JPS61245531A - 薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents
薄膜のパタ−ニング方法Info
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- JPS61245531A JPS61245531A JP60087010A JP8701085A JPS61245531A JP S61245531 A JPS61245531 A JP S61245531A JP 60087010 A JP60087010 A JP 60087010A JP 8701085 A JP8701085 A JP 8701085A JP S61245531 A JPS61245531 A JP S61245531A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リフトオフ法を用いた薄膜のパターニング方
法に関する。
法に関する。
本発明は、感光性有機樹脂薄膜を使い、マスクより転写
して、基板上に形成された所望反転パターンを用いるリ
フトオフ法による、薄膜のパターニング方法において、
該感光性有機樹脂薄膜２層を、各々別々に塗布後所望パ
ターンを露光し・重ねて形成することにより２重露光し
た該感光性有機樹脂薄膜を同時に現像し、エツジ部がオ
ーバーハング形状の該所望反転パターンを形成する方法
である。それによって、安価で、さらに寸法精度が良く
・所望する薄膜パターンのエツジ部がなだらかな、理想
的な高品質の薄膜パターニングを可能にしたものである
。
して、基板上に形成された所望反転パターンを用いるリ
フトオフ法による、薄膜のパターニング方法において、
該感光性有機樹脂薄膜２層を、各々別々に塗布後所望パ
ターンを露光し・重ねて形成することにより２重露光し
た該感光性有機樹脂薄膜を同時に現像し、エツジ部がオ
ーバーハング形状の該所望反転パターンを形成する方法
である。それによって、安価で、さらに寸法精度が良く
・所望する薄膜パターンのエツジ部がなだらかな、理想
的な高品質の薄膜パターニングを可能にしたものである
。
レジストなどで所望反転パターンを形成し、全面に所望
薄膜を成膜後、レジストをその上の薄膜と共に除去して
薄膜のパターニングをするり７トオフ法において重要な
点は、リフトオフ用パターン上に目的の薄膜を成膜した
際、す７トオ７用レジストパターンの有無により成膜し
た薄膜が、完全に分離することである。そのため、リフ
トオ７用パターンエツジ部は、オーバーハング形状にす
るため、従来のり７トオフ法の１つとして、露光時間を
長くして充分感光させ、さらに充分現像することにより
、す７トオ７用パタ一ンエツジ部が、できるだけオーバ
ーハング形状又は、基板に対し垂直になるようにする方
法であった。
薄膜を成膜後、レジストをその上の薄膜と共に除去して
薄膜のパターニングをするり７トオフ法において重要な
点は、リフトオフ用パターン上に目的の薄膜を成膜した
際、す７トオ７用レジストパターンの有無により成膜し
た薄膜が、完全に分離することである。そのため、リフ
トオ７用パターンエツジ部は、オーバーハング形状にす
るため、従来のり７トオフ法の１つとして、露光時間を
長くして充分感光させ、さらに充分現像することにより
、す７トオ７用パタ一ンエツジ部が、できるだけオーバ
ーハング形状又は、基板に対し垂直になるようにする方
法であった。
さらに他の方法に、公開特許公報（Ａ）昭５８−１４２
５２６などの様に、２層構造で、リフトオフ用有機樹脂
薄膜のパターン形成を、酸素雰囲気における反応性スパ
ッタエツチングで形成する方法もあったＯ 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来の技術での、露光時間を長くする方法においては、寸
法精度がばらつき再現性がなく、第３図の様に、所望薄
膜パターンエツジ部にヒレ１０が発生するなどの問題点
を有する。
５２６などの様に、２層構造で、リフトオフ用有機樹脂
薄膜のパターン形成を、酸素雰囲気における反応性スパ
ッタエツチングで形成する方法もあったＯ 〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来の技術での、露光時間を長くする方法においては、寸
法精度がばらつき再現性がなく、第３図の様に、所望薄
