WO2020004335A1 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

本発明の一形態に係る成膜装置は、第１の搬送機構と、第２の搬送機構と、成膜部とを有する。上記第１の搬送機構は、長尺の基材を搬送する。上記第２の搬送機構は、成膜位置において、上記基材の成膜面の幅方向両端を被覆する一対のテープ状マスクを搬送する。上記成膜部は、上記成膜位置に対向して設けられた成膜源を有し、上記成膜面と上記一対のテープ状マスクに薄膜を形成する。

Description

成膜装置及び成膜方法

　本発明は、蒸発材料を蒸発させて基材上に当該蒸発材料の膜を形成する成膜装置及び成膜方法に関する。

　従来、巻出しローラから巻き出された基材をメインロールに巻き付けながら、基材上に蒸発材料の薄膜を形成し、当該基材を巻取りローラにより巻き取る方式の成膜装置が知られている。

　近年では、上記したような成膜装置を扱う業界において、薄膜が形成された基材の使用用途等に応じて、成膜の過程で薄膜が形成された成膜領域と薄膜の形成されない非成膜領域を設ける必要性が生じてきた。

　そこで、このような背景から例えば特許文献１には、フィルムと蒸発源との間にマスクを配置することによって、フィルムの両側縁部に非成膜領域を形成する技術が記載されている（特許文献１図２参照）。

特許５０２４９７２号公報

　特許文献１に記載の成膜装置では、基材に薄膜が形成される成膜領域と、基材に薄膜が形成されない非成膜領域が形成される。この場合、非成膜領域には薄膜が形成されないため、非成膜領域は薄膜からの熱負荷を受けにくい。

　その結果、成膜領域と非成膜領域と間で温度差（温度分布）が生じ、成膜領域内の基材と非成膜領域内の基材の熱伸び量に差が生じるため、非成膜領域内の基材である基材の幅方向両端部にシワが発生する課題がある。

　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基材の幅方向両端付近にシワが発生することを抑制可能な成膜装置及び成膜方法を提供することにある。

　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜装置は、第１の搬送機構と、第２の搬送機構と、成膜部とを有する。
　上記第１の搬送機構は、長尺の基材を搬送する。
　上記第２の搬送機構は、成膜位置において、上記基材の成膜面の幅方向両端を被覆する一対のテープ状マスクを搬送する。
　上記成膜部は、上記成膜位置に対向して設けられた成膜源を有し、上記成膜面と上記一対のテープ状マスクに薄膜を形成する。

　上記構成によれば、基材の幅方向両端が一対のテープ状マスクで直接被覆される。これにより、基材の幅方向両端に粒子が堆積することが防がれる。

　上記構成によれば、テープ状マスクを介して基材全域に薄膜が形成される。これにより、非成膜領域は、マスキングされつつも成膜領域と同等の熱負荷を受ける。従って、基材の幅方向の温度分布が均一化されるため、非成膜領域と成膜領域の熱伸び量が均等になり、基材の幅方向両端にシワが発生することが抑制される。

　従って、基材の幅方向両端に伝わる熱量と基材の幅方向両端以外の部分に伝わる熱量との差異に起因したシワの発生が抑制される。即ち、基材の幅方向両端付近にシワが発生することが抑制される。

　上記マスクは、上記基材と熱伝導率が同一であってもよい。
　これにより、マスク上に形成された薄膜と成膜面に形成された薄膜からの基材への熱の伝わり方が均一化するため、基材の幅方向両端付近にシワが発生することがより効果的に抑制される。

　上記マスクは、上記基材と同一の材料からなるものであってもよい。

　上記第１の搬送機構は、上記成膜源に対向して設けられ、上記基材を支持する支持面を有するメインローラを有し、
　上記第２の搬送機構は、上記幅方向両端と上記支持面を被覆する一対のテープ状マスクを搬送し、
　上記成膜部は、上記成膜源と上記メインローラとの間に設けられ、開口部を有する防着板をさらに有し、上記開口部の開口縁は上記支持面を被覆する一対のテープ状マスクと対向してもよい。
　これにより、基材の幅方向両端付近にシワが発生することを抑制しつつ、成膜源由来の粒子が支持面上に堆積することをより効果的に防止することができる。

