JPS61242023A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61242023A JPS61242023A JP60084818A JP8481885A JPS61242023A JP S61242023 A JPS61242023 A JP S61242023A JP 60084818 A JP60084818 A JP 60084818A JP 8481885 A JP8481885 A JP 8481885A JP S61242023 A JPS61242023 A JP S61242023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- auxiliary
- resist pattern
- photomask
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は、微細パターンの形成方法、特に密着露光法に
よって微細パターンを高精度で且つ生産性良く形成可能
にした微細パターンの形成方法に関するものである。
よって微細パターンを高精度で且つ生産性良く形成可能
にした微細パターンの形成方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
一般に半導体素子、磁気バルブ素子及び表面弾性波素子
及び薄膜磁気ヘッド等のパターンに高精度を要求される
微細パターンの形成方法においてフォトマスクパターン
をウェハ上に転写させる場合、ポジ型フォトレジスト（
以下、単にフォトレジストと称す）を用いて密着露光す
る方法が採用されている。この場合、フォトレジストに
光を照射するとフォトレジストに含有されている感光基
が光分解してＮ２ガスを放出し、これが原因となってウ
ェハ上に塗布されたフォトレジスト模からフォトマスク
が離れる所謂密着不良を引き起こすことが既に知られて
いる。そして、この密着不良が発生すると光フレネル回
折現象により、レジストパターンの寸法を変化させたり
パターン形状の変形を発生させ精度の高い微細パターン
が得られないと謂う欠点があった。この問題を解決する
ために、露光時間を短くしてＮ２ガスが発生する前に露
光を完了させると謂う方法が特開昭５８−８０８３６号
公報にて提案されている。
及び薄膜磁気ヘッド等のパターンに高精度を要求される
微細パターンの形成方法においてフォトマスクパターン
をウェハ上に転写させる場合、ポジ型フォトレジスト（
以下、単にフォトレジストと称す）を用いて密着露光す
る方法が採用されている。この場合、フォトレジストに
光を照射するとフォトレジストに含有されている感光基
が光分解してＮ２ガスを放出し、これが原因となってウ
ェハ上に塗布されたフォトレジスト模からフォトマスク
が離れる所謂密着不良を引き起こすことが既に知られて
いる。そして、この密着不良が発生すると光フレネル回
折現象により、レジストパターンの寸法を変化させたり
パターン形状の変形を発生させ精度の高い微細パターン
が得られないと謂う欠点があった。この問題を解決する
ために、露光時間を短くしてＮ２ガスが発生する前に露
光を完了させると謂う方法が特開昭５８−８０８３６号
公報にて提案されている。
（ハ）発明が解決しようとする問題魚
介、斯るレジストパターン形成方法においてフォトレジ
ストが光によって分解する過程を考えれば次式の様な感
光反応を起こして現像液に可溶となっている。
ストが光によって分解する過程を考えれば次式の様な感
光反応を起こして現像液に可溶となっている。
つまり、フォトレジストに光を照射するとＮ２ガスが発
生することにより感光反応が進み、所望のレジストパタ
ーンが得られることになる。このことから上記特開昭５
８−８０８３６号公報によるレジストパターン形成方法
では、上式の感光反応途中でその反応を中止することに
なるため、本来感光されるべき部分に未反応フォトレジ
ストが残る虞れがありパターン精度の悪化につながって
いた。実際、上記特開昭５８−８０８３６号公報に示さ
れている実施例のようにフォトレジスト襖の 要約１μｍへものを露光時間２秒で感光した結果、パタ
ーンの′回りには未反応のフォトレジストが残っている
のが確認された。
生することにより感光反応が進み、所望のレジストパタ
ーンが得られることになる。このことから上記特開昭５
８−８０８３６号公報によるレジストパターン形成方法
では、上式の感光反応途中でその反応を中止することに
なるため、本来感光されるべき部分に未反応フォトレジ
ストが残る虞れがありパターン精度の悪化につながって
いた。実際、上記特開昭５８−８０８３６号公報に示さ
れている実施例のようにフォトレジスト襖の 要約１μｍへものを露光時間２秒で感光した結果、パタ
ーンの′回りには未反応のフォトレジストが残っている
のが確認された。
に）問題点を解決するための手段
本発明は上記した問題点を解決するために、ウェハ上に
７オトレジストを塗布し、そのフォトレジスト膜上に所
望のフォトマスクパターンが形成されたフォトマスクを
密着して露光することによりウェハ上に所望のレジスト
パターンを形成する微細パターンの形成方法において、
先ず所望のフォトマスクパターンを概略覆う補助フォト
マスクパターンが形成された補助フォトマスクで露光を
行なって一旦補助レジストパターンを形成し、その後所
望のフォトマスクパターンが形成されたフォトマスクで
露光を行なって所望のレジストパターンを形成するよう
にしたものである。
７オトレジストを塗布し、そのフォトレジスト膜上に所
望のフォトマスクパターンが形成されたフォトマスクを
密着して露光することによりウェハ上に所望のレジスト
パターンを形成する微細パターンの形成方法において、
先ず所望のフォトマスクパターンを概略覆う補助フォト
マスクパターンが形成された補助フォトマスクで露光を
