JPH02198835A - マスター用ガラス基板 - Google Patents
マスター用ガラス基板Info
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- JPH02198835A JPH02198835A JP1019086A JP1908689A JPH02198835A JP H02198835 A JPH02198835 A JP H02198835A JP 1019086 A JP1019086 A JP 1019086A JP 1908689 A JP1908689 A JP 1908689A JP H02198835 A JPH02198835 A JP H02198835A
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- glass substrate
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はメモリーディスク製造技術に関するものであり
、特に詳しくはパターン形成が精確に行えるマスター用
ガラス基板に関する。
、特に詳しくはパターン形成が精確に行えるマスター用
ガラス基板に関する。
ガラス基板上に精度の高いパターンを形成するためには
、ガラス基板にレジストが堅固に塗布されていること、
レジストにレーザー等の適宜の露光手段によってパター
ン形成する際、ガラス基板からの反射が可能な限り少な
いことが望ましい。 従来、この種の技術としてはへキサメチルジシラザン、
ビスアセトアジド等、適宜のカップリング剤をガラス基
板に塗布してレジストの密着性を改善したり、レジスト
との密着性の強い金属クロム下地を蒸着、スパッタリン
グ等の手段によって形成し、密着性の改善が図られてき
た。
、ガラス基板にレジストが堅固に塗布されていること、
レジストにレーザー等の適宜の露光手段によってパター
ン形成する際、ガラス基板からの反射が可能な限り少な
いことが望ましい。 従来、この種の技術としてはへキサメチルジシラザン、
ビスアセトアジド等、適宜のカップリング剤をガラス基
板に塗布してレジストの密着性を改善したり、レジスト
との密着性の強い金属クロム下地を蒸着、スパッタリン
グ等の手段によって形成し、密着性の改善が図られてき
た。
レジストの密着性を改善する前記手段の内、金属クロム
を蒸着させる方が通常は高い密着性が得られる。しかし
、金属クロム層１５を２０ｎ厘以上形成すると、所望の
パターンを形成するために照射したレーザー等の反射が
多くなるため干渉が生じ、結果としてレジスト１２には
均一の強さのレーザーが照射されないことになる。従っ
て、レーザー照射によって露光したレジスト１２を現像
により除去し、未露光部のみを現像レジスト１２ａとし
て残したとき、第４Ｂ図に示す様に現像レジスト１２ａ
の端部は不揃いとなり明瞭なパターンを形成することが
出来ない。従って、金属クロム層１５は通常３〜５ｎ■
程度に薄く形成されているが、この程度の金属クロム層
１５では充分な密着性が得られないと云う問題点がある
。 このため、レジストが剥離することがなり、シかもパタ
ーンが明瞭に形成出来るメモリーディスク製造に使用す
るマスター用ガラス基板の開発が望まれていた。
を蒸着させる方が通常は高い密着性が得られる。しかし
、金属クロム層１５を２０ｎ厘以上形成すると、所望の
パターンを形成するために照射したレーザー等の反射が
多くなるため干渉が生じ、結果としてレジスト１２には
均一の強さのレーザーが照射されないことになる。従っ
て、レーザー照射によって露光したレジスト１２を現像
により除去し、未露光部のみを現像レジスト１２ａとし
て残したとき、第４Ｂ図に示す様に現像レジスト１２ａ
の端部は不揃いとなり明瞭なパターンを形成することが
出来ない。従って、金属クロム層１５は通常３〜５ｎ■
程度に薄く形成されているが、この程度の金属クロム層
１５では充分な密着性が得られないと云う問題点がある
。 このため、レジストが剥離することがなり、シかもパタ
ーンが明瞭に形成出来るメモリーディスク製造に使用す
るマスター用ガラス基板の開発が望まれていた。
本発明は上記した従来技術の課題を解決するためになさ
れたもので、レジスト塗布面に金属化合物層が設けられ
たことを特徴とするマスター用ガラス基板を提供するも
のである。
れたもので、レジスト塗布面に金属化合物層が設けられ
たことを特徴とするマスター用ガラス基板を提供するも
のである。
本発明になるマスター用ガラス基板は上記した構成であ
るので、金属化合物層を介してガラス基板上に塗布され
たレジストは該金属化合物層によって堅固に密着される
と共に、該金属化合物層における光の反射率が小さいた
め、レジストに照射されたレーザー等が反射して再度レ
ジスト側に進入することがない。従って、明瞭なパター
ンを形成することが出来る。
るので、金属化合物層を介してガラス基板上に塗布され
たレジストは該金属化合物層によって堅固に密着される
と共に、該金属化合物層における光の反射率が小さいた
め、レジストに照射されたレーザー等が反射して再度レ
ジスト側に進入することがない。従って、明瞭なパター
ンを形成することが出来る。
つぎに本発明を図示の一実施例に基づいて詳細に説明す
る。 図中１は一面に適宜の金属化合物！！（例えばＣｒ０）