　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る成膜方法は、
　成膜位置に向けて基材が搬送される。
　上記成膜位置において、上記基材の成膜面の幅方向両端を被覆する一対のテープ状マスクが搬送される。
　上記成膜位置に対向して設けられた成膜源によって、上記成膜面と上記一対のテープ状マスクに薄膜が形成される。

　以上のように、本発明によれば、基材の幅方向両端付近にシワが発生することを抑制可能な成膜装置及び成膜方法を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の構成例を示す模式図である。 上記成膜装置の構成例を示す模式図である。 上記成膜装置の成膜方法を示すフローチャートである。 上記成膜装置の成膜プロセスを示す模式図である。 従来の成膜装置の構成例を簡略的に示す模式図である。 図５の領域Ｅ３を拡大して示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る成膜装置の構成例を模式的に示す拡大図である。

　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。

　１．第１の実施形態
　［成膜装置の構成］
　図１は本発明の一実施形態に係る成膜装置１００の構成例を示す模式図である。図１に示すＸ軸，Ｙ軸及びＺ軸方向は相互に直交する３軸方向を示し、本明細書の全図において共通である。

　成膜装置１００は、図１に示すように、真空チャンバ１０１と、成膜部１１０と、搬送部１２０と、第１搬送機構１３０と、第２搬送機構１４０とを有する。

　（真空チャンバ）
　真空チャンバ１０１は密閉構造を有し、真空ポンプＰを有する排気ラインＬ１に接続される。これにより、真空チャンバ１０１は、その内部が所定の減圧雰囲気に排気又は維持可能に構成される。また、真空チャンバ１０１は、図１に示すように、成膜部１１０と搬送部１２０をそれぞれ区画する仕切り板１０２を有する。

　（成膜部）
　成膜部１１０は、仕切り板１０２と真空チャンバ１０１の外壁により区画された成膜室であり、その内部に蒸発源１１１を有する。また、成膜部１１０は、排気ラインＬ１に接続されている。これにより、真空チャンバ１０１が排気される際には、先ず、成膜部１１０内が排気される。

　一方、成膜部１１０は搬送部１２０と連通しているため、成膜部１１０内が排気されると、搬送部１２０内も排気される。これにより、成膜部１１０と搬送部１２０との間に圧力差が生じる。この圧力差により、蒸発材料の蒸発流が搬送部１２０内に侵入することが抑制される。

　蒸発源１１１は、任意の蒸発材料を蒸発させる蒸発源であり、この蒸発材料を加熱する加熱機構（図示略）を有する。加熱機構の加熱温度は、例えば蒸発材料がリチウム金属である場合に、５３０℃～７００℃程度である。蒸発源１１１は、例えば、抵抗加熱式蒸発源、誘導加熱式蒸発源又は電子ビーム加熱式蒸発源等である。

　成膜部１１０は、図１に示すように、防着板１１２を有する。図２は、蒸発源１１１側から見た成膜装置１００の構成例を示す模式図である。なお、図２では、真空チャンバ１０１、蒸発源１１１及び排気ラインＬ１の図示を省略する。

　防着板１１２は、後述するメインローラ１３３と蒸発源１１１との間に設けられ、開口部１１２ａを有する。防着板１１２は、メインローラ１３３のＺ軸方向両端部に蒸発源１１１からの粒子が付着すること防ぐマスクとして機能する。本実施形態では、メインローラ１３３の外周面（支持面１３３ｓ）のうち、Ｙ軸方向において開口部１１２ａと対向する位置が、基材Ｆに薄膜Ｌを形成する際の成膜位置となる。蒸発源１１１は、この成膜位置に対向する。

　（搬送部）
　搬送部１２０は、仕切り板１０２と、真空チャンバ１０１の外壁に区画された搬送室であり、真空チャンバ１０１内のＹ軸方向上方に配置される。本実施形態では、排気ラインＬ１を成膜部１１０にのみ接続したが、搬送部１２０にも別の排気ラインを接続することにより、搬送部１２０と成膜部１１０とを独立して排気してもよい。

　（第１搬送機構）
　第１搬送機構１３０は、巻出しローラ１３１と、ガイドローラ１３２，１３４と、メインローラ１３３と、巻取りローラ１３５とを有する。巻出しローラ１３１、メインローラ１３３及び巻取りローラ１３５は、それぞれ回転駆動部（図示しない）を備え、Ｚ軸周りに所定の回転速度でそれぞれ回転可能に構成される。これにより、真空チャンバ１０１内において、巻出しローラ１３１から巻取りローラ１３５に向かって基材Ｆが所定の搬送速度で搬送される。

