JPH02235063A - 密着露光用マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク等の基板として用いられるパ
ターン付ガラス基板を作製する際に用いられる密着露光
用マスクに関する． 〔従来の技術〕 レーザ光等を利用して情報の記録・再生・消去を行なう
光磁気ディスク等に用いられるガラス基板には凹凸状の
ピット信号の形で番地情報などが記録されているが、こ
のピット信号等のパターンが記録されたガラス基板の作
製は、通常、マスクを用いた密着露光法によって行なわ
れている。

第４図は、その密着露光法による光磁気ディスク用ガラ
ス基板の作製工程を示す図であって，以下同図を参照し
て説明する． 先ず、光磁気ディスク用ガラス基板の作製に先だって密
着露光用のマスクが作製される．第４図（１）に示すよ
うに、先ず、鏡面研磨された透明なマスク用ガラス基板
１１上に、Ｃｒ等の金属材料をスパッタリングや蒸着し
て光遮光層１２を形成し、この光遮光層１２の上に、さ
らにフォトレジスト層１３が塗布形成される。

次に、第４図（２）に示すように、マスク用ガラス基板
１１を回転しながら記録信号に対応して光強度変調され
たレーザ光ｒを０．５〜１．０μｌ径のスポット状に上
記フォトレジスト層１３上に集光して露光した後、現像
して第４図（３）に示すように、フォトレジスト層１３
に所望のピットパターンをスパイラル状に形成し、この
後、第４図（４）に示すように，エッチング処理により
光遮光層１２に上記ピットパターンを形成し、第４図（
５）に示すように、所望のピットパターンが形成された
密着露光用マスク１４が作製される。

次に、光磁気ディスク用ガラス基板の作製に当っては，
第４図（６）に示すように、フォトレジスト層１５が塗
布されたガラス基板１６に上記密着露光用マスク１４を
密着した後、紫外光（ＵＶ光）を全面に同時露光した後
、フォトレジスト層１５を現像処理し、第４図（７）に
示すようにフォトレジスト層ｌ５にビットパターンを形
成する。この後、ガラスエッチングを施し第４図（８）
に示すようにガラス基板１６にピットパターンを形成す
る。そして、第４図（９）に示すようにフォトレジスト
層を除去してピットパターンが形成された光磁気ディス
ク用ガラス基板が作製される． 尚、上記密着露光用マスクの光遮光層１２は、通常、ス
パッタリング法によって形成され、数１００人〜２００
０人の膜厚で、Ｃｒ　，Ｃｒ酸化膜，ＣｒとＣｒ酸化膜
等の２ＮＩ構造からなっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、上記パターン付ガラス基板の製造工程におい
て最も問題となるのは、第４＠　（６）に示す密着露光
の工程である。すなわち、マスク１４上の光遮光層１２
に形成されたパターンをガラス基板１６側のフォトレジ
スド層１５に転写するためには、フォトレジスト１５と
マスク１４側の光遮光層１２の表面とを強く密着する必
要がある． ところが、このようにフォトレジスト１５とマスク１４
側の光遮光潜１２表面とを強く密着した場合、フォトレ
ジストがマスク１４の光遮光Ｎ１２表面上に付着し、レ
ジスト側のパターンが破損するという問題や、マスク１
４側に付着したレジストのため、その後のパターニング
不良の発生の原因になる等の間厘が生じる。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、ガラ
ス基板側のフォトレジスト層にマスクの光遮光暦表面を
強く密着した場合にも、レジストと光遮光層表面とが接
着することのない密着露光用マスクを提供することを目
的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため，本発明では、透明性基板上に
遮光材によって所定のパターンが形成された密着露光用
マスクにおいて、上記遮光材表面に微小な凹凸を付与し
たことを特徴とする．〔作　　　用〕 本発明によれば、密着露光用マスクの遮光材表面に微小
な凹凸を付与したことにより、遮光材表面とガラス基板
側のレジスト層との接触は点接触となり、両者の付着が
防止される． 〔実　施　例〕 以下、本発明を図示の一実施例を参照して詳細に説明す
る。

