JP2000056469A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JP2000056469A JP2000056469A JP10233470A JP23347098A JP2000056469A JP 2000056469 A JP2000056469 A JP 2000056469A JP 10233470 A JP10233470 A JP 10233470A JP 23347098 A JP23347098 A JP 23347098A JP 2000056469 A JP2000056469 A JP 2000056469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- exposure
- resist film
- undercut
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイスの製造工程における要求に応じた種
々のアンダーカット形状を容易に形成可能なレジストパ
ターンの形成方法を提供する。 【解決手段】 露光量に応じて感光深さが制御されるレ
ジスト膜を成膜し、このレジスト膜を互いに異なる開口
形状の複数のマスクを介して互いに異なる露光量で多重
露光する。
々のアンダーカット形状を容易に形成可能なレジストパ
ターンの形成方法を提供する。 【解決手段】 露光量に応じて感光深さが制御されるレ
ジスト膜を成膜し、このレジスト膜を互いに異なる開口
形状の複数のマスクを介して互いに異なる露光量で多重
露光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス、
薄膜磁気ヘッド等の薄膜デバイス、厚膜デバイス、その
他の各種デバイスを製造する際に用いるレジストのパタ
ーン形成方法に関する。
薄膜磁気ヘッド等の薄膜デバイス、厚膜デバイス、その
他の各種デバイスを製造する際に用いるレジストのパタ
ーン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のデバイスを製造する際のフォト
リソグラフィ工程、スパッタリング工程等においては、
形成するべき膜がバリのない所望のテーパ形状端面を有
するように、アンダーカット型のフォトレジストパター
ンを用いることがある。
リソグラフィ工程、スパッタリング工程等においては、
形成するべき膜がバリのない所望のテーパ形状端面を有
するように、アンダーカット型のフォトレジストパター
ンを用いることがある。
【０００３】アンダーカット型のレジストパターンの形
成方法としては、画像反転レジストを用いる方法、及び
２層レジスト法が知られている。
成方法としては、画像反転レジストを用いる方法、及び
２層レジスト法が知られている。
【０００４】画像反転レジストを用いる方法は、例え
ば、特開平４−４６３４６号公報等に記載された方法で
あり、画像反転処理が行えるノボラック系ポジ型レジス
トを使用し、ポスト露光ベーク工程及び全面露光工程に
よってポジ型レジストをネガ型に像反転させるものであ
る。
ば、特開平４−４６３４６号公報等に記載された方法で
あり、画像反転処理が行えるノボラック系ポジ型レジス
トを使用し、ポスト露光ベーク工程及び全面露光工程に
よってポジ型レジストをネガ型に像反転させるものであ
る。
【０００５】図１は、この画像反転レジストを用いるレ
ジストパターンの形成方法を説明するための断面図であ
る。
ジストパターンの形成方法を説明するための断面図であ
る。
【０００６】同図（Ａ）に示すように、まず、基板１０
上にレジスト膜１１を塗布する。次いで、同図（Ｂ）に
示すように、マスク１２を用いて、レジストパターンを
形成したい領域を比較的少量の露光量で感光させる。同
図の１３は、レジスト膜１１の感光領域を示している。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、ポスト露光ベークを
行って、感光領域１３を現像時に溶解しない物質に変換
させる。次いで、同図（Ｄ）に示すように、全面露光を
行い、感光していない領域全てを露光する。その後、同
図（Ｅ）に示すように、現像を行うことによって領域１
３の下側の一部１４が除去されたアンダーカット型のレ
ジストパターンを形成する。
上にレジスト膜１１を塗布する。次いで、同図（Ｂ）に
示すように、マスク１２を用いて、レジストパターンを
形成したい領域を比較的少量の露光量で感光させる。同
図の１３は、レジスト膜１１の感光領域を示している。
次いで、同図（Ｃ）に示すように、ポスト露光ベークを
行って、感光領域１３を現像時に溶解しない物質に変換
させる。次いで、同図（Ｄ）に示すように、全面露光を
行い、感光していない領域全てを露光する。その後、同
図（Ｅ）に示すように、現像を行うことによって領域１
３の下側の一部１４が除去されたアンダーカット型のレ
ジストパターンを形成する。
【０００７】２層レジスト法は、以下のような工程を有
する周知の方法である。まず、基板上に下層レジストを
塗布する。次いで、これをベークした後、下層レジスト
と交じり合わない上層レジストを塗布する。次いで、こ
れらの２層にマスクを用いてレジストパターンを転写し
た後、現像を行う。上述のベーク工程により下層レジス
トと上層レジストとは現像液に対する溶解速度が互いに
異ならせてあるため、下層レジストの一部が除去された
アンダーカット型のレジストパターンを形成することが
できる。
する周知の方法である。まず、基板上に下層レジストを
塗布する。次いで、これをベークした後、下層レジスト
と交じり合わない上層レジストを塗布する。次いで、こ
れらの２層にマスクを用いてレジストパターンを転写し
た後、現像を行う。上述のベーク工程により下層レジス
トと上層レジストとは現像液に対する溶解速度が互いに
異ならせてあるため、下層レジストの一部が除去された
アンダーカット型のレジストパターンを形成することが
できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た画像反転レジストを用いる方法によると、領域１３の
