JPS5989764A - 薄膜パタ−ン連続成膜装置 - Google Patents
薄膜パタ−ン連続成膜装置Info
- Publication number
- JPS5989764A JPS5989764A JP19753782A JP19753782A JPS5989764A JP S5989764 A JPS5989764 A JP S5989764A JP 19753782 A JP19753782 A JP 19753782A JP 19753782 A JP19753782 A JP 19753782A JP S5989764 A JPS5989764 A JP S5989764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- thin film
- pattern
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマスクによシバターン形成する薄膜パターン連
続成膜装置に関するものである。
続成膜装置に関するものである。
従来薄膜パターンの成膜は減圧室にて蒸着、スパッター
、CVD等によ)成膜し、バタニレ且フォトエツチング
して形成する方法、基板にマスクを重ねて形成する方法
等が用いられるが、フォトエツチング法は工数が多いと
いう問題があシ、特に多層の積層パターン形成には不利
である。
、CVD等によ)成膜し、バタニレ且フォトエツチング
して形成する方法、基板にマスクを重ねて形成する方法
等が用いられるが、フォトエツチング法は工数が多いと
いう問題があシ、特に多層の積層パターン形成には不利
である。
薄膜パターンをマスクによシ連続成膜する場合は、成膜
中の基板加熱によって基板とマスクの熱膨張差によるパ
ターンずれを起こし、密着不良によるパターンの周辺の
回り込みの問題が生じて高品質表薄膜パターンの連続成
膜が載乗ないという欠点があった。
中の基板加熱によって基板とマスクの熱膨張差によるパ
ターンずれを起こし、密着不良によるパターンの周辺の
回り込みの問題が生じて高品質表薄膜パターンの連続成
膜が載乗ないという欠点があった。
本発明は基板とマスクの熱膨張差をなくし高品質な薄膜
パターン乞連続成膜することである。
パターン乞連続成膜することである。
本発明はこのような目的を達成するために基板とマスク
を同一材質としたものである。
を同一材質としたものである。
以下本発明の一実施例を第1図によ)説明する。
減圧された室内にて長尺基板1とマスク2を重ね、#1
成膜室3内をスプロケット用穴lc(第2図に示す)に
スプロケット4にて位置合わせして連続送如し、基板加
熱ヒータ6によって加熱して成膜源6によシバターン成
膜を行なう。マスク2は中間室7のローラによシ巻取シ
第1パターン成膜をする。基板1は同様第2成膜室8内
を通過し第2パターンを成膜する。通常、成膜時に基板
1は加熱されるが、この熱によυ、基板1とマスク2の
材質が異表ると、熱膨張差によシ基板1とマスク2のず
れが発生する。マスクの熱膨張率が1×5 10 大きい場合で、スプロケット4から成膜開始時
の基板1aまでの長さが2mとすると、約7訓ずれた位
置から成膜が始まυ、スプロケット4に近ずくになるに
したがってずれがなくな)、基板1bで成膜は終るが、
その時の成膜パターンは第2図の9a+9bに示す範囲
となり、周辺の断面形状が第3図に示すようにパターン
9となる。以上の欠点を対策するため、基板1とマスク
2の材質を同材質とし熱膨張率を同じにすることにより
、基板加熱による基板1とマスク2の変化量を同じにす
ると、成膜開始から終了まで基板1とマスク2のずれは
生じなくなシ、第4図、第5図に示すパターンとするこ
とが可能となる。
成膜室3内をスプロケット用穴lc(第2図に示す)に
スプロケット4にて位置合わせして連続送如し、基板加
熱ヒータ6によって加熱して成膜源6によシバターン成
膜を行なう。マスク2は中間室7のローラによシ巻取シ
第1パターン成膜をする。基板1は同様第2成膜室8内
を通過し第2パターンを成膜する。通常、成膜時に基板
1は加熱されるが、この熱によυ、基板1とマスク2の
材質が異表ると、熱膨張差によシ基板1とマスク2のず
れが発生する。マスクの熱膨張率が1×5 10 大きい場合で、スプロケット4から成膜開始時
の基板1aまでの長さが2mとすると、約7訓ずれた位
置から成膜が始まυ、スプロケット4に近ずくになるに
したがってずれがなくな)、基板1bで成膜は終るが、
その時の成膜パターンは第2図の9a+9bに示す範囲
となり、周辺の断面形状が第3図に示すようにパターン
9となる。以上の欠点を対策するため、基板1とマスク
2の材質を同材質とし熱膨張率を同じにすることにより
、基板加熱による基板1とマスク2の変化量を同じにす
ると、成膜開始から終了まで基板1とマスク2のずれは
生じなくなシ、第4図、第5図に示すパターンとするこ
とが可能となる。
このように、本発明によると、基板加熱による基板とマ
スクのずれがなくなり、高品質の薄膜パターンを連続成
膜できる効果がある。
スクのずれがなくなり、高品質の薄膜パターンを連続成
膜できる効果がある。
第1図は本発明の薄膜パターン連続成膜装置の概略構成
図、第2図は従来方式による成膜パターン平面図、第3
図は同じく断面図、第4図は本発明による成膜パターン
平面図、第5図は同じく断面図である。 1−拳拳・基板、2−・−・マスク、3・・・φ第1成
膜室、4・嗜壷・スプロケット、5・Φ・争加熱ヒータ
、6・−・・成膜源、7@・・・中間室、8・―・・第
2成膜室、9・・・・成膜ツマターン。
図、第2図は従来方式による成膜パターン平面図、第3
図は同じく断面図、第4図は本発明による成膜パターン
平面図、第5図は同じく断面図である。 1−拳拳・基板、2−・−・マスク、3・・・φ第1成
膜室、4・嗜壷・スプロケット、5・Φ・争加熱ヒータ
、6・−・・成膜源、7@・・・中間室、8・―・・第
2成膜室、9・・・・成膜ツマターン。
Claims (1)
- 加熱状態で長尺基板にマスクによ如薄膜パターンを連続
成膜する装置において、基板とマスクを同一材質とした
ことを特徴とした薄膜パターン連続成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19753782A JPS5989764A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 薄膜パタ−ン連続成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19753782A JPS5989764A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 薄膜パタ−ン連続成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5989764A true JPS5989764A (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=16376116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19753782A Pending JPS5989764A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 薄膜パタ−ン連続成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5989764A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7462244B2 (en) | 2001-11-27 | 2008-12-09 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
WO2020004335A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19753782A patent/JPS5989764A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7462244B2 (en) | 2001-11-27 | 2008-12-09 | Nec Corporation | Device and method for vacuum film formation |
WO2020004335A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
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