JPH02181754A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH02181754A JPH02181754A JP1001465A JP146589A JPH02181754A JP H02181754 A JPH02181754 A JP H02181754A JP 1001465 A JP1001465 A JP 1001465A JP 146589 A JP146589 A JP 146589A JP H02181754 A JPH02181754 A JP H02181754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- gap
- substrate
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、半導体・ＬＣパネル・サーマルヘッドに用い
るフォトマスクに関する。
るフォトマスクに関する。
本発明は、半導体・ＬＣパネル・サーマルヘッドのパタ
ーン形成に用いるフォトマスクにおいて、フォトマスク
パターン外周部にフォトマスクと感光性基板との間に隙
間（ギヤツブ）をもたせる厚みを有するパターン（ギヤ
ノブ作製用パターン）を設けることにより、フォトマス
クと感光性基板との密着によるパターン欠陥をなくすよ
うにしたものである。
ーン形成に用いるフォトマスクにおいて、フォトマスク
パターン外周部にフォトマスクと感光性基板との間に隙
間（ギヤツブ）をもたせる厚みを有するパターン（ギヤ
ノブ作製用パターン）を設けることにより、フォトマス
クと感光性基板との密着によるパターン欠陥をなくすよ
うにしたものである。
従来のフォトマスクは、ガラス基板表面にＣｒ被膜等で
形成されたフォトマスクパターンが形成されている。こ
のフォトマスクを用いたパターン形成方法を、第５図及
び第６図に示す。
形成されたフォトマスクパターンが形成されている。こ
のフォトマスクを用いたパターン形成方法を、第５図及
び第６図に示す。
第５図は、従来のフォトマスクによるパターン形成方法
の一例を示す縦断面図である。
の一例を示す縦断面図である。
所望のフォトマスクパターン９が形成されたフォトマス
ク１と、感光性物質１３が被覆された感光性基板２とを
、フォトマスクパターン９と感光性物質１３とが相対す
る様に密着させ、光源３からの光により、フォトマスク
パターン９のパターンを感光性物質１３に怒光転写する
。
ク１と、感光性物質１３が被覆された感光性基板２とを
、フォトマスクパターン９と感光性物質１３とが相対す
る様に密着させ、光源３からの光により、フォトマスク
パターン９のパターンを感光性物質１３に怒光転写する
。
又、第６図は従来のフォトマスクによるパターン形成方
法の他の例を示す縦断面図である。
法の他の例を示す縦断面図である。
所望のフォトマスクパターン９が形成されたフォトマス
クｌと感光性物質１３が被覆された感光性基板２とを、
フォトマスクパターン９と感光性物質１３とがギャップ
をもたせるための治具１２を介して相対する様に配置さ
れ、光源３からの光により、フォトマスクパターン９の
パターンを感光性物質１３に感光転写する。
クｌと感光性物質１３が被覆された感光性基板２とを、
フォトマスクパターン９と感光性物質１３とがギャップ
をもたせるための治具１２を介して相対する様に配置さ
れ、光源３からの光により、フォトマスクパターン９の
パターンを感光性物質１３に感光転写する。
しかし、従来のパターン形成方式のフォトマスクｌと感
光性基板２の密着による露光では、フォトマスクｌと感
光性基板２との間に異物が混入した場合、異物がつぶれ
大きなパターン欠陥の要因になり、また、フォトマスク
ｌへの損傷の原因となる。更に、フォトマスクｌに感光
性物質１３が付着する問題もある。また、フォトマスク
パターン外周部に、フォトマスク１と感光性基板２の間
にギャップをもたせるための治具１２を設置する場合、
治具１２を設置する手間がかかり、また、露光時に治具
１２が動き感光性物質１３をいだめる問題がある。
光性基板２の密着による露光では、フォトマスクｌと感
光性基板２との間に異物が混入した場合、異物がつぶれ
大きなパターン欠陥の要因になり、また、フォトマスク
ｌへの損傷の原因となる。更に、フォトマスクｌに感光
性物質１３が付着する問題もある。また、フォトマスク
パターン外周部に、フォトマスク１と感光性基板２の間
にギャップをもたせるための治具１２を設置する場合、
治具１２を設置する手間がかかり、また、露光時に治具
１２が動き感光性物質１３をいだめる問題がある。
そこでこの発明は従来のこのような欠点を解決するため
、治具１２を用いなくとも隙間（プロキシミティギャソ
ブ）をもたせられることを目的としている。
、治具１２を用いなくとも隙間（プロキシミティギャソ