下側への現像液の侵入の程度によりアンダーカット形状
の柱部分の高さ及び幅が変化してしまうため、その部分
の形状が非常に不安定であり、安定した量産が期待でき
ない。また、アンダーカット形状の柱部分の高さを大き
くできないため、厚膜のリフトオフ法に対応することが
できない。
た画像反転レジストを用いる方法によると、領域１３の
下側への現像液の侵入の程度によりアンダーカット形状
の柱部分の高さ及び幅が変化してしまうため、その部分
の形状が非常に不安定であり、安定した量産が期待でき
ない。また、アンダーカット形状の柱部分の高さを大き
くできないため、厚膜のリフトオフ法に対応することが
できない。
【０００９】２層レジスト法によると、下層レジスト及
び上層レジストという２回の塗布工程、さらにその間の
ベーク工程が必要となるため、工程数が増え、製造上不
利である。また、下層レジストの不要部分の剥離が難し
く、２回の剥離工程が必要となる場合もあり、工程数が
さらに増大する。さらに、下層レジスト及び上層レジス
ト間の溶解速度の相違によって形状を制御しているた
め、アンダーカット形状の柱部分の高さ及び幅を同時に
制御することが難しく、また、アンダーカット形状の柱
部分の高さを大きくできないため、厚膜のリフトオフ法
に対応することができない。
び上層レジストという２回の塗布工程、さらにその間の
ベーク工程が必要となるため、工程数が増え、製造上不
利である。また、下層レジストの不要部分の剥離が難し
く、２回の剥離工程が必要となる場合もあり、工程数が
さらに増大する。さらに、下層レジスト及び上層レジス
ト間の溶解速度の相違によって形状を制御しているた
め、アンダーカット形状の柱部分の高さ及び幅を同時に
制御することが難しく、また、アンダーカット形状の柱
部分の高さを大きくできないため、厚膜のリフトオフ法
に対応することができない。
【００１０】従って本発明の目的は、デバイスの製造工
程における要求に応じた種々のアンダーカット形状を容
易に形成可能なレジストパターンの形成方法を提供する
ことにある。
程における要求に応じた種々のアンダーカット形状を容
易に形成可能なレジストパターンの形成方法を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、露光量
に応じて感光深さが制御されるレジスト膜を成膜し、こ
のレジスト膜を互いに異なる開口形状の複数のマスクを
介して互いに異なる露光量で多重露光するレジストパタ
ーンの形成方法が提供される。
に応じて感光深さが制御されるレジスト膜を成膜し、こ
のレジスト膜を互いに異なる開口形状の複数のマスクを
介して互いに異なる露光量で多重露光するレジストパタ
ーンの形成方法が提供される。
【００１２】さらに本発明によれば、柱状部分と、この
柱状部分上に形成された傘状部分とを有するレジストパ
ターンの形成方法であって、露光量に応じて感光深さが
制御されるレジスト膜を成膜し、レジスト膜を柱状部分
の形状に対応した開口形状の第１のマスクと傘状部分の
形状に対応した開口形状の第２のマスクとをそれぞれ介
して互いに異なる露光量で多重露光するレジストパター
ンの形成方法が提供される。
柱状部分上に形成された傘状部分とを有するレジストパ
ターンの形成方法であって、露光量に応じて感光深さが
制御されるレジスト膜を成膜し、レジスト膜を柱状部分
の形状に対応した開口形状の第１のマスクと傘状部分の
形状に対応した開口形状の第２のマスクとをそれぞれ介
して互いに異なる露光量で多重露光するレジストパター
ンの形成方法が提供される。
【００１３】露光量に応じて感光深さが制御されるレジ
スト膜を、異なる開口形状の複数のマスクを介して互い
に異なる露光量で多重露光しているので、各マスクのパ
ターン形状毎にレジスト膜の表面からの感光深さが適切
に制御可能となり、その結果、アンダーカット形状、ア
ーチ形状等の内側に窪んだ任意の立体形状のレジストパ
ターンを精度良く形成することができる。
スト膜を、異なる開口形状の複数のマスクを介して互い
に異なる露光量で多重露光しているので、各マスクのパ
ターン形状毎にレジスト膜の表面からの感光深さが適切
に制御可能となり、その結果、アンダーカット形状、ア
ーチ形状等の内側に窪んだ任意の立体形状のレジストパ
ターンを精度良く形成することができる。
【００１４】第１のマスクを介して露光する際の露光量
が第２のマスクを介して露光する際の露光量より多量で
あることが好ましい。
が第２のマスクを介して露光する際の露光量より多量で
あることが好ましい。
【００１５】レジスト膜が、画像反転処理可能なポジ型
レジスト材料で形成されており、多重露光が像反転前の
露光であることが好ましい。
レジスト材料で形成されており、多重露光が像反転前の
露光であることが好ましい。
【００１６】レジスト材料が、ノボラック系ポジ型レジ
スト材料であることがより好ましい。
スト材料であることがより好ましい。
【００１７】多重露光の後、像反転ベーク処理を行い、
次いで全面露光を行った後、現像することが好ましい。
次いで全面露光を行った後、現像することが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】図２は、本発明のレジストパター
ンの形成方法の一実施形態における製造工程を概略的に
示す断面図である。
ンの形成方法の一実施形態における製造工程を概略的に
示す断面図である。
【００１９】同図（Ａ）に示すように、まず、基板２０
上にレジスト膜２１を塗布により成膜する。基板２０と
しては、薄膜磁気ヘッド等の薄膜デバイスの場合、例え
ばＡｌＴｉＣ基板が用いられる。レジスト膜２１として
は、露光量に応じて感光深さが制御される画像反転処理
が可能なレジスト材料、好ましくはノボラック系ポジ型
レジスト材料が用いられる。その一例として、Ｃｌａｒ
ｉａｎｔ社製の画像反転対応ポジ型フォトレジスト５２
１４が用いられる。
上にレジスト膜２１を塗布により成膜する。基板２０と
しては、薄膜磁気ヘッド等の薄膜デバイスの場合、例え
ばＡｌＴｉＣ基板が用いられる。レジスト膜２１として
は、露光量に応じて感光深さが制御される画像反転処理
