JPS5854869B2 - 樹脂被膜の形成方法 - Google Patents
樹脂被膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS5854869B2 JPS5854869B2 JP55173013A JP17301380A JPS5854869B2 JP S5854869 B2 JPS5854869 B2 JP S5854869B2 JP 55173013 A JP55173013 A JP 55173013A JP 17301380 A JP17301380 A JP 17301380A JP S5854869 B2 JPS5854869 B2 JP S5854869B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- resin film
- glass substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスタマスクを密着露光してワーキングホトマ
スクを製造する際に用いる樹脂被膜の形成方法の改良に
関するものである。
スクを製造する際に用いる樹脂被膜の形成方法の改良に
関するものである。
ＩＣ等の半導体装置を製造する場合に用いるワーキング
ホトマスクを製造する際、一般に第１図に示すようにガ
ラス基板１上に所定のパターンに形成されたクロム（Ｃ
ｒ）等の金属膜２からなるマスクホトマスク１０をあら
かじめ形成する。
ホトマスクを製造する際、一般に第１図に示すようにガ
ラス基板１上に所定のパターンに形成されたクロム（Ｃ
ｒ）等の金属膜２からなるマスクホトマスク１０をあら
かじめ形成する。
その後前記マスタホトマスク１０をワーキングホトマス
クを形成すべくクロム等の金属膜２人およびポジ型のホ
トレジスト膜３を順次積層したガラス基板４とを密着さ
せたのち紫外線等を用いてマスクホトマスクの背面より
紫外線等を用いて露光してポジ型のホトレジスト膜３を
マスタホトマスクの金属膜２のパターンに応じて感光さ
せる。
クを形成すべくクロム等の金属膜２人およびポジ型のホ
トレジスト膜３を順次積層したガラス基板４とを密着さ
せたのち紫外線等を用いてマスクホトマスクの背面より
紫外線等を用いて露光してポジ型のホトレジスト膜３を
マスタホトマスクの金属膜２のパターンに応じて感光さ
せる。
その後露光した部分のホトレジスト膜を除去したのち、
前記パターンニングされたホトレジスト膜をマスクとし
てガラス基板４上の金属膜２人を所定のパターンにエツ
チングにより成形してＩＣ等の半導体装置を製造するワ
ーキングホトマスクを製造している。
前記パターンニングされたホトレジスト膜をマスクとし
てガラス基板４上の金属膜２人を所定のパターンにエツ
チングにより成形してＩＣ等の半導体装置を製造するワ
ーキングホトマスクを製造している。
しかしこのようにしてマスタホトマスク１０よリワーキ
ングホトマスクを作るべく金属膜、ホトレジスト膜を被
着したガラス基板４とマスクホトマスク１０とを密着さ
せて露光したのち、前記マスクホトマスク１０とガラス
基板４とを分離しようとしても容易に分離できないとい
った問題点が生じ、そのためガラス基板上のホトレジス
ト膜３の必要な部分が、はがれてしまうといった欠点を
生じていた。
ングホトマスクを作るべく金属膜、ホトレジスト膜を被
着したガラス基板４とマスクホトマスク１０とを密着さ
せて露光したのち、前記マスクホトマスク１０とガラス
基板４とを分離しようとしても容易に分離できないとい
った問題点が生じ、そのためガラス基板上のホトレジス
ト膜３の必要な部分が、はがれてしまうといった欠点を
生じていた。
本発明は上記した欠点を除去し、前記マスクホトマスク
１０の表面あるいはワーキングホトマスクを形成するた
めのガラス基板４上のホトレジスト膜３上に表面に凹凸
のある樹脂被膜を形成して前記マスクホトマスク１０お
よびガラス基板４が密着露光後容易に分離できるように
することを目的とするものである。
１０の表面あるいはワーキングホトマスクを形成するた
めのガラス基板４上のホトレジスト膜３上に表面に凹凸
のある樹脂被膜を形成して前記マスクホトマスク１０お
よびガラス基板４が密着露光後容易に分離できるように
することを目的とするものである。
かかる目的を達成するための樹脂被膜の形成方法は、基
板上に粘性の樹脂を滴下したのち、該基板を回転すると
ともに、基板上の斜め方向からガスを吹きつけて、前記
滴下して形成された樹脂被膜の表面に液状の凹凸面を形
成することを特徴とするものである。
板上に粘性の樹脂を滴下したのち、該基板を回転すると
ともに、基板上の斜め方向からガスを吹きつけて、前記
滴下して形成された樹脂被膜の表面に液状の凹凸面を形
成することを特徴とするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明の表面に波状の凹凸形状を有する樹脂被
膜の形成方法を示す概略図で、第３図はワーキングホト
マスクを形成すべきガラス基板上に前記凹凸形状を有す
る樹脂を被着した場合の断面図である。
膜の形成方法を示す概略図で、第３図はワーキングホト
マスクを形成すべきガラス基板上に前記凹凸形状を有す
る樹脂を被着した場合の断面図である。
まず第２図に示すようにワーキングホトマスクを形成す
べく金属膜、ホトレジスト膜を順次積層したガラス基板
４を基板設置台（図示せず）上に設置する。
べく金属膜、ホトレジスト膜を順次積層したガラス基板
４を基板設置台（図示せず）上に設置する。
その後ステンレスよりなる樹脂供給管１１よりポリビニ
ルアルコール（Ｐ、Ｖ、Ａ）をガラス基板４上に滴下す
る。
ルアルコール（Ｐ、Ｖ、Ａ）をガラス基板４上に滴下す
る。
その後該基板を回転するとともに該基板上に斜め方向に
設けた内径１〜２ｍ７ＩＬφのガス供給管１２から１ｋ
ｇ／ｃｒｉｉの圧力で高圧窒素（Ｎ２）ガスを基板上の
ＰＶＡの樹脂液に向って吹きつける。
設けた内径１〜２ｍ７ＩＬφのガス供給管１２から１ｋ
ｇ／ｃｒｉｉの圧力で高圧窒素（Ｎ２）ガスを基板上の
ＰＶＡの樹脂液に向って吹きつける。