膜パターンエツジ部にヒレ１０が発生するなどの問題点
を有する。
そして、２層構造で、反応性スパッタエツチングでの形
成方法は、酸素雰囲気における反応性スパッタエツチン
グにより、除去した部分に金属や、炭化物が残り、その
上の所望薄膜の密着力が弱く、（３）り なる問題点を有し、又は密着力向上のための逆スパツタ
などの工程が必要であり、さらに、２層構造のためのモ
リブデン成膜と、フォトエツチングの工程も必要である
などで、コスト高になる問題点を有する。
成方法は、酸素雰囲気における反応性スパッタエツチン
グにより、除去した部分に金属や、炭化物が残り、その
上の所望薄膜の密着力が弱く、（３）り なる問題点を有し、又は密着力向上のための逆スパツタ
などの工程が必要であり、さらに、２層構造のためのモ
リブデン成膜と、フォトエツチングの工程も必要である
などで、コスト高になる問題点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、リフトオフ用パターンのエツ
ジ部が、簡単に、再現性よく、オーバーハング形状にな
ることと、レジストの厚みと、現像時間などを調整する
ことにより、段差のある所にもヒレのない高品質のパタ
ーン形成が可能であり、さらに反応性スパッタエツチン
グによる残留物がないため、薄膜の密着力が強く、そし
て逆スパツタや、モリブデンの成膜と、そのフォトエツ
チング工程が必要でないなど、安価で、高品質の所望薄
膜のパターニング方法を提供するところにある。
その目的とするところは、リフトオフ用パターンのエツ
ジ部が、簡単に、再現性よく、オーバーハング形状にな
ることと、レジストの厚みと、現像時間などを調整する
ことにより、段差のある所にもヒレのない高品質のパタ
ーン形成が可能であり、さらに反応性スパッタエツチン
グによる残留物がないため、薄膜の密着力が強く、そし
て逆スパツタや、モリブデンの成膜と、そのフォトエツ
チング工程が必要でないなど、安価で、高品質の所望薄
膜のパターニング方法を提供するところにある。
本発明の薄膜のパターニング方法は、感光性有機樹脂薄
膜を使い、マスクより転写して、基板上（４１゛ に形成された所望反転パターンを用いるリフトオフ法に
よる、薄膜のパターニング方法において、該感光性有機
樹脂薄膜２層を、各々別々に塗布後所望パターンを露光
し、重ねて形成後、該感光性有機樹脂薄膜２層を同時に
現像し、該所望反転パターンを形成したことを特徴とす
る０ 〔作用〕 本発明の上記の構成によれば、感光性有機樹脂のポジタ
イプのレジストは、光が当った所が現像液に溶ける性質
があるため、一層目のレジストを塗布後、２層目より大
きなパターンを露光しておき、その後２層目のレジスト
を塗布し、２層目のパ′ターンを露光してから、２層を
同時に現像することにより、１層目と２層目のパターン
の差だけ必ずオーバーハング形状になる０ 〔実施例１〕 本発明の実施例１は、第１図に示す工程によって、基板
上に膜厚２μ常のスーパーマロイ膜をパターニングする
ものである０ 以下第１図によって詳しく説明する。
膜を使い、マスクより転写して、基板上（４１゛ に形成された所望反転パターンを用いるリフトオフ法に
よる、薄膜のパターニング方法において、該感光性有機
樹脂薄膜２層を、各々別々に塗布後所望パターンを露光
し、重ねて形成後、該感光性有機樹脂薄膜２層を同時に
現像し、該所望反転パターンを形成したことを特徴とす
る０ 〔作用〕 本発明の上記の構成によれば、感光性有機樹脂のポジタ
イプのレジストは、光が当った所が現像液に溶ける性質
があるため、一層目のレジストを塗布後、２層目より大
きなパターンを露光しておき、その後２層目のレジスト
を塗布し、２層目のパ′ターンを露光してから、２層を
同時に現像することにより、１層目と２層目のパターン
の差だけ必ずオーバーハング形状になる０ 〔実施例１〕 本発明の実施例１は、第１図に示す工程によって、基板
上に膜厚２μ常のスーパーマロイ膜をパターニングする
ものである０ 以下第１図によって詳しく説明する。
（１） （ａ）の様に、基板１にポジタイプの１層目
のレジスト２を１μｍの厚みで塗布し、プレベーキング
し、マスク３をレジスト２に合わせて、所定の所に、所
定のパターンを露光する。
のレジスト２を１μｍの厚みで塗布し、プレベーキング
し、マスク３をレジスト２に合わせて、所定の所に、所
定のパターンを露光する。
（２）その後（ｂ）の様に、ポジタイプの２層目のレジ