が可能なレジスト材料、好ましくはノボラック系ポジ型
レジスト材料が用いられる。その一例として、Ｃｌａｒ
ｉａｎｔ社製の画像反転対応ポジ型フォトレジスト５２
１４が用いられる。
【００２０】なお、本発明におけるレジスト膜の材料
は、画像反転処理が可能なこの種のポジ型レジスト材料
に限定されることなく、露光量に応じて感光深さが制御
できかつある程度の解像度を有する材料であれば、ネガ
型レジストをも用いることが可能である。
は、画像反転処理が可能なこの種のポジ型レジスト材料
に限定されることなく、露光量に応じて感光深さが制御
できかつある程度の解像度を有する材料であれば、ネガ
型レジストをも用いることが可能である。
【００２１】次いで、同図（Ｂ）に示すように、アンダ
ーカット形状の柱部分の開口パターンを有する第１のマ
スク２２を介してレジスト膜２１を露光する。この柱部
分の露光は、比較的多量の露光量で行われ、感光領域２
３がレジスト膜２１の底部まで達するようになされる。
ーカット形状の柱部分の開口パターンを有する第１のマ
スク２２を介してレジスト膜２１を露光する。この柱部
分の露光は、比較的多量の露光量で行われ、感光領域２
３がレジスト膜２１の底部まで達するようになされる。
【００２２】次いで、同図（Ｃ）に示すように、アンダ
ーカット形状の傘部分の開口パターンを有する第２のマ
スク２４を介してレジスト膜２１を露光する。この傘部
分の露光は、柱部分の露光に比較して少量の露光量で行
われ、感光領域２５がレジスト膜２１の表面からある程
度の深さとなるようになされる。この感光領域２５の深
さが、アンダーカット形状の柱部分の高さを規定する。
なお、柱部分の幅は、第１のマスク２２のパターンで規
定されることは明らかである。
ーカット形状の傘部分の開口パターンを有する第２のマ
スク２４を介してレジスト膜２１を露光する。この傘部
分の露光は、柱部分の露光に比較して少量の露光量で行
われ、感光領域２５がレジスト膜２１の表面からある程
度の深さとなるようになされる。この感光領域２５の深
さが、アンダーカット形状の柱部分の高さを規定する。
なお、柱部分の幅は、第１のマスク２２のパターンで規
定されることは明らかである。
【００２３】その後、同図（Ｄ）に示すように、ポスト
露光ベーク処理を行って画像反転させる。次いで、同図
（Ｅ）に示すように、全面露光を行い、その後、同図
（Ｆ）に示すように、現像を行ってレジスト膜２１の不
要部分を溶解除去させる。これにより、感光領域２３の
部分がアンダーカット形状の柱部分の全てと傘部分の一
部となり、感光領域２５の部分がアンダーカット形状の
傘部分となる。
露光ベーク処理を行って画像反転させる。次いで、同図
（Ｅ）に示すように、全面露光を行い、その後、同図
（Ｆ）に示すように、現像を行ってレジスト膜２１の不
要部分を溶解除去させる。これにより、感光領域２３の
部分がアンダーカット形状の柱部分の全てと傘部分の一
部となり、感光領域２５の部分がアンダーカット形状の
傘部分となる。
【００２４】このように、アンダーカット形状の柱部分
の高さは、傘部分の露光量を調整することによって任意
に制御でき、また、アンダーカット形状の柱部分の幅
は、マスクのパターンによって任意に設定できる。従っ
て、アンダーカット形状の柱部分の高さ及び幅の両方が
自由に制御することができる。もちろん、アンダーカッ
ト形状の傘部分の形状もマスクのパターンによって任意
に設定できる。その結果、薄膜から厚膜まで、高精度の
任意のリフトオフ工程に対応可能なアンダーカット型レ
ジストパターンを形成することができる。また、薄い膜
については高精度のもの、厚い膜については精度の低い
ものといったプロセスの要求に応じた種々のアンダーカ
ット形状のレジストパターンを形成することも可能であ
る。
の高さは、傘部分の露光量を調整することによって任意
に制御でき、また、アンダーカット形状の柱部分の幅
は、マスクのパターンによって任意に設定できる。従っ
て、アンダーカット形状の柱部分の高さ及び幅の両方が
自由に制御することができる。もちろん、アンダーカッ
ト形状の傘部分の形状もマスクのパターンによって任意
に設定できる。その結果、薄膜から厚膜まで、高精度の
任意のリフトオフ工程に対応可能なアンダーカット型レ
ジストパターンを形成することができる。また、薄い膜
については高精度のもの、厚い膜については精度の低い
ものといったプロセスの要求に応じた種々のアンダーカ
ット形状のレジストパターンを形成することも可能であ
る。
【００２５】実際に、前述の画像反転対応ポジ型フォト
レジスト５２１４を約３μｍの膜厚で成膜し、柱部分に
対応する感光領域２３の部分に約３００ｍｊ／ｃｍ2 程
度の露光量を用い、傘部分に対応する感光領域２５の部
分に約５０ｍｊ／ｃｍ2 程度の露光量が用いた場合、柱
部分の高さが約２μｍ前後のアンダーカット形状が得ら
れた。これは、従来技術によれば、決して得られない形
状である。また、第２のマスク２４によるアンダーカッ
ト形状の傘部分の露光量を変えることにより、アンダー
カット形状の柱部分の高さが自由に制御できることも実
際に確認されている。
レジスト５２１４を約３μｍの膜厚で成膜し、柱部分に
対応する感光領域２３の部分に約３００ｍｊ／ｃｍ2 程
度の露光量を用い、傘部分に対応する感光領域２５の部
分に約５０ｍｊ／ｃｍ2 程度の露光量が用いた場合、柱
部分の高さが約２μｍ前後のアンダーカット形状が得ら
れた。これは、従来技術によれば、決して得られない形
状である。また、第２のマスク２４によるアンダーカッ
ト形状の傘部分の露光量を変えることにより、アンダー
カット形状の柱部分の高さが自由に制御できることも実
際に確認されている。
【００２６】上述した実施形態では、アンダーカット形
状の柱部分の露光を先に行い、傘部分の露光を後に行っ
ているが、本発明によれば、この順序は逆であってもよ
い。
状の柱部分の露光を先に行い、傘部分の露光を後に行っ
ているが、本発明によれば、この順序は逆であってもよ
い。
【００２７】また、上述した実施形態では、異なるマス
クによる２回の露光を行って柱部分とその上に形成され
た傘部分とによるレジストパターンを作成する場合であ