ブ）をもたせられることを目的としている。
上記課題を解決するために、本発明はフォトマスクのフ
ォトマスクパターン外周部に、パターニングの際フォト
マスクと感光性基板との間に隙間をもたせるためのギャ
ップ作製用パターンを設けた。
ォトマスクパターン外周部に、パターニングの際フォト
マスクと感光性基板との間に隙間をもたせるためのギャ
ップ作製用パターンを設けた。
上記の様なギャップ作製用パターンをフォトマスクパタ
ーン外周部に設けることにより、ギヤツブによりフォト
マスク６と感光性基板２の間に異物が混入してもパター
ンへの影響は少なくパターン欠陥を生じない、また治具
を設けなくともよくギャップ精度もよくプロキシミティ
ギャップをつくることができ高精度のパターンを転写で
きる。
ーン外周部に設けることにより、ギヤツブによりフォト
マスク６と感光性基板２の間に異物が混入してもパター
ンへの影響は少なくパターン欠陥を生じない、また治具
を設けなくともよくギャップ精度もよくプロキシミティ
ギャップをつくることができ高精度のパターンを転写で
きる。
ここで、ギャップ作製用パターンの厚みは、５０μｍ以
上となると、露光による光のまわり込みが太き（なり、
得られるパターンの角部がまるくなる等の問題が発生し
、又、５μｍ以下では、異物の混入によるパターン欠陥
及びフォトマスクパターンの損傷の問題があり、５〜５
０μｍが適当である。
上となると、露光による光のまわり込みが太き（なり、
得られるパターンの角部がまるくなる等の問題が発生し
、又、５μｍ以下では、異物の混入によるパターン欠陥
及びフォトマスクパターンの損傷の問題があり、５〜５
０μｍが適当である。
以下に、本発明を実施例を図面に基づいて説明する。第
４図において、本発明のフォトマスクの製造方法を説明
する。特にギヤツブ作製用パターン７の製造方法につい
て説明する。膜付は方法に、スパッタ装置８を用いて行
った。通常基板を設置するところにすでにフォトマスク
パターン９が形成しであるガラス基板４とあわせてマス
キング用マスク５を取り付け、マスキング用マスク５を
ターゲットの側に向け、マスキング用マスク５には、フ
ォトマスクパターン９の外側に厚みをつけるための開口
部１１を設け、スパッタにより、第１図に示すフォトマ
スク６を得た。スパッタ膜は、成膜速度の速いＣｕ膜を
用いるとよい。膜厚は、〜５０μｍ程度とする。膜厚は
、基板サイズ・基板材料にて選定する。パターンは方形
又は、円形などの均一にフォトマスク６と感光性基板２
の間のギャップがとれる形が良い。また、パターンの大
きさについても、大きさは限定しないが、フォトマスク
サイズに合わせたフォトマスク６と感光性基板２の間の
ギャップが均一にとれる大きさとする。
４図において、本発明のフォトマスクの製造方法を説明
する。特にギヤツブ作製用パターン７の製造方法につい
て説明する。膜付は方法に、スパッタ装置８を用いて行
った。通常基板を設置するところにすでにフォトマスク
パターン９が形成しであるガラス基板４とあわせてマス
キング用マスク５を取り付け、マスキング用マスク５を
ターゲットの側に向け、マスキング用マスク５には、フ
ォトマスクパターン９の外側に厚みをつけるための開口
部１１を設け、スパッタにより、第１図に示すフォトマ
スク６を得た。スパッタ膜は、成膜速度の速いＣｕ膜を
用いるとよい。膜厚は、〜５０μｍ程度とする。膜厚は
、基板サイズ・基板材料にて選定する。パターンは方形
又は、円形などの均一にフォトマスク６と感光性基板２
の間のギャップがとれる形が良い。また、パターンの大
きさについても、大きさは限定しないが、フォトマスク
サイズに合わせたフォトマスク６と感光性基板２の間の
ギャップが均一にとれる大きさとする。
但し、膜付けの際、下地にはガラス基板と密着性の良好
なＣｒ膜等の下地パターン１０にて下付けしておく必要
がある（第２図）。なお、膜付は方法としては、真空蒸
着・ＣＶＤ等も用いられる。第３図において、本発明の
フォトマスクを用いた露光方式について説明する。露光
方式は、通常の露光方式と変わらなく、本発明のフォト
マスク６を用いて、感光性基板２に露光する。露光の際
、本発明で作製したギャップ作製用パターン７にてギャ
ップを保持し、均一なパターンにより高精度でパターン
欠陥のない感光性基板２へのパターンを形成できる。な
お、本発明はＸ線でのリングラフィにも用いることがで
きる。
なＣｒ膜等の下地パターン１０にて下付けしておく必要
がある（第２図）。なお、膜付は方法としては、真空蒸
着・ＣＶＤ等も用いられる。第３図において、本発明の
フォトマスクを用いた露光方式について説明する。露光
方式は、通常の露光方式と変わらなく、本発明のフォト
マスク６を用いて、感光性基板２に露光する。露光の際
、本発明で作製したギャップ作製用パターン７にてギャ