　巻出しローラ１３１は、成膜部１１０よりも基材Ｆの搬送方向上流側に設けられ、基材Ｆをメインローラ１３３へ送り出す機能を有する。巻出しローラ１３１とメインローラ１３３との間の適宜の位置には、独自の回転駆動部を備えていないフリーローラであるガイドローラ１３２が配置される。

　メインローラ１３３は、基材Ｆの搬送方向において巻出しローラ１３１と巻取りローラ１３５との間に配置される。メインローラ１３３は、基材Ｆを支持する支持面１３３ｓを有する。支持面１３３ｓは、メインローラ１３３のＺ軸周りの外周面である。

　メインローラ１３３は、Ｙ軸方向における下部の少なくとも一部が、仕切り板１０２に設けられた開口部１０２ａを通って成膜部１１０に臨む位置に配置される。これにより、メインローラ１３３は、所定の間隔を空けて開口部１０２ａに対向し、蒸発源１１１とＹ軸方向に対向する。

　メインローラ１３３は、ステンレス鋼、鉄、アルミニウム等の金属材料で筒状に構成され、その内部に例えば温調媒体循環系等の温調ユニット（図示略）が設けられてもよい。温調ユニットに循環させる温媒としては、例えばシリコン油等の高沸点の有機媒体を用いることができ、冷媒としては水を用いることができる。メインローラ１３３の大きさは特に限定されないが、典型的には、Ｚ軸方向の幅寸法が基材ＦのＺ軸方向の幅寸法よりも大きく設定される。

　巻取りローラ１３５は、成膜部１１０より基材Ｆの搬送方向下流側に設けられ、巻出しローラ１３１から巻き出され成膜部１１０で薄膜Ｌが形成された基材Ｆを回収する機能を有する。メインローラ１３３と巻取りローラ１３５との間の適宜の位置には、独自の回転駆動部を備えていないフリーローラであるガイドローラ１３４が配置される。

　基材Ｆは、例えば、所定幅に裁断された長尺のフィルムである。基材Ｆは、例えば銅、アルミニウム、ニッケル又はステンレス鋼等の金属で構成される。または、基材Ｆは、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）フィルム、ＰＩ（ポリイミド）フィルム等の樹脂フィルムであってもよい。あるいは、基材Ｆは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）付き樹脂フィルム等であってもよい。

　基材Ｆの厚さは、特に限定されず、例えば数μｍ～数十μｍである。また、基材Ｆの幅や長さについても特に制限はなく、用途に応じて適宜決定可能である。

　（第２搬送機構）
　第２搬送機構１４０は、巻出しローラ１４１と、ガイドローラ１４２，１４３と、巻取りローラ１４４とを有する。巻出しローラ１４１及び巻取りローラ１４４は、それぞれ回転駆動部（図示しない）を備え、Ｚ軸周りに所定の回転速度でそれぞれ回転可能に構成される。これにより、真空チャンバ１０１内において、巻出しローラ１４１から巻取りローラ１４４に向かって一対のテープ状マスクＭが所定の搬送速度で搬送される。

　本実施形態では、第２搬送機構１４０が一対のテープ状マスクＭを搬送する搬送速度は、第１搬送機構１３０が基材Ｆを搬送する搬送速度と同等であることが好ましい。これにより、成膜位置における基材Ｆとテープ状マスクＭとの相対移動を防止でき、所望とするマスク精度を確保することができる。

　巻出しローラ１４１は、成膜部１１０よりも基材Ｆの搬送方向上流側に設けられ、一対のテープ状マスクＭをメインローラ１３３へ送り出す機能を有する。一対のテープ状マスクＭは、一方のマスクＭと他方のマスクＭとが幅方向（Ｚ軸方向）に所定の間隔をあけて巻出しローラ１４１に支持される（図２参照）。なお、本明細書では、基材Ｆの幅方向を「幅方向」と記述する。

　巻出しローラ１４１とメインローラ１３３との間の適宜の位置には、独自の回転駆動部を備えていないフリーローラであるガイドローラ１４２が配置される。ガイドローラ１４２は、第１搬送機構１３０のガイドローラ１３２と協働して基材Ｆ及び一対のテープ状マスクＭを挟持する。