ここで前記基板の回転数は１分間に５００〜６００回転
とし、前記ガス供給管１２の基板となす角度は１５〜２
０度とする。
とし、前記ガス供給管１２の基板となす角度は１５〜２
０度とする。
また前記基板に塗布するＰ、Ｖ、Ａの被膜の厚さは６０
００〜７０００人の厚さとする。
００〜７０００人の厚さとする。
このようにして４〜５分間基板を回転させることで、第
３図に示すようにＣｒの金属膜、ポジ型のホトレジスト
膜３が付着したガラス基板上にピッチＡの寸法がｌｕｍ
で凹凸の差が１０００人程度のＰＶＡの樹脂被膜２１が
再現性良く形成される。
３図に示すようにＣｒの金属膜、ポジ型のホトレジスト
膜３が付着したガラス基板上にピッチＡの寸法がｌｕｍ
で凹凸の差が１０００人程度のＰＶＡの樹脂被膜２１が
再現性良く形成される。
ここで前記した凹凸の差およびピッチの寸法は基板の回
転数、ガス供給管と基板との間の角度、ガス供給量を変
化させることで所望の値に変化させることが可能である
。
転数、ガス供給管と基板との間の角度、ガス供給量を変
化させることで所望の値に変化させることが可能である
。
以上の実施例においてはワーキングホトマスクを形成す
べき基板上にＰ、Ｖ、Ａの被膜を被着したがマスクホト
マスクの上に前記被膜を被着しても、前記マスクホトマ
スクとワーキングホトマスクを形成すべきガラス基板と
を密着露光したのち容易にマスクホトマスク１０とガラ
ス基板４とが容易に分離可能となる。
べき基板上にＰ、Ｖ、Ａの被膜を被着したがマスクホト
マスクの上に前記被膜を被着しても、前記マスクホトマ
スクとワーキングホトマスクを形成すべきガラス基板と
を密着露光したのち容易にマスクホトマスク１０とガラ
ス基板４とが容易に分離可能となる。
以上述べたように本発明の方法によればマスクホトマス
クとワーキングホトマスクを形成すべきガラス基板が密
着露光後容易に分離でき、ワーキングホトマスクを形成
すべきガラス基板上のホトレジス膜が剥れるようなこと
がなくなり、ホトマスクの製造の歩留が向上する利点が
生じる。
クとワーキングホトマスクを形成すべきガラス基板が密
着露光後容易に分離でき、ワーキングホトマスクを形成
すべきガラス基板上のホトレジス膜が剥れるようなこと
がなくなり、ホトマスクの製造の歩留が向上する利点が
生じる。
第１図はワーキングホトマスクを製造する場合の方法を
示す断面図、第２図は本発明の樹脂膜の形成法を示す概
略図、第３図は本発明の樹脂膜を形成した場合のワーキ
ングホトマスクを形成すべきガラス基板の断面図を示す
。 図において１，４はガラス基板、２，２ＡはＣｒの金属
膜、３はホトレジスト膜、１０はマスタホトマスク、１
１は樹脂液供給管、１２はガス供給管、２１は液状のＰ
、Ｖ、Ａ被膜、Ａはピッチを示す。
示す断面図、第２図は本発明の樹脂膜の形成法を示す概
略図、第３図は本発明の樹脂膜を形成した場合のワーキ
ングホトマスクを形成すべきガラス基板の断面図を示す
。 図において１，４はガラス基板、２，２ＡはＣｒの金属
膜、３はホトレジスト膜、１０はマスタホトマスク、１
１は樹脂液供給管、１２はガス供給管、２１は液状のＰ
、Ｖ、Ａ被膜、Ａはピッチを示す。
Claims (1)
- １ 基板上に粘性の樹脂を滴下したのち、該基板を回転
するとともに、基板上の斜め方向からガスを吹きつけて
前記滴下して形成された樹脂被膜の表面に液状の凹凸面
を形成することを特徴とする樹脂被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55173013A JPS5854869B2 (ja) | 1980-12-08 | 1980-12-08 | 樹脂被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55173013A JPS5854869B2 (ja) | 1980-12-08 | 1980-12-08 | 樹脂被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5799371A JPS5799371A (en) | 1982-06-21 |
| JPS5854869B2 true JPS5854869B2 (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=15952574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55173013A Expired JPS5854869B2 (ja) | 1980-12-08 | 1980-12-08 | 樹脂被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854869B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022044557A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | フォトマスク、露光方法、樹脂パターンの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156467A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Narashino Kako Kk | 凹凸模様形成塗装法 |
-
1980
- 1980-12-08 JP JP55173013A patent/JPS5854869B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022044557A1 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | フォトマスク、露光方法、樹脂パターンの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5799371A (en) | 1982-06-21 |
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