行なって一旦補助レジストパターンを形成し、その後所
望のフォトマスクパターンが形成されたフォトマスクで
露光を行なって所望のレジストパターンを形成するよう
にしたものである。
（ホ）作 用
上記した本発明形成方法では、一旦補助レジストパター
ンを形成した後に所望のレジストパｐ −ンを形成する
二重露光法を用いているので、所望のレジストパターン
形成工程でフォトマスクとレジスト面の密着不良を生じ
ることがない。
ンを形成した後に所望のレジストパｐ −ンを形成する
二重露光法を用いているので、所望のレジストパターン
形成工程でフォトマスクとレジスト面の密着不良を生じ
ることがない。
（へ）実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
即ち、本発明では所望のレジストパターンを形成する前
に、一旦このレジストパターンと概略近似した補助レジ
ストパターンを形成して所望のレジストパターン形成時
に除去されるフォトレジストの大部分を除去するように
したものである。従って、所望のレジストパターン形成
時には感光されるべきフォトレジスト面積が小さくなり
Ｎ、ガスの発生量も補助パターン形成時に比べて大幅に
少なくなるため、密着不良を生じない高精度のパターン
形成を行なうことが出来る。
に、一旦このレジストパターンと概略近似した補助レジ
ストパターンを形成して所望のレジストパターン形成時
に除去されるフォトレジストの大部分を除去するように
したものである。従って、所望のレジストパターン形成
時には感光されるべきフォトレジスト面積が小さくなり
Ｎ、ガスの発生量も補助パターン形成時に比べて大幅に
少なくなるため、密着不良を生じない高精度のパターン
形成を行なうことが出来る。
即ち、単位面積、単位露光量当り、フォトレジストの感
光反応により発生するＮ、ガスの量をｎとし、全露光面
積をＳとすれば、面積５Ｓ（Ｓ＞Ｓｓ）の補助フォトマ
スクパターンを用いた場合、露光される部分の面積は５
−８ｓとなり、この補助レジストパターン形成工程で発
生するＮ２ガスの量Ｑ１ はＮ２ガスの発生が露光時間
と比例すると考えればｎ（Ｓ−３ｓ）ｔ、（ｔｌ ：露
光時間）となる。更に、所望のレジストパターン形成工
程に詔いてレジストパターンの面積をＳＭ（ＳＳ＞ＳＭ
）とすればこの工程におけるＮ２ガスの発生量Ｑ２はｎ
（Ｓｓ−８Ｍ）ｔ、（ｔ、：露光時間）となる。ここで
両工程での露光時間を等しくすれば（ｔ＋＝ｔｘ＝ｔ）
その差はＱ、を−Ｑｌ ＝ｎ（Ｓ−ｚｓｓ＋ｓＭ）ｔと
なり、通常５））ＳＳなのでＱ、ｔ＞Ｑｚとなり、補助
レジスタパターン形成工程で発生するＮ２ガス量よりも
少なくなる。これを従来のような１回め工程で行なえば
発生するＮ２ガスノ量Ｑ３はｎ（Ｓ−６ｕ）ｔとなり、
Ｑ２とＱ３とを比べればＱ、ｓ Ｑ、ｚ＝ｎ（Ｓ−８
ｓ）ｔとなって明らかにＱ、３＞Ｑ、ｚで、本発明にお
けるＮ２ガス発生量よりも多くなって密着不良を生じ易
い。
光反応により発生するＮ、ガスの量をｎとし、全露光面
積をＳとすれば、面積５Ｓ（Ｓ＞Ｓｓ）の補助フォトマ
スクパターンを用いた場合、露光される部分の面積は５
−８ｓとなり、この補助レジストパターン形成工程で発
生するＮ２ガスの量Ｑ１ はＮ２ガスの発生が露光時間
と比例すると考えればｎ（Ｓ−３ｓ）ｔ、（ｔｌ ：露
光時間）となる。更に、所望のレジストパターン形成工
程に詔いてレジストパターンの面積をＳＭ（ＳＳ＞ＳＭ
）とすればこの工程におけるＮ２ガスの発生量Ｑ２はｎ
（Ｓｓ−８Ｍ）ｔ、（ｔ、：露光時間）となる。ここで
両工程での露光時間を等しくすれば（ｔ＋＝ｔｘ＝ｔ）
その差はＱ、を−Ｑｌ ＝ｎ（Ｓ−ｚｓｓ＋ｓＭ）ｔと
なり、通常５））ＳＳなのでＱ、ｔ＞Ｑｚとなり、補助
レジスタパターン形成工程で発生するＮ２ガス量よりも
少なくなる。これを従来のような１回め工程で行なえば
発生するＮ２ガスノ量Ｑ３はｎ（Ｓ−６ｕ）ｔとなり、
Ｑ２とＱ３とを比べればＱ、ｓ Ｑ、ｚ＝ｎ（Ｓ−８
ｓ）ｔとなって明らかにＱ、３＞Ｑ、ｚで、本発明にお
けるＮ２ガス発生量よりも多くなって密着不良を生じ易
い。
次に、本発明における微細パターンの形成方法について
第１図乃至第５図を参照しながら具体的に説明する。
第１図乃至第５図を参照しながら具体的に説明する。
先ず、ウェハ（１）上に蒸着、スパツク等によって例え
ばＣｖ−膜（膜厚２０００人）等の被エツチング膜（２
）を形成した後、その上に７オトレジスト（３）をその
膜厚が約１μｍになるように塗布形成する。
ばＣｖ−膜（膜厚２０００人）等の被エツチング膜（２
）を形成した後、その上に７オトレジスト（３）をその
膜厚が約１μｍになるように塗布形成する。
そして、補助フォトマスクパターン（４）がその裏面側
にｃｒ等で形成された補助フォトマスク（５）を、第１
図に示す如くフォトレジスト（３）上に密着させた後（
即ち、その補助フォトマスクパターン（４）をレジスト
面に密着させた後）、その上から水銀ランプ等を用いて
１０秒の露光をかける。この露光後、フォトレジスト（
３）の光の当った部分は前述したように感光反応を起こ
して現像液に可溶性になり、光の当っていない部分（即
ち、補助フォトマスク（４）にて覆われた部分）は現像
液に溶けないため、現像後は第２図のように補助レジス
トパターンが形成される。この補助レジストパターンは
所望のレジストパターンの概略であるため高精度である
必要はなくＮ！ガスの発生により補助フォトマスク（５
）がレジスト面から浮き上がって密着不良を生じても支
障はない。そして、次に所望のフォトマスクパターン（
６）がその裏面側にＯｒ等で形成されたフォトマスク（
７）を第３図に示す如くフォトレジスト（３）（即ち、
補助レジストパターン）上に密着させた後、上記補助フ
ォトマスクを用いた工程と同様に露光、現像を行ない、
第４図に示す所望のレジストパターンを形成する。尚、