るが、本発明の方法により、異なるマスクによる３回以
上の多重露光を行うことによって、同一レジストパター
ン内に、例えば高さ、幅が異なる複数のアンダーカット
形状を形成するようにしてもよい。
クによる２回の露光を行って柱部分とその上に形成され
た傘部分とによるレジストパターンを作成する場合であ
るが、本発明の方法により、異なるマスクによる３回以
上の多重露光を行うことによって、同一レジストパター
ン内に、例えば高さ、幅が異なる複数のアンダーカット
形状を形成するようにしてもよい。
【００２８】さらにまた、上述した実施形態ではアンダ
ーカット形状のレジストパターンを形成しているが、本
発明によれば、下部の一部が窪んだ立体形状のレジスト
パターン、例えば、２つの柱部分に跨がって傘部分を形
成することによってアーチ形状のレジストパターンを作
成することも可能である。
ーカット形状のレジストパターンを形成しているが、本
発明によれば、下部の一部が窪んだ立体形状のレジスト
パターン、例えば、２つの柱部分に跨がって傘部分を形
成することによってアーチ形状のレジストパターンを作
成することも可能である。
【００２９】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００３０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、露光量に応じて感光深さが制御されるレジスト膜
を、異なる開口形状の複数のマスクを介して互いに異な
る露光量で多重露光しているので、各マスクのパターン
形状毎にレジスト膜の表面からの感光深さが適切に制御
可能となり、その結果、アンダーカット形状、アーチ形
状等の内側に窪んだ任意の立体形状のレジストパターン
を精度良く形成することができる。
ば、露光量に応じて感光深さが制御されるレジスト膜
を、異なる開口形状の複数のマスクを介して互いに異な
る露光量で多重露光しているので、各マスクのパターン
形状毎にレジスト膜の表面からの感光深さが適切に制御
可能となり、その結果、アンダーカット形状、アーチ形
状等の内側に窪んだ任意の立体形状のレジストパターン
を精度良く形成することができる。
【図１】従来技術である画像反転レジストを用いるレジ
ストパターンの形成方法を説明するための断面図であ
る。
ストパターンの形成方法を説明するための断面図であ
る。
【図２】本発明のレジストパターンの形成方法の一実施
形態における製造工程を概略的に示す断面図である。
形態における製造工程を概略的に示す断面図である。
２０ 基板 ２１ レジスト膜 ２２ 第１のマスク ２３、２５ 感光領域 ２４ 第２のマスク
Claims (6)
- 【請求項１】 露光量に応じて感光深さが制御されるレ
ジスト膜を成膜し、該レジスト膜を互いに異なる開口形
状の複数のマスクを介して互いに異なる露光量で多重露
光することを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 柱状部分と、該柱状部分上に形成された
傘状部分とを有するレジストパターンの形成方法であっ
て、露光量に応じて感光深さが制御されるレジスト膜を
成膜し、該レジスト膜を前記柱状部分の形状に対応した
開口形状の第１のマスクと前記傘状部分の形状に対応し
た開口形状の第２のマスクとをそれぞれ介して互いに異
なる露光量で多重露光することを特徴とするレジストパ
ターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記第１のマスクを介して露光する際の
露光量が前記第２のマスクを介して露光する際の露光量
より多量であることを特徴とする請求項２に記載の方
法。 - 【請求項４】 前記レジスト膜が、画像反転処理可能な
ポジ型レジスト材料で形成されており、前記多重露光が
像反転前の露光であることを特徴とする請求項１から３
のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項５】 前記レジスト材料が、ノボラック系ポジ
型レジスト材料であることを特徴とする請求項４に記載
の方法。 - 【請求項６】 前記多重露光の後、像反転ベーク処理を
行い、次いで全面露光を行った後、現像することを特徴
とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233470A JP2000056469A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | レジストパターンの形成方法 |
| US09/364,035 US6451511B1 (en) | 1998-08-06 | 1999-07-30 | Method for forming-photoresist mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233470A JP2000056469A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000056469A true JP2000056469A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16955538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10233470A Pending JP2000056469A (ja) | 1998-08-06 | 1998-08-06 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6451511B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000056469A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005122153A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト形状パターン、レジストパターン形成方法、マスター情報担体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2016189391A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| WO2017058589A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Tokyo Electron Limited | Method for patterning a substrate using extreme ultraviolet lithography |