　巻取りローラ１４４は、成膜部１１０より基材Ｆの搬送方向下流側に設けられ、巻出しローラ１４１から巻き出された一対のテープ状マスクＭを回収する機能を有する。メインローラ１３３と巻取りローラ１４４との間の適宜の位置には、独自の回転駆動部を備えていないフリーローラであるガイドローラ１４３が配置される。

　テープ状マスクＭは、例えば、所定幅に裁断された長尺のフィルムである。テープ状マスクＭは、例えば銅、アルミニウム、ニッケル又はステンレス鋼等の金属で構成される。または、テープ状マスクＭは、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）フィルム、ＰＩ（ポリイミド）フィルム等の樹脂フィルムであってもよい。あるいは、テープ状マスクＭは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）付き樹脂フィルム等であってもよい。ここで、テープ状マスクＭは、基材Ｆと熱伝導率が同一の材料からなることが好ましく、基材Ｆと同一の材料からなることがより好ましい。

　テープ状マスクＭの厚さは特に限定されず、例えば数μｍ～数十μｍであるが、後述する成膜工程後の基材Ｆへの熱の伝わり方を鑑み、可能な限り薄いほうが好ましい。また、テープ状マスクＭの幅や長さについても特に制限はなく、用途に応じて適宜決定可能である。テープ状マスクＭは、基材Ｆよりも厚くてもよいし、同一であってもよいし、薄くてもよい。テープ状マスクＭの幅は、基材Ｆの幅方向両端の非成膜領域の大きさに応じて決定される。

　巻出しローラ１４１、ガイドローラ１４２，１４４及び巻取りローラ１４４は、一対のテープ状マスクＭを共通に支持するように構成されたが、これに限られず、これらのうち少なくとも１つが各テープ状マスクＭについて個々に設置されてもよい。

　成膜装置１００は、以上のような構成を有する。なお、成膜装置１００の構成は図１及び図２に示す構成に限定されるものではなく、例えば、成膜部１１０、搬送部１２０、巻出しローラ１３１，１４１、メインローラ１３３、巻取りローラ１３５，１４４、ガイドローラ１３２，１３４，１４２，１４３の数や大きさ、配置等は適宜変更されてもよい。

　［成膜方法］
　図３は、成膜装置１００の成膜方法を示すフローチャートである。以下、本実施形態の成膜方法について、図３を適宜参照しながら説明する。

　（ステップＳ０１：排気処理）
　真空ポンプＰを起動させ、真空チャンバ１０１内を排気し、成膜部１１０と搬送部１２０各々を所定の真空度に維持する。

　（ステップＳ０２：搬送工程）
　次に、基材Ｆを支持する第１搬送機構１３０を駆動させ、基材Ｆを巻出しローラ１３１から巻取りローラ１３５に向けて搬送させる。これと同時に、一対のテープ状マスクＭを支持する第２搬送機構１４０も駆動させ、一対のテープ状マスクＭを巻出しローラ１４１から巻取りローラ１４４に向けて搬送させる。

　この際、巻出しローラ１３１，１４１、メインローラ１３３及び巻取りローラ１３５，１４４がＺ軸周りに所定の回転速度で回転することで、基材Ｆ及び一対のテープ状マスクＭは、ガイドローラ１３２，１４２によって搬送をガイドされながらメインローラ１３３へ搬送される。

　図４は、成膜装置１００の成膜プロセスを示す模式図である。ガイドローラ１３２，１４２を通過した基材Ｆは、図２及び図４（ａ）に示すように、その幅方向両端部が一対のテープ状マスクＭに被覆された状態となる。つまり、ガイドローラ１３２，１４２より搬送方向下流側においては、成膜面Ｆｓの幅方向両端がテープ状マスクＭに被覆された基材Ｆがメインローラ１３３に向かって搬送される。

　また、ステップＳ０２では、基材Ｆ及び一対のテープ状マスクＭの搬送と並行して、成膜部１１０内において、蒸発源１１１は、メインローラ１３３上の基材Ｆに向けて出射する蒸発材料の蒸気流を形成する。

　（ステップＳ０３：成膜工程）
　巻出しローラ１３１，１４１、メインローラ１３３及び巻取りローラ１３５，１４４がＺ軸周りに所定の回転速度で回転することによって、成膜面Ｆｓの幅方向両端がテープ状マスクＭに被覆された基材Ｆがメインローラ１３３の支持面１３３ｓに巻回される。そして、当該基材Ｆは、メインローラ１３３に支持されながら成膜部１１０内を通過する。