スト５を４μｍの厚みで塗布し、プレベーキングし、マ
スク６をレジスト５に合わせて、所定の所に、所定のパ
ターンを露光する。ただし、１層目より２層目の方がレ
ジストを除去する部分が狭いようにする〇 （３） （６）の様に、現像することにより・オーバ
ーハング形状の所望反転パターンを形成する。
スト５を４μｍの厚みで塗布し、プレベーキングし、マ
スク６をレジスト５に合わせて、所定の所に、所定のパ
ターンを露光する。ただし、１層目より２層目の方がレ
ジストを除去する部分が狭いようにする〇 （３） （６）の様に、現像することにより・オーバ
ーハング形状の所望反転パターンを形成する。
（４＞ （ｄ）の様に、スーパーマロイ８を２μｍの
厚みにスパッタする◎ （５） （ａ）の様に、レジスト２と５を剥離するこ
とにより、レジスト上のスーパーマロイ８を除去する０
以上のプロセスによりスーパーマロイ膜のパターニング
を完了する。
厚みにスパッタする◎ （５） （ａ）の様に、レジスト２と５を剥離するこ
とにより、レジスト上のスーパーマロイ８を除去する０
以上のプロセスによりスーパーマロイ膜のパターニング
を完了する。
〔実施例２〕
本発明の実施例２は、第２図に示す工程によって、基板
上に膜厚２μｍのスーパーマロイＩｌｌパターニングす
るものである０ 以下第２図によって詳しく説明する。
上に膜厚２μｍのスーパーマロイＩｌｌパターニングす
るものである０ 以下第２図によって詳しく説明する。
（１） （ａ）の様に、基板１にポジタイプの１層目
のレジスト２を１μｍの厚みで塗布し、プレベーキング
し、全面に露光する。
のレジスト２を１μｍの厚みで塗布し、プレベーキング
し、全面に露光する。
（２） その後（ｂ）の様に、ポジタイプの２層目の
レジスト５を４μｍの厚みで塗布し、プレベーキングし
、マスク６をレジスト５に合わせて、所定の所に、所定
のパターンを露光する。
レジスト５を４μｍの厚みで塗布し、プレベーキングし
、マスク６をレジスト５に合わせて、所定の所に、所定
のパターンを露光する。
（３） （６）１７） 様に、オーバーハング量によ
り現像時間を決め、現像し、ボストベーキングをする０
（４） （ｄ） ノ様に、スーパーマロイ８を２μｍ
の厚ミにスパッタする。
り現像時間を決め、現像し、ボストベーキングをする０
（４） （ｄ） ノ様に、スーパーマロイ８を２μｍ
の厚ミにスパッタする。
（５） （＃）の様に、レジスト２と５を剥離するこ
とにより、レジスト上のスーパーマロイ８を除去する。
とにより、レジスト上のスーパーマロイ８を除去する。
以上のプロセスによりスーパーマロイ膜のパターニング
を完了する０ ここに示したプロセスと全く同様の方法により、コバル
トとジルコニウム等の合金などの軟磁性薄膜や、さらに
は、アルミニウム、金、ニッケル、チタンなど、スパッ
タリングで成膜できる薄膜はパターニングが可能である
。
を完了する０ ここに示したプロセスと全く同様の方法により、コバル
トとジルコニウム等の合金などの軟磁性薄膜や、さらに
は、アルミニウム、金、ニッケル、チタンなど、スパッ
タリングで成膜できる薄膜はパターニングが可能である
。
また上記、スパッタリングの代わりに蒸着を使っても全
く同じである。
く同じである。
さらに本発明のスーパーマロイの厚みは２μｍであるが
、レジストの厚みを変えることにより、１０μｍ以下で
あれば形成可能である。
、レジストの厚みを変えることにより、１０μｍ以下で
あれば形成可能である。
以上述べたように発明によれば、レジストを２層にし、
２重露光することにより、簡単に、オーバーハング形状
のレジストパターン形成ができるため、安価な所望薄膜
パターン形成が可能である。
２重露光することにより、簡単に、オーバーハング形状
のレジストパターン形成ができるため、安価な所望薄膜
パターン形成が可能である。
さらに、レジスト厚みと、現像時間などを調整すること
により、段差のある所にもヒレの発生を防ぎ、寸法精度
を向上させ、所望薄膜パターンエツジ部がなだらかにす
ることも可能であるなどの効果を有する。
により、段差のある所にもヒレの発生を防ぎ、寸法精度
を向上させ、所望薄膜パターンエツジ部がなだらかにす
ることも可能であるなどの効果を有する。
第１図（、ｘ）〜（ａ）は、本発明の実施例１における
、す７トオフ法による薄膜のパターニングの工程断面図
である。 第２図（ａ）〜（１）は、本発明の実施例２における、
リフトオフ法による薄膜のパターニングの工程断面図で