| WO2017087066A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Tokyo Electron Limited | Methods of forming etch masks for sub-resolution substrate patterning |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050130075A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | Mohammed Shaarawi | Method for making fluid emitter orifice |
| US7368229B2 (en) * | 2004-04-28 | 2008-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Composite layer method for minimizing PED effect |
| US20080085471A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-10 | Anderson Brent A | Photolithographic method using multiple photoexposure apparatus |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859573A (en) * | 1984-08-13 | 1989-08-22 | Ncr Corporation | Multiple photoresist layer process using selective hardening |
| JPS62105423A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | ネガ型レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS62141548A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63316429A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Toshiba Corp | 微細パタ−ンの形成方法 |
| US4814258A (en) * | 1987-07-24 | 1989-03-21 | Motorola Inc. | PMGI bi-layer lift-off process |
| JP2544006B2 (ja) | 1990-06-14 | 1996-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5468595A (en) * | 1993-01-29 | 1995-11-21 | Electron Vision Corporation | Method for three-dimensional control of solubility properties of resist layers |
| SG60011A1 (en) * | 1995-07-26 | 1999-02-22 | Tdk Corp | Resist pattern of t-shaped cross section its preparation and magnetoresistance thin film element |
| US5658469A (en) * | 1995-12-11 | 1997-08-19 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Method for forming re-entrant photoresist lift-off profile for thin film device processing and a thin film device made thereby |
| US5885749A (en) * | 1997-06-20 | 1999-03-23 | Clear Logic, Inc. | Method of customizing integrated circuits by selective secondary deposition of layer interconnect material |
| JP3421259B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2003-06-30 | ティーディーケイ株式会社 | エッチングマスク、その作製方法およびエッチング方法、並びに磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6042975A (en) * | 1998-07-08 | 2000-03-28 | Lucent Technologies Inc. | Alignment techniques for photolithography utilizing multiple photoresist layers |
-
1998