　テープ状マスクＭに被覆された基材Ｆは成膜部１１０を通過する過程で、蒸発材料の粒子が基材Ｆの成膜面ＦｓとマスクＭ上に堆積し、これらの上に薄膜Ｌが形成される（図４（ｂ）参照）。薄膜Ｌの厚みは特に限定されず、例えば、数μｍ～数十μｍである。

　（ステップＳ０４：回収）
　続いて、成膜面Ｆｓと一対のテープ状マスクＭに薄膜Ｌが形成された基材Ｆは、ガイドローラ１３４，１４３によって搬送をガイドされながら、搬送方向下流側へ搬送される。そして、当該基材Ｆがガイドローラ１３４，１４３を通過すると、一対のテープ状マスクＭが巻取りローラ１４４へ搬送され、基材Ｆが巻取りローラ１３５へ搬送されることによって、テープ状マスクＭが基材Ｆから離間する。これにより、成膜面Ｆｓの幅方向両端以外の部分に薄膜Ｌが形成された基材Ｆ（図４（ｃ）参照）が巻取りローラ１３５へ搬送され、回収される。

　［作用］
　次に、本実施形態の成膜装置１００の作用について、基材の成膜面の幅方向両端をハードマスクによりマスキングする方法（以下、従来法）と比較して説明する。図５は従来法を採用する成膜装置を簡略的に示す模式図であり、図６は図５の領域Ｅ３を拡大して示す模式図である。

　従来の成膜装置は、図５に示すように、ハードマスクを利用することで、基材に薄膜が形成される成膜領域Ｅ１と、基材に薄膜が形成されない非成膜領域Ｅ２が形成される。しかしながら従来法では、同図に示すように、非成膜領域Ｅ２には薄膜が形成されないため、非成膜領域Ｅ２は薄膜からの熱負荷を受けにくい。

　その結果、成膜領域Ｅ１と非成膜領域Ｅ２と間で温度差（温度分布）が生じ、成膜領域Ｅ１内の基材と非成膜領域Ｅ２内の基材の熱伸び量に差が生じるため、非成膜領域Ｅ２内の基材である基材の幅方向両端部にシワが発生する課題がある。

　また、ハードマスクを利用する従来法では、蒸発源から蒸発した粒子が基材とハードマスクとの間に入り込み、基材の幅方向両端に粒子が堆積してしまう場合がある（図６参照）。このため、マスク精度が低下し、薄膜の幅方向側面のエッジがでずに、薄膜が形成された基材の用途によっては、特性に悪影響を及ぼすおそれがある。

　これに対し、本実施形態の成膜装置１００は、一対のテープ状マスクＭとマスクＭに被覆されない成膜面Ｆｓの両方に薄膜Ｌを形成する。即ち、テープ状マスクＭを介して基材Ｆ全域に薄膜Ｌを形成するため（図４（ｂ）参照）、非成膜領域（マスクＭに被覆される基材Ｆ）は、マスキングされつつも成膜領域（マスクＭに被覆されない基材Ｆ）と同等の熱負荷を受ける。

　これにより、基材Ｆの幅方向の温度分布が均一化されるため、非成膜領域と成膜領域の熱伸び量が均等になり、基材Ｆの幅方向両端にシワが発生することが抑制される。特に、マスクＭが基材Ｆと熱伝導率が同一又はそれ以上の材料からなる場合や、マスクＭが基材Ｆと同一の材料からなる場合は、その効果がより顕著となる。

　さらに、本実施形態の成膜装置１００は、成膜後に一対のテープ状マスクＭを基材Ｆから除去するため（図４（ｃ）参照）、薄膜Ｌの幅方向のエッジが鮮明になる。

　２．第２の実施形態
　図７は、第２の実施形態の成膜装置２００の構成例を模式的に示す拡大図である。以下、第１の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。なお、図７では、メインローラ１３３及び防着板１１２以外の図示を省略する。

　第２の実施形態の成膜装置２００では、図７に示すように、第２搬送機構１４０が基材Ｆの幅方向両端と支持面１３３ｓを被覆する一対のテープ状マスクＭを搬送する点で第１の実施形態と異なる。この場合、防着板１１２の開口部１１２ａの開口縁１１２ｅは、同図に示すように、支持面１３３ｓを被覆するテープ状マスクＭとＹ軸方向に対向する。