ある。 第３図は、す７トオ７用レジストパターン上にスーパー
マロイを成膜した状態の、従来の製造方法の断面図であ
る０ １・・・・・・基板 ２・・・・・・１層目レジスト °３・・・・・・１層目レジスト用マスク４・・・・・
・１層目レジストの露光用光５・・・・・・２層目レジ
スト ６・・・・・・２層目レジスト用マスク７・・・・・・
２層目レジストの露光用光８・・・・・・スーパーマロ
イ ９・・・・・・従来の製造方法のりフトオ７用レジスト
１０・・・・・・ヒレ ′唯） ｃＳＪ″ａ″
、す７トオフ法による薄膜のパターニングの工程断面図
である。 第２図（ａ）〜（１）は、本発明の実施例２における、
リフトオフ法による薄膜のパターニングの工程断面図で
ある。 第３図は、す７トオ７用レジストパターン上にスーパー
マロイを成膜した状態の、従来の製造方法の断面図であ
る０ １・・・・・・基板 ２・・・・・・１層目レジスト °３・・・・・・１層目レジスト用マスク４・・・・・
・１層目レジストの露光用光５・・・・・・２層目レジ
スト ６・・・・・・２層目レジスト用マスク７・・・・・・
２層目レジストの露光用光８・・・・・・スーパーマロ
イ ９・・・・・・従来の製造方法のりフトオ７用レジスト
１０・・・・・・ヒレ ′唯） ｃＳＪ″ａ″
Claims (1)
- 感光性有機樹脂薄膜を使い、マスクより転写して、基
板上に形成された所望反転パターンを用いるリフトオフ
法による、薄膜のパターニング方法において、該感光性
有機樹脂薄膜２層を、各々別々に塗布後所望パターンを
露光し、重ねて形成後該感光性有機樹脂薄膜２層を同時
に現像し、該所望反転パターンを形成したことを特徴と
する、薄膜のパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087010A JPS61245531A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜のパタ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087010A JPS61245531A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜のパタ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245531A true JPS61245531A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13902989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087010A Pending JPS61245531A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜のパタ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156539A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2006041477A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-02-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60087010A patent/JPS61245531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156539A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2006041477A (ja) * | 2004-06-23 | 2006-02-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4556757B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2010-10-06 | 日立電線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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