１１が適宜の厚さ（例えば２０ ｎｍ）設けられた、２
４０龍φ×５■■の円盤状のマスター用ガラス基板（以
下ガラス基板と呼ぶ）である。 前記金属化合物層１１は例えばＡｒ３０−５０％、Ｎ９
５０〜７０％、０２３〜５％の混合ガス雰囲気下で金属
クロムをターゲットとしたスパッタリングの手法を用い
て形成する４とが出来る。 上記構成のガラス基板１は通常の方法により、メモリー
ディスク製造用マスター、及びスタンパ−の製造に供さ
れる。即ち、ガラス基板１は洗浄・乾燥の後、前記金属
化合物層１１が形成された面に適宜のレジスト（例えば
富士ハント社製ＨＰＲ−２０４） ｉ ２が適宜の膜厚
（例えば１２０ｎｓ）で塗布され、パターン形成部に適
宜のパターン形成用露光手段（例えばレーザー）２を用
いて所望のパターンを形成する。続いて適宜の手段（例
えばアルカリ水溶液等）によりレジスト１２を現像し、
露光部は全て除去して現像レジスト１２ａとしては未露
光部のみを残して乾燥すると、所望のパターンが形成さ
れたマスター３が出来上がる。 前記金属化合物層１１は露光手段２の反射率が４％前後
と極めて低いため、レジスト１２に所望のパターンを形
成する際にも干渉が殆どない。 従うて、現像レジスト１２ａの端部は第４Ａ図に示す様
に明瞭に形成されるため、マスター３のパターンも精確
なものとなる。 マスター３の表面部にスパッタリング、蒸着等の生新に
よって適宜の導電性金属薄膜（例えば銀、ニッケル等）
１３を一様に形成させ、該薄膜１３の上に堅固な金属膜
（例えばニッケルＭ）１４をめっき等の手段によって適
宜の厚さ（例えば０．２關程度）に形成させる。最後に
ガラス基板１から所望パターンが形成された金属部を剥
離させると、樹脂等に所望のパターンを転写してメモリ
ーディスクを製造することの可能なスタンパ−４が完成
する。 前記マスター３とスタンパ−４を作る全工程に渡り、ガ
ラス基板１とレジスト１２、又は現像レジスト１２ａと
の間で剥離は観察されなかった。 尚、ガラス基板１の上に形成する金属化合物層１１は、
実施例に示したＣｒＯの他にもレジスト１２を堅固に密
着可能で、且つ露光手段２であるレーザー等の反射率が
低いＣｒＮ、ＩＴＯ等の金属化合物が使用出来る。又、
膜厚は２０〜１０００ｎ鵬程度の厚さで適宜形成すれば
良い。
る。 図中１は一面に適宜の金属化合物！！（例えばＣｒ０）
１１が適宜の厚さ（例えば２０ ｎｍ）設けられた、２
４０龍φ×５■■の円盤状のマスター用ガラス基板（以
下ガラス基板と呼ぶ）である。 前記金属化合物層１１は例えばＡｒ３０−５０％、Ｎ９
５０〜７０％、０２３〜５％の混合ガス雰囲気下で金属
クロムをターゲットとしたスパッタリングの手法を用い
て形成する４とが出来る。 上記構成のガラス基板１は通常の方法により、メモリー
ディスク製造用マスター、及びスタンパ−の製造に供さ
れる。即ち、ガラス基板１は洗浄・乾燥の後、前記金属
化合物層１１が形成された面に適宜のレジスト（例えば
富士ハント社製ＨＰＲ−２０４） ｉ ２が適宜の膜厚
（例えば１２０ｎｓ）で塗布され、パターン形成部に適
宜のパターン形成用露光手段（例えばレーザー）２を用
いて所望のパターンを形成する。続いて適宜の手段（例
えばアルカリ水溶液等）によりレジスト１２を現像し、
露光部は全て除去して現像レジスト１２ａとしては未露
光部のみを残して乾燥すると、所望のパターンが形成さ
れたマスター３が出来上がる。 前記金属化合物層１１は露光手段２の反射率が４％前後
と極めて低いため、レジスト１２に所望のパターンを形
成する際にも干渉が殆どない。 従うて、現像レジスト１２ａの端部は第４Ａ図に示す様
に明瞭に形成されるため、マスター３のパターンも精確
なものとなる。 マスター３の表面部にスパッタリング、蒸着等の生新に
よって適宜の導電性金属薄膜（例えば銀、ニッケル等）
１３を一様に形成させ、該薄膜１３の上に堅固な金属膜
（例えばニッケルＭ）１４をめっき等の手段によって適
宜の厚さ（例えば０．２關程度）に形成させる。最後に
ガラス基板１から所望パターンが形成された金属部を剥
離させると、樹脂等に所望のパターンを転写してメモリ
ーディスクを製造することの可能なスタンパ−４が完成
する。 前記マスター３とスタンパ−４を作る全工程に渡り、ガ
ラス基板１とレジスト１２、又は現像レジスト１２ａと
の間で剥離は観察されなかった。 尚、ガラス基板１の上に形成する金属化合物層１１は、
実施例に示したＣｒＯの他にもレジスト１２を堅固に密
着可能で、且つ露光手段２であるレーザー等の反射率が
低いＣｒＮ、ＩＴＯ等の金属化合物が使用出来る。又、
膜厚は２０〜１０００ｎ鵬程度の厚さで適宜形成すれば
良い。
以上説明したように、本発明になるマスター用ガラス基
板は表面に塗布するレジストとの密着性が良好であるた
め、マスター及びスタンパ−を作成する工程でガラス基
板とレジストとの剥離が極めて起こり難いばかりでなく
、パターン形成に使用するレーザー等の露光手段の反射
率が小さいために、精確なパターンが形成される。従っ
て、歩留まりが大幅に向上すると共に、製品の性能が極
めて良好となった。 又、レジストの密着性改善のため従来使用していたカッ
プリング剤は、マスター作成の度に塗布する必要があっ
たが、本発明のガラス基板はレジスト塗布面に堅固な金
属化合物層が形成されているので、−度該金属化合物層