この工程においては、露光されて感光反応を起こす面積
が補助レジストパターン形成工程に比べて小さくなって
いるので、Ｎ２ガスの発生も少なくなりフォトマスク（
７）がレジスト面から離れて密着不良を起こすことがな
い。更に、発生したＮ、ガスは先に形成した補助レジス
トパターンのレジスト隙間から逃れることが出来るので
、更にマスク面がレジストから離れにくくなる。従って
、所望のレジストパターンはパターン寸法の偏差や変形
がなくフォトマスクパターンに忠実に且つパターンの切
れの極めて良好な高精度のパターンが得られる。
にｃｒ等で形成された補助フォトマスク（５）を、第１
図に示す如くフォトレジスト（３）上に密着させた後（
即ち、その補助フォトマスクパターン（４）をレジスト
面に密着させた後）、その上から水銀ランプ等を用いて
１０秒の露光をかける。この露光後、フォトレジスト（
３）の光の当った部分は前述したように感光反応を起こ
して現像液に可溶性になり、光の当っていない部分（即
ち、補助フォトマスク（４）にて覆われた部分）は現像
液に溶けないため、現像後は第２図のように補助レジス
トパターンが形成される。この補助レジストパターンは
所望のレジストパターンの概略であるため高精度である
必要はなくＮ！ガスの発生により補助フォトマスク（５
）がレジスト面から浮き上がって密着不良を生じても支
障はない。そして、次に所望のフォトマスクパターン（
６）がその裏面側にＯｒ等で形成されたフォトマスク（
７）を第３図に示す如くフォトレジスト（３）（即ち、
補助レジストパターン）上に密着させた後、上記補助フ
ォトマスクを用いた工程と同様に露光、現像を行ない、
第４図に示す所望のレジストパターンを形成する。尚、
この工程においては、露光されて感光反応を起こす面積
が補助レジストパターン形成工程に比べて小さくなって
いるので、Ｎ２ガスの発生も少なくなりフォトマスク（
７）がレジスト面から離れて密着不良を起こすことがな
い。更に、発生したＮ、ガスは先に形成した補助レジス
トパターンのレジスト隙間から逃れることが出来るので
、更にマスク面がレジストから離れにくくなる。従って
、所望のレジストパターンはパターン寸法の偏差や変形
がなくフォトマスクパターンに忠実に且つパターンの切
れの極めて良好な高精度のパターンが得られる。
この様にして形成された所望のレジストパターンにより
被エツチング＠（２）をドライエツチング等の既知の技
術によりエツチングを行ない、残存したレジストを除去
すれば第５図のように被エツチング膜（２）が所望のパ
ターンにエツチングされる。
被エツチング＠（２）をドライエツチング等の既知の技
術によりエツチングを行ない、残存したレジストを除去
すれば第５図のように被エツチング膜（２）が所望のパ
ターンにエツチングされる。
尚、上記実施例においてフォトレジストとして東京応化
社の０ＦＰＲ８００を用いたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、感光反応によりＮ２ ガスを放出す
るすべてのフォトレジストに適用できるものである。
社の０ＦＰＲ８００を用いたが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、感光反応によりＮ２ ガスを放出す
るすべてのフォトレジストに適用できるものである。
（ト）発明の効果
上述した如く本発明に依れば、所望のレジストパターン
を形成する前にこのレジストパターンと概略近似した補
助レジストパターンを形成して、所望のレジストパター
ン形成時に感光除去されるフォトレジストの大部分を除
去するようにしたので、Ｎ２ガスの発生により生じてい
た密着不良を防止出来、パターンの寸法変化や形状変化
の極めて少ない高精度の微細パターンが特殊な機器を用
いることなく、簡単に、生産性良く得ることが出来ると
謂う優れた効果を奏する。
を形成する前にこのレジストパターンと概略近似した補
助レジストパターンを形成して、所望のレジストパター
ン形成時に感光除去されるフォトレジストの大部分を除
去するようにしたので、Ｎ２ガスの発生により生じてい
た密着不良を防止出来、パターンの寸法変化や形状変化
の極めて少ない高精度の微細パターンが特殊な機器を用
いることなく、簡単に、生産性良く得ることが出来ると
謂う優れた効果を奏する。
図は本発明における微細パターンの形成方法を具体的に
示し、第１図は補助フォトマスクの密着状態を示す図、
第２図はその補助レジストパターンを示す図、第３図は
所望のフォトマスクの密着状態を示す図、第４図は所望
のレジストパターンを示す図、第５図は被エツチング膜
のパターンを示す図である。 （１）・・・ウェハ、（２）・・・被エツチング膜、ｆ
３）・・・フォトレジスト、（５）・・・補助フォトマ
スク。
示し、第１図は補助フォトマスクの密着状態を示す図、
第２図はその補助レジストパターンを示す図、第３図は
所望のフォトマスクの密着状態を示す図、第４図は所望
のレジストパターンを示す図、第５図は被エツチング膜
のパターンを示す図である。 （１）・・・ウェハ、（２）・・・被エツチング膜、ｆ
３）・・・フォトレジスト、（５）・・・補助フォトマ
スク。
Claims (1)
- （１）ウェハ上にポジ型フォトレジストを塗布し、その
ポジ型フォトレジスト膜上に所望のフォトマスクパター
ンが形成されたフォトマスクを密着して露光することに
よりウェハ上に所望のレジストパターンを形成する微細
パターンの形成方法において、先ず所望のフォトマスク
パターンを概略覆う補助フォトマスクパターンが形成さ
れた補助フォトマスクで露光を行なって一旦補助レジス
トパターンを形成し、その後所望のフォトマスクパター
ンが形成されたフォトマスクで露光を行なって所望のレ
