输机构21输送来的元器件；真空后处理室3对于元器件进行真空处理，真空度达到要求后，进行元器件溅射后处理。
相比现有技术，本发明能够有效的避免元器件从真空溅射室1转运到真空后处理室3过程中接触氧气，避免其发生氧化。
在一些可能的实施方式中，为了有效的实现元器件的传递；
所述输送机构一11和输送机构二31结构相同，包括置物输送带、与置物输送带连接且用于控制置物输送带靠近或远离传输机构21的输送装置。
在一些可能的实施方式中，为了有效的调整元器件在真空溅射室1和真空口处理室内的相对位置；
所述输送装置包括沿输送通道2长方向设置且安装在真空后处理室3或真空后处理室3内的导轨、与导轨滑动配合且用于安装置物输送带的输送组件。
在一些可能的实施方式中，为了有效的实现控制置物输送带靠近或远离传输机构21；对于元器件进行有效的转运或承接；
所述输送组件包括与导轨滑动配合且用于安装置物输送带的支撑架32、与支撑架32传动连接的横移组件33。
横移组件33与导轨配合主要用于控制置物输送带靠近或远离输送通道2，实现元器件的转运；
具体的，横移组件33可以为丝杠驱动机构、电推杆驱动机构；
当其为丝杠驱动机构时，丝杠沿导轨的长方向设置，丝杠螺母套装在丝杠上，且与支撑架32连接；电机驱动丝杆转动使得丝杆螺母沿丝杠的长方向运动，由于丝杆螺母与支撑架32连接，支撑架32与导轨滑动配合，使得支撑沿导轨的长方向移动，实现靠近或远离输送通道2；
当其为电推杆驱动机构时，电推杆的输出端与支撑架32连接，通过控制输出端的伸缩实现支撑架32沿导轨长方向的移动，实现靠近或远离输送通道2；
在一些可能的实施方式中，所述置物输送带的顶面与传输机构21的顶面在同一平面上。
在一些可能的实施方式中，所述置物输送带与传输机构21的结构相同，均为传送带。
传送带包括支撑框架、转动安装在支撑框架上的主动辊、从动辊以及与主动辊和从动辊传动连接的同步带、以及用于驱动主动辊绕其轴心旋转的驱动电机。
在一些可能的实施方式中，为了有效的实现多个元器件同时溅射涂敷和后溅射处理；
还包括与传输机构21、输送机构一11、输送机构二31传动连接的置物台4。
置物台4主要用于放置元器件，元器件在置物台4上进行传输、溅射涂敷以及溅射后处理。
在一些可能的实施方式中，为了有效的避免泄漏，使得真空后处理室3、传输通道、真空溅射室1不处于真空环境；
所述真空溅射室1、输送通道2、真空后处理室3之间密封连接。
在一些可能的实施方式中，为了加快工作效率，使得在一组元器件在真空溅射室1进行溅射涂敷的同时，另外一组元器件能够同时进行溅射后处理；
所述真空溅射室1靠近输送通道2的一侧设置有仓口一，所述真空溅射室1内与仓口一对应设置的仓门一12；
所述真空后处理室3靠近输送通道2的一侧设置有仓口二，所述真空后处理室3内与仓口二对应设置的仓门二34。
仓门一12用于打开或关闭的仓口一，仓门二34用于打开或关闭的仓口二；这样设置使得真空溅射室1、真空后处理室3形成一个密闭真空腔室，在溅射涂敷和后溅射处理时相互不干扰；这样通过工作节拍的控制，能够实现两组元器件同时工作，提高工作效率；如：一组元器件在真空溅射室1溅射涂敷时仓门一12关闭，另一组元器件通过输送机构输送至真空后处理室3内进行后溅射处理。
在一些可能的实施方式中，所述真空溅射室1和真空后处理室3的结构相同，包括箱体和安装在箱体顶部的箱盖；所述箱盖与箱体密封连接。
需要说明的是,真空溅射室1设置的箱盖打开时，可将元器件放入，关闭后充入保护气体；真空后处理室3内的元器件后溅射处理完成后，通过打开其箱盖即可将其取出，然后盖上对其内部充入保护气体，使其处理真空环境，等待下一次后溅射处理元器件的到来。
进一步的，为了有效的将保护气体充入真空溅射室1、输送通道2、真空后处理室3内，在上述三者上分别安装有充气管路，充气管路采用现有技术进行安装接，这里不再详述。
具体的，在真空溅射室1、输送通道2、真空后处理室3内分别设置有用于检测三个腔室内氧气浓度的氧气浓度检测传感器；当检测到三个腔室内的氧气浓度符合要求时，即可充气设备将通过充气管理分别向三个腔室内部充入惰性气体，使得三个腔室在元器件传动时保持同一环境。
本发明中真空溅射室1内的溅射设备、真空后处理室3内的后处理设备均为现有设备，在本申请中不再详述。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
Claims (10)
1.一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，包括真空溅射室、一端与真空溅射室连接的且沿其长方向设置有传输机构的输送通道、与输送通道另外一端连接的真空后处理室、安装在真空溅射室内的输送机构一、安装在真空后处理室内的输送机构二。
2.根据权利要求1所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述输送机构一和输送机构二结构相同，包括置物输送带、与置物输送带连接且用于控制置物输送带靠近或远离传输机构的输送装置。
3.根据权利要求2所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述输送装置包括沿输送通道长方向设置且安装在真空后处理室或真空后处理室内的导轨、与导轨滑动配合且用于安装置物输送带的输送组件。
4.根据权利要求3所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述输送组件包括与导轨滑动配合且用于安装置物输送带的支撑架、与支撑架传动连接的横移组件。
5.根据权利要求2所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述置物输送带的顶面与传输机构的顶面在同一平面上。
6.根据权利要求5所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述置物输送带与传输机构的结构相同，均为传送带。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，还包括与传输机构、输送机构一、输送机构二传动连接的置物台。
8.根据权利要求7所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述真空溅射室、输送通道、真空后处理室之间密封连接。
9.根据权利要求7所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述真空溅射室靠近输送通道的一侧设置有仓口一，所述真空溅射室内与仓口一对应设置的仓门一；
所述真空后处理室靠近输送通道的一侧设置有仓口二，所述真空后处理室内与仓口二对应设置的仓门二。
10.根据权利要求8所述的一种具有防护功能的腔室PECVD设备传动装置，其特征在于，所述真空溅射室和真空后处理室的结构相同，包括箱体和安装在箱体顶部的箱盖；所述箱盖与箱体密封连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210047443.0A CN114481098A (zh) | 2022-01-17 | 2022-01-17 | 一种具有防护功能的腔室pecvd设备传动装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210047443.0A CN114481098A (zh) | 2022-01-17 | 2022-01-17 | 一种具有防护功能的腔室pecvd设备传动装置 |
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|---|---|
| CN114481098A true CN114481098A (zh) | 2022-05-13 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210047443.0A Pending CN114481098A (zh) | 2022-01-17 | 2022-01-17 | 一种具有防护功能的腔室pecvd设备传动装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN114481098A (zh) |
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| Title |
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| 赖宇明: "《纳米材料概论及其标准化》", 31 October 2020, 冶金工业出版社, pages: 14 * |
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