- 1998-08-06 JP JP10233470A patent/JP2000056469A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-30 US US09/364,035 patent/US6451511B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005122153A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト形状パターン、レジストパターン形成方法、マスター情報担体の製造方法、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、および磁気記録再生装置 |
| JP4576954B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | レジストパターン形成方法、マスター情報担体の製造方法 |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP2016189391A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| WO2017058589A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Tokyo Electron Limited | Method for patterning a substrate using extreme ultraviolet lithography |
| US10606176B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-03-31 | Tokyo Electron Limited | Method for patterning a substrate using extreme ultraviolet lithography |
| WO2017087066A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Tokyo Electron Limited | Methods of forming etch masks for sub-resolution substrate patterning |
| US10103032B2 (en) | 2015-11-20 | 2018-10-16 | Tokyo Electron Limited | Methods of forming etch masks for sub-resolution substrate patterning |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6451511B1 (en) | 2002-09-17 |
| US20020090577A1 (en) | 2002-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7314834B2 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
| JP2000056469A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6236636B2 (ja) | ||
| US6737200B2 (en) | Method for aligning a contact or a line to adjacent phase-shifter on a mask | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
| JPH04283916A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR101120167B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JPH03142466A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いられるマスク | |
| JPH06177068A (ja) | パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| KR20040013190A (ko) | 반도체 장치의 패턴형성방법 | |
| JPS60254616A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
| JPH0462166B2 (ja) | ||
| JP2001290283A (ja) | 積層構造体の製造方法 | |
| JPH05347244A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0471331B2 (ja) | ||
| JPH04186641A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2008035059A2 (en) | Exposure and patterning process for forming multi-layer resist structures | |
| JPS6224941B2 (ja) | ||
| JPS62229243A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01302841A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPS61198632A (ja) | レジストパタ−ンアンダ−カツト形状の形成方法 | |
| JPH0526182B2 (ja) | ||
| JPH0562875A (ja) | パターン形成方法及びその実施に使用する露光装置 | |
| JP2005285915A (ja) | ウエハのパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030408 |