ップを保持し、均一なパターンにより高精度でパターン
欠陥のない感光性基板２へのパターンを形成できる。な
お、本発明はＸ線でのリングラフィにも用いることがで
きる。
以上のように本発明によれば、フォトマスクに簡単な膜
付は方法により、ギャップ作製用パターンを設けること
により、ギャップをフォトマスクと感光性基板の間に精
度よく保持することができ、高精度に感光性基板にパタ
ーン形成できる効果がある。
付は方法により、ギャップ作製用パターンを設けること
により、ギャップをフォトマスクと感光性基板の間に精
度よく保持することができ、高精度に感光性基板にパタ
ーン形成できる効果がある。
第１図は本発明のフォトマスクの一実施例を示す断面図
、第２図は本発明のフォトマスクの一実施例を示す平面
図、第３図は本発明のフォトマスクによるパターン形成
方法の一例を示す縦断面図、第４図は本発明のフォトマ
スクの製造方法を示す縦断面図、第５図は従来のフォト
マスクによるパターン形成方法の一例を示す縦断面図、
第６図は従来のフォトマスクによるパターン形成方法の
他の例を示す縦断面図である。 １・・・フォトマスク（従来） ２・・・感光性基板 ３・・・光源 基暑反 マスキング用マスク フォトマスク（本発明） ギャップ作製用パターン スパッタ装置 フォトマスクパターン 下地用パターン 開口部 出願人 セイコー電子工業株式会社
、第２図は本発明のフォトマスクの一実施例を示す平面
図、第３図は本発明のフォトマスクによるパターン形成
方法の一例を示す縦断面図、第４図は本発明のフォトマ
スクの製造方法を示す縦断面図、第５図は従来のフォト
マスクによるパターン形成方法の一例を示す縦断面図、
第６図は従来のフォトマスクによるパターン形成方法の
他の例を示す縦断面図である。 １・・・フォトマスク（従来） ２・・・感光性基板 ３・・・光源 基暑反 マスキング用マスク フォトマスク（本発明） ギャップ作製用パターン スパッタ装置 フォトマスクパターン 下地用パターン 開口部 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 感光性物質に所望のパターンを形成するために用いるフ
ォトマスクにおいて、パターニングの際フォトマスクと
感光性基板との間に隙間をもたせるためのギャップ作製
用パターンをフォトマスクパターン外周部に設けたこと
を特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001465A JPH02181754A (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001465A JPH02181754A (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181754A true JPH02181754A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=11502213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1001465A Pending JPH02181754A (ja) | 1989-01-07 | 1989-01-07 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02181754A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533069A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Nec Corp | Photoetching mask |
| JPS5432072A (en) * | 1977-08-16 | 1979-03-09 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Photomask |
-
1989
- 1989-01-07 JP JP1001465A patent/JPH02181754A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533069A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Nec Corp | Photoetching mask |
| JPS5432072A (en) * | 1977-08-16 | 1979-03-09 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Photomask |
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