　即ち、開口部１１２ａの幅方向の口径Ｄ１が、基材Ｆの幅Ｄ２より大きく、且つ、一対のテープ状マスクＭのうち一方のマスクＭの幅方向側面Ｓ１と他方のマスクＭの幅方向側面Ｓ２との間の距離Ｄ３以下となるように構成される。

　この構成により、テープ状マスクＭを介して基材Ｆ全域に薄膜Ｌが形成される。これにより、第１の実施形態と同様の作用効果（基材Ｆの幅方向両端付近にシワが発生することの抑止）が得られる。特に、第２の実施形態では、基材Ｆと防着板１１２との間から粒子が入り込んだとしても、開口部１１２ａの口径Ｄ１を上記範囲とすることによって、支持面１３３ｓを被覆するテープ状マスクＭによりこの粒子が支持面１３３ｓに堆積することが防がれる。

　即ち、第２の実施形態では、テープ状マスクＭが基材Ｆの幅方向両端と支持面１３３ｓに跨り、開口部１１２ａの口径Ｄ１が上記範囲内に設定されることによって、基材Ｆの幅方向両端付近にシワが発生することを抑制しつつ、蒸発源１１１由来の粒子が支持面１３３ｓ上に堆積することをより効果的に防止することができる。

　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

　例えば、蒸発源１１１に保持される原料は典型的にはリチウム金属であるが、これに限られず、例えばインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ビスマス（Ｂｉ）、ナトリウム（Ｎａ）及びカリウム（Ｋ）等であってもよい。

　また、上記実施形態では、基材Ｆを搬送する搬送系と一対のテープ状マスクＭを搬送する搬送系がそれぞれ別の搬送系であるがこれに限られず、本発明の成膜装置は、幅方向両端に予めテープ状マスクＭが貼付けられた基材Ｆを搬送する構成であってもよい。

　さらに、上記実施形態では、成膜方法の一例として真空蒸着法が採用されるが、これに限られない。本発明は、高温で原料の粒子を生成して、基材Ｆ上に当該粒子を堆積させる成膜技術一般に適用可能である。具体的には、例えば分子線蒸着法、イオンプレーディング法又はイオンビーム蒸着法等が採用されてもよい。

　１００，２００・・・成膜装置
　１１０・・・成膜部
　１１１・・・蒸発源（成膜源）
　１１２・・・防着板
　１１２ａ・・開口部
　１１２ｅ・・開口縁
　１３０・・・第１搬送機構
　１３３・・・メインローラ
　１３３ｓ・・支持面
　１４０・・・第２搬送機構
　Ｆ・・・基材
　Ｍ・・・テープ状マスク

Claims (5)

1. 　長尺の基材を搬送する第１の搬送機構と、
   　成膜位置において、前記基材の成膜面の幅方向両端を被覆する一対のテープ状マスクを搬送する第２の搬送機構と、
   　前記成膜位置に対向して設けられた成膜源を有し、前記成膜面と前記一対のテープ状マスクに薄膜を形成する成膜部と
   　を具備する成膜装置。
2. 　請求項１に記載の成膜装置であって、
   　前記マスクは、前記基材と熱伝導率が同一である
   　成膜装置。
3. 　請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
   　前記マスクは、前記基材と同一の材料からなる
   　成膜装置。
4. 　請求項１から３のいずれか１つに記載の成膜装置であって、
   　前記第１の搬送機構は、前記成膜源に対向して設けられ、前記基材を支持する支持面を有するメインローラを有し、
   　前記第２の搬送機構は、前記幅方向両端と前記支持面を被覆する一対のテープ状マスクを搬送し、
   　前記成膜部は、前記成膜源と前記メインローラとの間に設けられ、開口部を有する防着板をさらに有し、前記開口部の開口縁は前記支持面を被覆する一対のテープ状マスクと対向する
   　成膜装置。
5. 　成膜位置に向けて基材を搬送し、
   　成膜位置において、前記基材の成膜面の幅方向両端を被覆する一対のテープ状マスクを搬送し、
   　前記成膜位置に対向して設けられた成膜源によって、前記成膜面と前記一対のテープ状マスクに薄膜を形成する
   　成膜方法。

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