第１図は本発明の一実施例を示す密着露光用マスクの概
略的断面構成図であって、本発明による密着露光用マス
クは、表面を鏡面研磨された透明性基板１上に、Ｃｒや
Ｃｒ酸化物等の遮光材２によって所定のパターンを形成
すると共に、上記遮光材２表面に０．２Ｓ〜０．０２Ｓ
の微小な凹凸２ａを付与したことを特徴とするものであ
る。

ここで，上記構成の密着露光用マスクの製造法について
説明する． 第２図は本発明による密着露光用マスクの光遮光層を形
成するための装置の一例を示しており、本装置は、一般
的なマグネトロンスパッタ装置である．また、第３図に
本発明による密着露光用マスクの製造過程の一例を示す
。

第２図において、符号１は光遮光層形成用の透明性のガ
ラス基板、符号３は真空室、符号４はアノード、符号５
はカソード、符号５ａは電磁石，符号６はターゲット、
符号７はバイアス電源、符号８はＤＣ電源、符号９はア
ースシールドを夫々示しており、このマグネトロンスパ
ッタ装置では、バイアス電源７により基板１に負のバイ
アス電圧を加えることができるようになっている。

さて、第２図及び第３図において、ターゲット６にＣｒ
を用い、鏡面研磨された透明なガラス基板１にスパッタ
リング法により層厚３００〜２０００人のＣｒ膜２ｂを
形成する（第３図（１））．尚、この時、基板１へはバ
イアスを印加しない。

次に、基板１に対して負のバイアスを印加して、上記Ｃ
ｒ膜２ｂの上に、さらに１００〜２００人の層厚のＣｒ
膜２ｃを形成する（第３図（■））。このとき、表面の
Ｃｒ膜は、上記負バイアスにより再スバッタされるため
、Ｃｒ粒子が大きくなり、Ｃｒ膜２ｃ表面には微小な凹
凸２ａが形成される。

次に、第３図（ＩＩ）のように２層のＣｒ膜２ｂ，２ｃ
からなる光遮光層２上にフォトレジスト層１０を塗布し
、従来と同様にレーザ光の露光により所定のマスクパタ
ーンを形成し（第３図（ｍ））．この後、エッチングに
より光遮光層２に上記パターンＰを形成し、フォトレジ
ス５１０を除去することにより、第３図（ＩＶ）に示す
ように本発明による密着露光用マスクが作製される。

さて、以上のようにして形成された密着露光用マスクに
おいては、遮光材２表面に０．２Ｓ〜０．０２５の微小
な凹凸２ａを付与したことにより，遮光材２表面とガラ
ス基板側のレジスト層との接触は点接触となり、両者の
付着が防止される。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明による密着露光用マスクにおいて
は、密着露光時におけるレジスト層と遮光屡の付着の問
題が解決され、レジスト側のパタ−ンの破損や，マスク
再使用時のパターニング不良の発生の問題等が略完全に
防止される。

また、本発明による密着露光用マスクにおける光遮光層
表面の凹凸は、バイアススバッタ法により光遮光層の形
成と同時に形成することができ、新たな製造工程を増や
すことがないため、製造コストを増大することなく、前
記レジスト層との付着の問題を解決することができる。

また、本発明では、光遮光溜表面の凹凸をバイアススバ
ッタ法により容易に形成することができ，且つ光遮光層
を多層構造にすることもできるため、光遮光層にピンホ
ール等の遮光不良個所が発生することがなく，良好な品
質の密着露光用マスクを提供することができる． したがって、本発明によれば、最良の密着露光用マスク
を提供することができ、高品質なパターン付ガラス基板
の作製も可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す密着露光用マスクの概
略的断面構成図，第２図は同上密着露光用マスクの光遮
光層形成に用いられる装置の一例を示す概略的構成図、
第３図は第２図に示す装置を用いて密着露光用マスクの
光遮光層を形成する場合の形成過程を説明するための図
、第４図は光磁気ディスク用ガラス基板の製造工程の説
明図である。 １・・・・透明性基板、２・・・・光遮光Ｎ（遮光材）
，２ａ・・・・凹凸部７ 処 （ｑ） ＋ 口ζズ５Ｓ〜／７

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明性基板上に遮光材によって所定のパターンが形成さ
   れた密着露光用マスクにおいて、上記遮光材表面に微小
   な凹凸を付与したことを特徴とする密着露光用マスク。