ジストパターンを形成することを特徴とした微細パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084818A JPS61242023A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084818A JPS61242023A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242023A true JPS61242023A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0525168B2 JPH0525168B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=13841323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084818A Granted JPS61242023A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61242023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005115358A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパターン形成方法、マスター情報担体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、及び磁気記録再生装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7168821B1 (ja) * | 2021-04-30 | 2022-11-09 | 積水化学工業株式会社 | 熱膨張性マイクロカプセル |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60084818A patent/JPS61242023A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005115358A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストパターン形成方法、マスター情報担体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、及び磁気記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525168B2 (ja) | 1993-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0471222A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| JPS61242023A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63170917A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JP3326709B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US4988404A (en) | Method of producing a primary diffraction grating | |
| JPS60235426A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH01185922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06105678B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6191948A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58125825A (ja) | フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH03104113A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0440456A (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPS63288020A (ja) | 電極作成方法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS5866942A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH0536600A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01253918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01126606A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPS5880836A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS61198632A (ja) | レジストパタ−ンアンダ−カツト形状の形成方法 | |
| JPS61245531A (ja) | 薄膜のパタ−ニング方法 | |
| JPH01266545A (ja) | レチクルの製造方法 | |
| JPH02193103A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPS6074629A (ja) | 薄膜のパタ−ン形成方法 |