を形成するとマスターを１０〜２０回程度作成すること
が出来るので経済的でもある。
板は表面に塗布するレジストとの密着性が良好であるた
め、マスター及びスタンパ−を作成する工程でガラス基
板とレジストとの剥離が極めて起こり難いばかりでなく
、パターン形成に使用するレーザー等の露光手段の反射
率が小さいために、精確なパターンが形成される。従っ
て、歩留まりが大幅に向上すると共に、製品の性能が極
めて良好となった。 又、レジストの密着性改善のため従来使用していたカッ
プリング剤は、マスター作成の度に塗布する必要があっ
たが、本発明のガラス基板はレジスト塗布面に堅固な金
属化合物層が形成されているので、−度該金属化合物層
を形成するとマスターを１０〜２０回程度作成すること
が出来るので経済的でもある。
第１図は本発明のマスター用ガラス基板を断面で示す説
明図、第２図はマスターの断面説明図、第３図はスタン
パ−の作成を断面で示す説明図、第４Ａ図は第２図の要
部の拡大図、第４Ｂ図は従来例の要部拡大図である。 １・・・ガラス基板、１４・・・金属膜、１１・・・金
属化合物層、ｉｓ・・・金属クロム層、１２・・・レジ
スト、 ２・・・霧光手段、１２ｍ・・・現像レジ
スト、３・・・マスター、１３・・・導電性金属薄膜、
４・・・スタンパ−特許出願人 凸版印刷株
式会社外１当 第１ 第２図 第３図 １１４Ａ図 １１４Ｂ図
明図、第２図はマスターの断面説明図、第３図はスタン
パ−の作成を断面で示す説明図、第４Ａ図は第２図の要
部の拡大図、第４Ｂ図は従来例の要部拡大図である。 １・・・ガラス基板、１４・・・金属膜、１１・・・金
属化合物層、ｉｓ・・・金属クロム層、１２・・・レジ
スト、 ２・・・霧光手段、１２ｍ・・・現像レジ
スト、３・・・マスター、１３・・・導電性金属薄膜、
４・・・スタンパ−特許出願人 凸版印刷株
式会社外１当 第１ 第２図 第３図 １１４Ａ図 １１４Ｂ図
Claims (1)
- レジスト塗布面に金属化合物層が設けられたことを特徴
とするマスター用ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019086A JPH02198835A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | マスター用ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1019086A JPH02198835A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | マスター用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198835A true JPH02198835A (ja) | 1990-08-07 |
Family
ID=11989644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1019086A Pending JPH02198835A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | マスター用ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198835A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041070A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'information |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| KR20140114797A (ko) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60107651A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | Arubatsuku Seimaku Kk | フオトマスク |
| JPS62187349A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-15 | Nec Corp | フオトマスクの製造方法 |
| JPS62239446A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-20 | Seiko Epson Corp | 光メモリ用マザ−スタンパの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1019086A patent/JPH02198835A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| KR20200086250A (ko) * | 2013-03-19 | 2020-07-16 | 호야 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
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